JP2003013238A

JP2003013238A - プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置と堆積膜形成方法

Info

Publication number: JP2003013238A
Application number: JP2001196795A
Authority: JP
Inventors: Takashi Otsuka; 崇志大塚; Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Shigenori Ueda; 重教植田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-15

Abstract

(57)【要約】【課題】堆積膜の膜質の均一性を向上させ、それによ
り製品品質の向上とともに、良品率向上による生産コス
ト低下を達成可能とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜
形成装置を提供する。【解決手段】排気手段に接続された真空気密可能な反
応容器１４０と、原料ガスを反応容器内１４０に導入す
るガス導入手段１１２と、高周波電力を反応容器内に導
入する手段１０３とを具備し、反応容器１４０内に原料
ガスを導入して高周波電力を印加し、その反応容器内の
放電空間に発生したプラズマを利用して、反応容器内に
配置された基体に堆積膜を形成する。排気口と放電空間
との間に、プラズマ漏れ防止体１１３を有しており、そ
のプラズマ漏れ防止体１１３が、少なくともその一部
に、プラズマを通過させない大きさの開口部が複数設け
られた領域を有し、その領域の表面積が、排気口の開口
部の面積より大きい

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基体上に堆積膜とな
るアモルファス半導体を形成するプラズマＣＶＤ法によ
る堆積膜形成装置に関し、特に半導体デバイス、電子写
真用光受容部材、画像入力用ラインセンサー、撮像デバ
イス、光起電力デバイス等に用いられる、プラズマＣＶ
Ｄ法によって機能性堆積膜となるアモルファス半導体を
形成する堆積膜形成装置と堆積膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子等に用いられる素子部材として、例えば水素または／
およびハロゲン（例えばフッ素、塩素等）で補償された
アモルファスシリコンのような、アモルファスシリコン
の非単結晶質の堆積膜、またはダイヤモンド薄膜のよう
な結晶質の堆積膜の使用が提案され、その中のいくつか
は実用化されている。

【０００３】そして、こうした堆積膜は、プラズマＣＶ
Ｄ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、あるい
はマイクロ波によるグロー放電によって分解し、ガラ
ス、石英、耐熱性合成樹脂フイルム、ステンレス、アル
ミニウムなどの支持体上に堆積膜を形成する方法により
形成され、そのための装置も各種提案されている。例え
ば、特開平８−３３９９６３号公報は、チャンバーの壁
面を誘電体とし大部分を窓とすることで、電極を真空容
器の中に配置せずに外へ配置させることで、膜質の向上
と生産性の向上を可能としたものである。

【０００４】また、例えば、特開平１０−０６８０８２
号公報は、複数の棒状電極を誘電体で結合して、それぞ
れに電力を供給することで、さらなる均一化が可能であ
るというものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のような装置およ
び方法により、良好な堆積膜の形成がなされるようにな
ってきた。しかしながら、このような堆積膜形成装置を
用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まってお
り、この要求に応えるために、より高品質の製品が低コ
ストで生産可能な堆積膜形成装置が求められている。

【０００６】近年その普及が目覚しいデジタル電子写真
装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみな
らず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁になされ
るため、例えば、プラズマＣＶＤ装置を用いて電子写真
用感光体を形成する場合に、コピー画像の濃度むらの低
減に対する要求レベルは非常に高まっており、この要求
に対応可能な電子写真装置の提供が急務となっている。
その中でも電子写真用感光体の特性の均一性を向上させ
ることが不可避の課題であり、その課題解決のため、堆
積膜の均一性の向上を実現可能な堆積膜形成装置と堆積
膜形成方法の開発が強く求められている。

【０００７】堆積膜の均一性の向上が可能な堆積膜形成
装置は、製品品質の向上のみならず、さらに、生産コス
トの低減といった観点からも強く求められている。これ
は例えば、生産性向上のため、一つの炉で多くの基体に
対して堆積膜の形成を行なう場合に、堆積膜の不均一性
によって、同一ロット内でも基体毎の特性が異なってし
まい、その中に要求レベルの特性が得られない製品が生
じてしまう結果、生産時の良品率を低下させてしまう場
合があるためである。

【０００８】そこで、本発明は上記の課題を解決し、堆
積膜の膜質の均一性を向上させ、それにより製品品質の
向上とともに、良品率向上による生産コスト低下を達成
可能とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置と堆
積膜形成方法とを提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置は、排気
手段に接続された排気口を有する真空気密可能な反応容
器と、原料ガスを反応容器内に導入するガス導入手段
と、高周波電力を反応容器内に導入する手段とを具備
し、反応容器内に原料ガスを導入して高周波電力を印加
し、その反応容器内の放電空間に発生したプラズマを利
用して、反応容器内に配置された基体に堆積膜を形成す
る。さらに、排気口と放電空間との間に、プラズマ漏れ
防止体を有しており、そのプラズマ漏れ防止体が、少な
くともその一部に、プラズマを通過させない大きさの開
口部が複数設けられた領域を有し、その領域の表面積
が、排気口の開口部の面積より大きいことを特徴として
いる。

【００１０】プラズマ漏れ防止体の複数の開口部が設け
られた領域が、パンチングメタルで構成され、そのパン
チングメタルの個々の孔の大きさが０．８ｍｍ²以上８
０ｍｍ²以下であり、そのパンチングメタルの開口率が
２０％以上８０％以下であってもよく、金属メッシュで
構成され、その金属メッシュの２５．４ｍｍ一辺にある
縦線の目数が２．５以上６０以下であり、その金属メッ
シュの線径が０．１４ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよ
い。

【００１１】また、プラズマ漏れ防止体が、筒部とその
筒部の端面に配置された平面部とを備えており、少なく
とも筒部の一部に、プラズマを通過させない大きさの開
口部が複数設けられていてもよく、その平面部の少なく
とも一部に、絶縁体が配置されていてもよい。絶縁体が
配置されることによって形成する堆積膜に悪影響を与え
る可能性のあるところのプラズマ漏れ防止体からの膜剥
れを減少せしめることが可能となり、さらに効果的であ
る。

【００１２】さらに、プラズマ漏れ防止体が、ドーム部
を備えており、少なくともドーム部の一部に、プラズマ
を通過させない大きさの開口部が複数設けられていても
よい。

【００１３】本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成は、真空気密が可能な反応容器内を排気手段で排気
し、その反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電力導
入手段から高周波電力を印加することで発生したプラズ
マを利用して、反応容器内に配置された基体に堆積膜を
形成する。そこでは、排気手段による排気が、反応容器
の排気口と放電空間との間に設けられたプラズマ漏れ防
止体を経由して行われ、そのプラズマ漏れ防止体とし
て、少なくとも一部にプラズマを通過させない大きさの
開口部が複数設けられた領域を有し、その領域の表面積
が、反応容器の排気口の開口部の面積より大きいプラズ
マ漏れ防止体が使用されることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明は、上記の構成により、上
述した本発明の目的を達成するものであるが、それは、
本発明者らの次のような知見に基づくものである。

【００１５】更なる堆積膜特性の均一化のためには、投
入する電力パワーを大きくすることが一つの方法として
挙げられる。特にコストを下げるために一つの炉で多く
の基体に堆積膜を形成する場合はその効果が高い。しか
し、その場合に、放電空間から排気管へとプラズマが漏
れ易くなり、その放電漏れが特性のばらつきの原因とな
る場合がある。さらに、プラズマの漏れは、プラズマが
漏れた先で膜の堆積を生じ、その堆積した膜が剥れてポ
チの発生源になる。

【００１６】また、放電の漏れを防ぐことは、例えば放
電空間から排気管との間にメッシュ板を設け、メッシュ
板に設けられた開口部の開口面積を小さくすることで可
能であるが、その場合コンダクタンスが低くなり、放電
空間をある真空度に調節する際に、到達できる真空度の
範囲が狭められ、場合によっては、好ましい真空度で堆
積膜形成を行ななうことが難しくなり、排気路の配置に
工夫が必要とされる。

【００１７】電子写真用感光体のような大面積を有する
堆積膜を形成する場合、膜厚、膜質の均一化のための装
置の構成も各種提案されているが、中には、装置を構成
する部材、真空炉周囲に配置する部材の配置の関係上、
排気路の配置の自由度が少なくなる場合がある。

【００１８】また、堆積膜形成装置には、堆積膜の特性
の均一性を高めるために、それぞれの基体に対して、回
転機構が設けられる場合がある。このように、装置構成
によっては、排気管の配置の自由度が制限される場合が
ある。

【００１９】本発明者らは、従来の堆積膜形成方法にお
ける前述の問題を克服して、前述の本発明の目的を達成
すべく鋭意研究を重ねたところ、プラズマを通過させな
い大きさの開口部が複数設けられたプラズマ漏れ防止体
が、平板状のものではなく、立体的な形状、例えば筒状
の部分と平板状のものを組み合わせたコップ状や、ドー
ム状の立体的なものとすることで、高いパワーでの堆積
膜形成についても、排気菅へのプラズマの漏れを防ぎ、
より安定した堆積膜の形成が可能であるという知見を得
た。さらに、十分なコンダクタンスを確保できるので放
電空間を望ましい真空度に保つことができ、調整可能な
真空度の幅を広げることが可能であり、また、配管の配
置の自由度が少ないような装置に対しても、装置に大き
な変更を加える必要なしに適応させることが可能であ
り、コスト的にも優れているという知見を得た。

【００２０】以下、図面に基づいて本発明の内容をさら
に詳細に説明する。図１（ａ）は堆積膜形成装置の模式
的縦断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’
に沿った模式的横断面図である。

【００２１】堆積膜形成装置１０１には排気管１０２が
配置されて連通し、排気管１０２の他端は不図示の排気
装置に接続されている。堆積膜形成装置１０１に排気管
１０２が連通する排気口を覆うようにして、プラズマ漏
れ防止体１１３が配置されている。

【００２２】堆積膜形成装置１０１には高周波電力導入
手段１０３が設置され、高周波電源１０５より出力され
た高周波電力は、マッチングボックス１０４を経て、高
周波電力導入手段１０３より、少なくとも一部が絶縁性
材料で構成された部材１０６を介して成膜空間内に供給
される。

【００２３】成膜空間内には、堆積膜の形成される複数
の円筒状基体１０７が円周状に配置されている。各円筒
状基体１０７は軸１０８によって保持され、発熱体１０
９によって加熱が可能になっている。モータ１１１を駆
動することにより、ギア１１０を介して軸１０８を回転
し、円筒状基体１０７がその母線方向中心軸のまわりを
自転するようになる機構が必要に応じて設けられる。１
１２は原料ガス供給手投であり、成膜空間内に所望の原
料ガスが供給される。

【００２４】また部材１０６の材質は、少なくとも一部
が絶縁性材料で構成されている。具体的な絶縁性材料と
しては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、
窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コ
ージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラ
ミックス等が挙げられる。これらのうち、高周波電力の
吸収が少ないという点から、特にアルミナや窒化アルミ
ニウムが好適である。

【００２５】上述した装置を用いた堆積膜の形成は、例
えば以下のようにして行われる。

【００２６】まず、堆積膜生成装置１０１の反応容器１
４０内に円筒状基体１０７を設置し、不図示の排気装置
によりプラズマ漏れ防止体１１３が配設された排気管１
０２を通して反応容器１４０の反応空間内を排気して所
定の圧力となるように制御する。続いて、発熱体１０９
を制御して円筒状基体１０７が所定の温度となるように
加熱する。

【００２７】円筒状基体１０７が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを
反応空間内に導入する。原料ガスの流量が設定流量とな
り、また、反応空間内の圧力が安定したことを確認した
後、高周波電源１０５よりマッチングボックス１０４を
介して高周波電力導入手段１０３へ所定の高周波電力を
供給する。供給された高周波電力によって、反応空間内
にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して円筒状
基体１０７上に堆積膜が形成される。

【００２８】所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合
には、同様の操作を複数回繰り返す。あるいは、１つの
層の形成終了後一定時間でガス組成、ガス流量、圧力、
高周波電力を次層の設定値に徐々に変化させることによ
り連続的に複数層を形成してもよい。堆積膜形成中、必
要に応じて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０７を
モータ１１１により所定の速度で回転させてもよい。

【００２９】本発明で使用されるプラズマ漏れ防止体１
１３において、ガスの流通が可能な開口部を有する部材
の材質は特に制限は無く、セラミックス等の絶縁材でも
金属でもよいが、導電性でアース電位にできる金属のほ
うが、部材の厚みを薄くできるのでより好ましい。更に
形成加工、メンテナンス性の面でパンチングメタル、も
しくは金属メッシュによって構成されたものが好まし
く、材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、
Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、お
よびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。
なお、ここでいうパンチングメタルとは、金属あるいは
合金板に一定のピッチで丸孔、角形等の各種模様を打ち
抜いたものである。

【００３０】また、本発明においてパンチングメタルを
使用する場合は、個々の孔の面積が０．８ｍｍ²以上８
０ｍｍ²以下であることが望ましい。個々の孔の面積が
０．８ｍｍ²より小さい場合においては、堆積膜形成中
に反応容器１４０内に付着した膜が剥離すること等によ
って生成したダストが孔に詰まることがあり、反応容器
１４０内を所定の圧力に安定維持することが困難になる
場合がある。そのため形成される堆積膜の膜質向上およ
び再現性向上という観点から、パンチングメタルの個々
の孔の面積は０．８ｍｍ²以上とすることが望ましい。
また、個々の孔の面積が８０ｍｍ²より大きな場合、排
気管１０２内部へのプラズマの漏れを十分に防ぐことが
できない場合がある。そのため、形成される堆積膜の膜
質向上および再現性向上という観点から、パンチングメ
タルの個々の孔の面積は８０ｍｍ ²以下とすることが望
ましい。

【００３１】また、パンチングメタルの開口率は２０％
以上８０％以下であることが望ましい。開口率が２０％
より小さい場合、排気抵抗が大きくなるために反応容
器１４０内の圧力を所望の値に維持することが困難にな
る場合がある。そのため形成される堆積膜の膜質向上お
よび再現性向上という観点から、パンチングメタルの開
口率は２０％以上とすることが望ましい。また、開口率
が８０％より大きい場合、プラズマの漏れを十分に防ぐ
ことができない場合がある。そのため、形成される堆積
膜の膜質向上および再現性向上という観点から、パンチ
ングメタルの開口率は８０％以下とすることが望まし
い。

【００３２】また、本発明で金属メッシュを使用する場
合は、ＭＥＳＨ２．５以上６０以下であることが望まし
い、ＭＥＳＨが２．５未満の場合、プラズマの漏れを十
分に防ぐことができない場合がある。そのため、形成さ
れる堆積膜の膜質向上および再現性向上という観点か
ら、ＭＥＳＨは２．５以上とすることが望ましい。ま
た、ＭＥＳＨが６０を超える場合、堆積膜形成中に反応
容器１４０内に付着した膜が剥離すること等によって生
成したダストがメッシュに詰まることがあり、反応容器
１４０内を所定の圧力に安定維持することが困難になる
場合がある。また、排気抵抗が大きくなるために、反応
容器１４０内の圧力を所望の値に維持することが困難に
なる場合がある。そのため形成される堆積膜の膜質向上
および再現性向上という観点から、金属メッシュはＭＥ
ＳＨ６０以下とすることが望ましい。

【００３３】また、金属メッシュは線径が０．１４ｍｍ
以上５ｍｍ以下であることが望ましい、線径が０．１４
ｍｍ未満の場合、堆積膜形成中に金属メッシュに付着し
た膜が剥離することによって生成したダストが、基体表
面に飛散して球状欠陥等の原因となる場合がある。ま
た、強度的に問題がある場合があり、形成される堆積膜
の再現性が低下する場合がある。そのため、金属メッシ
ュの線径は０．１４ｍｍ以上とすることが望ましい。ま
た、線径が５ｍｍを超える場合、排気抵抗が大きくなる
ために、反応容器１４０内の圧力を所望の値に維持する
ことが困難になる場合がある。そのため、形成される堆
積膜の膜質向上および再現性向上という観点から、線径
は５ｍｍ以下とすることが望ましい。なお、ここでいう
ＭＥＳＨとは、１インチ（２５．４ｍｍ）一辺にある縦
線の目数である。

【００３４】本発明においては、上記のような部材を、
立体的な形状に形成する、あるいは組み合わせるなどし
て用いることができる。プラズマ漏れ防止体の形状に特
に制限はなく、端面と筒部を有するコップのような形状
や、球面で形成されたドームのような形状、また円錐形
などの形状が挙げられる。

【００３５】立体的な形状に加工する方法は、プレス等
の折り曲げにより形成してもよいし、ネジ止めや溶接等
を用いて立体的な形状としてもよい。

【００３６】また、排気菅の反応容器側の排気口の形状
は、どのような形状でもよい、円形や楕円形、長方形や
正方形などの形状に限定されるものではない。また排気
口の位置も特に制限は無い。

【００３７】本発明に用いられる円筒状基体１０７にお
ける堆積膜が堆積される支持体については、円筒状の物
が一般的に使用されるが、複数の支持体を円筒状に組み
合わせたものでもよい。支持体としては導電性であって
も、また電気絶縁性であってもよい。

【００３８】円筒状支持体の端部には、支持体の母線方
向の特性を均一にするために、その端部を延長するよう
な位置に、補助基体を設けてもよい。

【００３９】支持体の温度は、層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択されるが、通常の場合１００〜３５０℃
とするのが望ましい。

【００４０】円筒状支持体の周方向の膜特性を均一にす
るために、支持体を回転させながら膜形成を行なうこと
が好ましい。

【００４１】本発明では、高周波導入手段に高周波電力
を印加することによって、原料ガスを分解する。本発明
に使用できる高周波電力の周波数は特に制限はないが、
その放電を安定に保つことが容易なことから、５０〜４
５０ＭＨｚの周波数範囲が本発明には好適である。高周
波の波形は、いずれのものでも差し支えないが、サイン
波、矩形波等が適する。

【００４２】反応容器内のガス圧は適宜最適範囲が選択
されるが、通常の場合０．０１３〜１３００Ｐａ、好
ましくは０．０６７〜６７０Ｐａ、最適には０．１３〜
１３０Ｐａとするのが好ましい。

【００４３】本発明においては、Ｓｉ供給用のガスと
希釈ガスとの混合比、堆積膜を形成するための支持体温
度、反応容器内のガス圧、放電電力、ガスの流量などの
制御について上述したような条件が挙げられるが、これ
らの条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する電子写真用感光体を形成すべく
相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めること
が望ましい。

【００４４】同様にプラズマ漏れ防止体の開口率や、そ
の形状についても、上記の特性値との関連性に基づいて
最適な値と形態をとることが望ましい。

【００４５】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらにより限定されるものではない。（実施例１）図１に示した堆積膜形成装置、および図２
に示したプラズマ漏れ防止体を用い、基体として直径８
０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダ
ーを用い、表１の条件で導電性基体上に電荷注入阻止
層、光導電層、表面層という構成を持つ感光体を形成し
た。

【００４６】

【表１】この際、プラズマ漏れ防止体を変更し、同条件で１０回
の感光体形成を行った。プラズマ漏れ防止体としては、
図２に示すような４つの形態のものを使用した。

【００４７】図中、網線で示した部分は、φ１ｍｍ、ピ
ッチ４．５ｍｍの開口部を持つ厚さ２ｍｍのパンチング
メタルで構成した。また、下部には排気口のある壁面へ
取り付けるための取り付け用リング２０２と取り付け用
孔２０３とが設けられている。

【００４８】例Aは、図２（ａ）に示す、筒部と平面部
をもつプラズマ漏れ防止体を使用した例である。

【００４９】例Bは、図２（ｂ）に示す、ドームのよう
な形状をもつプラズマ漏れ防止体を使用した例である。

【００５０】例Cは、図２（ｃ）に示す、筒部をプラズ
マ漏れ防止部２０１として、パンチングメタルで構成
し、平面部はアルミナセラミック部２０４で覆うように
したプラズマ漏れ防止体を使用した例である。

【００５１】また、例Dは、比較例として、図２（ｄ）
に示したような、平面状の従来のプラズマ漏れ防止体を
使用した例であり、コンダクタンスを確保するために、
φ３ｍｍ、ピッチ４．５ｍｍの開口部を持つ、厚さ２ｍ
ｍのパンチングメタルで構成した。

【００５２】作成された電子写真用感光体の白ポチの
数、帯電能のばらつきについて、以下のように評価し
た。（白ポチ）電子写真用光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ６７５０をテスト用に改造）にセットし、キ
ヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７
３）を原稿台に置いてコピーしたときに得られたコピー
画像の、同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白ポチ
の数について評価した。

【００５３】そして、同じ条件で膜形成された１０組の
電子写真用光受容部材の平均をとり、従来装置（図２
（ｄ））を用いて作製した電子写真用光受容部材の値を
１００として相対評価を行った。（帯電能ばらつき）電子写真用光受容部材を電子写真装
置（キヤノン製ＮＰ６７５０をテスト用に改造）にセッ
トし、帯電機に８００μＡの電流を流し、コロナ帯電を
行い、表面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表
面電位を測定する。この値を帯電能として、同じ条件で
膜形成された１０組の電子写真用光受容部材のそれぞれ
について測定を行い、標準偏差をとり、従来装置（図２
（ｄ））を用いて作製した電子写真用光受容部材の値を
１００として相対評価を行った。

【００５４】得られた結果を表２に示す。表２から明ら
かなように、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）の本発明の膜形成
装置で形成された電子写真用光受容部材では、図２
（ｄ）の比較例に対して白ポチと呼ばれる画像欠陥の発
生のばらつきが減少しており、より均一な堆積膜形成が
可能となり、また、帯電能の再現性が向上したことが判
る。また例Cにおいては、放電空間の排気に影響を与え
ない範囲で、放電漏れ防止体の平面部をアルミナセラミ
ックにより被覆したことにより、不良の原因になりうる
放電漏れ防止体からの膜剥れが抑制され、白ポチについ
て一段と良い結果が得られた。

【００５５】以上のように、本発明の製造装置を用いる
ことにより、画像特性に優れている電子写真用光受容部
材を作製することが可能である。

【００５６】

【表２】

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波電力によって生起されたプラズマを用いて基体上に
堆積膜を形成する装置および方法において、堆積膜特性
のさらなる均一性の向上が可能となり、製品品質の向
上、良品率向上による生産コストの低減が達成可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式図で
ある。（ａ）は模式的縦断面図である。（ｂ）は（ａ）
の切断線Ａ−Ａ’による模式的横断面図である。

【図２】本発明の堆積膜形成装置に使用されるプラズマ
漏れ防止体、および従来のプラズマ漏れ防止体の例を示
す模式図である。（ａ）は本発明のプラズマ漏れ防止体
の一例の斜視図である。（ｂ）は本発明のプラズマ漏れ
防止体の他の一例の斜視図である。（ｃ）は本発明のプ
ラズマ漏れ防止体の更に他の一例の斜視図である。
（ｄ）は従来のプラズマ漏れ防止体の一例の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１０１堆積膜形成装置１０２排気管１０３高周波電力導入手段１０４マッチングボックス１０５高周波電源１０６絶縁性部材で構成された部材１０７円筒状基体１０８軸１０９発熱体１１０ギア１１１モータ１１２原料ガス供給手段１１３プラズマ漏れ防止体１４０反応容器２０１プラズマ漏れ防止部２０２取り付け用リング２０３取り付け用孔２０４セラミック部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者植田重教東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 DA23 EA25 EA30 FA30 4K030 BA30 FA03 JA03 KA12 KA30 LA17 5F045 AA08 AB04 AC01 AD06 DP25 DP28 EG01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】排気手段に接続された排気口を有する真
空気密可能な反応容器と、原料ガスを反応容器内に導入
するガス導入手段と、高周波電力を反応容器内に導入す
る手段とを具備し、前記反応容器内に原料ガスを導入して高周波電力を印加
し、該反応容器内の放電空間に発生したプラズマを利用
して、反応容器内に配置された基体に堆積膜を形成する
堆積膜形成装置において、前記排気口と前記放電空間との間に、プラズマ漏れ防止
体を有し、該プラズマ漏れ防止体が、少なくともその一部に、プラ
ズマを通過させない大きさの開口部が複数設けられた領
域を有し、該領域の表面積が、前記排気口の開口部の面
積より大きいことを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】前記プラズマ漏れ防止体の複数の開口部
が設けられた前記領域が、パンチングメタルで構成さ
れ、該パンチングメタルの個々の孔の大きさが０．８ｍ
ｍ²以上８０ｍｍ²以下であり、該パンチングメタルの
開口率が２０％以上８０％以下であることを特徴とする
請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】前記プラズマ漏れ防止体の複数の開口部
が設けられた前記領域が、金属メッシュで構成され、該
金属メッシュの２５．４ｍｍ一辺にある縦線の目数が
２．５以上６０以下であり、該金属メッシュの線径が
０．１４ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請
求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】前記プラズマ漏れ防止体が、筒部と該筒
部の端面に配置された平面部とを備え、少なくとも前記筒部の一部に、プラズマを通過させない
大きさの開口部が複数設けられていることを特徴とする
請求項１から請求項３の何れか１項に記載の堆積膜形成
装置。
【請求項５】前記プラズマ漏れ防止体の平面部の少な
くとも一部に、絶縁体が配置されていることを特徴とす
る請求項４に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】前記プラズマ漏れ防止体が、ドーム部を
備え、少なくとも前記ドーム部の一部に、プラズマを通過させ
ない大きさの開口部が複数設けられていることを特徴と
する請求項１から請求項３の何れか１項に記載の堆積膜
形成装置。
【請求項７】真空気密が可能な反応容器内を排気手段
で排気し、該反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電
力導入手段から高周波電力を印加することで発生したプ
ラズマを利用して、反応容器内に配置された基体に堆積
膜を形成する堆積膜形成方法において、前記排気手段による排気が、前記反応容器の排気口と放
電空間との間に設けられたプラズマ漏れ防止体を経由し
て行われ、該プラズマ漏れ防止体として、少なくとも一部にプラズ
マを通過させない大きさの開口部が複数設けられた領域
を有し、該領域の表面積が、前記反応容器の排気口の開
口部の面積より大きいプラズマ漏れ防止体が使用される
ことを特徴とする堆積膜形成方法。