JP2003100184A - 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ - Google Patents

真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ

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JP2003100184A
JP2003100184A JP2001293440A JP2001293440A JP2003100184A JP 2003100184 A JP2003100184 A JP 2003100184A JP 2001293440 A JP2001293440 A JP 2001293440A JP 2001293440 A JP2001293440 A JP 2001293440A JP 2003100184 A JP2003100184 A JP 2003100184A
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slit
vacuum interrupter
slits
magnetic field
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JP2001293440A
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Yoshihiko Matsui
芳彦 松井
Hidemitsu Takefuchi
秀光 竹渕
Akira Nishijima
陽 西島
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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  • High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い磁界強度、高い機械強度が得られる真空
インタラプタの接触子を得る。 【解決手段】 真空インタラプタのカップ形の接触子に
おいて、円筒状の接触台1の一方の端面側からスリット
5を形成すると共に、他方の端面側からもスリット6を
形成し、これらのスリット5、6の接触台1の軸方向の
最適な長さを、接触台1の軸方向の長さを1とし、スリ
ット5、6の接触台1の軸方向の長さを、x,yとした
とき、x,yを所定のパラメータに基づき定めるように
した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は真空インタラプタの
接触子及びそれを用いた真空インタラプタに関する。
【0002】
【従来の技術】真空インタラプタの遮断性能を向上させ
るためには、遮断時に電極間に発生するアークを一個所
に集中させることなく、電極表面全体でアークを受け止
める必要がある。電極表面全体でアークを受け止めるも
のとして、電極間に縦磁界を形成する構造(縦磁界印加
方式)が採用されている。電極間に縦磁界を発生させる
ことにより、アークは磁界により閉じ込められ、荷電粒
子のアーク柱からの損失が少なくなり、アークが安定
し、電極部の温度上昇が抑制され、遮断性能が向上す
る。
【0003】縦磁界印加方式を採用したものの一例とし
て、特公平3−59531号公報には「真空スイッチの
接触子装置」が開示されている。これは、端面に接触板
が設けられた中空円筒状の接点台の周面にスリットを形
成したもので、接点台の外径に対し、接点台の深さ(つ
ぼ深さ)、スリット数、スリットの方位角が規定されて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】真空インタラプタにお
いて、高電圧大電流遮断性能を出すためには、接触子の
径を大きくし、かつ対向する接触子間の距離(解離距
離)を大きくとる必要がある。しかし、特公平3−59
531号公報に記載のものでは、そのように接触子の
径、解離距離を設定すると、電極間の磁束密度が不足し
て電極間アークが不安定となり、遮断不能となる。
【0005】また、発生磁界を確保するため、接点台に
形成するスリットの方位角を大きくすると、接触子自体
の強度が不足し、開閉操作力により変形して耐電圧性能
と遮断性能が悪くなる。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する第1
の発明に係る真空インタラプタの接触子は、円筒状の接
触台の一方の端面に接触板を設ける共に、前記接触台の
他方の端面に、接触子端板を設ける一方、前記接触台の
周面にスリットを形成することによりコイル部を形成
し、このコイル部に流れる電流により前記接触台の軸方
向に沿う縦磁界を形成するようにした真空インタラプタ
の接触子において、前記スリットを、前記接触台の前記
一方の端面側から形成した第1のスリットと、前記接触
台の前記他方の端面側から形成した第2のスリットと
し、前記接触台の軸方向長さを1とし、前記第1のスリ
ットの前記接触台の軸方向の長さをx、前記第1のスリ
ットの前記接触台の軸方向の長さをyとしたとき、 0.9≧x x≧y≧0.2x 1.4≧x+y≧0.8 を満たすことを特徴とする。この真空インタラプタの接
触子により構成した真空インタラプタにおいては、遮断
時の電流は、第1及び第2のスリットが作るコイル部に
沿って流れる。
【0007】上記構成の真空インタラプタの接触子にお
いては、前記接触板が設けられる前記接触台の端面に、
前記第1のスリットにつながる円周方向のスリット
(溝)を設けてもよく、又、同様に、前記接触子端板が
設けられる前記接触台の端面に、前記第2のスリットに
つながる円周方向のスリット(溝)を設けてもよい。
【0008】上記課題を解決する第2の発明に係る真空
インタラプタは、上記真空インタラプタの接触子を同一
軸上に対向させて配置して構成されることを特徴とす
る。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る真空インタラ
プタ及び真空インタラプタ用接触子の実施の形態を図面
に基づき説明する。図1には、実施の一形態に係る真空
インタラプタ用接触子の側面を示してあり、図2には、
その平面を示してある。図3には、方位角を示してあ
り、図4には、真空インタラプタとして対向させた接触
子を示してある。
【0010】円筒状の接触台1の一方の端面1aには接
触板2がろう付けされ、接触台1の他方の端面1bに
は、リード棒が接続される接触子端板3がろう付けされ
る。筒状の接触台1と接触子端板3とによりカップ状を
なすことから、このような接触子はカップ形と呼ばれて
いる。
【0011】筒状の接触台1の全周面には、接点台1の
軸線に対し角度(傾斜角)α傾斜する第1のスリット
5、第2のスリット6が形成されている。第1のスリッ
ト5は、一方の端面1aに開口している。図中、5aが
その開口部である。第2のスリット6は、もう一方の端
面1bに開口している。図中、6aがその開口部であ
る。弧状をなす各スリット5、6の接触台1の中心Oに
対する開き角度である方位角βは一定となっている。こ
れらのスリット5、6に挟まれた部分がコイル部とな
る。つまり、隣り合う第1のスリット5間に挟まれた部
分のコイル部7a、第1のスリット5と第2のスリット
6とに挟まれた部分のコイル部7b、隣り合う第2のス
リット6間に挟まれた部分のコイル部7cが形成される
のである。
【0012】前記第1及び第2のスリット5、6の総数
は、0.1D/mm≦S≦0.2D/mmの範囲で設定され
る。従って、第1及び第2のスリット5、6は、このS
の半分の数となる。スリット5、6の傾斜角αは、60
°≦α≦80°の範囲で設定される。これは、接触台1
の機械的強度と抵抗低減を要素に決められた範囲であ
る。つまり、接触台1の機械的強度と抵抗低減のために
は、隣り合うスリット5同士、スリット6同士、スリッ
ト5と6の、これらに垂直な方向の距離eは、7〜18
mm程度がよい。とすると、接触台1の直径D、スリット
の数Sから、傾斜角αの範囲は、60°≦α≦80°と
なる。
【0013】前記各スリット5、6の方位角βは、(5
40/S)°≦β≦(1440/S)°の範囲で設定さ
れる。下限値を(540/S)°としたのは、コイル部
の長さを1.5ターンとしたもので、これ以下では、磁
束が不足してしまう。上限値を(1440/S)°とし
たのは、コイル部の長さを4ターンとしたもので、これ
以上では、抵抗が大きくなって発熱による不具合が発生
する。また、接触台1の機械的強度が低くなってしま
う。
【0014】第1のスリット5及び第2のスリット6
は、共に等間隔で形成されている。第1のスリット5と
第2のスリット6とは、円周方向においては所定の間隔
(方位角)γ開けて形成される。この方位角γは、(1
20/S)°≦γ≦(600/S)°の範囲で設定され
る。この範囲は、接触台1の機械的強度の点から定めら
れている。
【0015】各スリット5、6の長さを短くし、円周方
向においてスリット5と6との間に間隔(方位角γ)が
できるようにしたので、スリット5と6との間に中実の
柱部分1cが形成される。この柱部分1cにより、接触
台1の強度が維持される。つまり、円周方向に長いスリ
ットを設けてしまうと、接触台1の軸方向の強度が弱く
なってしまうが、このように柱部分1cを作ることによ
り接触台1の軸方向の強度が維持されるのである。
【0016】第1のスリット5と第2のスリット6と
は、接触台1の軸方向においては所定の範囲が重なり合
っている。第2のスリット6は、隣り合う二つの第1の
スリット5の間に望むように形成してもよい。前記接触
板2には、図2に示すように直線状のスリット8が形成
される。スリット8の数は、第1のスリット5の数と同
数となっている。スリット8の内側の延長上は、接触板
2の中心Oからずれており、図2に示すように、全体と
してスパイラル状をなすようになっている。接触板2
は、そのスリット8の周面側の端8aを、前記第1のス
リット5の端面1aにおける開口部5aに合わせて、取
付けられる。つまり、スリット8と第1のスリット5と
繋がるように図られているのである。
【0017】図5には、上記構成の真空インタラプタ用
接触子を用いて構成した真空インタラプタを概略的に示
す。図1乃至3に示した構造の二つの真空インタラプタ
用接触子11、12を、所定の間隔(接触子間距離)G
をあけて同軸上で対向させて、真空容器13の中に配置
することにより、真空インタラプタ10は構成される。
接触子間距離Gは、15mm≦G≦100mmの範囲で設定
される。この接触子間距離Gは、電圧階級により経験的
に定められたものである。
【0018】真空容器13は、セラミック又はガラス等
からなる絶縁筒14の両端を、金属からなる端板15、
16で塞ぎ、内部を高真空に排気して構成される。この
真空容器13の一方の端板15を通して固定された固定
ロッド17の先端に一方の接触子11が固定電極として
固定される。真空容器13のもう一方の端板16を通
し、かつベローズ18により可動に設けられた可動ロッ
ド19の先端にもう一方の接触子12が可動電極として
固定される。真空容器13内において、接触子11、1
2の回りにはシールド20が設けられる。
【0019】上記構成の真空インタラプタにおいて、電
流の遮断時、電極である接触子11、12間には、アー
クが発生する。一方、電流iは、図5及び図1に示すよ
うに接触板3から接触台1の各第1のスリット5間のコ
イル部7aに入り、更に第1のスリット5と第2のスリ
ット6との間のコイル部7b及び第2のスリット6間の
コイル部7cに流れる。コイル部7a,7b,7cに電
流が流れることにより、縦磁界Bが発生する。電流の経
路が多く、長くなることから、第1のスリット5だけの
場合に比べて2倍の磁界が発生する。よって、アークを
安定させることができ、良好な遮断性能を得ることがで
きる。尚、電流は、図1において実線で示した流れるだ
けでなく、破線で示したように迂回する如くも流れる。
【0020】ところで、電極間のギャップに発生する磁
界を考えた場合、接触板2側の第1のスリット5の方が
極間ギャップに近いため、この部分で発生する磁界の方
が真空アークに対してより効果的に働くことになる。す
なわち、接触板側、接触子端板側双方のスリット5、6
を同一にした場合、必ずしも最適な磁界が得られないこ
とになる。そこで、スリット5、6の接触台1の軸方向
の長さ(以下、「高さ」と呼ぶ)を変えて接触子を作製
し、磁界強度について調べた。
【0021】図6には、接触台1の長さを1とし、第1
のスリット5の接触台1の高さをx、第2のスリット6
の高さをyとし(0<x,y<1)、x=yとして、そ
の割合を変えた接触子を示す。つまり、スリット5、6
の形状のパラメータは、xとyの大小関係、x+yの値
によって分類される。
【0022】図6には、x=yとして、つまり、スリッ
ト5と6の高さを同じにして、x+yを変えた場合を示
す。図6(a)は、x+y>1とした場合である。つま
り、双方のスリット5、6は高さ方向に互いに食い込む
部分を有する。図6(b)は、x+y=1とした場合で
ある。つまり、双方のスリット5、6の高さ方向の食い
込みは0となる。図6(c)は、x+y<1とした場合
である。つまり、双方のスリット5、6は高さ方向には
重なる部分を有しない。
【0023】図7には、x>yとして、つまり接触板2
側のスリット5の高さを高くして、x+yを変えた場合
を示す。図7(a)は、x+y>1とした場合である。
つまり、双方のスリット5、6は高さ方向に互いに食い
込む部分を有する。図7(b)は、x+y=1とした場
合である。つまり、双方のスリット5、6の高さ方向の
食い込みは0となる。図7(c)は、x+y<1とした
場合である。つまり、双方のスリット5、6は高さ方向
には重なる部分を有しない。
【0024】図8、9には、図6、7に示した接触子を
用いた真空インタラプタにおける磁界分布を示す。横軸
は、電極の中心軸からの半径方向の距離を表し、縦軸
は、磁界強度を表す。図8は、x=y、すなわち接触板
2側のスリット5と接触子端板3側のスリット6の高さ
を等しくした場合であり、図9は、x>y、すなわち接
触板2側のスリット5の高さを接触子端板3側のスリッ
ト6の高さより高くした場合(スリット5がスリット6
より長い場合)である。図8、9において、破線は、x
+y=1、すなわち接触板2側のスリット5の下端の高
さと接触端子板3側のスリット6の上端の高さとを等し
くした場合を示し、実線は、x+y>1、すなわち接触
板2側のスリット5の下端の高さを、接触端板3側のス
リット6の上端の高さより低くした場合を示す。図8、
9からわかるように、x+y>1とした方が、スリット
5、6が長くなるため、より強力な磁界強度分布が得ら
れる。
【0025】図10には、x+yの値と磁界強度との関
係を示す。横軸は、x+yの値であり、縦軸は、磁界強
度である。図10において、破線は、x=y、すなわち
接触板2側のスリット5と接触子端板3側のスリット6
の高さを等しくした場合であり、実線は、x>y、すな
わち接触板2側のスリット5の高さを接触子端板3側の
スリット6の高さより高くした場合である。図11に
は、x+yの値と機械強度との関係を示す。横軸は、x
+yの値であり、縦軸は、機械強度である。図11にお
いて、破線は、x=y、すなわち接触板2側のスリット
5と接触子端板3側のスリット6の高さを等しくした場
合であり、実線は、x>y、すなわち接触板2側のスリ
ット5の高さを接触子端板3側のスリット6の高さより
高くした場合である。図10、11からわかるように、
x>yの場合、同じ機械強度で、より強力な磁界強度が
得られる。
【0026】図8〜11より、望ましい磁界強度、機械
強度が得られるx,yの範囲として、 0.9≦x x≧y≧0.2x 1.4≧x+y≧0.8 を選択した。このパラメータの範囲を図12に示す。図
12のPの範囲(パラメータ存在範囲)内でx,yを選
択することにより、磁界強度、機械強度に優れた真空イ
ンタラプタの接触子を得ることができる。範囲Pからわ
かるように、第1のスリット5の高さを第2のスリット
6と等しいかそれ以上とする。前述のように、接触板2
に近い側の第1のスリット5の高さを高くしたほうがよ
いのであるが、第1のスリット5の高さを少なくとも第
2のスリット6と等しくする。第2のスリット6の高さ
は、第1のスリット5の高さの1/5とする。1.4≧
x+yとは、第1と第2のスリット5、6が高さ方向に
食い込むようにすることを意味する。x+y≧0.8と
は、第1と第2のスリット5、6は高さ方向に食い込む
ではいないが、かなり近づけることを意味する。
【0027】他の実施の態様として、上記構成の真空イ
ンタラプタの接触子においては、前記接触板2が設けら
れる前記接触台1の端面1aに、前記第1のスリット5
につながる円周方向のスリット(溝)を設けてもよく、
又、同様に、前記接触子端板3が設けられる前記接触台
1の端面に、前記第2のスリット6につながる円周方向
のスリット(溝)を設けてもよい。
【0028】
【発明の効果】本発明に係る真空インタラプタ用接触子
及び真空インタラプタによれば、円筒状の接触台の一方
の端面に接触板を設ける共に、前記接触台の他方の端面
に、接触子端板を設ける一方、前記接触台の周面にスリ
ットを形成することによりコイル部を形成し、このコイ
ル部に流れる電流により前記接触台の軸方向に沿う縦磁
界を形成するようにした真空インタラプタの接触子にお
いて、前記スリットを、前記接触台の前記一方の端面側
から形成した第1のスリットと、前記接触台の前記他方
の端面側から形成した第2のスリットとし、前記接触台
の軸方向長さを1とし、前記第1のスリットの前記接触
台の軸方向の長さをx、前記第1のスリットの前記接触
台の軸方向の長さをyとしたとき、0.9≧x、x≧y
≧0.2x、1.4≧x+y≧0.8を満たすようにし
たので、当該真空インタラプタの接触子により構成した
真空インタラプタにおいては、遮断時の電流は、第1及
び第2のスリットが作るコイル部に沿って流れることに
なり、接触子間に発生する磁界強度をより大きくするこ
とができ、遮断時に発生するアークを均一に分布させ、
遮断性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る真空インタラプタ用
接触子の側面図である。
【図2】図1に示した真空インタラプタ用接触子の平面
図である。
【図3】図1に示した真空インタラプタ用接触子の方位
角の説明図である。
【図4】図1に示した真空インタラプタ用接触子を対向
させた状態の斜視図である。
【図5】図1に示した真空インタラプタ用接触子を用い
た真空インタラプタの概略図である。
【図6】x=yとし、x+yを変えた場合の各接触子の
側面図である。
【図7】x>yとし、x+yを変えた場合の各接触子の
側面図である。
【図8】x=yの場合の磁界強度のグラフである。
【図9】x>yの場合の磁界強度のグラフである。
【図10】x+y値と磁界強度との関係を示すグラフで
ある。
【図11】x+y値と機械強度との関係を示すグラフで
ある。
【図12】パラメータの存在範囲を示すグラフである。
【符号の説明】
1 接触台 2 接触板 3 接触子端板 5 第1のスリット 6 第2のスリット 7a,7b,7c コイル部 8 スリット 10 真空インタラプタ 11 接触子(固定電極) 12 接触子(可動電極)
フロントページの続き (72)発明者 西島 陽 東京都品川区大崎二丁目1番17号 株式会 社明電舎内 Fターム(参考) 5G026 DA07 DB06 5G027 AA03 BA02

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円筒状の接触台の一方の端面に接触板を
    設ける共に、前記接触台の他方の端面に、接触子端板を
    設ける一方、前記接触台の周面にスリットを形成するこ
    とによりコイル部を形成し、このコイル部に流れる電流
    により前記接触台の軸方向に沿う縦磁界を形成するよう
    にした真空インタラプタの接触子において、 前記スリットを、前記接触台の前記一方の端面側から形
    成した第1のスリットと、前記接触台の前記他方の端面
    側から形成した第2のスリットとし、 前記接触台の軸方向長さを1とし、前記第1のスリット
    の前記接触台の軸方向の長さをx、前記第1のスリット
    の前記接触台の軸方向の長さをyとしたとき、 0.9≧x x≧y≧0.2x 1.4≧x+y≧0.8 を満たすことを特徴とする真空インタラプタの接触子。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の真空インタラプタの接
    触子を同一軸上に対向させて配置して構成したことを特
    徴とする真空インタラプタ。
JP2001293440A 2001-09-12 2001-09-26 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ Withdrawn JP2003100184A (ja)

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JP2015001999A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社日立製作所 真空遮断器用電極及びそれを用いた真空バルブ

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JP2015001999A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社日立製作所 真空遮断器用電極及びそれを用いた真空バルブ

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