JP2002531702A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項1】 電解液中でウェーハを電気めっきおよび/または電解研磨するための電気めっきおよび/または電解研磨セルにおいて、
ウェーハを保持するためのウェーハチャックと、
電解液を受容するための電解液容器と、
前記ウェーハチャックを第1の位置と第2の位置との間で運動させるように形成されたウェーハチャックアセンブリとが設けられており、該ウェーハチャックが、前記第1の位置にあるときには開いており、前記第2の位置にあるときには閉じられており、前記ウェーハチャックが、前記第2の位置にあるときには前記電解液容器内に配置されている
ことを特徴とする、電解液中でウェーハを電気めっきおよび/または電解研磨するための電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項2】 前記電解液容器が、
第1の区分壁と、
第2の区分壁とを有しており、前記第1の壁と前記第2の壁とが、前記電解液容器を少なくとも3つの区分に分割している、
請求項1記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項3】 ウェーハと前記第1および第2の区分壁との間にギャップが形成されるように、前記ウェーハチャックアセンブリが前記電解液容器内に前記ウェーハチャックを位置決めするようになっている、請求項2記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項4】 電解液が、ウェーハと前記第1および第2の区分壁との間に形成された前記ギャップを流れるようになっている、請求項3記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項5】 前記ウェーハチャックアセンブリがウェーハを、電解液の液面に対して水平に位置決めするようになっている、請求項4記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項6】 前記ウェーハチャックアセンブリが、電解液の液面に対して相対的な前記ウェーハチャックの配向を調整するための複数の調整ねじを有している、請求項5記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項7】 前記ウェーハチャックが、
上側部分と、
下側部分とを有しており、該下側部分が、ウェーハが前記上側部分と前記下側部分との間に保持されているときにウェーハの表面を露出させるための開口を有している、請求項1記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項8】 前記ウェーハチャックがさらに、前記下側部分とウェーハとの間に配置されたばね部材を有しており、該ばね部材が電荷をウェーハに印加するように形成されている、請求項1記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項9】 印加された電荷がウェーハの外周部の一部の周りに分配されるように、前記ばね部材がウェーハの外周部の一部に接触している、請求項8記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項10】 前記ウェーハチャックがさらに、前記上側部分と前記下側部分との間に配置された導電素子を有しており、該導電素子が、前記ばね部材に電荷を印加するように形成されている、請求項8記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項11】 前記ウェーハチャックがさらに、前記下側部分とウェーハとの間に配置されたシール部材を有しており、該シール部材が、前記ばね部材と前記導電素子とを電解液から絶縁するために、前記下側部分とウェーハとの間でシールを形成している、請求項10記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項12】 前記ウェーハチャックアセンブリがさらに、前記ウェーハチャックを開閉するように形成されたばねアセンブリを有している、請求項7記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項13】 前記ばねアセンブリが、
第1の端部と第2の端部とを有していて前記第1の端部が前記下側部分に係合させられているロッドと、
前記ロッドの前記第2の端部と前記上側部分との間に配置されたばねと
を有している、
請求項12記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項14】 前記ウェーハチャックが前記第1の位置に運動させられるときに、前記ロッドが前記上側部分を前記下側部分から分離し、前記ばねが前記ロッドの前記第2の端部と前記上側部分との間で圧縮されるようになっている、請求項13記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項15】 前記ウェーハチャックが前記第2の位置に運動させられるときに、前記ばねが前記上側部分を前記下側部分に係合させるために伸張するようになっている、請求項13記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項16】 前記ウェーハチャックアセンブリがさらに、
第1の端部と第2の端部とを有していて前記第1の端部が前記上側部分に固定されたシャフトと、
該シャフトの前記第2の端部に結合されたブラケットと、
前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記ウェーハチャックを運動させるために、前記ブラケットに結合されたアクチュエータアセンブリと
を有している、請求項7記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項17】 前記アクチュエータアセンブリが、
ガイドレールと、
前記ブラケットに結合されたリードスクリュと、
該リードスクリュに結合されたモータとが設けられており、前記ガイドレールに沿って前記ブラケットを運動させるために、前記モータが前記リードスクリュを回転させるようになっている、
請求項16記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項18】 前記ウェーハチャックアセンブリがさらに、前記ウェーハチャックを回転させるために形成された回転アセンブリを有している、請求項16記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項19】 前記回転アセンブリが
前記シャフトに結合された駆動ベルトと、
該駆動ベルトに結合されたモータと
を有している、請求項18記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項20】 さらに、前記ブラケットに結合されたスリップリングアセンブリが設けられており、該スリップリングアセンブリ内で前記シャフトが回転するようになっている、請求項18記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項21】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトに電荷を供給するように形成されている、請求項20記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項22】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトが回転している間、該シャフトに電荷を印加するように形成されたブラシアセンブリを有している、請求項21記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項23】 前記スリップリングアセンブリが、真空および/または減圧ガスおよび/または圧縮ガスを前記シャフトに形成された少なくとも1つの入口内に供給するように形成されている、請求項20記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項24】 前記スリップリングアセンブリが、
前記スリップリングアセンブリに形成された少なくとも1つの入口と、
前記スリップリングに形成された前記入口と前記シャフトに形成された前記入口との間の少なくとも1つのシールされた中空部を形成するために、前記スリップリングアセンブリと前記シャフトとの間に配置された複数のシール部材と
を有している、請求項23記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項25】 さらに、スリップアセンブリに対する前記ブラケットの配向を調整するために形成された第1の調整アセンブリが設けられている、請求項20記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項26】 前記ブラケットが前記スリップリングに対して垂直に配向されている、請求項25記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項27】 前記第1の調整アセンブリが、
複数の止めねじと
複数の調整ねじと
を有している、請求項25記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項28】 さらに、前記上側部分に対する前記シャフトの配向を調整するために形成された第2の調整アセンブリが設けられている、請求項25記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項29】 前記シャフトが前記上側部分に対して垂直に配向されている、請求項28記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項30】 前記上側部分、前記シャフトおよび前記スリップリングアセンブリの各中心線がセンタリングされており、同軸的に形成されている、請求項29記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項31】 前記第2の調整アセンブリが、
前記上側部分および前記シャフトの中心に配置された、前記シャフトに前記上側部分を結合する止めねじと、
前記止めねじの回りに配置された、前記シャフトに前記上側部分を結合する複数の調整ねじと
を有している、請求項28記載の電気めっきおよび/または電解研磨セル。
【請求項32】 ウェーハの電気めっきおよび/または電解研磨中にウェーハを保持する方法において、
ウェーハチャック内にウェーハを供給し、
前記ウェーハチャックアセンブリを使用して、ウェーハチャックを第1の位置と第2の位置との間で運動させ、前記ウェーハチャックを、前記第1の位置にあるときには開き、前記第2の位置にあるときには閉じ、前記ウェーハチャックを、前記第2の位置にあるときに電解液容器内に配置する
ことを特徴とする、ウェーハの電気めっきおよび/または電解研磨中にウェーハを保持する方法。
【請求項33】 さらに、
前記ウェーハチャックが前記第2の位置にあるときに電解液をウェーハに供給し、
前記ウェーハチャックが前記第2の位置にあるときに電荷をウェーハに印加して、電荷をウェーハの外周部の一部の周りに分配する、
請求項32記載の方法。
【請求項34】 前記供給および印加ステップが、さらに、従動的な導電材料に電荷を印加するステップを有しており、前記従動的な導電材料が、ウェーハの外周部の周りに電荷を分配する、請求項33記載の方法。
【請求項35】 前記ばね部材がコイルばねを有する、請求項34記載の方法。
【請求項36】 前記ばね部材が複数のコイルばねを有する、請求項34記載の方法。
【請求項37】 さらに、前記ウェーハチャックを前記第2の位置に運動させる前に、シール部材を使用して、前記従動的な導電材料を電解液からシールするステップを有する、請求項34記載の方法。
【請求項38】 さらに、前記ウェーハチャックを前記第2の位置に運動させる前に、前記シール部材によって形成されたシールにおける漏れをチェックするステップを有する、請求項37記載の方法。
【請求項39】 さらに、前記ウェーハチャックアセンブリを使用してウェーハチャックを回転させるステップを有する、請求項34記載の方法。
【請求項40】 さらに、ウェーハを電気めっきおよび/または電解研磨するために前記電荷を印加したあと、ウェーハチャックを前記第1の位置に運動させるステップを有する、請求項37記載の方法。
【請求項41】 さらに、前記ウェーハを前記第1の位置に運動させたあと、残留電解液をウェーハチャックから除去するためにドライガスを噴射するステップを有する、請求項40記載の方法。
【請求項42】 さらに、
前記ウェーハチャックアセンブリを使用して、ウェーハを取り除くためにウェーハチャックを開くステップと、
ウェーハチャックからウェーハを取り除くステップと
を有する、請求項40記載の方法。
【請求項43】 さらに、ウェーハチャックからウェーハを取り除いたあと、ウェーハチャックから残留電解液を取り除くためにドライガスを噴射するステップを有する、請求項42記載の方法。
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JP2006315540A Division JP2007119923A (ja) 1998-11-28 2006-11-22 半導体ワークの電気めっきおよび/または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置

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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010020807A (ko) 1999-05-03 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 고정 연마재 제품을 사전-조절하는 방법
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US7303462B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US6848970B2 (en) 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US7374644B2 (en) 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6991526B2 (en) 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US7303662B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US6979248B2 (en) 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6962524B2 (en) 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7125477B2 (en) 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US6537144B1 (en) 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
US6991528B2 (en) 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7066800B2 (en) 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7059948B2 (en) 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US7077721B2 (en) 2000-02-17 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US7029365B2 (en) 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
JP4644926B2 (ja) * 2000-10-13 2011-03-09 ソニー株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6896776B2 (en) 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
WO2002083995A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Arthur, Keigler Method of and apparatus for controlling fluid flow
US7344432B2 (en) 2001-04-24 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Conductive pad with ion exchange membrane for electrochemical mechanical polishing
US7137879B2 (en) 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
JP2003027280A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Ebara Corp めっき装置
JP2006517004A (ja) * 2001-08-31 2006-07-13 セミトゥール・インコーポレイテッド 電気泳動エマルジョン付着装置及び方法
US6837983B2 (en) 2002-01-22 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes
TWI275436B (en) 2002-01-31 2007-03-11 Ebara Corp Electrochemical machining device, and substrate processing apparatus and method
TWI274393B (en) * 2002-04-08 2007-02-21 Acm Res Inc Electropolishing and/or electroplating apparatus and methods
WO2004010477A2 (en) * 2002-07-22 2004-01-29 Acm Research, Inc. Adaptive electropolishing using thickness measurements and removal of barrier and sacrificial layers
US7112270B2 (en) 2002-09-16 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Algorithm for real-time process control of electro-polishing
JP3860111B2 (ja) * 2002-12-19 2006-12-20 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置およびメッキ方法
US7842169B2 (en) 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
US7186164B2 (en) 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US7390744B2 (en) 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7084064B2 (en) 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
US7520968B2 (en) 2004-10-05 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Conductive pad design modification for better wafer-pad contact
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
US7422982B2 (en) 2006-07-07 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control
US8804535B2 (en) * 2009-03-25 2014-08-12 Avaya Inc. System and method for sending packets using another device's network address
TWI410531B (zh) * 2010-05-07 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg 直立式電鍍設備及其電鍍方法
KR101211826B1 (ko) * 2010-06-14 2012-12-18 연세대학교 산학협력단 자기유변유체를 이용한 피가공물의 연마장치 및 그 연마방법
JP5782398B2 (ja) 2012-03-27 2015-09-24 株式会社荏原製作所 めっき方法及びめっき装置
US9399827B2 (en) 2013-04-29 2016-07-26 Applied Materials, Inc. Microelectronic substrate electro processing system
CN105210181B (zh) * 2013-05-09 2017-12-01 盛美半导体设备(上海)有限公司 电镀和/或电抛光硅片的装置及方法
KR101353378B1 (ko) * 2013-08-19 2014-01-22 주식회사 케이엠 주사기용 믹싱 조인트
CN104465481A (zh) * 2013-09-22 2015-03-25 盛美半导体设备(上海)有限公司 晶圆夹盘
CN105297127B (zh) * 2014-05-30 2019-04-05 盛美半导体设备(上海)有限公司 带有电极的喷头装置
JP6449091B2 (ja) * 2015-04-20 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 スリップリング、支持機構及びプラズマ処理装置
US10053793B2 (en) * 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
GB201701166D0 (en) 2017-01-24 2017-03-08 Picofluidics Ltd An apparatus for electrochemically processing semiconductor substrates
KR102156430B1 (ko) * 2020-04-28 2020-09-15 주식회사 스마트코리아피씨비 회전식 기판 도금장치
CN114262920A (zh) * 2020-09-16 2022-04-01 长鑫存储技术有限公司 晶圆电镀设备、漏气检测装置和方法、晶圆电镀方法
EP3998374A4 (en) 2020-09-16 2022-08-03 Changxin Memory Technologies, Inc. DEVICE AND METHOD FOR AIR LEAK DETECTION AND METHOD FOR ELECTROPLATING WAFER
CN112144096B (zh) * 2020-09-25 2022-05-10 深圳市生利科技有限公司 一种锌镍合金电镀设备
CN113013078A (zh) * 2021-03-04 2021-06-22 苏州竣合信半导体科技有限公司 一种用于芯片定位的兼容芯片定位槽及其使用方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419649A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Hitachi Ltd Wafer holding jig for electrtolytic plating
JPS58181898A (ja) * 1982-04-14 1983-10-24 Fujitsu Ltd メツキ用給電装置
JPS6396292A (ja) * 1986-10-13 1988-04-27 Mitsubishi Electric Corp 電解メツキ装置
JPH0375394A (ja) * 1989-08-18 1991-03-29 Fujitsu Ltd メッキ装置
JPH03232994A (ja) * 1990-02-06 1991-10-16 Fujitsu Ltd メッキ装置
JP2567716B2 (ja) * 1990-03-20 1996-12-25 富士通株式会社 電気メッキ装置
JP2608485B2 (ja) * 1990-05-30 1997-05-07 富士通株式会社 めっき装置
DE4024576A1 (de) * 1990-08-02 1992-02-06 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe
JPH04186630A (ja) * 1990-11-19 1992-07-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハのバンプ電極めっき装置
JP2704796B2 (ja) * 1991-04-22 1998-01-26 株式会社東芝 半導体ウェハめっき用治具
JPH05243236A (ja) * 1992-03-03 1993-09-21 Fujitsu Ltd 電気メッキ装置
US5405518A (en) * 1994-04-26 1995-04-11 Industrial Technology Research Institute Workpiece holder apparatus
US5670034A (en) * 1995-07-11 1997-09-23 American Plating Systems Reciprocating anode electrolytic plating apparatus and method
US5620581A (en) * 1995-11-29 1997-04-15 Aiwa Research And Development, Inc. Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring
US5980706A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Semitool, Inc. Electrode semiconductor workpiece holder
TW334609B (en) * 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
JP3627884B2 (ja) * 1996-10-17 2005-03-09 株式会社デンソー メッキ装置

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