JP2003100855A - シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents

シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

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JP2003100855A JP2001297518A JP2001297518A JP2003100855A JP 2003100855 A JP2003100855 A JP 2003100855A JP 2001297518 A JP2001297518 A JP 2001297518A JP 2001297518 A JP2001297518 A JP 2001297518A JP 2003100855 A JP2003100855 A JP 2003100855A
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Takaharu Kono
隆治 河野
Shoichi Takamizawa
彰一 高見澤
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外観の良いシリコン単結晶ウェーハを得るこ
とを可能とするリフトピン方式のシリコン単結晶ウェー
ハ処理装置、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方
法、および、リフトピン方式でサセプタ上に着脱して処
理を行う場合にも優れた外観を呈するシリコン単結晶ウ
ェーハを提供する。 【解決手段】 サセプタ１２に対し昇降動作可能に設け
られ、シリコン単結晶ウェーハ１９を下面側から支持し
た状態で昇降動作するのに伴わせてサセプタ１２上にシ
リコン単結晶ウェーハ１９を着脱するためのリフトピン
１４を備える。リフトピン１４は、シリコン単結晶ウェ
ーハ１９の主裏面との接触端面が、上に凸な曲面形状に
形成されているとともに、該接触端面に研磨が施されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶ウ
ェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコ
ンエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶ウェーハ（以下、単にウ
ェーハともいう。）に対し、例えば気相成長等の処理を
施す装置としては、ウェーハを処理容器内に搬入して該
処理容器内のサセプタ上に載置した状態で、該ウェーハ
に対し処理を施し、該処理後は、サセプタ上のウェーハ
を処理容器外に搬出する構成のものがある。この際に、
ウェーハをサセプタ上に載置したりサセプタ上から取り
出す方式は多種多様であるが、その一つとして、例えば
サセプタ上面より上方に突出動作可能に設けられた少な
くとも３つ以上のリフトピンを互いに略等量だけ突出動
作させ、該突出動作後のリフトピン上にウェーハを搬送
して該３つ以上のリフトピンにより略水平状態に支持さ
せた後、これらリフトピンを互いに同期状態で下降させ
ることにより、ウェーハをサセプタ上に載置する一方、
該載置状態のウェーハを、リフトピンの突出動作により
サセプタ上方に上昇させてから、搬送装置により処理容
器外に搬出する方式（以下、リフトピン方式ともいう）
が知られている（特開平９−２０５１３０号公報等参
照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなリフトピン方式では、両面に鏡面加工が施された
ウェーハの場合、該ウェーハの下面（すなわち主裏面）
にリフトピンとの接触跡が付いて該ウェーハの外観が悪
くなることがある。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、外観の良いシリコン単結晶ウ
ェーハを得ることを可能とするリフトピン方式のシリコ
ン単結晶ウェーハ処理装置、シリコンエピタキシャルウ
ェーハの製造方法、および、リフトピン方式でサセプタ
上に着脱して処理を行う場合にも優れた外観を呈するシ
リコン単結晶ウェーハを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のシリコン単結晶ウェーハ処理装置は、処理
容器と、該処理容器内に配され上面にシリコン単結晶ウ
ェーハが載置されるサセプタと、該サセプタに対し昇降
動作可能に設けられ、シリコン単結晶ウェーハを下面側
から支持した状態で前記昇降動作するのに伴わせてサセ
プタ上にシリコン単結晶ウェーハを着脱するためのリフ
トピンと、を備えるシリコン単結晶ウェーハ処理装置に
おいて、前記リフトピンは、シリコン単結晶ウェーハの
主裏面との接触端面が、上に凸な曲面形状に形成されて
いるとともに、該接触端面に研磨が施されていることを
特徴としている。
【０００６】リフトピンは、シリコン単結晶ウェーハの
主裏面との接触端面が、表面粗さ０．８μｍ以下に形成
されていることが好ましい。さらに、リフトピンは、少
なくとも前記接触端面がＳｉＣからなることが好まし
い。
【０００７】また、本発明のシリコン単結晶ウェーハ処
理装置は、処理容器と、該処理容器内に配され上面にシ
リコン単結晶ウェーハが載置されるサセプタと、該サセ
プタに対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結晶ウ
ェーハを下面側から支持した状態で前記昇降動作するの
に伴わせてサセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを着脱
するためのリフトピンと、を備えるシリコン単結晶ウェ
ーハ処理装置において、前記リフトピンのシリコン単結
晶ウェーハの主裏面への接触端面が、該シリコン単結晶
ウェーハの主裏面に対し略平行状態で接することとなる
ように、該リフトピンを上昇動作の際に摺動ガイド可能
な筒状部材が、前記サセプタを支持するサセプタ支持部
材より突出した状態で該サセプタ支持部材に固定的に設
けられていることを特徴としている。
【０００８】本発明のシリコン単結晶ウェーハ処理装置
によれば、シリコン単結晶ウェーハの主裏面にリフトピ
ンの接触跡が付いてしまうことを抑制でき、外観の良い
シリコン単結晶ウェーハを得ることができる。
【０００９】ここで、本発明のシリコン単結晶ウェーハ
処理装置には、例えばシリコン単結晶ウェーハの主表面
上に薄膜（単結晶薄膜あるいは多結晶薄膜）を気相成長
させる気相成長装置が含まれるが、これに限らず、例え
ばシリコン単結晶ウェーハに所定の熱処理を施す装置を
含むこととしても良い。
【００１０】また、本発明のシリコン単結晶ウェーハ
は、鏡面加工が施された主裏面上に、傷発生防止用のシ
リコン酸化膜が形成されたことを特徴としている。
【００１１】また、本発明のシリコンエピタキシャルウ
ェーハの製造方法は、少なくともシリコン単結晶ウェー
ハの主裏面を鏡面加工する第一鏡面加工工程と、シリコ
ン単結晶ウェーハの主裏面にシリコン酸化膜を形成する
シリコン酸化膜形成工程と、シリコン単結晶ウェーハの
主表面を鏡面加工する第二鏡面加工工程と、サセプタ上
にシリコン単結晶ウェーハを着脱するリフトピンを備え
る気相成長装置を用いてシリコン単結晶ウェーハの主表
面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長する工程
と、をこの順に行うことを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施の形態について説明する。
【００１３】〔第１の実施の形態〕本実施の形態では、
本発明に係るシリコン単結晶ウェーハ処理装置の好適な
一例としての気相成長装置について説明する。
【００１４】図１および図２に示すのは、例えば枚葉式
の気相成長装置１０であり、反応容器（処理容器）１１
と、この反応容器１１内に配され上面にシリコン単結晶
ウェーハ１９（以下、単にウェーハ１９ともいう）が載
置されるサセプタ１２と、該サセプタ１２上のウェーハ
１９の主表面上に反応ガスを供給するための供給路１７
と、該サセプタ１２を支持するサセプタ支持部材１３
と、サセプタ１２を表裏に貫通した状態に設けられ、該
サセプタ１２に対し昇降可能なリフトピン１４と、該リ
フトピン１４を下側から支持して昇降させるリフトピン
昇降部材１５と、を備えて概略構成されている。
【００１５】このうち、サセプタ１２は例えば円盤状に
概略構成され、その上面には座ぐり１２ａを備え、該座
ぐり１２ａ内にウェーハ１９が載置されるようになって
いる。このサセプタ１２は、サセプタ支持部材１３が放
射状に備える複数の支持アーム１３ａにより下側から支
持されることで、上面が略水平状態に保たれている。
【００１６】リフトピン１４は、例えばカーボンの母材
にＳｉＣ膜（例えば、１００μｍ程度）をＣＶＤ成長さ
せて得たものであり、例えば図３に示すように、丸棒状
に構成された胴体部１４ａと、該胴体部１４ａの上端部
に形成され、ウェーハ１９を下面側から支持する頭部１
４ｂと、を備えている。このうち頭部１４ｂは、ウェー
ハ１９を支持しやすいように胴体部１４ａに比べて拡径
されている。このリフトピン１４の頭部１４ｂの上面
（接触端面）１４ｄは、上に凸で曲率がなめらかに変化
する曲面形状に形成されているとともに、研磨が施され
ている。具体的には、例えば、頭部１４ｂの上面１４ｄ
は、ＳｉＣ膜のＣＶＤ成長前に予め曲面形状に形成して
おき、ＣＶＤ成長後、さらにグラインダにより曲面研磨
仕上げを施すことにより構成することが好ましい。ま
た、この際の研磨精度は、例えば表面粗さ０．８μｍ以
下であることが好ましい。なお、グラインダによる研磨
は、リフトピンの表面にＳｉＣ膜を形成していることを
考慮して同様の材質からなるＳｉＣの砥石を使用して行
う（以下「共擦り」と称す）ことが好ましい。このよう
に共擦りすることで、ＳｉＣ膜の研磨面へ異物が混入す
ることを防止できる。さらに、こうして研磨した表面を
洗浄することにより研磨粉を充分に除去してリフトピン
１４が得られる。なお、図１および図２では、リフトピ
ン１４のうち二本だけを断面図示しているが、リフトピ
ン１４は、座ぐり１２ａと中心を同じくする円周上に、
等角度間隔で三箇所に配設されており、ウェーハ１９を
三点支持（図４参照）するようになっている。
【００１７】ここで、サセプタ１２には、該サセプタ１
２を表裏に貫通した貫通穴１６が設けられている。この
貫通穴１６は、その上部が、リフトピン１４の頭部１４
ｂを収容可能な寸法形状に形成された頭部収容部１６ａ
となっていて、該頭部収容部１６ａより下側部分は、リ
フトピン１４の頭部１４ｂより小径、かつ、胴体部１４
ａより大径に設定されている。リフトピン１４は、その
下端部からサセプタ１２の貫通穴１６に挿入され、該貫
通穴１６の頭部収容部１６ａによって支持された状態と
なっている。なお、リフトピン１４の胴体部１４ａは、
サセプタ支持部材１３の支持アーム１３ａに設けられた
貫通孔１３ｂも貫通している。
【００１８】リフトピン昇降部材１５は、図示しない駆
動装置により昇降されるようになっている。このリフト
ピン昇降部材１５は、複数の支持アーム１５ａを放射状
に備え、各支持アーム１５ａの先端上面で、対応するリ
フトピン１４を１つずつ支持して昇降することにより、
各リフトピン１４をサセプタ１２に対し昇降させる。こ
こで、各支持アーム１５ａの先端上面には、例えば図５
に示すように球面状に窪んだ凹部１５ｂが形成されてい
る一方、リフトピン１４の下端部は該凹部１５ｂ内に嵌
入可能な球面状の被支持部１４ｃとなっていて、該凹部
１５ｂ内に位置決めされやすくなっている。
【００１９】このような気相成長装置１０により、以下
の要領でウェーハ１９の主表面上にシリコン単結晶薄膜
をエピタキシャル成長させることができる。
【００２０】先ず、リフトピン昇降部材１５を上昇させ
るのに伴わせて、各リフトピン１４を互いに略等量だけ
サセプタ１２上面より上方に突出させる（図２において
ウェーハ１９が無い状態）。さらに、図示しないハンド
ラによりウェーハ１９を搬送し、該突出動作後のリフト
ピン１４上にウェーハ１９の主表面を上にして載置す
る。これにより、ウェーハ１９は、例えば図４に示すよ
うに、３つのリフトピン１４により下面側（すなわち主
裏面側）から、互いに略等間隔（略等角度間隔）に支持
された状態（図２の状態）となる。ここで、リフトピン
１４の頭部１４ｂの上面１４ｄは、上に凸な曲面形状に
形成されているとともに、該上面１４ｄには研磨が施さ
れているので、ウェーハ１９の主裏面には、リフトピン
１４との接触跡が付きにくい。
【００２１】次に、ハンドラを待避させる一方で、リフ
トピン昇降部材１５を下降させるのに伴わせて、各リフ
トピン１４を互いに同期状態で下降させる。すると、該
リフトピン１４の下降に伴ってウェーハ１９が水平状態
に保たれたまま下降する。そして、リフトピン１４が、
リフトピン昇降部材１５ではなくサセプタ１２の貫通穴
１６の頭部収容部１６ａにより支持された状態となるま
で、リフトピン昇降部材１５を下降させたら、該下降を
終了する。この段階では、リフトピン１４の頭部１４ｂ
は、サセプタ１２の貫通穴１６上部の頭部収容部１６ａ
に収容されている一方、ウェーハ１９は、リフトピン１
４の頭部１４ｂ上に支持された状態から、サセプタ１２
の座ぐり１２ａ内に載置された状態に移行している（図
１の状態）。
【００２２】このように、サセプタ１２上にウェーハ１
９を載置したら、気相成長を行う。すなわち、サセプタ
１２を回転させるのに伴わせてウェーハ１９を回転させ
るとともに、図示しない赤外線ランプ等の加熱装置によ
りウェーハ１９を上下から加熱しながら、上側の供給路
１７からは、反応ガス（キャリアガスおよび原料ガス）
を供給する一方で、サセプタ１２の下側にはパージガス
を供給して、ウェーハ１９の主表面上にシリコンエピタ
キシャル層を気相成長する。
【００２３】また、気相成長が終了したら、気相成長後
のウェーハ（シリコンエピタキシャルウェーハ）１９
を、反応容器１１外に搬出する。すなわち、予めサセプ
タ１２の回転を止めた後に、リフトピン昇降部材１５を
上昇させ、該上昇に伴わせて各リフトピン１４を互いに
同期させてサセプタ１２上方に突出動作させ、この突出
動作に伴わせてウェーハ１９をサセプタ１２の座ぐり１
２ａ内から該座ぐり１２ａ上方に上昇させ、各リフトピ
ン１４によりウェーハ１９を下面側から支持した状態
（図２の状態）にする。そして、図示しないハンドラに
よりウェーハ１９を搬出する。
【００２４】以上のような第１の実施の形態によれば、
リフトピン１４の頭部１４ｂの上面１４ｄは、上に凸な
曲面形状に形成されているとともに、該上面１４ｄには
研磨が施されているので、ウェーハ１９の主裏面にリフ
トピン１４の接触跡が付いてしまうことを抑制でき、外
観の良いシリコンエピタキシャルウェーハを得ることが
できる。
【００２５】＜変形例＞リフトピン１４は、上記の例に
限らず、例えば図６に示すように、頭部１４ｂの上面１
４ｄが、研磨を施された略平面となっていても良い。た
だし、研磨精度は上記と同様に設定する。
【００２６】なお、上記の実施の形態では、リフトピン
をＳｉＣによる共擦りにより研磨したが、これに限ら
ず、例えば、ダイヤモンド等のＳｉＣよりも硬い材質に
より研磨しても良い。ただし、金属による研磨はリフト
ピンを金属汚染する原因となるので、好ましくない。
【００２７】〔第２の実施の形態〕第２の実施の形態で
も、本発明に係るシリコン単結晶ウェーハ処理装置の好
適な一例としての気相成長装置について説明する。この
第２の実施の形態の気相成長装置は、以下に説明する点
の他は第１の実施の形態の気相成長装置と同じであるの
で、同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を
省略する。
【００２８】すなわち、第２の実施の形態の気相成長装
置は、例えば図７に示すように、該リフトピン１４を上
昇動作の際に摺動ガイド可能な筒状部材２１を備える。
この筒状部材２１は、リフトピン１４の上面１４ｂが、
シリコン単結晶ウェーハ１９の主裏面（つまり下面）に
対し略平行状態で接することとなるように、リフトピン
１４を摺動ガイドする。この筒状部材２１は、サセプタ
支持部材１３より、例えば上下に突出した状態で該サセ
プタ支持部材１３に固定的に設けられている。ここで、
サセプタ支持部材１３は、例えば石英からなり、筒状部
材２１も例えば石英からなる。筒状部材２１の内径は、
リフトピン１４の胴体部１４ａの直径よりも僅かに大き
く設定されている。なお、リフトピン１４は、筒状部材
２１との摺動面（すなわち、胴体部１４ａの外周）につ
いても、上記第１の実施の形態と同様の研磨精度にて研
磨しても良く、この場合、筒状部材２１とリフトピン１
４との摩擦によるパーティクルの発生を抑制でき、パー
ティクルの付着や結晶欠陥の形成が低減されたシリコン
エピタキシャルウェーハを高い歩留まりで得ることがで
きる。
【００２９】以上のような第２の実施の形態によれば、
リフトピン１４を上昇させる際に、該リフトピン１４を
筒状部材２１が摺動ガイドする結果、リフトピン１４の
上面１４ｂがシリコン単結晶ウェーハ１９の主裏面に対
し略平行状態で接するので、該シリコン単結晶ウェーハ
１９にリフトピン１４との接触跡が付いてしまうことを
抑制でき、外観の良いシリコン単結晶ウェーハを得るこ
とができる。
【００３０】〔第３の実施の形態〕第３の実施の形態で
は、本発明に係るシリコン単結晶ウェーハおよびシリコ
ンエピタキシャルウェーハの製造方法について説明す
る。なお、上記の第１の実施の形態で説明した気相成長
装置１０の構成要素を引用して説明を行う場合がある。
【００３１】先ず、本実施形態のシリコン単結晶ウェー
ハを説明する。第３の実施の形態のシリコン単結晶ウェ
ーハ３０は、例えば図８に示すように、鏡面加工が施さ
れた主裏面上に、リフトピン１４の接触により該主裏面
に傷が発生してしまうことを防止するための（傷発生防
止用の）シリコン酸化膜３０ａが形成されている。ここ
で、シリコン酸化膜３０ａは、ＣＶＤ成長により形成し
ても良い（ＣＶＤ酸化膜であっても良い）し、加熱酸化
により形成しても良い（熱酸化膜であっても良い）が、
多孔質状のＣＶＤ酸化膜に比して構造が密実な熱酸化膜
の方が、傷発生防止機能の観点から好ましい。また、シ
リコン酸化膜３０ａの膜厚は、例えば５０ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下あれば十分であるが、これに限らず、要はリ
フトピン１４の上面１４ｂがシリコン単結晶ウェーハ３
０の主裏面に接触することによる傷発生を防止するに足
る膜厚に設定すれば良いため、２００ｎｍより大きくて
も良いし、或いは、５０ｎｍ未満であっても良い。な
お、この第３の実施の形態では、気相成長装置１０のリ
フトピン１４は、上面１４ｂが上に凸な曲面上でなくて
も良いし、上面１４ｂに研磨が施されていなくても良
い。ただし、研磨精度が高いほど、又、上面１４ｂが上
に凸に形成され、かつその曲率変化がなめらかであるほ
ど、傷防止のために必要とするシリコン酸化膜３０ａの
膜厚は減少する。
【００３２】次に、シリコンエピタキシャルウェーハの
製造方法を説明する。
【００３３】先ず、シリコン単結晶ウェーハの主裏面を
鏡面加工する（第一鏡面加工工程）。次に、シリコン単
結晶ウェーハの主裏面にシリコン酸化膜を形成する（シ
リコン酸化膜形成工程）。これにより、上記説明したシ
リコン単結晶ウェーハ３０が得られる。次に、シリコン
単結晶ウェーハ３０の主表面を鏡面加工する（第二鏡面
加工工程）。次に、サセプタ１２上にシリコン単結晶ウ
ェーハを着脱するリフトピン１４を備える気相成長装置
１０を用いてシリコン単結晶ウェーハ３０の主表面上に
シリコンエピタキシャル層を気相成長する。すなわち、
上記第１の実施の形態で説明したのと同様の手順で、サ
セプタ１２上にシリコン単結晶ウェーハ３０を載置して
気相成長を行い、該気相成長後のシリコンエピタキシャ
ルウェーハを反応容器１１から搬出する。
【００３４】以上のような第３の実施の形態によれば、
シリコン単結晶ウェーハ３０の主裏面に形成されたシリ
コン酸化膜３０ａが保護膜として機能し、該主裏面にリ
フトピン１４による接触跡が付いてしまうことを抑制で
きる。
【００３５】なお、第３の実施の形態では、第一鏡面加
工工程で、シリコン単結晶ウェーハの主裏面を鏡面加工
することとしたが、主裏面および主表面を鏡面加工する
こととしても良い。
【００３６】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶ウェーハ処理装
置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシ
ャルウェーハの製造方法によれば、シリコン単結晶ウェ
ーハの主裏面にリフトピンの接触跡が付いてしまうこと
を抑制でき、外観の良いシリコン単結晶ウェーハを得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理装置の一例としての気相成長
装置を示す断面図である。
【図２】図１の気相成長装置のリフトピンが上昇した状
態を示す図である。
【図３】リフトピンのシリコン単結晶ウェーハに対する
接触端面付近を示す拡大図である。
【図４】シリコン単結晶ウェーハのリフトピンによる支
持箇所を示す平面図である。
【図５】リフトピンの下端部と該下端部を支持してリフ
トピンを上昇させる部材とを示す要部拡大図である。
【図６】リフトピン（変形例）のシリコン単結晶ウェー
ハに対する接触端面付近を示す拡大図である。
【図７】リフトピンをガイドする筒状部材を示す要部拡
大図である。
【図８】主裏面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン
単結晶ウェーハを示す側面図である。
【符号の説明】
１０ 気相成長装置（シリコン単結晶ウェーハ処理装
置） １２ サセプタ １３ サセプタ支持部材 １４ リフトピン １４ｄ 上面（接触端面） １９ シリコン単結晶ウェーハ ２１ 筒状部材 ３０ シリコン単結晶ウェーハ ３０ａ シリコン酸化膜
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Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理容器と、該処理容器内に配され上面
    にシリコン単結晶ウェーハが載置されるサセプタと、該
    サセプタに対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結
    晶ウェーハを下面側から支持した状態で前記昇降動作す
    るのに伴わせてサセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを
    着脱するためのリフトピンと、を備えるシリコン単結晶
    ウェーハ処理装置において、 前記リフトピンは、シリコン単結晶ウェーハの主裏面と
    の接触端面が、上に凸な曲面形状に形成されているとと
    もに、該接触端面に研磨が施されていることを特徴とす
    るシリコン単結晶ウェーハ処理装置。
  2. 【請求項２】 処理容器と、該処理容器内に配され上面
    にシリコン単結晶ウェーハが載置されるサセプタと、該
    サセプタに対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結
    晶ウェーハを下面側から支持した状態で前記昇降動作す
    るのに伴わせてサセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを
    着脱するためのリフトピンと、を備えるシリコン単結晶
    ウェーハ処理装置において、 前記リフトピンは、シリコン単結晶ウェーハの主裏面と
    の接触端面に研磨が施されていることを特徴とするシリ
    コン単結晶ウェーハ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記リフトピンの前記接触端面は、表面
    粗さ０．８μｍ以下に形成されていることを特徴とする
    請求項１又は２のシリコン単結晶ウェーハ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記リフトピンは、少なくとも前記接触
    端面がＳｉＣからなることを特徴とする請求項１〜３の
    いずれかに記載のシリコン単結晶ウェーハ処理装置。
  5. 【請求項５】 処理容器と、該処理容器内に配され上面
    にシリコン単結晶ウェーハが載置されるサセプタと、該
    サセプタに対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結
    晶ウェーハを下面側から支持した状態で前記昇降動作す
    るのに伴わせてサセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを
    着脱するためのリフトピンと、を備えるシリコン単結晶
    ウェーハ処理装置において、 前記リフトピンのシリコン単結晶ウェーハの主裏面への
    接触端面が、該シリコン単結晶ウェーハの主裏面に対し
    略平行状態で接することとなるように、該リフトピンを
    上昇動作の際に摺動ガイド可能な筒状部材が、前記サセ
    プタを支持するサセプタ支持部材より突出した状態で該
    サセプタ支持部材に固定的に設けられていることを特徴
    とするシリコン単結晶ウェーハ処理装置。
  6. 【請求項６】 鏡面加工が施された主裏面上に、傷発生
    防止用のシリコン酸化膜が形成されたことを特徴とする
    シリコン単結晶ウェーハ。
  7. 【請求項７】 少なくともシリコン単結晶ウェーハの主
    裏面を鏡面加工する第一鏡面加工工程と、シリコン単結
    晶ウェーハの主裏面にシリコン酸化膜を形成するシリコ
    ン酸化膜形成工程と、シリコン単結晶ウェーハの主表面
    を鏡面加工する第二鏡面加工工程と、サセプタ上にシリ
    コン単結晶ウェーハを着脱するリフトピンを備える気相
    成長装置を用いてシリコン単結晶ウェーハの主表面上に
    シリコンエピタキシャル層を気相成長する工程と、をこ
    の順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウ
    ェーハの製造方法。
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US10/489,918 US7214271B2 (en) 2001-09-27 2002-09-25 Silicon single crystal wafer process apparatus, silicon single crystal wafer, and manufacturing method of silicon epitaxial wafer
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313766A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Nikon Corp 基板保持装置及びステージ装置並びに露光装置
WO2009076346A3 (en) * 2007-12-12 2009-09-17 Applied Materials, Inc. Lift pin for substrate processing
JP2009224594A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JP2010016415A (ja) * 2004-06-01 2010-01-21 Applied Materials Inc 基板を支持するための方法及び装置
WO2014170929A1 (ja) * 2013-04-19 2014-10-23 テクノクオーツ株式会社 ウェ－ハ支持ピン
JP2014220427A (ja) * 2013-05-09 2014-11-20 信越半導体株式会社 ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2016154196A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト
JP2016225445A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
KR20170137917A (ko) * 2015-05-29 2017-12-13 가부시키가이샤 사무코 에피택셜 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀
JP2018507561A (ja) * 2015-03-19 2018-03-15 コミコ カンパニー リミテッドＫｏｍｉｃｏ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． リフトピン及びこの製造方法
KR101882902B1 (ko) * 2017-02-10 2018-07-30 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190026898A (ko) * 2016-07-13 2019-03-13 실트로닉 아게 에피택시 반응기에서의 반도체 웨이퍼를 취급하는 장치 및 에피택셜 층을 갖는 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법
JP2019169701A (ja) * 2018-01-25 2019-10-03 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ ハイブリッドリフトピン
CN111739820A (zh) * 2020-06-08 2020-10-02 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的反应腔室
JP2022122958A (ja) * 2018-02-12 2022-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 裏側の基板接触を減少させる基板移送機構
JP2024518965A (ja) * 2021-05-12 2024-05-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低質量基板支持体
KR102858783B1 (ko) * 2024-04-12 2025-09-11 주식회사 테스 리프트핀 어셈블리 및 기판처리장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1864245A (zh) * 2003-10-01 2006-11-15 信越半导体株式会社 硅外延片的制造方法及硅外延片
DE102005045337B4 (de) * 2005-09-22 2008-08-21 Siltronic Ag Epitaxierte Siliciumscheibe und Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben
DE102005045338B4 (de) * 2005-09-22 2009-04-02 Siltronic Ag Epitaxierte Siliciumscheibe und Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben
DE102005045339B4 (de) * 2005-09-22 2009-04-02 Siltronic Ag Epitaxierte Siliciumscheibe und Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben
NL2004153A (en) * 2009-02-24 2010-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, a method for removing material of one or more protrusions on a support surface, and an article support system.
US9123765B2 (en) * 2013-03-11 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Susceptor support shaft for improved wafer temperature uniformity and process repeatability
JP5602903B2 (ja) 2013-03-14 2014-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
KR101819095B1 (ko) * 2013-03-15 2018-01-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｅｐｉ 프로세스를 위한 균일성 튜닝 렌즈를 갖는 서셉터 지지 샤프트
JP5386046B1 (ja) * 2013-03-27 2014-01-15 エピクルー株式会社 サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置
US10431489B2 (en) 2013-12-17 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation
US10490436B2 (en) * 2015-11-04 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Enhanced lift pin design to eliminate local thickness non-uniformity in teos oxide films
US10446420B2 (en) 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
JP6998839B2 (ja) * 2018-06-25 2022-01-18 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
US11486038B2 (en) 2019-01-30 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Asymmetric injection for better wafer uniformity
JP2021012944A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板の受け渡し方法
JP7376693B2 (ja) 2019-09-09 2023-11-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理システムおよび反応体ガスを供給する方法
JP7400461B2 (ja) * 2019-12-26 2023-12-19 株式会社レゾナック サセプタ

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204535A (ja) 1986-03-04 1987-09-09 Nec Corp 半導体シリコンウエハ−の製造方法
JP3062307B2 (ja) 1991-07-31 2000-07-10 株式会社三共 遊技機
JPH0547906A (ja) 1991-08-08 1993-02-26 Hitachi Ltd 板状物保持手段およびそれを用いた装置
JPH06224281A (ja) 1992-01-14 1994-08-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ移載用治具
JP2586680Y2 (ja) * 1992-06-04 1998-12-09 東京応化工業株式会社 ホットプレート用リフトピン
JPH0742948B2 (ja) 1992-06-16 1995-05-15 株式会社神戸製鋼所 多段型オイルフリー圧縮機
JP3165938B2 (ja) 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
JPH0722489A (ja) * 1993-06-29 1995-01-24 Toshiba Corp ウェハーフォーク
JPH07153825A (ja) 1993-11-29 1995-06-16 Toto Ltd 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法
JPH08288190A (ja) 1995-04-19 1996-11-01 Hitachi Ltd 物品取扱部材およびその製造方法および収納容器ならびに物品取扱装置
JP3344205B2 (ja) 1996-03-28 2002-11-11 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
JPH09266175A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ
JP3055471B2 (ja) 1996-10-03 2000-06-26 日本電気株式会社 半導体基板の製造方法及びその製造装置
JP3693470B2 (ja) 1997-08-08 2005-09-07 東芝セラミックス株式会社 保護膜付きシリコンウェーハの製造方法およびその製造装置
JP3092801B2 (ja) 1998-04-28 2000-09-25 信越半導体株式会社 薄膜成長装置
US6596086B1 (en) * 1998-04-28 2003-07-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for thin film growth
US6146504A (en) * 1998-05-21 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate support and lift apparatus and method
JP2000077372A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相成長用半導体ウェーハの製造方法
JP4402763B2 (ja) 1999-05-13 2010-01-20 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 エピタキシャルウェーハ製造装置
JP3966664B2 (ja) 2000-02-24 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010016415A (ja) * 2004-06-01 2010-01-21 Applied Materials Inc 基板を支持するための方法及び装置
US8365682B2 (en) 2004-06-01 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for supporting substrates
JP2006313766A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Nikon Corp 基板保持装置及びステージ装置並びに露光装置
CN101897015B (zh) * 2007-12-12 2012-09-12 应用材料公司 衬底处理所用的举升销
US8256754B2 (en) 2007-12-12 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Lift pin for substrate processing
KR101519814B1 (ko) 2007-12-12 2015-05-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 처리를 위한 리프트 핀
WO2009076346A3 (en) * 2007-12-12 2009-09-17 Applied Materials, Inc. Lift pin for substrate processing
US8216920B2 (en) 2008-03-17 2012-07-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Silicon epitaxial wafer and manufacturing method thereof
JP2009224594A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
WO2014170929A1 (ja) * 2013-04-19 2014-10-23 テクノクオーツ株式会社 ウェ－ハ支持ピン
JPWO2014170929A1 (ja) * 2013-04-19 2017-02-16 テクノクオーツ株式会社 ウェ−ハ支持ピン
JP2014220427A (ja) * 2013-05-09 2014-11-20 信越半導体株式会社 ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2016154196A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト
JP2018507561A (ja) * 2015-03-19 2018-03-15 コミコ カンパニー リミテッドＫｏｍｉｃｏ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． リフトピン及びこの製造方法
US11208718B2 (en) 2015-05-29 2021-12-28 Sumco Corporation Epitaxial growth device, production method for epitaxial wafer, and lift pin for epitaxial growth device
KR102046811B1 (ko) * 2015-05-29 2019-11-20 가부시키가이샤 사무코 에피택셜 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀
JP2016225445A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
KR20170137917A (ko) * 2015-05-29 2017-12-13 가부시키가이샤 사무코 에피택셜 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀
KR102283740B1 (ko) * 2016-07-13 2021-08-02 실트로닉 아게 에피택시 반응기에서의 반도체 웨이퍼를 취급하는 장치 및 에피택셜 층을 갖는 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법
CN109478532B (zh) * 2016-07-13 2023-05-26 硅电子股份公司 在外延反应器中处理半导体晶片的设备和制备具有外延层的半导体晶片的方法
CN109478532A (zh) * 2016-07-13 2019-03-15 硅电子股份公司 在外延反应器中处理半导体晶片的设备和制备具有外延层的半导体晶片的方法
KR20190026898A (ko) * 2016-07-13 2019-03-13 실트로닉 아게 에피택시 반응기에서의 반도체 웨이퍼를 취급하는 장치 및 에피택셜 층을 갖는 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법
JP2019522904A (ja) * 2016-07-13 2019-08-15 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ エピタキシリアクタにおける半導体ウェハを操作するための装置およびエピタシャル層を有する半導体上ウェハを製造するための方法
KR101882902B1 (ko) * 2017-02-10 2018-07-30 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2019169701A (ja) * 2018-01-25 2019-10-03 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ ハイブリッドリフトピン
JP7448311B2 (ja) 2018-01-25 2024-03-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ハイブリッドリフトピン
JP2022122958A (ja) * 2018-02-12 2022-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 裏側の基板接触を減少させる基板移送機構
JP7544765B2 (ja) 2018-02-12 2024-09-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 裏側の基板接触を減少させる基板移送機構
CN111739820B (zh) * 2020-06-08 2023-05-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的反应腔室
CN111739820A (zh) * 2020-06-08 2020-10-02 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的反应腔室
JP2024518965A (ja) * 2021-05-12 2024-05-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低質量基板支持体
JP7734211B2 (ja) 2021-05-12 2025-09-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低質量基板支持体
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