JP2000357806A - 太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池モジュール及びその製造方法Info
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- JP2000357806A JP2000357806A JP11169960A JP16996099A JP2000357806A JP 2000357806 A JP2000357806 A JP 2000357806A JP 11169960 A JP11169960 A JP 11169960A JP 16996099 A JP16996099 A JP 16996099A JP 2000357806 A JP2000357806 A JP 2000357806A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 防火性能の向上した太陽電池モジュール
及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板1上に、第1電極2、光電変換層3及び
第2電極4が積層されてなる複数の単位セルUCを備
え、該単位セルUCの裏面側に裏面材6を配してなる太
陽電池モジュールにおいて、前記裏面材6は、前記第2
電極4により前記単位セルUCの裏面側に接着されてい
る。
及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板1上に、第1電極2、光電変換層3及び
第2電極4が積層されてなる複数の単位セルUCを備
え、該単位セルUCの裏面側に裏面材6を配してなる太
陽電池モジュールにおいて、前記裏面材6は、前記第2
電極4により前記単位セルUCの裏面側に接着されてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池モジュー
ル及びその製造方法に係り、特にその防火性能を向上さ
せるための技術に関する。
ル及びその製造方法に係り、特にその防火性能を向上さ
せるための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】太陽電池を家屋やビル等の屋根、ベラン
ダ或いは屋上等に設置し、太陽電池で発電した電力を家
庭内或いはビル内の電気機器に供給する太陽光発電シス
テムが普及している。斯かる太陽光発電システムにおい
て、太陽電池は通常屋外に設置されるために、耐候性を
高めた太陽電池モジュールの形態で使用される。
ダ或いは屋上等に設置し、太陽電池で発電した電力を家
庭内或いはビル内の電気機器に供給する太陽光発電シス
テムが普及している。斯かる太陽光発電システムにおい
て、太陽電池は通常屋外に設置されるために、耐候性を
高めた太陽電池モジュールの形態で使用される。
【0003】図4は、非晶質シリコン(a−Si)に代
表される非晶質半導体を用いた従来の太陽電池モジュー
ルの構造を示す断面図である。同図において、11はガ
ラスからなる基板であり、12はITO,SnO2,Z
nO等の透光性導電材からなる第1電極である。また、
13は非晶質半導体からなり内部にpin接合を有する
光電変換層であり、14はAg,Al等の高反射性を有
する金属材料から成る第2電極である。そして、第1電
極12,光電変換層13及び第2電極14の積層体から
単位セルUCが構成されており、各単位セルUC,UC
…は、夫々の間に介在する直列接続部20において互い
の第1電極12と第2電極14とが電気的に接続される
ことにより直列接続されている。
表される非晶質半導体を用いた従来の太陽電池モジュー
ルの構造を示す断面図である。同図において、11はガ
ラスからなる基板であり、12はITO,SnO2,Z
nO等の透光性導電材からなる第1電極である。また、
13は非晶質半導体からなり内部にpin接合を有する
光電変換層であり、14はAg,Al等の高反射性を有
する金属材料から成る第2電極である。そして、第1電
極12,光電変換層13及び第2電極14の積層体から
単位セルUCが構成されており、各単位セルUC,UC
…は、夫々の間に介在する直列接続部20において互い
の第1電極12と第2電極14とが電気的に接続される
ことにより直列接続されている。
【0004】また、15はEVA、PVB等の熱可塑性
樹脂からなる封止剤であり、16は例えばAl箔をPE
Tフィルムによりサンドイッチした構造を有する裏面材
である。
樹脂からなる封止剤であり、16は例えばAl箔をPE
Tフィルムによりサンドイッチした構造を有する裏面材
である。
【0005】ところで、近年、建材としても用いること
ができる建材一体型の太陽電池モジュールが検討されて
いる。斯かる建材一体型の太陽電池モジュールによれ
ば、従来使用していた屋根瓦等の建材を不要とすること
ができ、コストの低減や作業工程数の削減を図ることが
できる。
ができる建材一体型の太陽電池モジュールが検討されて
いる。斯かる建材一体型の太陽電池モジュールによれ
ば、従来使用していた屋根瓦等の建材を不要とすること
ができ、コストの低減や作業工程数の削減を図ることが
できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上記従来の
太陽電池モジュールにあっては、高温になった際に封止
剤として用いているEVA等の熱可塑性樹脂が溶融する
虞がある。
太陽電池モジュールにあっては、高温になった際に封止
剤として用いているEVA等の熱可塑性樹脂が溶融する
虞がある。
【0007】従って、本発明は斯かる従来の課題を解決
し、防火性能の向上した太陽電池モジュール及びその製
造方法を提供することを目的とする。
し、防火性能の向上した太陽電池モジュール及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明太陽電池モジュールは、基板上に、第1電
極、光電変換層及び第2電極が積層されてなる複数の単
位セルを備え、該単位セルの裏面側に裏面材を配してな
る太陽電池モジュールにおいて、前記裏面材は、前記第
2電極により前記単位セルの裏面側に接着されているこ
とを特徴とする。
に、本発明太陽電池モジュールは、基板上に、第1電
極、光電変換層及び第2電極が積層されてなる複数の単
位セルを備え、該単位セルの裏面側に裏面材を配してな
る太陽電池モジュールにおいて、前記裏面材は、前記第
2電極により前記単位セルの裏面側に接着されているこ
とを特徴とする。
【0009】また、相隣接する第2電極は、絶縁部によ
り互いに電気的に絶縁されていることを特徴とする。
り互いに電気的に絶縁されていることを特徴とする。
【0010】さらには、前記第2電極が、導電ペースト
からなることを特徴とする。
からなることを特徴とする。
【0011】また、本発明太陽電池モジュールの製造方
法は、基板上に複数の第1電極を分割配置する工程と、
該複数の第1電極上を含んで前記基板上の全面に、内部
に半導体接合を有する半導体膜を形成する工程と、前記
第1電極上において該半導体膜の所定部を溝状に除去
し、前記第1電極の表面を露出させると共に前記半導体
膜を複数の光電変換層に分割する工程と、相隣接する前
記光電変換層における一方の光電変換層上から他方の光
電変換層上にまで連続する導電ペーストを設けると共
に、相隣接する導電ペーストの隣接間隔部に絶縁ペース
トを設ける工程と、前記導電ペースト及び絶縁ペースト
上に裏面材を配置した状態で加熱することにより、前記
導電ペースト及び絶縁ペーストを焼成、硬化すると共に
前記裏面材を接着する工程と、を備えることを特徴とす
る。
法は、基板上に複数の第1電極を分割配置する工程と、
該複数の第1電極上を含んで前記基板上の全面に、内部
に半導体接合を有する半導体膜を形成する工程と、前記
第1電極上において該半導体膜の所定部を溝状に除去
し、前記第1電極の表面を露出させると共に前記半導体
膜を複数の光電変換層に分割する工程と、相隣接する前
記光電変換層における一方の光電変換層上から他方の光
電変換層上にまで連続する導電ペーストを設けると共
に、相隣接する導電ペーストの隣接間隔部に絶縁ペース
トを設ける工程と、前記導電ペースト及び絶縁ペースト
上に裏面材を配置した状態で加熱することにより、前記
導電ペースト及び絶縁ペーストを焼成、硬化すると共に
前記裏面材を接着する工程と、を備えることを特徴とす
る。
【0012】或いは、基板上に複数の第1電極を分割配
置した後に、該複数の第1電極上を含んで前記基板上の
全面に、内部に半導体接合を有する半導体膜を形成し、
前記第1電極上において該半導体膜の所定部を溝状に除
去することにより、前記第1電極の表面を露出させると
共に前記半導体膜を複数の光電変換層に分割する工程
と、裏面材上において、相隣接する前記光電変換層の一
方の光電変換層から他方の光電変換層に至るまでの領域
と対応する連続した領域に導電ペーストを設けると共
に、相隣接する導電ペーストの隣接間隔部に絶縁ペース
トを設ける工程と、前記基板と前記裏面材とを夫々の光
電変換層と導電ペースト及び絶縁ペーストとが対向する
ように貼り合せた状態で加熱することにより、前記導電
ペースト及び絶縁ペーストを焼成、硬化すると共に前記
基板と裏面材とを接着する工程と、を備えることを特徴
とする。
置した後に、該複数の第1電極上を含んで前記基板上の
全面に、内部に半導体接合を有する半導体膜を形成し、
前記第1電極上において該半導体膜の所定部を溝状に除
去することにより、前記第1電極の表面を露出させると
共に前記半導体膜を複数の光電変換層に分割する工程
と、裏面材上において、相隣接する前記光電変換層の一
方の光電変換層から他方の光電変換層に至るまでの領域
と対応する連続した領域に導電ペーストを設けると共
に、相隣接する導電ペーストの隣接間隔部に絶縁ペース
トを設ける工程と、前記基板と前記裏面材とを夫々の光
電変換層と導電ペースト及び絶縁ペーストとが対向する
ように貼り合せた状態で加熱することにより、前記導電
ペースト及び絶縁ペーストを焼成、硬化すると共に前記
基板と裏面材とを接着する工程と、を備えることを特徴
とする。
【0013】
【発明の実施の形態】図1に本発明の実施の形態に係る
太陽電池モジュールの構造断面図を示す。同図におい
て、1は例えばガラス,プラスチック等の透光性を有す
る材料からなる基板であり、2は該基板1上の複数の領
域に互いに分割して設けられたSnO2,ITO,Zn
O等の透光性導電材からなる第1電極である。また、3
は非晶質半導体からなり内部にpin接合等の半導体接
合を有する光電変換層であり、4はAg,Al等の金属
成分を含む金属ペーストからなる第2電極である。そし
て、5は各単位セルUC,UC間における第2電極4,
4同士の短絡を防止するための、例えば絶縁ペーストか
ら成る絶縁部であり、6は例えばAl箔をPETフィル
ムによりサンドイッチした構造を有する裏面材である。
太陽電池モジュールの構造断面図を示す。同図におい
て、1は例えばガラス,プラスチック等の透光性を有す
る材料からなる基板であり、2は該基板1上の複数の領
域に互いに分割して設けられたSnO2,ITO,Zn
O等の透光性導電材からなる第1電極である。また、3
は非晶質半導体からなり内部にpin接合等の半導体接
合を有する光電変換層であり、4はAg,Al等の金属
成分を含む金属ペーストからなる第2電極である。そし
て、5は各単位セルUC,UC間における第2電極4,
4同士の短絡を防止するための、例えば絶縁ペーストか
ら成る絶縁部であり、6は例えばAl箔をPETフィル
ムによりサンドイッチした構造を有する裏面材である。
【0014】さらに、本発明太陽電池モジュールにあっ
ては、上記第2電極4が裏面側に裏面材6を接着させる
ための接着用部材としての機能も有しており、裏面材6
は、第2電極4により単位セルUCの裏面側に接着され
ている。
ては、上記第2電極4が裏面側に裏面材6を接着させる
ための接着用部材としての機能も有しており、裏面材6
は、第2電極4により単位セルUCの裏面側に接着され
ている。
【0015】従って、本発明太陽電池モジュールによれ
ば、熱可塑性樹脂からなる封止剤を不要とすることがで
き、優れた防火性能を有する材料のみから構成されるの
で、従来よりも防火性能を向上させることができる。
ば、熱可塑性樹脂からなる封止剤を不要とすることがで
き、優れた防火性能を有する材料のみから構成されるの
で、従来よりも防火性能を向上させることができる。
【0016】次に、斯かる本発明太陽電池モジュールの
製造方法について、図2に示す工程別構造断面図を参照
して説明する。
製造方法について、図2に示す工程別構造断面図を参照
して説明する。
【0017】まず、同図(A)に示す第1工程において
は、ガラスからなる基板1表面の全面に、熱CVD法、
スパッタ法又は蒸着法等の方法を用いて、SnO2,I
TO或いはZnO等からなる厚さ8000Å程度の透光
性導電膜を形成する。そして、レーザパターニング法或
いはリソグラフィー法等の方法により透光性導電膜の所
定部分を溝状に除去し、複数の第1電極2,2…に分割
する。
は、ガラスからなる基板1表面の全面に、熱CVD法、
スパッタ法又は蒸着法等の方法を用いて、SnO2,I
TO或いはZnO等からなる厚さ8000Å程度の透光
性導電膜を形成する。そして、レーザパターニング法或
いはリソグラフィー法等の方法により透光性導電膜の所
定部分を溝状に除去し、複数の第1電極2,2…に分割
する。
【0018】次に、同図(B)に示す工程においては、
第1電極2上を含んで基板1表面の全面に、プラズマC
VD法を用いて順次厚さ150Å程度のp型の非晶質シ
リコンカーバイド膜、厚さ4000Å程度の真性の非晶
質シリコン膜、及び厚さ400Å程度のn型の非晶質シ
リコン膜を形成することにより、内部に半導体接合を有
する半導体膜を形成する。尚、非晶質半導体としてはこ
こに挙げた非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド
に限らず、非晶質シリコンゲルマニウム、微結晶シリコ
ン或いは微結晶シリコンカーバイド等他の非晶質半導体
を用いても良い。そして、以上のようにして形成した半
導体膜を、第1電極2上の所定部分においてレーザパタ
ーニング法或いはリソグラフィー法等の方法により溝状
に除去し、第1電極2表面を露出させると共に、複数の
光電変換層3,3…に分割する。
第1電極2上を含んで基板1表面の全面に、プラズマC
VD法を用いて順次厚さ150Å程度のp型の非晶質シ
リコンカーバイド膜、厚さ4000Å程度の真性の非晶
質シリコン膜、及び厚さ400Å程度のn型の非晶質シ
リコン膜を形成することにより、内部に半導体接合を有
する半導体膜を形成する。尚、非晶質半導体としてはこ
こに挙げた非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド
に限らず、非晶質シリコンゲルマニウム、微結晶シリコ
ン或いは微結晶シリコンカーバイド等他の非晶質半導体
を用いても良い。そして、以上のようにして形成した半
導体膜を、第1電極2上の所定部分においてレーザパタ
ーニング法或いはリソグラフィー法等の方法により溝状
に除去し、第1電極2表面を露出させると共に、複数の
光電変換層3,3…に分割する。
【0019】次いで、同図(C)に示す第3工程におい
ては、相隣接する前記光電変換層3,3における一方の
光電変換層3上から他方の光電変換層3上にまで導電ペ
ースト4'を連続して塗布する。このとき、前述した第
2工程により形成された第1電極2の露出部分上にも導
電ペースト4'が塗布されることとなる。さらに、隣接
する導電ペースト間の隣接間隔部に絶縁ペースト5'を
塗布する。
ては、相隣接する前記光電変換層3,3における一方の
光電変換層3上から他方の光電変換層3上にまで導電ペ
ースト4'を連続して塗布する。このとき、前述した第
2工程により形成された第1電極2の露出部分上にも導
電ペースト4'が塗布されることとなる。さらに、隣接
する導電ペースト間の隣接間隔部に絶縁ペースト5'を
塗布する。
【0020】最後に、同図(D)に示す第4工程におい
ては、導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'上に、アル
ミニウム箔をPETフィルムにてサンドイッチした構造
を有する裏面材6を載置し、加熱して上記導電ペースト
4'及び絶縁ペースト5'を焼成・硬化させることによ
り、図1に示した本発明太陽電池モジュールが製造され
る。
ては、導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'上に、アル
ミニウム箔をPETフィルムにてサンドイッチした構造
を有する裏面材6を載置し、加熱して上記導電ペースト
4'及び絶縁ペースト5'を焼成・硬化させることによ
り、図1に示した本発明太陽電池モジュールが製造され
る。
【0021】また、本発明太陽電池モジュールは、以下
に説明する方法によっても製造することができる。
に説明する方法によっても製造することができる。
【0022】図3は、本発明製造方法に係る別の実施の
形態を説明するための工程別構造断面図であり、同図
(A),(B)に示す工程は図2(A),(B)の工程
と同一であるので、説明を省略する。
形態を説明するための工程別構造断面図であり、同図
(A),(B)に示す工程は図2(A),(B)の工程
と同一であるので、説明を省略する。
【0023】本実施形態において前述の実施形態と異な
る点は、前述の実施形態では導電ペースト4'及び絶縁
ペースト5'を光電変換層3上に塗布していたのに対
し、本実施形態においては図3(C)に示すように、裏
面材6上に導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'を塗布
した点にある。このとき、導電ペースト4'は、裏面材
6と基板1とを貼り合せる際に、基板1上に形成された
相隣接する光電変換層3,3における一方の光電変換層
3から他方の光電変換層3にまで至る領域と対応する連
続した領域に、塗布する。
る点は、前述の実施形態では導電ペースト4'及び絶縁
ペースト5'を光電変換層3上に塗布していたのに対
し、本実施形態においては図3(C)に示すように、裏
面材6上に導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'を塗布
した点にある。このとき、導電ペースト4'は、裏面材
6と基板1とを貼り合せる際に、基板1上に形成された
相隣接する光電変換層3,3における一方の光電変換層
3から他方の光電変換層3にまで至る領域と対応する連
続した領域に、塗布する。
【0024】そして、図3(D)に示す如く、光電変換
層3と導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'とが対向す
るように基板1及び裏面材6を貼り合せ、加熱して前記
導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'を焼成・硬化す
る。この工程により、裏面材6上に塗布された導電ペー
スト4'が溶融し、電極1の露出表面と接触すると共
に、導電ペースト4'により裏面材6が単位セルUCの
裏面側に接着されることとなり、図1に示す構成の太陽
電池モジュールを製造することができる。
層3と導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'とが対向す
るように基板1及び裏面材6を貼り合せ、加熱して前記
導電ペースト4'及び絶縁ペースト5'を焼成・硬化す
る。この工程により、裏面材6上に塗布された導電ペー
スト4'が溶融し、電極1の露出表面と接触すると共
に、導電ペースト4'により裏面材6が単位セルUCの
裏面側に接着されることとなり、図1に示す構成の太陽
電池モジュールを製造することができる。
【0025】尚、以上の実施の形態において、導電ペー
ストとしては無機系或いは有機系のバインダー中にA
u,Ag,Cu,Ni,Al等の金属を分散させたもの
を用いることができ、絶縁ペーストとしてはエポキシ
系、ポリイミド系或いはセラミック系の絶縁ペーストを
用いることができる。また、裏面材としては上述した以
外に、例えばPET,PVDF,PEN,ETFE等の
フィルム、Al箔,Fe箔或いはSUS箔を上記のフィ
ルムでサンドイッチした構造を有するフィルム、或いは
金属鋼鈑、ガラス、Al型材等からなる裏面材をを用い
ることができる。
ストとしては無機系或いは有機系のバインダー中にA
u,Ag,Cu,Ni,Al等の金属を分散させたもの
を用いることができ、絶縁ペーストとしてはエポキシ
系、ポリイミド系或いはセラミック系の絶縁ペーストを
用いることができる。また、裏面材としては上述した以
外に、例えばPET,PVDF,PEN,ETFE等の
フィルム、Al箔,Fe箔或いはSUS箔を上記のフィ
ルムでサンドイッチした構造を有するフィルム、或いは
金属鋼鈑、ガラス、Al型材等からなる裏面材をを用い
ることができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、導
電ペーストからなる第2電極を用いて裏面材を接着した
ので、防火性能の高い材料だけから太陽電池モジュール
を構成することができ、防火性能の向上した太陽電池モ
ジュールを提供することができる。
電ペーストからなる第2電極を用いて裏面材を接着した
ので、防火性能の高い材料だけから太陽電池モジュール
を構成することができ、防火性能の向上した太陽電池モ
ジュールを提供することができる。
【図1】本発明太陽電池モジュールの構造断面図であ
る。
る。
【図2】本発明太陽電池モジュールの製造方法の第一の
実施の形態を説明するための工程別構造断面図である。
実施の形態を説明するための工程別構造断面図である。
【図3】本発明太陽電池モジュールの別の実施の形態を
説明するための工程別構造断面図である。
説明するための工程別構造断面図である。
【図4】従来の太陽電池モジュールの構造断面図であ
る。
る。
1…基板、2…第1電極、3…光電変換層、4…第2電
極、5…絶縁部、6…裏面材、4'…導電ペースト、5'
…絶縁ペースト
極、5…絶縁部、6…裏面材、4'…導電ペースト、5'
…絶縁ペースト
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に、第1電極、光電変換層及び第
2電極が積層されてなる複数の単位セルを備え、該単位
セルの裏面側に裏面材を配してなる太陽電池モジュール
において、前記裏面材は、前記第2電極により前記単位
セルの裏面側に接着されていることを特徴とする太陽電
池モジュール。 - 【請求項2】 相隣接する第2電極は、絶縁部により互
いに電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1
記載の太陽電池モジュール。 - 【請求項3】 前記第2電極が、導電ペーストからなる
ことを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池モジュ
ール。 - 【請求項4】 基板上に複数の第1電極を分割配置する
工程と、該複数の第1電極上を含んで前記基板上の全面
に、内部に半導体接合を有する半導体膜を形成する工程
と、前記第1電極上において該半導体膜の所定部を溝状
に除去し、前記第1電極の表面を露出させると共に前記
半導体膜を複数の光電変換層に分割する工程と、相隣接
する前記光電変換層における一方の光電変換層上から他
方の光電変換層上にまで連続する導電ペーストを設ける
と共に、相隣接する導電ペーストの隣接間隔部に絶縁ペ
ーストを設ける工程と、前記導電ペースト及び絶縁ペー
スト上に裏面材を配置した状態で加熱することにより、
前記導電ペースト及び絶縁ペーストを焼成、硬化すると
共に前記裏面材を接着する工程と、を備えることを特徴
とする太陽電池モジュールの製造方法。 - 【請求項5】 基板上に複数の第1電極を分割配置した
後に、該複数の第1電極上を含んで前記基板上の全面
に、内部に半導体接合を有する半導体膜を形成し、前記
第1電極上において該半導体膜の所定部を溝状に除去す
ることにより、前記第1電極の表面を露出させると共に
前記半導体膜を複数の光電変換層に分割する工程と、裏
面材上において、相隣接する前記光電変換層の一方の光
電変換層から他方の光電変換層に至るまでの領域と対応
する連続した領域に導電ペーストを設けると共に、相隣
接する導電ペーストの隣接間隔部に絶縁ペーストを設け
る工程と、前記基板と前記裏面材とを夫々の光電変換層
と導電ペースト及び絶縁ペーストとが対向するように貼
り合せた状態で加熱することにより、前記導電ペースト
及び絶縁ペーストを焼成、硬化すると共に前記基板と裏
面材とを接着する工程と、を備えることを特徴とする太
陽電池モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11169960A JP2000357806A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11169960A JP2000357806A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357806A true JP2000357806A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15896030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11169960A Pending JP2000357806A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051519A1 (ja) * | 2011-10-04 | 2013-04-11 | 旭硝子株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール及び薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| CN109779042A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-05-21 | 郑毅 | 装配式智能光电保温防火建材 |
-
1999
- 1999-06-16 JP JP11169960A patent/JP2000357806A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051519A1 (ja) * | 2011-10-04 | 2013-04-11 | 旭硝子株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール及び薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| CN109779042A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-05-21 | 郑毅 | 装配式智能光电保温防火建材 |
| CN109779042B (zh) * | 2019-02-01 | 2024-04-05 | 郑毅 | 装配式智能光电保温防火建材 |
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