JP2000517468A - 改良されたカソードを備える有機発光デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 カソード（４、５）が導電性材料の第一層（５）と、最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する導電性材料の第二層（４）とからなり、第二層が最高で５ｎｍの厚さを有し、第一層よりも実質的に薄い有機発光デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】 改良されたカソードを備える有機発光デバイス 本発明の技術分野は、効率的な電子放出電極を有する有機発光デバイスに関す るものである。 先行するケンブリッジ・ディスプレイ・テクノロジー・リミテッド社(Cambrid ge Display Technology Limited)が特許権の譲受人となっている米国特許第５ ，２４７，１９０号、またはVan Slyke et al.の米国特許第４，５３９，５０７ 号に開示されるような有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）は、その内容を参考のため 、例としてここに引用するが、種々のディスプレイ用途での使用において大きな 潜在的可能性を有している。原則的に、ＯＬＥＤは、正電荷キャリアを放出する アノード（陽極）と、負電荷キャリアを放出するカソード（陰極）と、これら両 電極間に挟まれた少なくとも１つの有機エレクトロルミネセンス層とで構成され る。ＯＬＥＤ技術の重要な利点の１つは、正電荷および負電荷キャリアの放出に つき効率の優れた適するエレクトロルミネセンス有機層および電極が使用される こととなるが、デバイスを低電圧駆動で動作することが可能な点である。必ずし も必要ではないが、典型的には、アノードは、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ ）、すなわち、市販で容易に入手可能な、ガラスもしくはプラスチック基板上に 既に付着(deposit)された半透明な導電性酸化物の薄膜である。一般に、有機層 は、たとえば、蒸発(evaporation)もしくはスピンコーティング、ブレード被覆 、浸漬被覆またはメニスカス（meniscus）被覆によりＩＴＯ被覆基板上に付着さ れる。カソード層を上部有機層に付着させる最終工程は、適したカソード金属の 熱蒸発もしくはスパッタリングにより通常行われる。Ａｌ、ＣａまたはＭｇ：Ａ ｇもしくはＭｇ：Ｉｎの合金、またはＡｌ合金の層がしばしばカソード材料とし て使用される。カソード材料としてはＡｌ、ＣａまたはＭｇ：ＡｇもしくはＭｇ ：Ｉｎの合金またはＡｌ合金の層がしばしば使用される。ＯＬＥＤにおいて優れ た性能を得るには、個々の全ての層（すなわち、アノード層、カソード層および 有機層）並びに各層間の界面を最適化することが極めて重要である。 カソードの電子放出特性は、効率的なデバイス操作の達成に特に重要であるこ とが極めてしばしば見出される。一般的な有機エレクトロルミネセンス材料の電 子構造に基づき、効率的な電子放出および低い操作電圧を達成するためには、低 い仕事関数を有するカソード材料を用いることが極めてしはしば必要となる。Ｏ ＬＥＤ用のカソードは、典型的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂもしくはＣｓのよう なアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒもしくはＢａのようなアルカリ土類金属、ま たは、Ｓｍ、Ｅｕ、ＴｂもしくはＹｂのようなランタニドである。これらの材料 は、酸素および水分と極めて容易に反応し、取り扱いに際し、さらに／またはＯ ＬＥＤに対する付着の際および付着後に特に注意を必要とする。しばしば、低い 仕事関数を有するこれらの材料は、合金の形態でカソード層としてＯＬＥＤ上に 付着され、これによって他の合金成分がカソード層を安定化させる。この種の典 型的な合金には、例として、Ｍｇ：Ａｌ、Ｍｇ：ＩｎもしくはＭｇ：Ａｇまたは Ａｌ：Ｌｉがある。幾種かのこれら低い仕事関数を有する元素（たとえばＣａ、 Ｋ、ＬｉもしくはＳｍ）を純粋な形態または合金の形態でＯＬＥＤカソード層と して使用する場合、これらの元素は有機層中へ拡散することにより有機層をドー プし、電気ショートを発生させ、或いは光ルミネセンスを停止させ、結果として 、一般に、デバイス性能を劣化させる。 以上のことから、本発明の目的は、低い仕事関数を有する元素をカソードとし て組込むことにより、負電荷キャリアの効率的放出および低い操作電圧を達成し 、さらに、上記に概略説明された諸問題の少なくとも幾つかを最小化させる有機 発光デバイスのための構造体およびその加工方法を提供することにある。 本発明の第１の側面によると、デバイスのアノードとカソードとの間に配置さ れた少なくとも１つの発光性有機材料層を備え、カソードは、高い導電率を有す る不透明金属層である導電性材料の第一層と、少なくとも１つの有機材料層と導 電性材料の第一層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第二層 とからなり、導電性材料の第二層は、導電性材料の第一層よりも実質的に薄い最 高で５ｎｍの厚さを有し、最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金 もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイスが提供される 。 従って、カソードは、最高で３．７ｅＶ、好ましくは３．２ｅＶ未満の仕事関 数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物の薄い層で構成される。カソー ド層は最高で５ｎｍ、好ましくは０．５〜２ｎｍの厚さを有する。低い仕事関数 を有する薄いカソード層は、好ましくは、１００〜５００ｎｍを典型的な厚さと する他の導電層にキャップされ、低い仕事関数を有する下側の薄い層に対し高い 導電率保護を付与すると共に環境的な安定性をも付与する。本発明の第１の側面 によると、この二層電極構造は、前記カソード層とアノード層（このアノード層 は正電荷キャリアを放出する）との間に少なくとも１つのエレクトロルミネセン ス有機層を有するＯＬＥＤのために効率的な電子放出をするカソード層を形成す る。 この構造体は、過度のドーピングを防止し、デバイス構造体のショートおよび 少なくとも１つの有機材料層におけるエレクトロルミネセンスの停止という危険 性を最小化させる。 さらに本発明の第１の側面は、有機発光デバイスの加工方法をも提供し、この 方法は、デバイスのカソードを基板上に形成する各工程からなり、この各工程は 、高い導電率を有する導電性材料の第一層を基板上に形成させる工程と、低い仕 事関数を有する導電性材料の第二層を導電性材料の第一層の上に形成させる工程 とからなり、導電性材料の第一層は、不透明な金属層であり、導電性材料の第二 層は、導電性材料の第一層よりも実質的に薄い最高で５ｎｍの厚さを有し、かつ 最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物から なり、さらに、少なくとも１つの発光性有機材料層をカソード上に形成させると 共にデバイスのアノードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成させることを 特徴とする。 本発明の第１の側面は、さらに有機発光デバイスの加工方法をも提供し、この 方法は、デバイスのアノードを基板上に形成させ、少なくとも１つの発光性材料 層をアノード上に形成させ、さらにデバイスのカソードを少なくとも１つの有機 材料層の上に形成させる各工程からなり、この工程は低い仕事関数を有する導電 性材料の第二層を少なくとも１つの有機材料層の上に形成させる工程と、高い導 電率を有する導電性材料の第一層を導電性材料の第二層の上に形成させる工程と からなり、導電性材料の第一層は、不透明の金属層であり、導電性材料の第二層 は、導電性材料の第一層よりも実質的に薄い最高で５ｎｍの厚さを有し、かつ、 最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物から なることを特徴とする。 従って、効率的な電子放出電極を有するＯＬＥＤの加工方法も提供され、少な くとも１つのエレクトロルミネセンス有機層（好ましくはポリマーもしくは分子 状）は、好ましくは、アノードでプレコートされた支持基板に付着される。実施 の形態の一つにおいて、有機層は、真空蒸発により導電性の低い仕事関数を有す る材料の薄い層で被覆される。この層は、最高で５ｎｍ、好ましくは０．５〜２ ｎｍの厚さ、一層好ましくは約０．５ｎｍの厚さである。この薄い層は、必要条 件ではないが典型的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはランタニド または前記アルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはランタニドの元素の一種も しくはそれ以上を組込んだ合金もしくは金属間化合物である。次いで、低い仕事 関数を有する薄い層は、好ましくは、高い導電率を有し、下側の低い仕事関数を 有する薄い層の保護と環境的な安定性とを付与し、好ましくは真空蒸発もしくは スパッタ付着される、典型的には、厚さ１００〜５００ｎｍの厚い導電性層によ り被覆される。 本発明の第２の側面によると、デバイスのアノードとカソードとの間に配置さ れた少なくとも１つの発光性有機材料層からなる有機発光デバイスが提供され、 ここにおいてカソードは、高い導電率を有するＤＣマグネトロンスパッター金属 層である導電性材料の第一層と、少なくとも１つの有機材料層と導電性材料の第 一層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第二層とで構成され 、導電性材料の第二層は、導電性材料の第一層よりも実質的に薄い。 この構造体は、本発明の第１の側面に関し上述したものと同様な利点を有する 。 以下、添付図面を参照して特定の実施の形態に関し本発明をさらに説明する。 第１図は、本発明に係わるＯＬＥＤの構造体を示す。 図示した本発明の実施例によれば、ＯＬＥＤは先ず最初に透明な支持基板に付 着された半透明のアノードを形成させることにより形成される。基板は、例えば 、ガラスまたはポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルイ ミドのようなプラスチックの薄いシートである。第１図に示すように、ガラス基 板１は、典型的には、≦３０オーム／スクエア（square）のシート抵抗を有する 、典型的には、厚さ約１５０ｎｍの半透明の導電性インジウム−錫−酸化物（Ｉ ＴＯ）の層２で被覆される。第１図に示した半透明のアノードは、インジウム− 錫−酸化物のような導電性酸化物の薄い層であるが、代替的には、ドープされた 酸化錫もしくは酸化亜鉛とすることもできる。 アノード／基板の頂部に付着された有機層は、必ずしも必要ではないが好まし くは、ケンブリッジ・ディスプレイ・テクノロジー・リミテッド社が特許権の譲 受人となっている先行する米国特許第５，２４７，１９０号に開示されたような エレクトロルミネセンス共役ポリマーの１つ以上の層である。この種の有機層は 、典型的には厚さ１００ｎｍ程度の厚さに形成される。代替的には、有機層は、 米国特許第４，５３９，５０７号に記載されたような低分子量化合物とすること もでき、或いは共役ポリマーの層と低分子量化合物の層との組み合せとすること もできる。第１図において、ＩＴＯ層は、たとえば米国特許第５，２４７，１９ ０号に開示されたようなエレクトロルミネセンスポリマーであるポリ（ｐ−フェ ニレンビニレン）（ＰＰＶ）の厚さ約１００ｎｍの層３で被覆される。 カソードは、アルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはランタニドまたは前記 アルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはランタニド元素の一種以上を組込んだ 合金もしくは金属間化合物の薄い層とすることができる。カソード層は、最高で ５ｎｍ、好ましくは、厚さ０．５〜２ｎｍであり、使用可能な材料は、例として 、Ｌｉ、Ｋ、Ｓｍ、ＣａまたはＡｌ：Ｌｉ合金がある。第１図の実施の形態にお いて、ＰＰＶ層３は、好ましくは、市販のＡｌ：Ｌｉ合金からＬｉの真空昇華に より付着された厚さ０．５ｎｍのＬｉの層４で被覆される。 カソードの薄い層は、好ましくは、ＤＣマグネトロンスパッタリングまたはＲ Ｆスパッタリングによりスパッター付着することができる。カソードの薄い層は さらに、好ましくは、抵抗蒸発または電子線熱蒸発により付着させることもでき る。 カソードの薄い層は、導電性材料であり、最高で３．７ｅＶ、好ましくは、最 高で３．２ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金または金属間化合物のいずれ かで構成される。 さらに、薄い層は、たとえば、典型的には、１００〜５００ｎｍ、好ましくは 、約１００ｎｍの厚さを有するアルミニウムもしくはアルミニウム合金の導電性 層で被覆される。第１図において、薄い層４は真空を解除することなく、好まし くは、厚さ１５０ｎｍの真空蒸発により付着されたアルミニウムの層５で被覆さ れる。 厚い導電性層は、好ましくはＤＣマグネトロンスパッタリングまたはＲＦスパ ッタリングによりスパッターすることができる。この厚い層は抵抗蒸発または電 子線熱蒸発により蒸発させることもできる。 好ましくは、厚い導電性層と薄い層との厚さの比は２０：１である。 層の厚さは、標準的な石英結晶の厚さモニターとシャッターとを組合わせて調 節される。 代替的な配置において、第１図を参照して説明される二層のカソードは、基板 上に形成され、少なくとも１つの発光性有機材料層は、カソード上に形成され、 アノードは、少なくとも１つの発光性有機材料層の上に形成される。 Ｌｉの薄い層は、優れた電子放出、低い付勢電圧および作動電圧を可能にし、 ドーピングおよびＰＰＶにおけるエレクトロルミネセンスの停止を伴う層４から ＰＰＶ層３中へのＬｉの拡散は妨げられないが、層４の材料の限られた厚さ、す なわち、量は、過度のドーピングおよびエレクトロルミネセンスの停止を防止す る。 以上により、効率的な低い仕事関数を有する電子放出性カソードを有し、低い 仕事関数を有するカソードにより有機層の過度のドーピングの危険性を最小化さ せることによりデバイス構造のショートおよびエレクトロルミネセンスの停止の 危険性を最小化させるＯＬＥＤのためのデバイス構造体およびその加工方法につ いて説明した。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年９月８日（１９９８．９．８） 【補正内容】 補正請求の範囲 １． デバイスのアノードとカソードとの間に配置された少なくとも１つ の発光性有機材料層を備え、前記カソードは、高い導電率を有する不透明金属層 である導電性材料の第一層と、少なくとも１つの有機材料層と前記導電性材料の 第一層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第二層とからなり 、前記導電性材料の第二層は、前記導電性材料の第一層よりも実質的に薄い最高 で５ｎｍの厚さを有し、かつ最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合 金もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ２． 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第二 層が０．５〜２ｎｍの範囲、好ましくは、約０．５ｎｍの厚さを有することを特 徴とする有機発光デバイス。 ３． 請求項１または２に記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性 材料の第二層が最高で３．２ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金 属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ４． 請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第二層がアルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはランタニド の一種またはその合金もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光 デバイス。 ５． 請求項４記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第二 層がＣａ、Ｋ、Ｌｉ、ＳｍもしくはＡｌ−Ｌｉ合金の一種からなることを特徴と する有機発光デバイス。 ６． 請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第一層と前記導電性材料の第二層との厚さの比が少なくとも２ ０：１であることを特徴とする有機発光デバイス。 ７． デバイスのカソードを基板上に形成させる工程と、 少なくとも１つの発光性有機材料層を前記カソード上に形成させる工程と、 前記デバイスのアノードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成させる工程 とからなり、 前記デバイスのカソードを基板上に形成させる工程は、高い導電率を有する導 電性材料の第一層を基板上に形成させることと、低い仕事関数を有する導電性材 料の第二層を前記導電性材料の第一層の上に形成させることからなり、前記導電 性材料の第一層は、不透明な金属層であり、前記導電性材料の第二層は、導電性 材料の第一層よりも実質的に薄い最高で５ｎｍの厚さを有し、かつ、最高で３． ７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物からなることを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ８． デバイスのアノードを基板上に形成させる工程と、 少なくとも１つの発光性材料層を前記アノード上に形成させる工程と、 前記デバイスのカソードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成させる工程 とからなり、前記工程は、低い仕事関数を有する導電性材料の第二層を少なくと も１つの有機材料層の上に形成させることと、高い導電率を有する導電性材料の 第一層を前記導電性材料の第二層の上に形成させることからなり、前記導電性材 料の第一層は、不透明な金属層であり、前記導電性材料の第二層は、前記導電性 材料の第一層よりも実質的に薄い最高で５ｎｍの厚さを有し、かつ、最高で３． ７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物からなることを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９． 請求項７または８に記載の有機発光デバイスの加工方法において、 前記導電性材料の第二層が０．５〜２ｎｍの範囲、好ましくは、約０．５ｎｍの 厚さを有することを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １０． 請求項７〜９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記導電性材料の第二層が最高で３．２ｅＶの仕事関数を有する元 素金属、合金もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイス の加工方法。 １１． 請求項７〜１０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加工 方法において、前記導電性材料の第二層がアルカリ金属、アルカリ土類金属もし くはランタニドの一種またはその合金もしくは金属間化合物からなることを特徴 とする有機発光デバイスの加工方法。 １２． 請求項１１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第二層がＣａ、Ｋ、Ｌｉ、ＳｍもしくはＡｌ−ＬＩ合金の一種からな ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３． 請求項７〜１２のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加工 方法において、前記導電性材料の第一層と導電性材料の第二層との厚さの比が少 なくとも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １４． デバイスのアノードとカソードとの間に配置された少なくとも１ つの発光性有機材料層を備え、前記カソードは、高い導電率を有するＤＣマグネ トロンによりスパッターされた金属層である導電性材料の第一層と、少なくとも １つの有機材料層と導電性材料の第一層との間に配置された低い仕事関数を有す る導電性材料の第二層とからなり、前記導電性材料の第二層は、前記導電性材料 の第一層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ９６１８４７５．９ (32)優先日 平成８年９月４日(1996．9．4) (33)優先権主張国 イギリス（ＧＢ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＧＢ，ＪＰ，Ｕ Ｓ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． デバイスのアノードとカソードとの間に配置された少なくとも１つ の発光性有機材料層を備え、前記カソードは、高い導電率を有する不透明金属層 である導電性材料の第一層と、少なくとも１つの有機材料層と前記導電性材料の 第一層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第二層とからなり 、前記導電性材料の第二層は、前記導電性材料の第一層よりも実質的に薄い最高 で５ｎｍの厚さを有し、かつ、最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する元素金属、 合金もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ２． 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第二 層が０．５〜２ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ３． 請求項１または２記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材 料の第二層が約０．５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ４． 請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第一層が１００〜５００ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴 とする有機発光デバイス。 ５． 請求項４記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第一 層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ６． 請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第一層がＡ１もしくはその合金からなることを特徴とする有機 発光デバイス。 ７． 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第二層が最高で３．２ｅＶの仕事関数を有する元素金属、合金 または金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ８． 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第二層がアルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはランタニド の一種またはその合金もしくは金属間化合物であることを特徴とする有機発光デ バイス。 ９． 請求項８に記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第 一層がＣａ、Ｋ、Ｌｉ、ＳｍもしくはＡｌ−Ｌｉ合金の一種からなることを特徴 とする有機発光デバイス。 １０． 請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて 、前記導電性材料の第一層と導電性材料の第二層との厚さの比が少なくとも２０ ：１であることを特徴とする有機発光デバイス。 １１． 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記少なくとも１つの有機材料層が約１００ｎｍの厚さを有することを特徴 とする有機発光デバイス。 １２． 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記有機材料が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイス。 １３． 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記有機材料が低分子量化合物であることを特徴とする有機発光デバイス。 １４． 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記少なくとも１つの有機材料層が、少なくとも１つの共役ポリマー層と少 なくとも１つの低分子量化合物層とを含む複合構造体からなることを特徴とする 有機発光デバイス。 １５． 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、基板をさらに備え、前記アノードが前記基板上に形成され、前記カソードが 前記少なくとも１つの有機材料層の上に形成されることを特徴とする有機発光デ バイス。 １６． 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、基板をさらに備え、前記カソードが前記基板上に形成されると共に前記アノ ードが前記少なくとも１つの有機材料層の上に形成されることを特徴とする有機 発光デバイス。 １７． 請求項１５または１６に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 基板がガラスもしくはプラスチック材料の一種からなることを特徴とする有機発 光デバイス。 １８． 請求項１７記載の有機発光デバイスにおいて、前記基板がポリエ ステル、ポリカーボネート、ポリイミドもしくはポリ−エーテルイミドからなる ことを特徴とする有機発光デバイス。 １９． 請求項１〜１８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記アノードがインジウム−錫酸化物、酸化錫もしくは酸化亜鉛からなるこ とを特徴とする有機発光デバイス。 ２０． 請求項１〜１９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、導電性カソード材料の前記第一層がスパッター付着されることを特徴とする 有機発光デバイス。 ２１． 請求項１〜19のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて 、導電性材料の前記第一層が蒸発されることを特徴とする有機発光デバイス。 ２２． 請求項１〜２１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、導電性材料の前記第二層がスパッター付着されることを特徴とする有機発光 デバイス。 ２３． 請求項１〜２１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、導電性材料の前記第二層が蒸発されることを特徴とする有機発光デバイス。 ２４． デバイスのカソードを基板上に形成させる工程と、 少なくとも１つの発光性有機材料層を前記カソード上に形成させる工程と、 前記デバイスのアノードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成させる工程 とからなり、 前記デバイスのカソードを基板上に形成させる工程は高い導電率を有する導電 性材料の第一層を基板上に形成させることと、低い仕事関数を有する導電性材料 の第二層を前記導電性材料の第一層の上に形成させることからなり、前記導電性 材料の第一層は不透明金属層であり、導電性材料の第二層は、前記導電性材料の 第一層よりも実質的に薄い最高で５ｎｍの厚さを有し、かつ、最高で３．７ｅＶ の仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物からなることを特徴と する有機発光デバイスの加工方法。 ２５． デバイスのアノードを基板上に形成させる工程と、 少なくとも１つの発光性材料層を前記アノード上に形成させる工程と、 前記デバイスのカソードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成させる工程 とからなり、前記工程は、低い仕事関数を有する導電性材料の第二層を少なくと も１つの有機材料層の上に形成させることと、高い導電率を有する導電性材料の 第一層を導電性材料の第二層の上に形成させることからなり、前記導電性材料の 第一層は、不透明な金属層であり、前記導電性材料の第二層は、前記導電性材料 の第一層よりも実質的に薄く最高で５ｎｍの厚さを有し、かつ、最高で３．７ｅ Ｖの仕事関数を有する元素金属、合金もしくは金属間化合物からなることを特徴 とする有機発光デバイスの加工方法。 ２６． 請求項２４または２５に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記導電性材料の第二層が０．５〜２ｎｍの厚さを有することを特徴とす る有機発光デバイスの加工方法。 ２７． 請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第二層が約０．５ｎｍの厚さを有することを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ２８． 請求項２４または２７に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記基板がガラスもしくはプラスチック材料の一種からなることを特徴と する有機発光デバイスの加工方法。 ２９． 請求項２８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記基 板がポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドもしくはポリ−エーテルイミ ドからなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３０． 請求項２６〜２９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記アノードがインジウム−錫酸化物、酸化錫もしくは酸化亜 鉛からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３１． 請求項２６〜３０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第一層が１００〜５００ｎｍの範囲の厚さを 有することを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３２． 請求項３１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第一層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 ３３． 請求項２６〜３２のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第一層がＡｌもしくはその合金からなること を特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３４． 請求項２４〜３３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第二層が最高で３．２ｅＶの仕事関数を有す る元素金属、合金もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 ３５． 請求項２４〜３４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第二層がアルカリ金属、アルカリ土類金属も しくはランタニドの一種またはその合金もしくは金属間化合物の一種からなるこ とを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３６． 請求項３５記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第二層がＣａ、Ｋ、Ｌｉ、ＳｍもしくはＡｌ−Ｌｉ合金の一種からな ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３７． 請求項２４〜３６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第一層と導電性材料の第二層との厚さの比が 少なくとも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３８． 請求項２４〜３７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記少なくとも１つの有機材料層が約１００ｎｍの厚さを有す ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３９． 請求項２４〜３８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記有機材料が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 ４０． 請求項２４〜３８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記有機材料が低分子量化合物であることを特徴とする有機発 光デバイスの加工方法。 ４１． 請求項２４〜３８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記少なくとも１つの有機材料層が、少なくとも１つの共役ポ リマー層と少なくとも１つの低分子量化合物層とを含む複合構造体からなること を特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ４２． 請求項２４〜４１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第一層が好ましくはＤＣマグネトロンもしく はＲＦスパッタリングによりスパッター付着されることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 ４３． 請求項２４〜４１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第一層が好ましくは抵抗もしくは電子線熱蒸 発により蒸発されることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ４４． 請求項２４〜４３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第二層が好ましくはＤＣマグネトロンもしく はＲＦスパッタリングによりスパッター付着されることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 ４５． 請求項２４〜４３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第二層が好ましくはＤＣマグネトロンもしく はＲＦスパッタリングによりスパッター付着されることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 ４６． デバイスのアノードとカソードとの間に配置された少なくとも１ つの発光性有機材料層を備え、前記カソードは高い導電率を有するＤＣマグネト ロンによりスパッターされた金属層である導電性材料の第一層と、少なくとも１ つの有機材料層と前記導電性材料の第一層との間に配置された低い仕事関数を有 する導電性材料の第二層とからなり、前記導電性材料の第二層は、前記導電性材 料の第一層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイス。 ４７． 添付図面を参照して実質的に上記に説明された有機発光デバイス 。 ４８． 添付図面を参照して実質的に上記に説明された有機発光デバイス の加工方法。