JP2001237481A - レーザダイオード用マウント構造及びその実装方法 - Google Patents
レーザダイオード用マウント構造及びその実装方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レイザーダイオードの高精度な実装を汎用性
の高い装置と低工数とで実現する。 【解決手段】 セラミックス等の高熱伝導材料から成る
マウント２の上面にメタライズパターン３を形成し、そ
の寸法を幅は発光素子１の幅と略等しく、長さは発光素
子１の長さＬよりαだけ短くしておく。また、メタライ
ズパターン２の長手方向の中央部から両幅方向にＬ／２
以下の幅の引き出しパターン３ａを形成しておく。マウ
ント２への発光素子１の搭載に際しては、メタライズパ
ターン３の上に半田リボン４を位置を合わせて載置し、
次ぎに発光素子１をその上から載置する。この状態のま
まを保って加熱すると、半田が溶融して半田の表面張力
の作用により発光素子１にセルフアライメント作用が働
いて、メタライズパターン３に沿った高精度な実装が出
来上がる。
の高い装置と低工数とで実現する。 【解決手段】 セラミックス等の高熱伝導材料から成る
マウント２の上面にメタライズパターン３を形成し、そ
の寸法を幅は発光素子１の幅と略等しく、長さは発光素
子１の長さＬよりαだけ短くしておく。また、メタライ
ズパターン２の長手方向の中央部から両幅方向にＬ／２
以下の幅の引き出しパターン３ａを形成しておく。マウ
ント２への発光素子１の搭載に際しては、メタライズパ
ターン３の上に半田リボン４を位置を合わせて載置し、
次ぎに発光素子１をその上から載置する。この状態のま
まを保って加熱すると、半田が溶融して半田の表面張力
の作用により発光素子１にセルフアライメント作用が働
いて、メタライズパターン３に沿った高精度な実装が出
来上がる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーダイオー
ド用マウント構造及びその実装方法に関する。
ド用マウント構造及びその実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザダイオード（以下、単に発光素子
という）は光センサの発光光源として各種精密測長器、
リモートコントロール、情報の記録再生、自動機械の位
置決め用などに広く用いられている。発光素子は動作時
の電流密度が１〜４ｋＡ／ｃｍ２ と高いため、動作電
流による発熱が大きく、これを効率よく外部へ伝達して
放熱しないと、その熱により発光素子の発光効率が低下
して光量が減少する。そこで光量を維持するためには更
に動作電流を増加させることになる。この繰り返しから
動作電流が増大して発光素子の寿命が極端に短くなって
しまう。従って、放熱を効率よく行うことが重要にな
る。そこで、発光素子は熱伝導率の高い放熱用ブロック
（ヒートシンク）にマウントした上で、電極の配線等が
なされ、パッケージに納められて製品とされている。こ
のような発光素子の従来のマウント構造を図面により説
明する。図５、図６、図７は従来の発光素子のマウント
構造を示す斜視図である。図８は発光素子の搭載位置を
示す要部側面図である。
という）は光センサの発光光源として各種精密測長器、
リモートコントロール、情報の記録再生、自動機械の位
置決め用などに広く用いられている。発光素子は動作時
の電流密度が１〜４ｋＡ／ｃｍ２ と高いため、動作電
流による発熱が大きく、これを効率よく外部へ伝達して
放熱しないと、その熱により発光素子の発光効率が低下
して光量が減少する。そこで光量を維持するためには更
に動作電流を増加させることになる。この繰り返しから
動作電流が増大して発光素子の寿命が極端に短くなって
しまう。従って、放熱を効率よく行うことが重要にな
る。そこで、発光素子は熱伝導率の高い放熱用ブロック
（ヒートシンク）にマウントした上で、電極の配線等が
なされ、パッケージに納められて製品とされている。こ
のような発光素子の従来のマウント構造を図面により説
明する。図５、図６、図７は従来の発光素子のマウント
構造を示す斜視図である。図８は発光素子の搭載位置を
示す要部側面図である。
【０００３】まず、従来の発光素子のマウント構造の構
成について説明する。図５において、５３は発光素子で
あり、５１は銅、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料を
切削・研磨や粉末成型等の方法で形成した１乃至１０数
ｍｍ３ 程度の直方体形状の放熱用ブロックである。発
光素子５３をブロック５１へマウントする際には、発光
素子５３とブロック５１との熱膨張係数の差が無視でき
ないほど大きいために、インジウム合金等の柔らかい半
田を用いて接合しその差を吸収させている。ところが、
このマウント構造では、半田が柔らかいので初期位置精
度が悪いのと長期的には無視できない位置ズレを起こす
ので、発光素子の信頼性を高めるのが難しい。
成について説明する。図５において、５３は発光素子で
あり、５１は銅、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料を
切削・研磨や粉末成型等の方法で形成した１乃至１０数
ｍｍ３ 程度の直方体形状の放熱用ブロックである。発
光素子５３をブロック５１へマウントする際には、発光
素子５３とブロック５１との熱膨張係数の差が無視でき
ないほど大きいために、インジウム合金等の柔らかい半
田を用いて接合しその差を吸収させている。ところが、
このマウント構造では、半田が柔らかいので初期位置精
度が悪いのと長期的には無視できない位置ズレを起こす
ので、発光素子の信頼性を高めるのが難しい。
【０００４】図６に示すものはこれに代わる信頼性の高
いマウント構造である。図６において、５２は熱膨張係
数の値が発光素子５３と近い値を持つ高熱伝導のセラミ
ックス薄板から成るマウントであり、発光素子５３とブ
ロック５１との間に介在する。マウント５２は発光素子
５３及びブロック５１との接合のために接合面を金等で
メタライズしてある。発光素子５３を搭載するに当たっ
ては、まずマウント５２とブロック５１とを接合する
が、これは半田接続用のダイボンダを用いて行う。レー
ザー光を所望の方向に出射させるために後述する所定の
組立精度が必要であり、発光素子５３をマウント５２に
マウントするには画像認識装置を持つ専用の高精度ダイ
ボンダーを用いる。接続材料としては金合金等の高熱伝
導材料を用いている。
いマウント構造である。図６において、５２は熱膨張係
数の値が発光素子５３と近い値を持つ高熱伝導のセラミ
ックス薄板から成るマウントであり、発光素子５３とブ
ロック５１との間に介在する。マウント５２は発光素子
５３及びブロック５１との接合のために接合面を金等で
メタライズしてある。発光素子５３を搭載するに当たっ
ては、まずマウント５２とブロック５１とを接合する
が、これは半田接続用のダイボンダを用いて行う。レー
ザー光を所望の方向に出射させるために後述する所定の
組立精度が必要であり、発光素子５３をマウント５２に
マウントするには画像認識装置を持つ専用の高精度ダイ
ボンダーを用いる。接続材料としては金合金等の高熱伝
導材料を用いている。
【０００５】図７により、更に発光素子５３の位置合わ
せについて説明する。５４はパッケージの基台であり、
ブロック５１を基台５４に組み立て後に発光素子５３を
搭載する。このときに、光軸Ｋの位置と傾きとが基台５
４外形を基準として所定の精度に入っている必要があ
る。光軸Ｋは発光素子５３の外形と略平行であるから、
まず、互いの外形を基準としてマウント５２をブロック
５１に搭載しておき、次ぎにブロック１の外形を基準と
して発光素子５３をマウント５２にマウントする。発光
素子５３の組立精度は、一般的に図７、図８に示すよう
に、位置については、ｘｙｚ軸方向に各々±３０μｍ、
傾きについては、±３度以内とし、発光素子５３の発光
部５３ａのある端面がマウント５２の上端から僅かに
（４０μｍ未満）突き出るようにする。発光素子５３の
マウントには１個につき３秒から３０秒の工数を要して
いる。
せについて説明する。５４はパッケージの基台であり、
ブロック５１を基台５４に組み立て後に発光素子５３を
搭載する。このときに、光軸Ｋの位置と傾きとが基台５
４外形を基準として所定の精度に入っている必要があ
る。光軸Ｋは発光素子５３の外形と略平行であるから、
まず、互いの外形を基準としてマウント５２をブロック
５１に搭載しておき、次ぎにブロック１の外形を基準と
して発光素子５３をマウント５２にマウントする。発光
素子５３の組立精度は、一般的に図７、図８に示すよう
に、位置については、ｘｙｚ軸方向に各々±３０μｍ、
傾きについては、±３度以内とし、発光素子５３の発光
部５３ａのある端面がマウント５２の上端から僅かに
（４０μｍ未満）突き出るようにする。発光素子５３の
マウントには１個につき３秒から３０秒の工数を要して
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このマ
ウント構造の場合、ブロックとマウント間、マウントと
発光素子間の２回もの高精度マウントを行う必要があ
り、専用の高精度なダイボンダーを用いて多くの時間を
かけて発光素子を固着実装している。そのための設備
費、工数ともに大きく、製品コストを増大させている。
ウント構造の場合、ブロックとマウント間、マウントと
発光素子間の２回もの高精度マウントを行う必要があ
り、専用の高精度なダイボンダーを用いて多くの時間を
かけて発光素子を固着実装している。そのための設備
費、工数ともに大きく、製品コストを増大させている。
【０００７】上記発明はこのような従来の問題を解決す
るためになされたものであり、その目的は、汎用性の高
い装置を用いて、工数及び設備費用の低減に寄与するこ
とのできるレーザダイオード用マウント構造とその実装
方法を提供することである。
るためになされたものであり、その目的は、汎用性の高
い装置を用いて、工数及び設備費用の低減に寄与するこ
とのできるレーザダイオード用マウント構造とその実装
方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウント構造
において、前記マウントの長さを前記レーザダイオード
の長さより短くしたことを特徴とする。
に、本発明は、レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウント構造
において、前記マウントの長さを前記レーザダイオード
の長さより短くしたことを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項２の発明は、請求項１記載
の発明において、前記マウントには、前記レーザダイオ
ードの幅と略等しい幅で、前記マウントの長さと等しい
長さのメタライズパターンを設けたことを特徴とする。
の発明において、前記マウントには、前記レーザダイオ
ードの幅と略等しい幅で、前記マウントの長さと等しい
長さのメタライズパターンを設けたことを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３の発明は、請求項２記載
の発明において、前記メタライズパターンには中央部両
側に引き出された引き出しパターンを持つことを特徴と
する。
の発明において、前記メタライズパターンには中央部両
側に引き出された引き出しパターンを持つことを特徴と
する。
【００１１】本発明の請求項４の発明は、請求項３記載
の発明において、前記引き出しパターンの幅は前記レー
ザダイオードの長さの半分以下であることを特徴とする
ことを特徴とする。
の発明において、前記引き出しパターンの幅は前記レー
ザダイオードの長さの半分以下であることを特徴とする
ことを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項５の発明は、レーザダイオ
ードをマウントを介して放熱ブロックに搭載するレーザ
ダイオード用マウントの実装方法において、前記レーザ
ダイオードの長さより短い長さと前記レーザダイオード
の幅と略等しい幅を持つメタライズパターンを有し、該
メタライズパターンと長さの等しいマウントを形成する
工程と、該マウントにレーザダイオードを搭載する工程
と、放熱ブロックを形成する工程と、前記放熱ブロック
にマウントを搭載する工程とを有することを特徴とす
る。
ードをマウントを介して放熱ブロックに搭載するレーザ
ダイオード用マウントの実装方法において、前記レーザ
ダイオードの長さより短い長さと前記レーザダイオード
の幅と略等しい幅を持つメタライズパターンを有し、該
メタライズパターンと長さの等しいマウントを形成する
工程と、該マウントにレーザダイオードを搭載する工程
と、放熱ブロックを形成する工程と、前記放熱ブロック
にマウントを搭載する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１３】本発明の請求項６の発明は、請求項５に記
載の発明において、前記マウントに前記レーザダイオー
ドを搭載する工程において、前記メタライズパターン上
に半田リボンを載置する段階と、前記レーザダイオード
を該半田リボン上に載置する段階と、前記レーザダイオ
ードと前記半田リボンとを載置した前記マウントを加熱
する段階とを有することを特徴とする。
載の発明において、前記マウントに前記レーザダイオー
ドを搭載する工程において、前記メタライズパターン上
に半田リボンを載置する段階と、前記レーザダイオード
を該半田リボン上に載置する段階と、前記レーザダイオ
ードと前記半田リボンとを載置した前記マウントを加熱
する段階とを有することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は発光素子の実装方法
を示す斜視図である。図２は本発明の実施の形態である
発光素子用マウント構造を示す斜視図、図３は発光素子
の斜視図、図４はマウントの斜視図である。
に基づいて詳細に説明する。図１は発光素子の実装方法
を示す斜視図である。図２は本発明の実施の形態である
発光素子用マウント構造を示す斜視図、図３は発光素子
の斜視図、図４はマウントの斜視図である。
【００１５】まず、本発明の実施の形態である発光素子
用マウント構造の構成を説明する。図２において、１は
図３に示す発光素子であり、外形は発光部１ａを通る光
軸Ｋ方向の長さＬの方が幅Ｗよりも大きい直方体であ
る。２は図４に詳細を示すセラミックス等の高熱伝導絶
縁材料から成る直方体形状のマウントであり、一辺の長
さＬ−αは発光素子１の長さＬに比べてα（３μｍから
３０μｍ）短く形成されている。３はマウント２上に外
形線に平行に形成されたメタライズパターンであり、発
光素子１の幅Ｗと略等しい幅とマウント２と同じ長さと
を持っており、長さ方向のほぼ中央部から幅方向の両側
に延在するように、長さＬの半分以下の幅で適宜な長さ
を持つ引き出しパターン３ａが設けられている。発光素
子１は図２に示すように、光軸に直角な端面がマウント
２の端面から突き出して予めマウントへ搭載されてか
ら、図示しない放熱ブロックへと搭載され、レンズ他の
光学部品と共にパッケージされ、製品となる。
用マウント構造の構成を説明する。図２において、１は
図３に示す発光素子であり、外形は発光部１ａを通る光
軸Ｋ方向の長さＬの方が幅Ｗよりも大きい直方体であ
る。２は図４に詳細を示すセラミックス等の高熱伝導絶
縁材料から成る直方体形状のマウントであり、一辺の長
さＬ−αは発光素子１の長さＬに比べてα（３μｍから
３０μｍ）短く形成されている。３はマウント２上に外
形線に平行に形成されたメタライズパターンであり、発
光素子１の幅Ｗと略等しい幅とマウント２と同じ長さと
を持っており、長さ方向のほぼ中央部から幅方向の両側
に延在するように、長さＬの半分以下の幅で適宜な長さ
を持つ引き出しパターン３ａが設けられている。発光素
子１は図２に示すように、光軸に直角な端面がマウント
２の端面から突き出して予めマウントへ搭載されてか
ら、図示しない放熱ブロックへと搭載され、レンズ他の
光学部品と共にパッケージされ、製品となる。
【００１６】次ぎに、この発光素子の実装方法を説明す
る。図１において、４はメタライズパターン３と略同一
寸法で厚さが１０μｍから３０μｍの半田リボンであ
る。半田リボン４をマウント２のメタライズパターン３
へ位置を合わせて供給後、発光素子１を半田リボン４上
に配置し、窒素等の非酸化雰囲気中で無加圧で加熱す
る。これにより半田リボン４が溶解し、発光素子１の下
面とメタライズパターン３が溶融半田に濡れる。溶融半
田には表面張力が発生して発光素子１をメタライズパタ
−ン３の位置に合わせようとするセルフアライメント作
用が働く。そこでそのまま冷却すれば発光素子１をマウ
ントの外形に対して高精度で位置決めし半田付けするこ
とができる。
る。図１において、４はメタライズパターン３と略同一
寸法で厚さが１０μｍから３０μｍの半田リボンであ
る。半田リボン４をマウント２のメタライズパターン３
へ位置を合わせて供給後、発光素子１を半田リボン４上
に配置し、窒素等の非酸化雰囲気中で無加圧で加熱す
る。これにより半田リボン４が溶解し、発光素子１の下
面とメタライズパターン３が溶融半田に濡れる。溶融半
田には表面張力が発生して発光素子１をメタライズパタ
−ン３の位置に合わせようとするセルフアライメント作
用が働く。そこでそのまま冷却すれば発光素子１をマウ
ントの外形に対して高精度で位置決めし半田付けするこ
とができる。
【００１７】このとき、マウント２の長さＬ−αが発光
素子１の長さＬよりも短く設定してあるために、図２に
示すように発光素子１の両端がマウント２よりも僅かに
（ほぼα／２づつ）突出する。また、メタライズパター
ン３の幅と発光素子１の幅Ｗとを略等しく形成してある
ために両者の側縁が一致するようになる。また、半田溶
融時に発光素子１を位置決め移動させた余分の半田が引
き出しパターン３ａに流れ出すことにより、発光素子１
下面の半田量を減少させることができる。
素子１の長さＬよりも短く設定してあるために、図２に
示すように発光素子１の両端がマウント２よりも僅かに
（ほぼα／２づつ）突出する。また、メタライズパター
ン３の幅と発光素子１の幅Ｗとを略等しく形成してある
ために両者の側縁が一致するようになる。また、半田溶
融時に発光素子１を位置決め移動させた余分の半田が引
き出しパターン３ａに流れ出すことにより、発光素子１
下面の半田量を減少させることができる。
【００１８】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。溶融半田によるセルフアライメント作用が働くの
で、予めメタライズパターン３をマウント２の外形に対
して精度よく平行に設けておくことによって、発光素子
１をマウント２に搭載するときには０．１ｍｍ程度と低
い位置決め精度しか要求されない。また、引き出しパタ
ーン３ａにより発光素子１下の半田膜を薄くできるから
発光素子１の発熱を効率よくマウント２に伝達させるこ
とができる。また、発光素子の電極を配線する際にもこ
の引き出しパターンが用いられる。更に、発光部１ａが
マウント２端面より確実に突出した構造になるために、
出射光がマウント２表面で反射してしまう、いわゆる
「ケラレ」が発生することがない。
る。溶融半田によるセルフアライメント作用が働くの
で、予めメタライズパターン３をマウント２の外形に対
して精度よく平行に設けておくことによって、発光素子
１をマウント２に搭載するときには０．１ｍｍ程度と低
い位置決め精度しか要求されない。また、引き出しパタ
ーン３ａにより発光素子１下の半田膜を薄くできるから
発光素子１の発熱を効率よくマウント２に伝達させるこ
とができる。また、発光素子の電極を配線する際にもこ
の引き出しパターンが用いられる。更に、発光部１ａが
マウント２端面より確実に突出した構造になるために、
出射光がマウント２表面で反射してしまう、いわゆる
「ケラレ」が発生することがない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マウントにメタライズパターンを形成しておき、半田リ
ボンを介して発光素子を０．１ｍｍ程度の精度で配置
し、加熱・冷却するのみで高精度の実装が汎用装置によ
り達成できる。
マウントにメタライズパターンを形成しておき、半田リ
ボンを介して発光素子を０．１ｍｍ程度の精度で配置
し、加熱・冷却するのみで高精度の実装が汎用装置によ
り達成できる。
【００２０】また、マウントに発光素子を搭載して半田
を加熱する時には多数個を同時に処理できるため、大量
高速の処理が可能になった。故に低工数で高精度のマウ
ントへの実装が確保できる。
を加熱する時には多数個を同時に処理できるため、大量
高速の処理が可能になった。故に低工数で高精度のマウ
ントへの実装が確保できる。
【図１】本発明の実施の形態である発光素子用サブマン
トの実装方法を示す斜視図である。
トの実装方法を示す斜視図である。
【図２】マウントの斜視図である。
【図３】発光素子の斜視図である。
【図４】マウントの斜視図である。
【図５】従来の発光素子のマウント構造を示す斜視図で
ある。
ある。
【図６】従来の他のマウント構造を示す斜視図である。
【図７】発光素子の位置決め基準を示す斜視図である。
【図８】発光素子の搭載位置を示す要部側面図である。
１ 発光素子 ２ マウント ３ メタライズパターン ３ａ 引き出しパターン ４ 半田リボン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 直一 長野県北佐久郡御代田町大字御代田4107− ５ シメオ精密株式会社内 (72)発明者 藤沢 千正 長野県北佐久郡御代田町大字御代田4107− ５ シメオ精密株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 EA29 FA11 FA22
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウント構造
において、前記マウントの長さを前記レーザダイオード
の長さより短くしたことを特徴とする光半導体用マウン
ト構造。 - 【請求項２】 前記マウントには、前記レーザダイオー
ドの幅と略等しい幅で、前記マウントの長さと等しい長
さのメタライズパターンを設けたことを特徴とする請求
項１記載のレーザーダイオード用マウント構造。 - 【請求項３】 前記メタライズパターンには中央部両側
に引き出された引き出しパターンを持つことを特徴とす
る請求項２記載のレーザーダイオード用マウント構造。 - 【請求項４】 前記引き出しパターンの幅は前記レ−ザ
ダイオードの長さの半分以下であることを特徴とする請
求項３記載のレーザーダイオード用マウント構造。 - 【請求項５】 レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウントの実
装方法において、前記レーザダイオードの長さより短い
長さと前記レーザダイオードの幅と略等しい幅を持つメ
タライズパターンを有し、該メタライズパターンと長さ
の等しいマウントを形成する工程と、該マウントにレー
ザダイオードを搭載する工程と、放熱ブロックを形成す
る工程と、前記放熱ブロックにマウントを搭載する工程
とを有することを特徴とするレーザーダイオード用マウ
ントの実装方法。 - 【請求項６】 前記マウントに前記レーザダイオードを
搭載する工程において、前記メタライズパターン上に半
田リボンを載置する段階と、前記レーザダイオードを該
半田リボン上に載置する段階と、前記レーザダイオード
と前記半田リボンとを載置した前記マウントを加熱する
段階とを有することを特徴とする請求項５記載のレーザ
ーダイオード用マウントの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048376A JP4547063B2 (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | レーザダイオード用マウント構造及びその実装方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2001237481A true JP2001237481A (ja) | 2001-08-31 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP4547063B2 (ja) |
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- 2000-02-24 JP JP2000048376A patent/JP4547063B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4547063B2 (ja) | 2010-09-22 |
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| A977 | Report on retrieval |
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