JP2001237113A - 不斉分子磁石およびその製造方法 - Google Patents

不斉分子磁石およびその製造方法

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    • H01F1/42Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of organic or organo-metallic materials, e.g. graphene
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    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F13/00Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic Table
    • C07F13/005Compounds without a metal-carbon linkage

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁性を持つと共に光学活性を示し、かつ着色
透明性を有し、さらに転移温度が比較的高い等の特性を
有する単結晶の不斉分子磁石を提供しようとするもので
ある。 【解決手段】 一般式[Mn(L)]3[Cr(C
N)62・4H2O(ただし、Lは光学活性(Rまたは
S)−1,2−ジアミンおよびその誘導体、光学活性
(RまたはS)−1,3−ジアミンおよびその誘導体を
示す)にて表される単結晶からなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な不斉分子磁
石およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】不斉な分子磁石(磁性体)において、“磁
気不斉二色性(Magneto-Chiral Dichroism”と名付けら
れた現象が起こることがG.Wagniere and Meier, Chemic
al Phys. Lett.,93, pp.78-81(1982), G.Wagniere, Che
mical Phys. Lett.,110, pp.546-550(1984) およびL.D.
Barron, J.Vrbannich, Mol. Phys., 51, pp.715-730(19
84)に報告されている。これらの報告には、実際の物質
について言及されず、理論のみが述べられている。すな
わち、“磁気不斉二色性”は磁気光学効果の一種で例え
ば結晶の吸光度、発光強度が結晶の磁化の向きと光の進
行方向によって制御できる特性を示す。したがって、磁
場の向きで光学特性を制御できるために光通信分野、光
学分野等において多くの応用が期待されている。
【0003】一方、特開平9−246044号公報には
光照射により磁気特性が変化したり、光照射後の磁気特
性が温度変化により可変である特性を持つ、例えばコバ
ルトー鉄シアノ錯体からなる分子磁性材料が開示されて
いる。特開平10−32111号公報には、フェロ磁性
を示す分子磁性材料の磁性イオン単位とフェリ磁性を示
す分子磁性材料の磁性イオン単位を各々少なくとも1種
以上有する、例えば(Fe0.4Mn0.61.6Cr(C
N)6からなる分子磁性材料であって、光照射により磁
気特性が可変である分子混合磁性材料が開示されてい
る。特開平10−208924号公報には、一次元スピ
ン配列方向とこれに交差する軸でスピン間相互作用が全
く相反する結晶磁気異方性を有する、例えばマンガン
(II)(テトラエトキシフェニルホルフィリン)テトラシ
アノエチレンからなる分子磁性材料が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁性を持つ
と共に光学活性を示し、かつ着色透明性を有し、さらに
転移温度が比較的高い等の特性を有する単結晶の不斉分
子磁石を提供するものである。
【0005】本発明は、前述の優れた特性を有する比較
的サイズの大きな単結晶の不斉分子磁石を室温で高い収
率にて製造することが可能な方法を提供するものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る不斉分子磁
石は、一般式[Mn(L)]3[Cr(CN)62・4
2O(ただし、Lは光学活性(RまたはS)−1,2
−ジアミンおよびその誘導体、光学活性(RまたはS)
−1,3−ジアミンおよびその誘導体を示す)にて表さ
れる単結晶からなることを特徴とするものである。
【0007】本発明に係る不斉分子磁石の製造方法は、
光学活性(RまたはS)−1,2−ジアミンおよびその
誘導体、光学活性(RまたはS)−1,3−ジアミンお
よびその誘導体から選ばれる光学活性のジアミン化合物
に非酸化性雰囲気下で完全脱気溶媒を添加して溶解する
ことによりジアミン化合物溶液を調製する工程と、マン
ガン塩に非酸化性雰囲気下で完全脱気溶媒を添加して溶
解することによりマンガン塩溶液を調製した後、このマ
ンガン塩溶液を非酸化性雰囲気下で前記ジアミン化合物
溶液に添加して混合する工程と、ヘキサシアノクロム酸
塩に非酸化性雰囲気下で完全脱気溶媒を添加して溶解す
ることによりヘキサシアノクロム酸塩溶液を調製した
後、このヘキサシアノクロム酸塩溶液を非酸化性雰囲気
下で前記混合溶液に添加し、混合、反応させ、さらに室
温下で放置することにより一般式[Mn(L)]3[C
r(CN)62・4H2O(ただし、Lは光学活性(R
またはS)−1,2−ジアミンおよびその誘導体、光学
活性(RまたはS)−1,3−ジアミンおよびその誘導
体を示す)にて表される単結晶を析出する工程とを具備
したことを特徴とするものである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る不斉分子磁石
を詳細に説明する。
【0009】この不斉分子磁石は、一般式[Mn
(L)]3[Cr(CN)62・4H2O(ただし、Lは
光学活性(RまたはS)−1,2−ジアミンおよびその
誘導体、光学活性(RまたはS)−1,3−ジアミンお
よびその誘導体を示す)にて表される単結晶からなる。
【0010】前記一般式のLとしては、例えば下記構造
式を有するもの:化1;(R)−アラナミド、化2;
(R,R)−1,2−ジアミノシクロヘキサン、化3;
(R)−1,2−ジアミノプロパン、化4;(Lまたは
R)−1,2−ジアミノブタン、化5;(LまたはR)
−1,3−ジアミノブタン、化6;(LまたはR)−
1,2−ジアミノブタン−1−オン、化7;(Lまたは
R)−1,3−ジアミノブタン−2−オン、化8;(L
またはR)−1,3−ジアミノブタン−1−オン、化
9;(SまたはR)−2−(アミノメチル)ピロリジ
ン、化10;(1S,2Sまたは1R,2R)−N,
N’−ジメチル−1,2−ビス[3−(トリフルオロメ
チル)フェニル]−1,2−エタンジアミン、化11;
ジメチル(1S,9Sまたは1R,9R)−5−シアノ
セミコリン−1,9−ジカルボキシレート、化12;
(1R,2Rまたは1S,2S)−1,2−ジフェニル
チエレンジアミン、化13;(LまたはR)アスパラギ
ン酸エステル誘導体、化14;(LまたはR)アスパラ
ギン酸誘導体、化15;(RまたはS)イソロイシナミ
ド、化16;(RまたはS)グルタミドエステル誘導
体、化17;(RまたはS)システナミド誘導体、化1
8;(RまたはS)セリナミド誘導体、化19;(Rま
たはS)チロキシナミド誘導体、化20;(Rまたは
S)チロシナミド誘導体、化21;(RまたはS)トリ
プトファナミド誘導体、化22;(RまたはS)スレオ
ナミド誘導体、化23;(RまたはS)バリナミド、化
24;(RまたはS)ヒスチジナミド、化25;(Rま
たはS)−4−ヒドロキシプロリナミド誘導体、化2
6;(RまたはS)−4−ヒドロキシリジナミド誘導
体、化27;(RまたはS)フェニルアラナミド、化2
8;(RまたはS)プロリナミド、化29;(Rまたは
S)メチオナミド、化30;(RまたはS)リジナミド
誘導体、化31;(RまたはS)ロイシナミド、等を挙
げることができる。ただし、下記化13,化14,化1
6〜化20,化22,化25,化30のR1は水素、ま
たはメチル基、エチル基などのアルキル基、下記化26
2は水素、またはメチル基、エチル基などのアルキル
基を示す。
【0011】
【化1】
【0012】
【化2】
【0013】
【化3】
【0014】
【化4】
【0015】
【化5】
【0016】
【化6】
【0017】
【化7】
【0018】
【化8】
【0019】
【化9】
【0020】
【化10】
【0021】
【化11】
【0022】
【化12】
【0023】
【化13】
【0024】
【化14】
【0025】
【化15】
【0026】
【化16】
【0027】
【化17】
【0028】
【化18】
【0029】
【化19】
【0030】
【化20】
【0031】
【化21】
【0032】
【化22】
【0033】
【化23】
【0034】
【化24】
【0035】
【化25】
【0036】
【化26】
【0037】
【化27】
【0038】
【化28】
【0039】
【化29】
【0040】
【化30】
【0041】
【化31】
【0042】次に、本発明に係る不斉分子磁石の製造方
法を説明する。
【0043】まず、光学活性(RまたはS)−1,2−
ジアミンおよびその誘導体、光学活性(RまたはS)−
1,3−ジアミンおよびその誘導体から選ばれる光学活
性のジアミン化合物に非酸化性雰囲気下で完全脱気溶媒
を添加して溶解することによりジアミン化合物溶液を調
製する。
【0044】前記光学活性のジアミン化合物しては、例
えば前述した化1〜化3に示す構造式を有する(S)−
アラナミド、(R,R)−1,2−ジアミノシクロヘキ
サン、(R)−1,2−ジアミノプロパン等を用いるこ
とができる。
【0045】前記非酸化性雰囲気とは、アルゴン、ヘリ
ウム、窒素などの雰囲気を意味する。
【0046】前記完全脱気溶媒としては、例えば完全脱
気純水、完全脱気水−アルコール混合液等を挙げること
ができる。
【0047】次いで、マンガン塩に非酸化性雰囲気下で
完全脱気溶媒を添加して溶解することによりマンガン塩
溶液を調製した後、このマンガン塩溶液を非酸化性雰囲
気下で前記ジアミン化合物溶液に添加して混合溶液を調
製する。
【0048】前記マンガン塩としては、例えば塩化マン
ガン(II)水和物または過塩素酸マンガン(II)水和物等を
用いることができる。
【0049】前記完全脱気溶媒としては、例えば完全脱
気純水、完全脱気水−アルコール混合液等を挙げること
ができる。
【0050】次いで、ヘキサシアノクロム酸塩に非酸化
性雰囲気下で完全脱気溶媒を添加して溶解することによ
りヘキサシアノクロム酸塩溶液を調製した後、このヘキ
サシアノクロム酸塩溶液を非酸化性雰囲気下で前記混合
溶液に添加し、混合、反応させ、さらに室温下で放置す
ることにより一般式[Mn(L)]3[Cr(CN)6
2・4H2O(ただし、Lは光学活性(RまたはS)−
1,2−ジアミンおよびその誘導体、光学活性(Rまた
はS)−1,3−ジアミンおよびその誘導体を示す)に
て表される単結晶を析出し、不斉分子磁石を製造する。
【0051】前記ヘキサシアノクロム酸塩としては、例
えばヘキサシアノクロム酸カリウム、ヘキサシアノクロ
ム酸ナトリウム、ヘキサシアノクロム酸アンモニウム等
を用いることができる。
【0052】前記完全脱気溶媒としては、例えば完全脱
気純水、完全脱気水−アルコール混合液等を挙げること
ができる。
【0053】以上説明した本発明に係る不斉分子磁石
は、一般式[Mn(L)]3[Cr(CN)62・4H2
O(ただし、Lは光学活性(RまたはS)−1,2−ジ
アミンおよびその誘導体、光学活性(RまたはS)−
1,3−ジアミンおよびその誘導体を示す)にて表され
る単結晶(立方晶)からなるため、次のような特徴を有
する。
【0054】(1)一般式のLの導入により光学活性
(円二色性)を示す不斉光学構造を有する。
【0055】(2)不斉磁気構造を有し、優れた磁気特
性を示す。
【0056】(3)分子性を示す。
【0057】(4)透明(着色透明)で単結晶である。
【0058】(5)転移温度が比較的高い(例えば10
8K)性質を有する。
【0059】このような特徴を有する本発明に係る不斉
分子磁石は、例えば磁場による光の波長変換、光吸収強
度の制御、光振動ベクトルの回転制御等を行うことがで
き、光磁気デバイス、磁場応答性光デバイス、磁場応答
性光学結晶、光通信用の新規デバイスに応用することが
できる。
【0060】また、本発明の方法によれば前述の優れた
特性を有し、比較的サイズの大きな単結晶の不斉分子磁
石を室温で高い収率にて製造することができる。
【0061】
【実施例】以下、好ましい実施例を詳細に説明する。
【0062】(実施例1)まず、30mlのナス型フラ
スコに0.2mモルの下記化4に示される構造式を有す
る(R)−アラナミドをアルゴン雰囲気下で入れ、さら
に同雰囲気下で完全脱気純水3mLを前記フラスコに加
えて前記(R)−アラナミドを完全溶解して(R)−ア
ラナミド溶解液を調製した。
【0063】
【化32】
【0064】次いで、過塩素酸マンガン(II)水和物0.
2mモルに完全脱気純水7mLをアルゴン雰囲気下で添
加して溶解することにより調製した過塩素酸マンガン溶
液を、アルゴン雰囲気下で前記フラスコ内の前記(R)
−アラナミド溶解液に加えて混合溶液を調製した。つづ
いて、ヘキサシアノクロム酸カリウム0.2mモルに完
全脱気純水5mLをアルゴン雰囲気下で添加して溶解す
ることにより調製したヘキサシアノクロム酸カリウム溶
液を、アルゴン雰囲気下で前記フラスコ内の前記混合溶
液に加えた。得られた溶液を室温下で1日間放置するこ
とにより単結晶体が析出した。
【0065】得られた単結晶体は、[Mn(L)]
3[Cr(CN)62・4H2O(L:(R)−アラナミ
ド)で表され、かつ8mmの黄色透明の立方晶体であっ
た。また、この単結晶体は原料に対して88%の収率で
得られた。
【0066】次に、実施例1で得られた単結晶体(不斉
分子磁石)の磁気特性、光学活性を評価した。
【0067】1)温度−磁化特性 単結晶体から切り出した寸法0.8mm×0.8mm×
0.8mmの試料を5Oeの磁場に置き、温度を変化さ
せたときの磁化の変化をSQUID磁束計を用いて測定
した。その結果を図1に示す。
【0068】図1から明らかなように実施例1の単結晶
体(不斉分子磁石)は、約70K以下で磁化が急激に増
大しており、この温度域でフェリ磁性体になることが確
認された。
【0069】2)磁気モーメントの磁場依存性 単結晶体から切り出した寸法0.8mm×0.8mm×
0.8mmの試料を温度5Kの雰囲気に置き、磁場を変
化させたときの磁気モーメントの変化をSQUID磁束
計を用いて測定した。その結果を図2に示す。
【0070】図2から明らかなように実施例1の単結晶
体(不斉分子磁石)は、5Kでの磁気モーメントが10
0 Oe程度で飽和していることから磁石になっている
ことが確認された。また、飽和した磁気モーメントの値
が約9μBであることから不斉分子磁石の構成元素であ
るクロムとマンガンの磁化が100%揃っていることが
確認された。
【0071】3)CD(円偏向二色性)吸収スペクトル
および紫外線吸収スペクトル 単結晶体から切り出した寸法2.0mm×2.0mm×
0.5mmの試料に波長の異なる光を透過させたときの
光吸収スペクトル(CDおよびUV)をそれぞれ円二色
スペクトルメータ、分光光度計を用いて室温下で測定し
た。その結果を図3に示す。なお、図3中の下横軸およ
び左縦軸でUVの光吸収スペクトルを表示し、上横軸お
よび右縦軸でCDの光吸収スペクトルを表示している。
【0072】図3から明らかなように実施例1の単結晶
体(不斉分子磁石)は、所定の波長領域でCDが0以外
の値をとることから、光学活性であることを示唆してい
る。
【0073】(実施例2)まず、30mlのナス型フラ
スコに0.2mモルの下記化5に示される構造式を有す
る(R,R)−1,2−ジアミノシクロヘキサンをアル
ゴン雰囲気下で入れ、さらに同雰囲気下で完全脱気純水
3mLを前記フラスコに加えて前記(R,R)−1,2
−ジアミノシクロヘキサンを完全溶解して(R,R)−
1,2−ジアミノシクロヘキサン溶解液を調製した。
【0074】
【化33】
【0075】次いで、過塩素酸マンガン(II)水和物0.
2mモルに完全脱気純水7mLをアルゴン雰囲気下で添
加して溶解することにより調製した過塩素酸マンガン溶
液を、アルゴン雰囲気下で前記フラスコ内の前記(R,
R)−1,2−ジアミノシクロヘキサン溶解液に加えて
混合溶液を調製した。つづいて、ヘキサシアノクロム酸
カリウム0.2mモルに完全脱気純水5mLをアルゴン
雰囲気下で添加して溶解することにより調製したヘキサ
シアノクロム酸カリウム溶液を、アルゴン雰囲気下で前
記フラスコ内の前記混合溶液に加えた。得られた溶液を
室温下で1日間放置することにより単結晶体が析出し
た。
【0076】得られた単結晶体は、[Mn(L)]
3[Cr(CN)62・4H2O(L:(R,R)−1,
2−ジアミノシクロヘキサン)で表され、かつ8mmの
黄色透明の立方晶体であった。また、この単結晶体は原
料に対して88%の収率で得られた。
【0077】次に、実施例2で得られた単結晶体(不斉
分子磁石)の磁気特性、光学活性を評価した。
【0078】1)温度−磁化特性 実施例1と同様な方法により単結晶体の温度変化に対す
る磁化の変化を測定した。その結果を図4に示す。
【0079】図4から明らかなように実施例2の単結晶
体(不斉分子磁石)は、約72K以下で磁化が急激に増
大しており、この温度域でフェリ磁性体になることが確
認された。
【0080】2)磁気モーメントの磁場依存性 実施例1と同様な方法により単結晶体の温度5Kにおけ
る磁場変化に対する磁気モーメントの変化を測定した。
その結果を図5に示す。
【0081】図5から明らかなように実施例2の単結晶
体(不斉分子磁石)は、5Kでの磁気モーメントが10
0 Oe程度で飽和していることから磁石になっている
ことが確認された。また、飽和した磁気モーメントの値
が約7μBであることから不斉分子磁石の構成元素であ
るクロムとマンガンの磁化が100%揃っていることが
確認された。
【0082】3)CD(円偏向二色性)吸収スペクトル 実施例1と同様な方法により単結晶体の光吸収スペクト
ル(CD)を測定した。その結果を図6に示す。
【0083】図6から明らかなように実施例2の単結晶
体(不斉分子磁石)は、所定の波長領域でCDが0以外
の値をとることから、光学活性であることを示唆してい
る。
【0084】(実施例3)まず、30mlのナス型フラ
スコに0.2mモルの下記化6に示される構造式を有す
る(R)−1,2−ジアミノプロパンをアルゴン雰囲気
下で入れ、さらに同雰囲気下で完全脱気純水3mLを前
記フラスコに加えて前記(R)−1,2−ジアミノプロ
パンを完全溶解して(R)−1,2−ジアミノプロパン
溶解液を調製した。
【0085】
【化34】
【0086】次いで、過塩素酸マンガン(II)水和物0.
2mモルに完全脱気純水7mLをアルゴン雰囲気下で添
加して溶解することにより調製した過塩素酸マンガン溶
液を、アルゴン雰囲気下で前記フラスコ内の前記(R)
−1,2−ジアミノプロパン溶解液に加えて混合溶液を
調製した。つづいて、ヘキサシアノクロム酸カリウム
0.2mモルに完全脱気純水5mLをアルゴン雰囲気下
で添加して溶解することにより調製したヘキサシアノク
ロム酸カリウム溶液を、アルゴン雰囲気下で前記フラス
コ内の前記混合溶液に加えた。得られた溶液を室温下で
1日間放置することにより単結晶体が析出した。
【0087】得られた単結晶体は、[Mn(L)]
3[Cr(CN)62・4H2O(L:(R)−1,2−
ジアミノプロパン)で表され、かつ8mmの緑色透明の
立方晶体であった。また、この単結晶体は原料に対して
88%の収率で得られた。
【0088】次に、実施例3で得られた単結晶体(不斉
分子磁石)の磁気特性、光学活性を評価した。
【0089】1)温度−磁化特性 実施例1と同様な方法により単結晶体の温度変化に対す
る磁化の変化を測定した。その結果を図7に示す。
【0090】図7から明らかなように実施例3の単結晶
体(不斉分子磁石)は、約108K以下で磁化が急激に
増大しており、この温度域でフェリ磁性体になることが
確認された。また、約100K、約90Kでも磁化が急
激に増大していることから、転移温度約100K、約9
0Kの結晶を含んでいることがわかる。
【0091】2)磁気モーメントの磁場依存性 実施例1と同様な方法により単結晶体の温度5Kにおけ
る磁場変化に対する磁気モーメントの変化を測定した。
その結果を図8に示す。
【0092】図8から明らかなように実施例3の単結晶
体(不斉分子磁石)は、5Kでの磁気モーメントが10
0 Oe程度で飽和していることから磁石になっている
ことが確認された。また、飽和した磁気モーメントの値
が約9μBであることから不斉分子磁石の構成元素であ
るクロムとマンガンの磁化が100%揃っていることが
確認された。
【0093】3)CD(円偏向二色性)吸収スペクトル 実施例1と同様な方法により単結晶体の光吸収スペクト
ル(CD)を測定した。その結果を図9に示す。
【0094】図9から明らかなように実施例3の単結晶
体(不斉分子磁石)は、所定の波長領域でCDが0以外
の値をとることから、光学活性であることを示唆してい
る。
【0095】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、磁
性を持つと共に光学活性を示し、かつ着色透明性を有
し、さらに転移温度が比較的高い等の特性を有し、光磁
気デバイス、磁場応答性光デバイス、磁場応答性光学結
晶、光通信用の新規デバイス等に有用な不斉分子磁石を
提供できる。
【0096】また、本発明によれば前述の優れた特性を
有する比較的大きな単結晶の不斉分子磁石を室温で収率
よく製造することが可能な方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の温度変化に対する磁化変化を示す特性図。
【図2】本発明の実施例1で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の温度5Kにおける磁場変化に対する磁気モーメ
ントの変化を示す特性図。
【図3】本発明の実施例1で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の光吸収スペクトル(CDおよびUV)を示す特
性図。
【図4】本発明の実施例2で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の温度変化に対する磁化変化を示す特性図。
【図5】本発明の実施例2で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の温度5Kにおける磁場変化に対する磁気モーメ
ントの変化を示す特性図。
【図6】本発明の実施例2で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の光吸収スペクトル(CD)を示す特性図。
【図7】本発明の実施例3で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の温度変化に対する磁化変化を示す特性図。
【図8】本発明の実施例3で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の温度5Kにおける磁場変化に対する磁気モーメ
ントの変化を示す特性図。
【図9】本発明の実施例3で得られた単結晶(不斉分子
磁石)の光吸収スペクトル(CD)を示す特性図。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式[Mn(L)]3[Cr(C
    N)62・4H2O(ただし、Lは光学活性(Rまたは
    S)−1,2−ジアミンおよびその誘導体、光学活性
    (RまたはS)−1,3−ジアミンおよびその誘導体を
    示す)にて表される単結晶からなることを特徴とする不
    斉分子磁石。
  2. 【請求項2】 前記一般式のLは、光学活性(S)−ア
    ラナミドであることを特徴とする請求項1記載の不斉分
    子磁石。
  3. 【請求項3】 前記一般式のLは、光学活性(R,R)
    −ジアミノシクロヘキサンであることを特徴とする請求
    項1記載の不斉分子磁石。
  4. 【請求項4】 前記一般式のLは、光学活性(R)−
    1,2−ジアミノプロパンであることを特徴とする請求
    項1記載の不斉分子磁石。
  5. 【請求項5】 光学活性(RまたはS)−1,2−ジア
    ミンおよびその誘導体、光学活性(RまたはS)−1,
    3−ジアミンおよびその誘導体から選ばれる光学活性の
    ジアミン化合物に非酸化性雰囲気下で完全脱気溶媒を添
    加して溶解することによりジアミン化合物溶液を調製す
    る工程と、 マンガン塩に非酸化性雰囲気下で完全脱気溶媒を添加し
    て溶解することによりマンガン塩溶液を調製した後、こ
    のマンガン塩溶液を非酸化性雰囲気下で前記ジアミン化
    合物溶液に添加して混合する工程と、 ヘキサシアノクロム酸塩に非酸化性雰囲気下で完全脱気
    溶媒を添加して溶解することによりヘキサシアノクロム
    酸塩溶液を調製した後、このヘキサシアノクロム酸塩溶
    液を非酸化性雰囲気下で前記混合溶液に添加し、混合、
    反応させ、さらに室温下で放置することにより一般式
    [Mn(L)]3[Cr(CN)62・4H2O(ただ
    し、Lは光学活性(RまたはS)−1,2−ジアミンお
    よびその誘導体、光学活性(RまたはS)−1,3−ジ
    アミンおよびその誘導体を示す)にて表される単結晶を
    析出する工程とを具備したことを特徴とする不斉分子磁
    石の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記完全脱気溶媒は、完全脱気純水であ
    ることを特徴とする請求項5記載の不斉分子磁石の製造
    方法。
  7. 【請求項7】 前記マンガン塩は、塩化マンガン(II)水
    和物または過塩素酸マンガン(II)水和物であることを特
    徴とする請求項5記載の不斉分子磁石の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記ヘキサシアノクロム酸塩は、ヘキサ
    シアノクロム酸カリウムであることを特徴とする請求項
    5記載の不斉分子磁石の製造方法。
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