JP2000500457A - 精製されたテトラエトキシシランおよび精製方法 - Google Patents

精製されたテトラエトキシシランおよび精製方法

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Abstract

(57)【要約】 純粋なテトラエトキシシランの沸点より低い温度においてガスクロマトグラフィー分離カラム(94,96)に不純物のある物質を通過させることによりテトラエトキシシランが精製される。不純物からの純粋な物質の分離がカラム(94,96)上で起り、そして、純粋な物質がその後に冷却されそして受槽(122)内に収集される。精製されたテトラエトキシシランは金属の含有率を基準とし99.999999%の純度を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 精製されたテトラエトキシシランおよび精製方法発明の分野 本発明は不純物の除去に際して分解する危険を減らしつつ超高純度のテトラエ トキシシランを製造する方法、ならびにこの方法によって製造される精製された テトラエトキシシランに関する。発明の背景 テトラエチルオルトシリケート(TEOS)としても知られ、Si(OC2H5 )4の構造を有するテトラエトキシシランは、半導体デバイス製造用に基板上に 二酸化ケイ素(SiO2)のフィルム(薄膜)を形成するのに関連して、化学蒸 着反応器内で広く使用される。二酸化ケイ素は半導体デバイスの絶縁表面を形成 する。この用途においては、許容できる電子的特性を有する二酸化ケイ素フィル ムを形成するためにTEOSは不純物を可能なかぎり含まないことが必要である 。TEOSは、ケイ素ゲル、ペイントおよびプラスチック等の生成物の製造にも 使用されるが、これらの用途では高純度はさほど重要でない。 TEOSは室温で液状であり、またHandbook of Chemistry and Physics(C RC Press,第74版)に記載の165.5〜168℃の沸点範囲に従うとして 沸点は約167℃である。残念なことに、TEOSは、常圧蒸溜に際し沸点に近 づくにつれ、エタノール、二酸化ケイ素および、オリゴマー性シリルエーテルと 考えられる様々なポリマーに分解する傾向がある。TEOSのこの特性は極めて 高度に精製された製品を得ようとする努力を妨げてきた。 製造当初、TEOSの純度は典型的に約97%である。不純物には金属性物質 またはメタロイドのような電子的に活性な物質があり、これらは純度97%のT EOS中に100万部あたり約I〜5部(ppm)の濃度で存在する。二酸化ケイ素 フィルム上に沈着したこれらの不純物は、フィルムの電子的特性を徹底的に変化 させ、半導体デバイスを役に立たなくする。二酸化ケイ素フィルムが有用である ためには、電子的に活性な不純物が10億部あたり1部(ppb)未満に減少されね ばならない。TEOS中の電子性でない不純物には有機物質と水とがある。これ らの不純物はフィルム表面の構造的完全性および平面均一性を変化させることで フィルムの物理的特性に悪影響を与える。 低圧蒸溜などの現在利用できる精製技術ではTEOSの純度を約99.8%ま で増大することができる。当然ながら、この純度水準であっても、TEOS中に は約0.2%の不純物がまだあり、またこの不純物の一部が、TEOSから製造 されるフィルム層上に沈着するであろう。フィルム中に非電子性の不純物が存在 すると、平面均一性が阻害され、また、フィルムの構造的および電子的な完全性 をともに変化させうる応力点が生み出される。さらに、常套的に精製されるTE OS中に残存する電子的に活性な沈着性の不純物の量は、電子的特性を調整する ために二酸化ケイ素フィルム中に導入されるドープ剤(ドーパント)の量に等し くまたはおそらくはそれを越える可能性がある。 半導体デバイスの製造に使用される二酸化ケイ素フィルム上に沈着する可能性 がおそらくある電子性および非電子性の不純物の量を実質的に減少させる精製方 法を得ることは極めて有利であろう。さらに、TEOSの成分として存在する何 らかの不純物によってほとんど影響を受けない電子的特性を有する二酸化ケイ素 の製造を可能にする極度に精製された状態のTEOSを得ることは著るしく有利 であろう。また、その電子的に活性な不純物および非電子性の不純物の双方から のTEOSの分離を実施する環境を与えることのできる手段を得ることはさらに 有利である。発明の概要 本発明はTEOSを精製する方法、精製された製品、および精製を実施するた めの装置に関する。TEOSは、それを99.9999%まで含有する製品が製 造される方法で、精製されることができる。この方法では、定期的で(定時的で :timed)、間隔のあいた一連の脈動流(パルス)として粗製TEOSをキャリヤ ーガス流中に注入する大規模のガスクロマトグラフィー(LSGC)が利用され 、このキャリヤーガス流はTEOSの脈動流をガスクロマトグラフィーカラムま で搬送し、脈動流はクロマトグラフィーカラムを通過して次々に流れる。このカ ラムでは、エタノールのような不純物が脈動流の間隙中に溶出することを可能と す る非極性の充填材が利用される。 粗製TEOS中には水もまた典型的に不純物として存在する。本方法では、粗 製TEOSと不純物として存在する水との反応がカラム内で起こり、エタノール とポリマー性のシリルエーテルとが生成すると考えられる。これら双方の反応生 成物は精製されたTEOSとは別にカラムから溶出する。いくらかのポリマー性 シリルエーテルはカラムに保持されてもよい。従ってこの方法では、分離技術に よって水が厳密に除去されるのでなく、カラム内でのTEOSとの反応を通じて 消費されることによっても除去される。 TEOSは貯蔵装置および輸送装置を製作するのに普通に使用される多くの材 料、例えば鋼、ニッケル、クロム、アルミニウム、亜鉛および真鍮、と特にTE OSの沸点に近い温度で相互作用することが知られている。従って鋼の構成部が TEOSと接触する場合、ガスクロマトグラフ内で反応が起きるであろう。この 問題に対処するために、クロマトグラフの内部でTEOSが接する表面は、テフ ロンのような不活性材料から製作される。あるいは別に、鋼をテフロンでライニ ングすること等のように、反応性の製作材料は不活性材料でのライニングによっ て保護されることができる。真鍮部材の接触面を金メッキすることで、TEOS の侵食に対抗するのに好結果を生むことが証明されてもいる。チタンは、製作材 料としては高価であるが、構成部品を製作するために別個な処理を行なわずに使 用できる。 本方法の一つの特質は、ガスクロマトグラフは本質的には大気圧で操作される が、TEOSは、その沸点より低い温度まで加熱された分離カラムに粗製物質を 導入することにより精製されることである。通常、LSGCで精製すべき物質は 、大気圧で沸点を越えるまで加熱されそしてクロマトグラフィーカラム内を気相 で通過する。LSGCによってTEOSのような物質を精製する際、操作温度は 大気圧でのTEOSの沸点より低く保持されて分解が最少にされる。従って、T EOSの脈動流が分離カラムを通過する際、TEOSの脈動流の少くとも一部は 液相である。 その少くとも一部が液相であるTEOSのような物質を精製する技術は、分離 カラム内に少くとも部分的な真空が発生し、それによってTEOSの実際の沸点 が効果的に低下する場合にも実施可能であると考えられる。 分離カラム内の條件が少くとも部分的な真空下にある時、完全に気相状態にあ るTEOSが、わずかな分解を伴なって精製され得ることが別の一態様であると さらに考えられる。しかしながら分離カラム内のTEOSが完全に蒸気として存 在する時、分離度、TEOSの処理速度またはこれら双方がある程度低下しよう 。図面の簡単な説明 図1は本発明の好ましい態様に従うTEOS精製装置の流れ図である。 図2は精製装置の蒸発器部材の透視図である。 図3は精製装置の分離カラム部材の側立面図である。 図4は精製装置の凝縮器部材の側面図である。 図5は分解され、部分的に切除された分離カラムの透視図である。発明の詳細な記述 本発明はそのより広範な側面において、不純物のある気相のテトラエトキシシ ランを間隔のあいた一連の脈動流(パルス)としてガスクロマトグラフカラム内 に注入し、純粋なテトラエトキシシランの沸点より低い温度にガスクロマトグラ フカラムを加熱し、不純物のあるテトラエトキシシランをキャリヤーガス流によ ってガスクロマトグラフを通過させ、前記不純物のある(impure)テトラエトキ シシラン中の不純物を、精製されたテトラエトキシシランから分離し、それは、 精製されたテトラエトキシシランをガスクロマトグラフカラムから、不純物とは 異なる時期に溶出することとなり、そして精製されたテトラエトキシシランを不 純物とは別個な場所から受容することからなるテトラエトキシシランを精製する 方法に関する。あるいは別に、顕著な分解を伴わないTEOSの精製は、分離カ ラム内ですべてのTEOSが蒸気の状態で存在する少くとも部分的な真空下で実 施されてもよい。ガスクロマトグラフカラム内で物質をその沸点より低い温度で 精製する方法はテトラエトキシシラン以外の物質に対して有利に実施することが できると考えられている。 本発明は、この方法によって生成され、常套的に得ることのできる純度より数 桁も高い純度を有する精製されたテトラエトキシシランにも関する。得られる精 製テトラエトキシシランは、従来得られる精製された製品に比べて2桁まで少な い金属不純物を有し、半導体デバイスのためなどに、二酸化ケイ素の改良された 薄いフィルム(薄膜)を製造することを可能にする。この方法によって精製され たTEOSを使用すると、別の二酸化ケイ素源や純度のより低いTEOSと比較 して不純物が減少しているので、デバイスの製造に使用されるウエハーに関する デバイスの収率が増大する。 本発明は、TEOSからの不純物の分離を最適化するためにカラムの長手方向 に沿ってTEOSパルスの流れを均一にする分離カラムの部材の構造にも関する 。 以下に論ずることは、本発明の方法を用いるTEOSの精製に関する。図面を 参照する際に多くの部材について言及される。これらの部材と同定用の番号とを 以下に示す。 図1は精製装置2を示す。通常操作において、純度約97%の粗製TEOSが バルク供給タンク4に初め貯蔵される。次に精製すべき粗製TEOSを供給する ために使われそして下流にある弁を設定しまた粗TEOSの注入重量を較正する 目的に使われる注入タンク6に、TEOSが移される。注入タンク6はこの計量 機能を評価するのを助ける秤8の上に置かれる。粗製TEOSは注入タンクの浸 漬管10を通って注入タンク内に流入し、その後、弁の適切な調整により、同じ この浸漬管10を通り下流に流れる。注入タンク6は、粗製TEOSを移送開始 前に約90℃まで温めるための外部加熱器(図示されない)を含む。 精製装置2内では、TEOS、カラムおよび装置の部材に対して不活性である ガスがキャリヤーガスとして利用される。キャリヤーガスとして窒素が好都合に 使用されてきたが、他の不活性ガスもまた使用されてよい。窒素キャリヤーガス の源泉は液体窒素貯蔵タンク12である。窒素はタンク弁20を通ってガスとし て窒素供給管16内に流入しそしてこの管16に沿ってキャリヤーガス調整器2 2および窒素加圧調整器24に流れる。 窒素ガスはキャリヤーガス調整器22で約15〜50psigまで減圧されそして キャリヤーガス管26を通って流量計28に流入する。外径4インチ(10.2 cm)の分離カラムの場合、ガス調整器22によって圧力範囲が約20〜25psig に保たれる。キャリヤーガスの流量は流量計28によって制御される。好ましい 流量は、キャリヤー流量に対して理論段相当高さ(HETP)を表示するVan De emterプロットを用いて設定される。調製用ガスクロマトグラフィーの場合、最 適流量は分析用ガスクロマトグラフィーのための最適流量の約2〜2.5倍大き い。直径10.2cmの調製用カラムの場合、最適流量は毎分約15〜約20lの 範囲にある。その後キャリヤーガスは、窒素ガス温度を分離カラムの温度まで上 昇させるキャリヤーガス予熱器30内に流入する。加熱された窒素ガスは予熱器 管32を通ってキャリヤーガス予熱器30から流出しそして検出器34に流入す る。検出器34は基準信号をサンプル信号と比較することにより機能し、基準信 号は純粋な窒素キャリヤーガスによって与えられる。 キャリヤーガスは検出器出口管38を通って検出器34から流出しまた注入器 三方弁40を経て精製装置2の分離カラムの部材に導入される。 窒素ガスは窒素加圧調整器24で40psigまで減圧されそして窒素加圧管44 に沿って移送される。三方切換弁48を適当に設定することによりバルク供給タ ンク4と注入タンク6との両方でなく一方に窒素が流入させられる。バルク供給 タンク4を加圧するために、バルク供給タンク加圧弁50とバルク供給タンク入 口弁52とが開放される。40psigの窒素ガスがバルク供給タンク4に流入しそ して浸漬管54および開放されたバルク供給タンク液体弁56を通じて粗製TE OSを押し出す。 粗製TEOSは次いで移送管58に沿い、弁60およびTEOS移送管62を 通り、注入タンク浸漬管10を通りそして注入タンク6内に流入する。加圧三方 弁64および注入タンク入口弁66を開放しまた注入タンク液体弁68、加圧弁 70および試料抜き出し弁72を適切に調整することにより、注入タンク6から のTEOSは移送管74に流入し、計量弁76を通った後注入器三方弁40に流 入する。注入器三方弁40は粗製TEOSまたはキャリヤーガスのいずれかの下 方への流れを許すように切換可能であるが、双方の同時的な流れは許さない。コ ンピュータ制御コントローラー77によって制御される注入器三方弁40は、キ ャリヤーガスが流れる間に引き起こされる一連の定期的な脈動流として精製TE OSが蒸発器入口管78に流れるのを可能にする。注入タンク6の下流にある粗 製TEOS移送管および諸々の弁はTEOSを蒸発するのに必要な追加的な熱量 を制限するように約50°〜100℃、好ましくは約95℃の高い温度に保たれ る。 蒸発器80は、注入器三方弁40の下流に位置する。蒸発器80はアルミニウ ムの円筒84のまわりを取り巻くチタンの管82からできているのが好ましい。 原寸通りには描かれていない図2は蒸発器8の構造を示す。アルミニウムの円筒 84はその表面に機械加工された底がU字状の溝を有する。この溝は熱伝導性を 最大にするためにチタン管82を収納するように寸法が決定されている。カート リッジ加熱器(図示されない)を個々に収納するために、アルミニウム円筒84 の長手に沿ってカートリッジ加熱器収納孔88が4つあけられている。これらの 加熱器の電力は、注入されるTEOSの量に従って大きさが決定されなければな らない。現在のところ250ワットの加熱器が使用される。熱電対(図示されな い)を収納するためにアルミニウム円筒84の長手に沿って熱電対の収納孔90 があけられている。カートリッジ加熱器及び熱電対は図示されていない温度調節 器に接続され、この調節器によってアルミニウム円筒84の温度が、純粋なTE OSの大気圧沸点より高い、典型的には約170℃に保たれる。アルミニウム円 筒84の外径及びチタンコイル82の大まかな直径は9インチ(22.8cm)で ある。 蒸発されたTEOSは蒸発器出口管92を通って蒸発器80から流出しそして 分離カラム94に流入する。大規模クロマトグラフィー分離のためにはカラムの 外径は比較的大きく、約10.2センチメートルである。この直径ではカラムを コイル状に巻くことは困難である。従って、限られたオーブン寸法内で分離カラ ムの長さを十分なものとするために複数のカラムが直列に配列される。直列の2 基のカラムが首尾良く利用されている。カラムの長さおよび直径は通入流(throu gh put)に対して分離効率を最適化するように選定される。カラムの長さおよび 直径というこれらの変数はしばしば経験的に決定される。分離カラム94から流 出した後、TEOSの脈動流またはキャリヤーガスは連結管98を通って第2の 分離カラム96に流入する。 図3に一層詳しく示すように、分離カラム94/96は、厚さ1/8インチ( 0.32cm)のポリテトラフルオロエチレン(テフロン)ライナー202で内張 り(ライニング)されたカラム部材200の長手方向にある耐圧300psiの厚 さ1/8インチ(0.32cm)の炭素鋼のカラム部材200からなる。カラム部 材200はウエストバージニア州、CharlestonのPSIによって製作されたもの である。カラム部材200の両端には、圧力によって(pressure fit)接触が維 持された等級2のチタンのブランクパイプフランジ206及び一体物のTEFL ONブロック208からそれぞれなるカラムの端部板204がある。厚さが約1 /2〜3/4インチ(1.29〜1.90cm)の、カラム部材200のフランジ 210は、チタンのブランクパイプフランジ206とカラム部材のフランジ21 0の外周を廻って等間隔にある穴(図示されない)を通って取り付けられた8本 のボルト(図示されていない)によって、相手側のチタンブランクパイプフラン ジ206に対して位置が固定される。チタンのフランジ206の片面およびテフ ロンブロック208の外周の両方に機械加工された円周状の溝218中にテフロ ンのO−リング214が装着される。ケンタッキー州、LouisvilleのAce Glass 社の、直径が83mmで厚さが6mmであり多孔度がBである円形のPYRE Xフリット220が、テフロンブロック208の端にあるフリット受納部224 内に装着される。チタンパイプフランジ206内の開口228は、機械加工され た0.25インチ(0.64cm)のNPTの雌型のフィッティングである。PY REXフリット220の背後の円錐状の空間230は、蒸発したガスが上流側の PYREXフリット220の全体にわたって実質的にプラグ流となって通過する ように、蒸発したガスがカラム部材200の固形支持体236の上流で膨張し得 るような形状になっている。このように配向された蒸発ガスは、気/液が固形支 持体236を通って流れる際のTEOSからの不純物の最適化された分離を可能 にする。固形支持体236の下流の円錐状空間230aには、同一の設計ではあ るが、下流に移送するためのカラムから出る分離された成分を有効に一ケ所に集 めるための上流の円錐状空間230を裏返しにした設計が利用される。 図5は分離カラム94/96の他の図であり、チタンのブランクパイプフラン ジ206をフランジ210に固定する手段を示す。 分離カラム94/96の構造的配置はTEOSの精製に関連して有効であるこ とが証明されているが、ある範囲の別な物質から不純物を分離する際に有益な効 果を発揮することも期待される。 TEOSからの水の除去を容易にするために、固形支持体236には、カラム 94の上流端において、顆粒状のUHP等級の水素化リチウム(LiH)の約3 インチ(7.6cm)の層が望むなら含まれてよい。水素化リチウム層は水と反応 して水酸化リチウムと水素ガスとを生成する。水酸化リチウムはカラム内に残留 する一方、水素ガスはTEOSとは異なる速度でカラム94および96を通過し そして最終的に排気される。このようにしてTEOSは阻害的な不純物を導入す ることなく乾燥される。 不純物から粗製TEOSのTEOS成分を分離するために、分離カラム94お よび96には、80〜100メッシュ(175〜147ミクロン)の範囲の粒子 寸法を有する、硅藻土(ケイソウ土)のような固形支持体が充填される。この粒 子寸法ではTEOSからの不純物の除去が所望のように行なわれる一方、許容可 能な通入量が確保される。すなわち、60〜80メッシュ(250〜175ミク ロン)の粒子寸法を有する固形支持体では通入量はより大きいが純度が低くなり 、 10〜120メッシュ(147〜130ミクロン)のより小さい粒子寸法の固形 支持体ではより小さい通入量とより高い純度が与えられる。この応用にあっては シリカ、活性炭、ガラスビーズおよび多孔性ポリマーのような追加の固形支持材 料が有効であろう。 硅藻土はオハイオ州、MariettaのOhio Valley Specialty Chemicals 社から入 手できるOV−101のようなシリコーン油によって、硅藻土と油との全重量に 基づき10%の濃度までコーティングされる。この硅藻土/シリコーン油の組み 合わせを用いることによる不純物のあるTEOS中の成分の分離は液−気機構に よって生起する。しかしながら、分離カラム94/96内で成分の分離がそれに よって生起しうる別な機構は、不純物のあるTEOSからの分子が典型的にはイ オン性吸引力によって固形支持体上に保持される機構を伴う。また、不純物のあ るTEOSからの分子はゼオライトのような固形支持体の細孔内に選択的に保持 されるであろう。 分離カラム94および96の温度は約145℃に保たれる。この温度は大気圧 下で粗製TEOSを完全に蒸気状態に保持するには不十分である。それにもかか わらずキャリヤーガス流と温度との組み合わせはTEOSの少くとも一部分を蒸 気に保つのに十分である。残りのTEOSは分離カラム94/96内で液体とし て存在し、一方この液体は再び蒸発され、シリコーン油と接触され、溶解され、 シリコーン油から脱溶媒和(desolvation)され、そしてカラムをさらに通過して いく。TEOSの沸点より低い温度で分離カラムを操作するとTEOSの分解の 危険が最小化されることが判っている。硅藻土上での液相の分離効率は液相の組 成に依存することが判っている。上記のOV−101シリコーン油を使用するこ とによって良好な結果が得られている。しかしながら、別なシリコーン油、ロウ またはガムラバーのような、固形支持体上の液相として普通に使用される他の物 質が使用できよう。 80〜100メッシュの硅藻土は大規模の調製用クロマトグラフィーで典型的 に使用されるものより寸法が小さい。このメッシュがより細かい硅藻土をシリコ ーン油の薄層と組み合わせて使用することにより、一層良い分離効率が得られて いる。より細かい粒子は表面積がより大きいので、油のコーティングは重量濃度 的にみてより粗い硅藻土粒子より薄い。とはいえシリコーン油OV−101のこ の薄いコーティングは分離効率を改善するのにさらに役立つ。油と硅藻土との全 重量に基づき10%の油のコーティングが有効であることが判明している。しか しながら約5〜約10%の範囲のより少ない油コーティング重量もまた用いるこ とができよう。 精製されたTEOS、不純物およびキャリヤーガスは分離カラム96が別々に 流出しまたカラム流出管100に流入する。TEOSは高温でステンレス鋼と激 しく反応するので、カラムの流出管100はチタンまたは別な非反応性物質から 製作される。カラム流出管100内の物質の温度は約145℃に保たれる。カラ ム流出管(出口管)100は検出器34を通過する。この検出器34はキャリヤ ーガスとは異なる物質が系内のこの個所に存在することを示す信号を与えること ができる。カラム流出管100、分離カラム94および96、そして装置の他の いくつかの加熱される部材が図1に示すようにオーブン102内に収納される。 検出器34の下流には、分離カラム96から分離される物質を純粋物の弁10 6または廃棄物の弁108のいずれかに搬送する移送管104がある。これらの 弁は弁制御器110および112によってそれぞれ制御される。 純粋物の弁106の下流には空気冷却される連結管114がある。精製された TEOSのこの個所での温度のため、連結管114はチタンまたは高温のTEO Sと反応しない他の物質から製作されねばならない。空気冷却される連結管11 4は管内のTEOSを約90℃まで冷却させる。次いでTEOSは図4に一層詳 細に示される凝縮器116に流入する。凝縮器116はニューヨーク州、Buffal o のITT Standard 社のModel 3036として商業的に入手できる。凝縮器1 16では、約−20℃まで冷却されそして凝縮器116のチューブバンドル11 6a内に導入されてチューブバンドル116aのまわりのTEOSを大体室温ま で冷却するエチレングリコールと水との混合物が利用される。TEOSは管11 4中でより低い温度にされているので、凝縮器116はステンレス鋼で製作され てよい。凝縮器116を通過するガスの部分はキャリヤーガスであり、これは図 1および図4に示すように排気管117を通じて排気される。凝縮器116から の液体の部分は凝縮器出口管118を通り、弁120を通りそして純粋な TEOSの受槽122に流入する。 廃棄物質が分離カラムから流出する、分離サイクルの部分に際しては、廃棄物 弁108が廃棄物弁制御器112により開放される一方、純粋物弁106は閉止 されたままである。キャリヤーガス、残余のTEOS、有機不純物および有機金 属不純物そして他の不純物の混合物は移送管104および廃棄物弁108を通過 して流れ、連結管126中に流入しその後、凝縮器128に流入する。連結管1 26および凝縮器128は、連結管114および凝縮器116と実質的に同じ方 法で製作される。廃棄物弁108を通じて凝縮器128に流入する物質のガス状 成分はキャリヤーガスと蒸気圧の高い種々の有機物質からなる。水蒸気もまた存 在してよい。このガス状成分は排気管129を通じて排気される。凝縮器128 から流出する液体部分は凝縮器流出管130を通り、弁132を通りそして廃棄 物受槽134内に流入する。 精製されたTEOSの空気による汚染を危険を除くために、窒素加圧管44を 通過する調整器24の下流のキャリヤーガス流は、流量計138および140を 通る毎分1lより少ない流量の液滴を含む(trickle)窒素流となり、弁142お よび144をそれぞれ通過する正圧の流れを与える。このようにして、空気が弁 142および144内に逆流することはできずまた純粋物の受槽122内への空 気汚染の危険を生むことはあり得ない。 上記した種類の精製装置は外径が約10.2cmである2基の4フィート(1. 22m)の分離カラムを利用して製作された。精製は、注入弁40を通じて7秒 間にわたって注入タンクからの粗製TEOSを150g注入することによって開 始された。加圧ガスおよびキャリヤーガスは窒素であった。典型的には注入の最 初の7秒間に廃棄物弁108が開放されまた純粋物弁106が閉鎖される。粗製 TEOSの注入を中断した後、8秒から205秒まで廃棄物弁108が開放に保 たれそして純粋物弁106が閉止された。この時間中、粗製TEOSのプラグ流 れの背後をキャリヤーガスのみが流れる。206秒から340秒まで、精製され たTEOSのプラグ流を受け入れるように純粋物弁106が開放されそして廃棄 物弁108が閉鎖された。341秒から360秒まで、廃棄物弁108を通って 分離カラム94および96からゆっくり溶出する重質の不純物がすべて通過する のを許すように廃棄物弁108が開放されそして純粋物弁106が閉鎖された。 次いで、粗製TEOSの次の7秒間の注入とともにサイクルが反復された。8秒 から205秒にわたる第2のそしてそれ以後の粗製TEOSの注入に際して、そ れ以前の注入からの重質の不純物の残部が、粗製TEOSの以後の注入からの軽 質の不純物とともに分離カラム94および96から溶出し続けた。粗製TEOS の注入中、典型的に廃棄物弁108が開放されそして純粋物弁106が閉鎖され る。 上記の操作例において、特定の弁の開放および閉鎖からなる分離の制御はもっ ぱら時間に基礎をおいているが、ただし他のすべての操作因子は一定に保たれる 。感知器に基礎をおく分離制御を実施することができる。 調製用ガスクロマトグラフのための操作因子は、カラムの充填物、カラムの長 さ、キャリヤーガスの流量、キャリヤーガスの組成物、カラムの温度、粗製TE OSの注入量および粗製TEOSの注入時間である。純粋物弁および廃棄物弁を 開放しかつ閉鎖する時間調整系列(timing sequence)が、上記の因子および精製 装置2の構成部分品の寸法に依存するであろうことが理解できよう。従って時間 調整系列は上記の操作因子が選定されそして設定された後に経験的に決定される のが最も良いであろう。 上記の因子の下で精製装置を操作すると、金属含有率基準で純度99.999 999%のTEOSが24時間で約28キログラム製造された。標準的な30種 の金属の存在に関して試験すると、それぞれの金属含有率が1ppbより少ないこ とが示された。精製されたTEOSをガスクロマトグラフィーで評価するとTE OSの純度が100%であることが示され、検出限界は0.01%と推定された 。水分含有率は計測器の検出限界の2ppmより少なかった。精製されたTEOS の粒子分析によると、検出限界が0.3ミクロンを越えるとして、試料中に粒子 は示されなかった。この方法によって精製されるTEOSはテトラエチルオルト シリケートのためのSEMI C7.1395の指針のTier Aを著るしく越え る。TEOSからの不純物の分離は、純度および製造速度を最適化しつつ、TE OSの分解の危険を最小にする方法で実施される。 本明細書には本発明およびその操作因子が述べられてきた。請求の範囲に規定 される趣意および範囲から逸脱することなく改変が行なわれてよい。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年9月29日(1997.9.29) 【補正内容】 低圧蒸溜などの現在利用できる精製技術ではTEOSの純度を約99.8%ま で増大することができる。当然ながら、この純度水準であっても、TEOS中に は約0.2%の不純物がまだあり、またこの不純物の一部が、TEOSから製造 されるフィルム層上に沈着するであろう。フィルム中に非電子性の不純物が存在 すると、平面均一性が阻害され、また、フィルムの構造的および電子的な完全性 をともに変化させうる応力点が生み出される。さらに、常套的に精製されるTE OS中に残存する電子的に活性な沈着性の不純物の量は、電子的特性を調整する ために二酸化ケイ素フィルム中に導入されるドープ剤(ドーパント)の量に等し くまたはおそらくはそれを越える可能性がある。 Chem.Abstr.119巻,21号(1993年)の抄録番号226187には、 アルカリ金属アルコキシドまたはアルカリ土類金属アルコキシドの存在下で蒸溜 することにより、テトラエトキシシランを含めて有機ケイ素化合物を精製する方 法が開示されている。精製された製品は水および塩化物を実質的に含有しない。 半導体デバイスの製造に使用される二酸化ケイ素フィルム上に沈着する可能性 がおそらくある電子性および非電子性の不純物の量を実質的に減少させる精製方 法を得ることは極めて有利であろう。さらに、TEOSの成分として存在する何 らかの不純物によってほとんど影響を受けない電子的特性を有する二酸化ケイ素 の製造を可能にする極度に精製された状態のTEOSを得ることは著るしく有利 であろう。 窒素ガスはキャリヤーガス調整器22で約102.8〜342.5kN/m2(1 5〜50psig)まで減圧されそしてキャリヤーガス管26を通って流量計28に 流入する。外径4インチ(10.2cm)の分離カラムの場合、ガス調整器22に よって圧力範囲が約137.0〜171.2kN/m2(20〜25psig)に保たれ る。キャリヤーガスの流量は流量計28によって制御される。好ましい流量は、 キャリヤー流量に対して理論段相当高さ(HETP)を表示するVan Deemterプ ロットを用いて設定される。調製用ガスクロマトグラフィーの場合、最適流量は 分析用ガスクロマトグラフィーのための最適流量の約2〜2.5倍大きい。直径 10.2cmの調製用カラムの場合、最適流量は毎分約15〜約20lの範囲にあ る。その後キャリヤーガスは、窒素ガス温度を分離カラムの温度まで上昇させる キャリヤーガス予熱器30に流入する。加熱された窒素ガスは予熱器管32を通 ってキャリヤーガス予熱器30から流出しそして検出器34に流入する。検出器 34は基準信号をサンプル信号と比較することにより機能し、基準信号は純粋な 窒素キャリヤーガスによって与えられる。 キャリヤーガスは検出器出口管38を通って検出器34から流出しまた注入器 三方弁40を経て精製装置2の分離カラムの部材に導入される。 窒素ガスは窒素加圧調整器24で274.0kN/m2(40psig)まで減圧され そして窒素加圧管44に沿って移送される。三方切換弁48を適当に設定するこ とによりバルブ供給タンク4と注入タンク6との両方でなく一方に窒素が流入さ せられる。バルク供給タンク4を加圧するために、バルク供給タンク加圧弁50 とバルク供給タンク入口弁52とが開放される。40psigの窒素ガスがバルク供 給タンク4に流入しそして浸漬管54および開放されたバルク供給タンク液体弁 56を通じて粗製TEOSを押し出す。 粗製TEOSは次いで移送管58に沿い、弁60およびTEOS移送管62を 通り、注入タンク浸漬管10を通りそして注入タンク6内に流入する。加圧三方 弁64および注入タンク入口弁66を開放しまた注入タンク液体弁68、加圧弁 70および試料抜き出し弁72を適切に調整することにより、注入タンク6から のTEOSは移送管74に流入し、計量弁76を通った後注入器三方弁40に流 入する。注入器三方弁40は粗製TEOSまたはキャリヤーガスのいずれかの下 方への流れを許すように切換可能であるが、双方の同時的な流れは許さない。コ ンピュータ制御コントローラー77によって制御される注入器三方弁40は、キ ャリヤーガスが流れる間に引き起こされる一連の定期的な脈動流として精製TE OSが蒸発器入口管78に流れるのを可能にする。 大規模クロマトグラフィー分離のためにはカラムの外径は比較的大きく、約1 0.2センチメートルである。この直径ではカラムをコイル状に巻くことは困難 である。従って、限られたオーブン寸法内で分離カラムの長さを十分なものとす るために複数のカラムが直列に配列される。直列の2基のカラムが首尾良く利用 されている。カラムの長さおよび直径は通入流(through put)に対して分離効率 を最適化するように選定される。カラムの長さおよび直径というこれらの変数は しばしば経験的に決定される。分離カラム94から流出した後、TEOSの脈動 流またはキャリヤーガスは連結管98を通って第2の分離カラム96に流入する 。 図3に一層詳しく示すように、分離カラム94/96は、厚さ1/8インチ( 0.32cm)のポリテトラフルオロエチレン(テフロン)ライナー 202で内 張り(ライニング)されたカラム部材200の長手方向にある耐圧2055kN/ m2(300psi)の厚さ1/8インチ(0.32cm)の炭素鋼のカラム部材200 からなる。カラム部材200はウエストバージニア州、CharlestonのPSIによ って製作されたものである。カラム部材200の両端には、圧力によって(pres sure fit)接触が維持された等級2のチタンのブランクパイプフランジ206及 び一体物のTEFLONブロック208からそれぞれなるカラムの端部板204 がある。 標準的な30種の金属の存在に関して試験すると、それぞれの金属含有率が1 ppbより少ないことが示された。精製されたTEOSをガスクロマトグラフィー で評価するとTEOSの純度が100%であることが示され、検出限界は0.0 1%と推定された。水分含有率は計測器の検出限界の2ppmより少なかった。精 製されたTEOSの粒子分析によると、検出限界が0.3ミクロンを越えるとし て、試料中に粒子は示されなかった。この方法によって精製されるTEOSはテ トラエチルオルトシリケートのためのSEMI C7.1395の指針のTierA を著るしく越える。TEOSからの不純物の分離は、純度および製造速度を最適 化しつつ、TEOSの分解の危険を最小にする方法で実施される。 請求の範囲 1.不純物のある気相のテトラエトキシシランを間隔のあいた一連のパルスと してガスクロマトグラフカラム(94,96)内に注入し、 純粋なテトラエトキシシランの沸点より低い温度までガスクロマトグラフカラ ム(94,96)を加熱し、 上記の不純物のあるテトラエトキシシランをキャリヤーガス流によって上記の ガスクロマトグラフカラム(94,96)を通過させ、 前記不純物のあるテトラエトキシシラン中の不純物を、精製されたテトラエト キシシランから分離し、それは、精製されたテトラエトキシシランをガスクロマ トグラフカラム(94,96)から、不純物とは異なる時期に溶出することとな り、そして 精製されたテトラエトキシシランを不純物とは別個な場所から受容する、こと からなるテトラエトキシシランを精製する方法。 2.ガスクロマトグラフカラム(94,96)が約70〜約165℃の範囲の 温度に加熱される請求の範囲第1項記載の方法。 3.ガスクロマトグラフカラム(94,96)がケイソウ土のカラム充填物を 有する請求の範囲第1項または第2項に記載の方法。 4.ケイソウ土カラム充填物が80〜100メッシュの範囲の粒子寸法を有す る請求の範囲第3項記載の方法。 5.ケイソウ土が10重量%のシリコーン油でコーティングされる請求の範囲 第3項または第4項に記載の方法。 6.不純物のあるテトラエトキシシランを、水を除去する物質に通過させるこ とにより、不純物のあるテトラエトキシシランから水を除去することをさらに含 む請求の範囲第1項から第5項のいずれか1項に記載の方法。 7.水を除去する物質が水素化リチウムである請求の範囲第6項記載の方法。 8.請求の範囲第1項から第7項のいずれか1項に記載の方法によって製造さ れた精製テトラエトキシシラン化合物。 9.金属分析による測定により、純度が少くとも99.999999%である 個別化合物(discrete compound)としてのテトラエトキシシラン。 10.テトラエトキシシランの水分含有率が100万部あたり2部より少ない請 求の範囲第9項記載のテトラエトキシシラン。 11.請求の範囲第9項記載のテトラエトキシシランから製造された二酸化ケイ 素の層。 12.流入口と流出口を有しそして内部容積(inside volume)を画するカラム部 材(200)、 この内部容積の少くとも一部分の内径全体を占める固形支持体(202)、及 び カラム部材(200)の流入口に挿入されている第1の密栓用部材(206) およびカラム部材(200)の流出口に挿入されている第2の密栓用部材(20 8)、 を有する分離カラムであって、しかも それぞれの密栓用部材(206,208)は、その一方の端に板(220)を 有し反対側の端にオリフィス(228)を有し、板(220)とオリフィス(2 28)との間の容積(230,230a)の直径がオリフィスから板に向って増 大している、 テトラエトキシシランを精製するのに特に使用されるが、その使用に限定されな い分離カラム(94,96)。 13.カラム部材(200)が実質的に円形の横断面を有する請求の範囲第12 項記載の分離カラム。 14.板(220)とオリフィス(228)との間の密栓用部材の容積(230 ,230a)が実質的に円錐状の形状を有する請求の範囲第12項または第13 項のいずれかに記載の分離カラム。 15.それぞれの密栓用部材(208)が、ガスケット(214)を収納するよ うに周縁に溝が設けられている請求の範囲第12項から第14項のいずれか1項 に記載のカラム。 16.カラム部材の内径が、テトラエトキシシランとの反応性が実質的にない材 料で内張り(ライニング)されている請求の範囲第12項から第15項のいずれ か1項に記載のカラム。 17.それぞれの密栓用部材(208)が、テトラエトキシシランとの反応性が 実質的にない材料から製造される請求の範囲第12項から第16項のいずれか1 項に記載のカラム。 18.反応性が実質的にない材料がポリテトラフルオロエチレンである請求の範 囲第16項または第17項のいずれか1項に記載のカラム。 19.それぞれの板がガラスのフリット(220)である請求の範囲第12項か ら第18項のいずれか1項に記載のカラム。
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  1. 【特許請求の範囲】 1.不純物のある気相のテトラエトキシシランを間隔のあいた一連のパルスと してガスクロマトグラフカラム内に注入し、 純粋なテトラエトキシシランの沸点より低い温度までガスクロマトグラフカラ ムを加熱し、 上記の不純物のあるテトラエトキシシランをキャリヤーガス流によって上記の ガスクロマトグラフカラムを通過させ、 前記不純物のあるテトラエトキシシラン中の不純物を、精製されたテトラエト キシシランから分離し、それは、精製されたテトラエトキシシランをガスクロマ トグラフカラムから、不純物とは異なる時期に溶出することとなり、 精製されたテトラエトキシシランを不純物とは別個な場所から受容する、 ことからなるテトラエトキシシランを精製する方法。 2.ガスクロマトグラフカラムが約70〜約165℃の範囲の温度に加熱され る請求の範囲第1項記載の方法。 3.ガスクロマトグラフカラムがケイソウ土のカラム充填物を有する請求の範 囲第1項記載の方法。 4.ケイソウ土カラム充填物が約80〜約100メッシュの範囲の粒子寸法を 有する請求の範囲第3項記載の方法。 5.ケイソウ土が約10重量%のシリコーン油でコーティングされる請求の範 囲第3項記載の方法。
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