JP2001237481A - Mounting structure for laser diode and mounting method thereof - Google Patents

Mounting structure for laser diode and mounting method thereof

Info

Publication number
JP2001237481A
JP2001237481A JP2000048376A JP2000048376A JP2001237481A JP 2001237481 A JP2001237481 A JP 2001237481A JP 2000048376 A JP2000048376 A JP 2000048376A JP 2000048376 A JP2000048376 A JP 2000048376A JP 2001237481 A JP2001237481 A JP 2001237481A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mount
emitting element
laser diode
mounting
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000048376A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4547063B2 (en
Inventor
Kazuhiro Kobayashi
和裕 小林
Naoichi Iwasaki
直一 岩崎
Kazumasa Fujisawa
千正 藤沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Cimeo Precision Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Cimeo Precision Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd, Cimeo Precision Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2000048376A priority Critical patent/JP4547063B2/en
Publication of JP2001237481A publication Critical patent/JP2001237481A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4547063B2 publication Critical patent/JP4547063B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize precision mounting of a laser diode with a general-purpose device and with few number of processes. SOLUTION: A metallizing pattern 3 is formed on the upper surface of a mount 2 comprising a high thermal-conduction material such as ceramics, with its width almost equal to that of a light-emitting element 1 and with its length shorter than a length L of the light-emitting element 1 by α. A lead-out pattern 3a, of a width equal to or less than L/2, is formed in both widthwise directions from the central part in the longitudinal direction of the metallizing pattern 2. At mounting of the light-emitting element 1 to the mount 2, a solder ribbon 4 is aligned with the metallizing pattern 3 and placed on it, and then the light- emitting element 1 is placed over it, which is heated as it to melt the solder. Self-alignment action works on the light-emitting element 1 under surface tension of the solder, resulting in precision mounting along the metallizing pattern 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーダイオー
ド用マウント構造及びその実装方法に関する。
The present invention relates to a mounting structure for a laser diode and a mounting method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザダイオード(以下、単に発光素子
という)は光センサの発光光源として各種精密測長器、
リモートコントロール、情報の記録再生、自動機械の位
置決め用などに広く用いられている。発光素子は動作時
の電流密度が1〜4kA/cm2 と高いため、動作電
流による発熱が大きく、これを効率よく外部へ伝達して
放熱しないと、その熱により発光素子の発光効率が低下
して光量が減少する。そこで光量を維持するためには更
に動作電流を増加させることになる。この繰り返しから
動作電流が増大して発光素子の寿命が極端に短くなって
しまう。従って、放熱を効率よく行うことが重要にな
る。そこで、発光素子は熱伝導率の高い放熱用ブロック
(ヒートシンク)にマウントした上で、電極の配線等が
なされ、パッケージに納められて製品とされている。こ
のような発光素子の従来のマウント構造を図面により説
明する。図5、図6、図7は従来の発光素子のマウント
構造を示す斜視図である。図8は発光素子の搭載位置を
示す要部側面図である。
2. Description of the Related Art A laser diode (hereinafter simply referred to as a light emitting element) is used as a light source of a light sensor for various precision length measuring instruments.
Widely used for remote control, recording and reproduction of information, positioning of automatic machines, etc. Since the light emitting element has a high current density of 1 to 4 kA / cm 2 during operation, heat generated by the operating current is large. Unless this is efficiently transmitted to the outside and dissipated, the heat reduces the light emitting efficiency of the light emitting element. The amount of light decreases. Therefore, in order to maintain the light amount, the operating current is further increased. From this repetition, the operating current increases and the life of the light emitting element becomes extremely short. Therefore, it is important to efficiently dissipate heat. Therefore, the light-emitting element is mounted on a heat-dissipating block (heat sink) having a high thermal conductivity, is provided with electrode wiring and the like, and is housed in a package to form a product. A conventional mounting structure of such a light emitting device will be described with reference to the drawings. FIGS. 5, 6, and 7 are perspective views showing a conventional light emitting element mounting structure. FIG. 8 is a main part side view showing a mounting position of the light emitting element.

【0003】まず、従来の発光素子のマウント構造の構
成について説明する。図5において、53は発光素子で
あり、51は銅、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料を
切削・研磨や粉末成型等の方法で形成した1乃至10数
mm3 程度の直方体形状の放熱用ブロックである。発
光素子53をブロック51へマウントする際には、発光
素子53とブロック51との熱膨張係数の差が無視でき
ないほど大きいために、インジウム合金等の柔らかい半
田を用いて接合しその差を吸収させている。ところが、
このマウント構造では、半田が柔らかいので初期位置精
度が悪いのと長期的には無視できない位置ズレを起こす
ので、発光素子の信頼性を高めるのが難しい。
First, the configuration of a conventional light emitting element mounting structure will be described. In FIG. 5, reference numeral 53 denotes a light emitting element, and 51 denotes a rectangular parallelepiped heat radiation of about 1 to several tens mm 3 formed by cutting, polishing or powder molding a metal material having high thermal conductivity such as copper or copper alloy. Block. When the light emitting element 53 is mounted on the block 51, the difference in thermal expansion coefficient between the light emitting element 53 and the block 51 is so large that it cannot be ignored. Therefore, the light emitting element 53 is joined using a soft solder such as an indium alloy to absorb the difference. ing. However,
In this mounting structure, since the solder is soft, the initial positional accuracy is poor and a positional deviation that cannot be ignored in the long term is caused. Therefore, it is difficult to enhance the reliability of the light emitting element.

【0004】図6に示すものはこれに代わる信頼性の高
いマウント構造である。図6において、52は熱膨張係
数の値が発光素子53と近い値を持つ高熱伝導のセラミ
ックス薄板から成るマウントであり、発光素子53とブ
ロック51との間に介在する。マウント52は発光素子
53及びブロック51との接合のために接合面を金等で
メタライズしてある。発光素子53を搭載するに当たっ
ては、まずマウント52とブロック51とを接合する
が、これは半田接続用のダイボンダを用いて行う。レー
ザー光を所望の方向に出射させるために後述する所定の
組立精度が必要であり、発光素子53をマウント52に
マウントするには画像認識装置を持つ専用の高精度ダイ
ボンダーを用いる。接続材料としては金合金等の高熱伝
導材料を用いている。
FIG. 6 shows an alternative highly reliable mounting structure. In FIG. 6, reference numeral 52 denotes a mount formed of a high thermal conductive ceramic thin plate having a thermal expansion coefficient close to that of the light emitting element 53, and is interposed between the light emitting element 53 and the block 51. The mounting surface of the mount 52 is metallized with gold or the like for bonding with the light emitting element 53 and the block 51. In mounting the light emitting element 53, first, the mount 52 and the block 51 are joined together, using a die bonder for solder connection. In order to emit laser light in a desired direction, a predetermined assembling accuracy described later is required. To mount the light emitting element 53 on the mount 52, a dedicated high precision die bonder having an image recognition device is used. A high heat conductive material such as a gold alloy is used as a connection material.

【0005】図7により、更に発光素子53の位置合わ
せについて説明する。54はパッケージの基台であり、
ブロック51を基台54に組み立て後に発光素子53を
搭載する。このときに、光軸Kの位置と傾きとが基台5
4外形を基準として所定の精度に入っている必要があ
る。光軸Kは発光素子53の外形と略平行であるから、
まず、互いの外形を基準としてマウント52をブロック
51に搭載しておき、次ぎにブロック1の外形を基準と
して発光素子53をマウント52にマウントする。発光
素子53の組立精度は、一般的に図7、図8に示すよう
に、位置については、xyz軸方向に各々±30μm、
傾きについては、±3度以内とし、発光素子53の発光
部53aのある端面がマウント52の上端から僅かに
(40μm未満)突き出るようにする。発光素子53の
マウントには1個につき3秒から30秒の工数を要して
いる。
Referring to FIG. 7, the positioning of the light emitting element 53 will be further described. 54 is a base of the package,
After the block 51 is assembled on the base 54, the light emitting element 53 is mounted. At this time, the position and inclination of the optical axis K are
4 It is necessary to have a predetermined accuracy based on the outer shape. Since the optical axis K is substantially parallel to the outer shape of the light emitting element 53,
First, the mount 52 is mounted on the block 51 based on the outer shape of each other, and then the light emitting element 53 is mounted on the mount 52 based on the outer shape of the block 1. As shown in FIGS. 7 and 8, the assembly accuracy of the light emitting element 53 is generally ± 30 μm in the xyz-axis direction.
The inclination is set within ± 3 degrees, and the end face of the light emitting element 53 where the light emitting portion 53a is provided slightly protrudes (less than 40 μm) from the upper end of the mount 52. The mounting of the light emitting element 53 requires a man-hour of 3 to 30 seconds for each mounting.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このマ
ウント構造の場合、ブロックとマウント間、マウントと
発光素子間の2回もの高精度マウントを行う必要があ
り、専用の高精度なダイボンダーを用いて多くの時間を
かけて発光素子を固着実装している。そのための設備
費、工数ともに大きく、製品コストを増大させている。
However, in the case of this mounting structure, it is necessary to perform high-precision mounting twice between the block and the mounting, and between the mounting and the light-emitting element. The light emitting element is fixedly mounted over time. The equipment costs and man-hours for this are both large, increasing the product cost.

【0007】上記発明はこのような従来の問題を解決す
るためになされたものであり、その目的は、汎用性の高
い装置を用いて、工数及び設備費用の低減に寄与するこ
とのできるレーザダイオード用マウント構造とその実装
方法を提供することである。
The above-mentioned invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a laser diode which can contribute to reduction of man-hours and equipment costs by using a highly versatile device. It is to provide a mounting structure and a mounting method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウント構造
において、前記マウントの長さを前記レーザダイオード
の長さより短くしたことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a laser diode mounting structure in which a laser diode is mounted on a heat radiating block via a mount. It is shorter than the length.

【0009】本発明の請求項2の発明は、請求項1記載
の発明において、前記マウントには、前記レーザダイオ
ードの幅と略等しい幅で、前記マウントの長さと等しい
長さのメタライズパターンを設けたことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the mount is provided with a metallized pattern having a width substantially equal to the width of the laser diode and a length equal to the length of the mount. It is characterized by having.

【0010】本発明の請求項3の発明は、請求項2記載
の発明において、前記メタライズパターンには中央部両
側に引き出された引き出しパターンを持つことを特徴と
する。
A third aspect of the present invention, in the second aspect, is characterized in that the metallized pattern has a leading pattern drawn on both sides of a central portion.

【0011】本発明の請求項4の発明は、請求項3記載
の発明において、前記引き出しパターンの幅は前記レー
ザダイオードの長さの半分以下であることを特徴とする
ことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the width of the lead pattern is not more than half the length of the laser diode.

【0012】本発明の請求項5の発明は、レーザダイオ
ードをマウントを介して放熱ブロックに搭載するレーザ
ダイオード用マウントの実装方法において、前記レーザ
ダイオードの長さより短い長さと前記レーザダイオード
の幅と略等しい幅を持つメタライズパターンを有し、該
メタライズパターンと長さの等しいマウントを形成する
工程と、該マウントにレーザダイオードを搭載する工程
と、放熱ブロックを形成する工程と、前記放熱ブロック
にマウントを搭載する工程とを有することを特徴とす
る。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for mounting a laser diode mount in which a laser diode is mounted on a heat dissipation block via a mount, wherein a length shorter than the length of the laser diode and a width of the laser diode are substantially equal to each other. Having a metallized pattern having an equal width, forming a mount having the same length as the metallized pattern, mounting a laser diode on the mount, forming a heat dissipation block, and mounting the mount on the heat dissipation block. Mounting step.

【0013】本発明の請求項6の発明は、請求項5に記
載の発明において、前記マウントに前記レーザダイオー
ドを搭載する工程において、前記メタライズパターン上
に半田リボンを載置する段階と、前記レーザダイオード
を該半田リボン上に載置する段階と、前記レーザダイオ
ードと前記半田リボンとを載置した前記マウントを加熱
する段階とを有することを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the invention according to the fifth aspect, in the step of mounting the laser diode on the mount, a step of mounting a solder ribbon on the metallized pattern; Mounting a diode on the solder ribbon; and heating the mount on which the laser diode and the solder ribbon are mounted.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は発光素子の実装方法
を示す斜視図である。図2は本発明の実施の形態である
発光素子用マウント構造を示す斜視図、図3は発光素子
の斜視図、図4はマウントの斜視図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a method for mounting a light emitting element. FIG. 2 is a perspective view showing a light emitting element mount structure according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a perspective view of the light emitting element, and FIG. 4 is a perspective view of the mount.

【0015】まず、本発明の実施の形態である発光素子
用マウント構造の構成を説明する。図2において、1は
図3に示す発光素子であり、外形は発光部1aを通る光
軸K方向の長さLの方が幅Wよりも大きい直方体であ
る。2は図4に詳細を示すセラミックス等の高熱伝導絶
縁材料から成る直方体形状のマウントであり、一辺の長
さL−αは発光素子1の長さLに比べてα(3μmから
30μm)短く形成されている。3はマウント2上に外
形線に平行に形成されたメタライズパターンであり、発
光素子1の幅Wと略等しい幅とマウント2と同じ長さと
を持っており、長さ方向のほぼ中央部から幅方向の両側
に延在するように、長さLの半分以下の幅で適宜な長さ
を持つ引き出しパターン3aが設けられている。発光素
子1は図2に示すように、光軸に直角な端面がマウント
2の端面から突き出して予めマウントへ搭載されてか
ら、図示しない放熱ブロックへと搭載され、レンズ他の
光学部品と共にパッケージされ、製品となる。
First, the structure of the light emitting element mount structure according to the embodiment of the present invention will be described. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes the light-emitting element shown in FIG. Reference numeral 2 denotes a rectangular parallelepiped mount made of a highly heat-conductive insulating material such as ceramics shown in detail in FIG. 4. The length L-α of one side is shorter than the length L of the light emitting element 1 by α (3 μm to 30 μm). Have been. Reference numeral 3 denotes a metallized pattern formed on the mount 2 in parallel with the outline, having a width substantially equal to the width W of the light emitting element 1 and the same length as the mount 2, and having a width substantially from the center in the length direction. A lead pattern 3a having a width equal to or less than half the length L and having an appropriate length is provided so as to extend on both sides in the direction. As shown in FIG. 2, the light emitting element 1 has an end surface perpendicular to the optical axis protruding from the end surface of the mount 2 and is mounted on the mount in advance, then mounted on a heat radiation block (not shown), and packaged together with the lens and other optical components. , Product.

【0016】次ぎに、この発光素子の実装方法を説明す
る。図1において、4はメタライズパターン3と略同一
寸法で厚さが10μmから30μmの半田リボンであ
る。半田リボン4をマウント2のメタライズパターン3
へ位置を合わせて供給後、発光素子1を半田リボン4上
に配置し、窒素等の非酸化雰囲気中で無加圧で加熱す
る。これにより半田リボン4が溶解し、発光素子1の下
面とメタライズパターン3が溶融半田に濡れる。溶融半
田には表面張力が発生して発光素子1をメタライズパタ
−ン3の位置に合わせようとするセルフアライメント作
用が働く。そこでそのまま冷却すれば発光素子1をマウ
ントの外形に対して高精度で位置決めし半田付けするこ
とができる。
Next, a method of mounting the light emitting device will be described. In FIG. 1, reference numeral 4 denotes a solder ribbon having substantially the same dimensions as the metallized pattern 3 and a thickness of 10 μm to 30 μm. Solder ribbon 4 is mounted on metallized pattern 3 of mount 2
Then, the light emitting element 1 is placed on the solder ribbon 4 and heated without pressure in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen. Thereby, the solder ribbon 4 is melted, and the lower surface of the light emitting element 1 and the metallized pattern 3 become wet with the molten solder. A surface tension is generated in the molten solder, and a self-alignment action for aligning the light emitting element 1 with the position of the metallized pattern 3 is effected. Therefore, if the light emitting element 1 is cooled as it is, the light emitting element 1 can be positioned and soldered with high accuracy with respect to the outer shape of the mount.

【0017】このとき、マウント2の長さL−αが発光
素子1の長さLよりも短く設定してあるために、図2に
示すように発光素子1の両端がマウント2よりも僅かに
(ほぼα/2づつ)突出する。また、メタライズパター
ン3の幅と発光素子1の幅Wとを略等しく形成してある
ために両者の側縁が一致するようになる。また、半田溶
融時に発光素子1を位置決め移動させた余分の半田が引
き出しパターン3aに流れ出すことにより、発光素子1
下面の半田量を減少させることができる。
At this time, since the length L-α of the mount 2 is set shorter than the length L of the light emitting element 1, both ends of the light emitting element 1 are slightly smaller than the mount 2 as shown in FIG. (Almost every α / 2). In addition, since the width of the metallized pattern 3 and the width W of the light emitting element 1 are substantially equal, the side edges of the two coincide. In addition, when the solder is melted, the extra solder that has moved the light emitting element 1 is moved to the extraction pattern 3a.
The amount of solder on the lower surface can be reduced.

【0018】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。溶融半田によるセルフアライメント作用が働くの
で、予めメタライズパターン3をマウント2の外形に対
して精度よく平行に設けておくことによって、発光素子
1をマウント2に搭載するときには0.1mm程度と低
い位置決め精度しか要求されない。また、引き出しパタ
ーン3aにより発光素子1下の半田膜を薄くできるから
発光素子1の発熱を効率よくマウント2に伝達させるこ
とができる。また、発光素子の電極を配線する際にもこ
の引き出しパターンが用いられる。更に、発光部1aが
マウント2端面より確実に突出した構造になるために、
出射光がマウント2表面で反射してしまう、いわゆる
「ケラレ」が発生することがない。
Next, effects of the present embodiment will be described. Since the self-alignment effect of the molten solder works, by providing the metallized pattern 3 in parallel with the outer shape of the mount 2 with high precision in advance, when the light emitting element 1 is mounted on the mount 2, the positioning accuracy is as low as about 0.1 mm. Only required. Further, since the solder film under the light emitting element 1 can be thinned by the lead pattern 3a, heat generated by the light emitting element 1 can be efficiently transmitted to the mount 2. The lead pattern is also used when wiring the electrodes of the light emitting element. Further, since the light emitting portion 1a has a structure that protrudes from the end face of the mount 2 reliably,
There is no occurrence of so-called "vignetting" in which emitted light is reflected on the surface of the mount 2.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マウントにメタライズパターンを形成しておき、半田リ
ボンを介して発光素子を0.1mm程度の精度で配置
し、加熱・冷却するのみで高精度の実装が汎用装置によ
り達成できる。
As described above, according to the present invention,
A metallized pattern is formed on the mount, the light emitting elements are arranged with an accuracy of about 0.1 mm via a solder ribbon, and high-precision mounting can be achieved by a general-purpose device only by heating and cooling.

【0020】また、マウントに発光素子を搭載して半田
を加熱する時には多数個を同時に処理できるため、大量
高速の処理が可能になった。故に低工数で高精度のマウ
ントへの実装が確保できる。
In addition, when a light emitting element is mounted on a mount and solder is heated, a large number of pieces can be processed at the same time. Therefore, mounting on a high-precision mount can be secured with a small number of man-hours.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態である発光素子用サブマン
トの実装方法を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a mounting method of a light emitting element submount according to an embodiment of the present invention.

【図2】マウントの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a mount.

【図3】発光素子の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a light emitting element.

【図4】マウントの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a mount.

【図5】従来の発光素子のマウント構造を示す斜視図で
ある。
FIG. 5 is a perspective view showing a conventional light emitting element mounting structure.

【図6】従来の他のマウント構造を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing another conventional mounting structure.

【図7】発光素子の位置決め基準を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a reference for positioning a light emitting element.

【図8】発光素子の搭載位置を示す要部側面図である。FIG. 8 is a main part side view showing a mounting position of a light emitting element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子 2 マウント 3 メタライズパターン 3a 引き出しパターン 4 半田リボン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting element 2 Mount 3 Metallization pattern 3a Leader pattern 4 Solder ribbon

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 直一 長野県北佐久郡御代田町大字御代田4107− 5 シメオ精密株式会社内 (72)発明者 藤沢 千正 長野県北佐久郡御代田町大字御代田4107− 5 シメオ精密株式会社内 Fターム(参考) 5F073 EA29 FA11 FA22  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naoichi Iwasaki 4107-5, Miyoshida-cho, Miyota-machi, Kitasaku-gun, Nagano Inside of Simeo Precision Co., Ltd. (72) Chimasa Fujisawa 4107-5, Miyoshida-cho, Miyota-cho, Kitasaku-gun, Nagano F-term (reference) in Simeo Seimitsu Co., Ltd. 5F073 EA29 FA11 FA22

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウント構造
において、前記マウントの長さを前記レーザダイオード
の長さより短くしたことを特徴とする光半導体用マウン
ト構造。
1. A laser diode mounting structure in which a laser diode is mounted on a heat radiation block via a mount, wherein the length of the mount is shorter than the length of the laser diode.
【請求項2】 前記マウントには、前記レーザダイオー
ドの幅と略等しい幅で、前記マウントの長さと等しい長
さのメタライズパターンを設けたことを特徴とする請求
項1記載のレーザーダイオード用マウント構造。
2. The mounting structure for a laser diode according to claim 1, wherein the mount has a metallized pattern having a width substantially equal to a width of the laser diode and a length equal to a length of the mount. .
【請求項3】 前記メタライズパターンには中央部両側
に引き出された引き出しパターンを持つことを特徴とす
る請求項2記載のレーザーダイオード用マウント構造。
3. The mounting structure for a laser diode according to claim 2, wherein said metallized pattern has a drawing pattern drawn on both sides of a central portion.
【請求項4】 前記引き出しパターンの幅は前記レ−ザ
ダイオードの長さの半分以下であることを特徴とする請
求項3記載のレーザーダイオード用マウント構造。
4. The mounting structure for a laser diode according to claim 3, wherein the width of the lead pattern is not more than half the length of the laser diode.
【請求項5】 レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウントの実
装方法において、前記レーザダイオードの長さより短い
長さと前記レーザダイオードの幅と略等しい幅を持つメ
タライズパターンを有し、該メタライズパターンと長さ
の等しいマウントを形成する工程と、該マウントにレー
ザダイオードを搭載する工程と、放熱ブロックを形成す
る工程と、前記放熱ブロックにマウントを搭載する工程
とを有することを特徴とするレーザーダイオード用マウ
ントの実装方法。
5. A method for mounting a laser diode mount in which a laser diode is mounted on a heat-dissipating block via a mount, comprising a metallized pattern having a length shorter than the length of the laser diode and a width substantially equal to the width of the laser diode. And forming a mount having the same length as the metallized pattern, mounting a laser diode on the mount, forming a heat dissipation block, and mounting the mount on the heat dissipation block. Characteristic mounting method for laser diode mount.
【請求項6】 前記マウントに前記レーザダイオードを
搭載する工程において、前記メタライズパターン上に半
田リボンを載置する段階と、前記レーザダイオードを該
半田リボン上に載置する段階と、前記レーザダイオード
と前記半田リボンとを載置した前記マウントを加熱する
段階とを有することを特徴とする請求項5記載のレーザ
ーダイオード用マウントの実装方法。
6. A step of mounting the laser diode on the mount, mounting a solder ribbon on the metallized pattern, mounting the laser diode on the solder ribbon, 6. The method according to claim 5, further comprising: heating the mount on which the solder ribbon is mounted.
JP2000048376A 2000-02-24 2000-02-24 Laser diode mount structure and mounting method thereof Expired - Lifetime JP4547063B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000048376A JP4547063B2 (en) 2000-02-24 2000-02-24 Laser diode mount structure and mounting method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000048376A JP4547063B2 (en) 2000-02-24 2000-02-24 Laser diode mount structure and mounting method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001237481A true JP2001237481A (en) 2001-08-31
JP4547063B2 JP4547063B2 (en) 2010-09-22

Family

ID=18570466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000048376A Expired - Lifetime JP4547063B2 (en) 2000-02-24 2000-02-24 Laser diode mount structure and mounting method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4547063B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013115240A (en) * 2011-11-29 2013-06-10 Nichia Chem Ind Ltd Laser device
WO2016021203A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Laser assembly and method to assemble laser assembly

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6190488A (en) * 1984-10-09 1986-05-08 Sony Corp Semiconductor device and manufacture thereof
JPH03239393A (en) * 1990-02-17 1991-10-24 Tamura Seisakusho Co Ltd Solder land for chip component
JPH05183239A (en) * 1992-01-06 1993-07-23 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser
JPH0677317A (en) * 1992-08-26 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp Assembly of semiconductor device
JPH08130362A (en) * 1994-10-31 1996-05-21 Horiba Ltd Printed board
JP2000012959A (en) * 1998-06-22 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor light emitting device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6190488A (en) * 1984-10-09 1986-05-08 Sony Corp Semiconductor device and manufacture thereof
JPH03239393A (en) * 1990-02-17 1991-10-24 Tamura Seisakusho Co Ltd Solder land for chip component
JPH05183239A (en) * 1992-01-06 1993-07-23 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser
JPH0677317A (en) * 1992-08-26 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp Assembly of semiconductor device
JPH08130362A (en) * 1994-10-31 1996-05-21 Horiba Ltd Printed board
JP2000012959A (en) * 1998-06-22 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor light emitting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013115240A (en) * 2011-11-29 2013-06-10 Nichia Chem Ind Ltd Laser device
WO2016021203A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Laser assembly and method to assemble laser assembly
JP2016039304A (en) * 2014-08-08 2016-03-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Semiconductor laser device
CN105518950A (en) * 2014-08-08 2016-04-20 住友电工光电子器件创新株式会社 Laser assembly and method of assembling the laser assembly
CN105518950B (en) * 2014-08-08 2018-12-07 住友电工光电子器件创新株式会社 The method of laser module and assembling laser module

Also Published As

Publication number Publication date
JP4547063B2 (en) 2010-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4113442B2 (en) Semiconductor laser, manufacturing method thereof, and optical pickup device
US4603419A (en) Semiconductor laser structure including dual mounts having ridge and groove engagement
US11349278B2 (en) Stem for semiconductor package, and semiconductor package
JP2006086176A (en) LED submount and manufacturing method thereof
US20220209495A1 (en) Laser device
JP2004207639A (en) Semiconductor integrated device
US10680405B2 (en) Semiconductor light-emitting device
CN102035138A (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101002172B1 (en) Semiconductor laser
CN111541144A (en) Semiconductor laser light source device
KR20100102661A (en) Semiconductor laser device
JP6225834B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2001237481A (en) Mounting structure for laser diode and mounting method thereof
JP6667149B1 (en) Semiconductor laser light source device
JP2002372647A (en) Light source device
JP2002043679A (en) Semiconductor laser device
JP2007013002A (en) Semiconductor laser equipment
JP2001237480A (en) Packaging method of mount for laser diode
JP4465295B2 (en) Laser diode
JPH07307520A (en) Assembling method of stack type semiconductor laser device
JP2019075460A (en) Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
JP2005026333A (en) Semiconductor laser equipment
JP2009158644A (en) Laser module
JPH04243181A (en) Semiconductor laser module
JPH02112280A (en) Package for solid-state image sensing element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070118

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20080721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100112

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100629

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100705

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4547063

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term