JPH04258109A - Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法Info
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- JPH04258109A JPH04258109A JP3039030A JP3903091A JPH04258109A JP H04258109 A JPH04258109 A JP H04258109A JP 3039030 A JP3039030 A JP 3039030A JP 3903091 A JP3903091 A JP 3903091A JP H04258109 A JPH04258109 A JP H04258109A
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- ray
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィーに
利用するＸ線露光装置及びＸ線露光方法に関し、更に詳
しくは、Ｘ線露光時の帯電を防止し、露光時に発生する
光電子やオージェ電子を有効に除去出来るＸ線露光装置
及びＸ線露光方法に関する。
利用するＸ線露光装置及びＸ線露光方法に関し、更に詳
しくは、Ｘ線露光時の帯電を防止し、露光時に発生する
光電子やオージェ電子を有効に除去出来るＸ線露光装置
及びＸ線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化及び高
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約３年間で７０
％に縮小される傾向にある。又、大容量メモリ素子（例
えば４ＭＤＲＡＭ）の更なる集積化により、１６Ｍｂｉ
ｔ容量のもの等では０．５μｍルールのデバイス設計が
行われる様になってきた。これに伴い焼付け装置にも一
層の高性能化が要求され、転写可能な最小線幅が０．５
μｍ以下という高性能が要求され始めてきている。この
為、露光光源波長としてＸ線領域（２〜２０Å）の光を
利用したステッパが開発されつつある。これらのＸ線露
光装置を用いるプロセスでは、金属、セラミックス酸化
物等が付加されているＸ線被露光基板上にレジストパタ
ーンを形成するものであり、レジストのすぐ下の材料は
導電体であったり不導電体であったりし、その形状も段
差があるもの又はないもの等様々な形態が考えられる。 又、Ｘ線露光装置を用いる様なプロセスでは、高解像、
ハイアスペクトのレジストパターンが要求される為、使
用されるレジストには、ポリメチルメタクリレート（Ｐ
ＭＭＡ）、化学増幅型レジスト（メインポリマーはノボ
ラック）等のポリマーが用いられている。
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約３年間で７０
％に縮小される傾向にある。又、大容量メモリ素子（例
えば４ＭＤＲＡＭ）の更なる集積化により、１６Ｍｂｉ
ｔ容量のもの等では０．５μｍルールのデバイス設計が
行われる様になってきた。これに伴い焼付け装置にも一
層の高性能化が要求され、転写可能な最小線幅が０．５
μｍ以下という高性能が要求され始めてきている。この
為、露光光源波長としてＸ線領域（２〜２０Å）の光を
利用したステッパが開発されつつある。これらのＸ線露
光装置を用いるプロセスでは、金属、セラミックス酸化
物等が付加されているＸ線被露光基板上にレジストパタ
ーンを形成するものであり、レジストのすぐ下の材料は
導電体であったり不導電体であったりし、その形状も段
差があるもの又はないもの等様々な形態が考えられる。 又、Ｘ線露光装置を用いる様なプロセスでは、高解像、
ハイアスペクトのレジストパターンが要求される為、使
用されるレジストには、ポリメチルメタクリレート（Ｐ
ＭＭＡ）、化学増幅型レジスト（メインポリマーはノボ
ラック）等のポリマーが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記の如きレジストは高解像力等を満たすレジストである
ものの電気的には絶縁性の高い材料であり、又、レジス
トが塗布される基板も電気的には絶縁性の高い材料（例
えば酸化シリコン）等である場合も考えられ、レジスト
と基板、即ち被露光基板が電気的に高い絶縁性を有する
場合がある。又、Ｘ線露光装置では、従来の光に比べて
高エネルギーを持つＸ線を光源として用いる為、被露光
基板から光電子及びオージェ電子が発生する。更に、Ｘ
線露光装置では、Ｘ線の強度が低下しない様にヘリウム
雰囲気となっている場合があるが、この様な乾燥雰囲気
内でＸ線の露光を行うと露光時に被露光基板と気体の摩
擦による静電気が発生する。一方、Ｘ線露光時には、Ｘ
線マスク面と被露光基板との間のギャップは１０〜数１
０μｍの範囲の一定値に保たれている必要がある。従っ
て、以上の様なＸ線露光装置においてはＸ線露光を行う
と、レジスト表面が帯電され、一方、マスク面と被露光
基板との間のギャップが少ない為、マスク面とレジスト
表面とが接触して放電し、マスク面やレジスト表面が傷
付けられたり破損するという問題が生じる。更に、放出
される光電子やオージェ電子等の影響でレジストが過剰
露光され、微細パターン形成時に寸法精度等に狂い等を
生じるという問題も発生する。従って本発明の目的は、
上記従来技術の問題点を解決し、帯電防止性や寸法精度
に優れたＸ線露光装置及びＸ線露光方法を提供すること
である。
記の如きレジストは高解像力等を満たすレジストである
ものの電気的には絶縁性の高い材料であり、又、レジス
トが塗布される基板も電気的には絶縁性の高い材料（例
えば酸化シリコン）等である場合も考えられ、レジスト
と基板、即ち被露光基板が電気的に高い絶縁性を有する
場合がある。又、Ｘ線露光装置では、従来の光に比べて
高エネルギーを持つＸ線を光源として用いる為、被露光
基板から光電子及びオージェ電子が発生する。更に、Ｘ
線露光装置では、Ｘ線の強度が低下しない様にヘリウム
雰囲気となっている場合があるが、この様な乾燥雰囲気
内でＸ線の露光を行うと露光時に被露光基板と気体の摩
擦による静電気が発生する。一方、Ｘ線露光時には、Ｘ
線マスク面と被露光基板との間のギャップは１０〜数１
０μｍの範囲の一定値に保たれている必要がある。従っ
て、以上の様なＸ線露光装置においてはＸ線露光を行う
と、レジスト表面が帯電され、一方、マスク面と被露光
基板との間のギャップが少ない為、マスク面とレジスト
表面とが接触して放電し、マスク面やレジスト表面が傷
付けられたり破損するという問題が生じる。更に、放出
される光電子やオージェ電子等の影響でレジストが過剰
露光され、微細パターン形成時に寸法精度等に狂い等を
生じるという問題も発生する。従って本発明の目的は、
上記従来技術の問題点を解決し、帯電防止性や寸法精度
に優れたＸ線露光装置及びＸ線露光方法を提供すること
である。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明に
よって達成される。即ち、本発明は、Ｘ線光源部、Ｘ線
マスク部、Ｘ線被露光基板及び該基板を固定する手段と
からなるＸ線露光装置において、上記Ｘ線被露光基板の
最外周が導電部であり且つ該基板上に少なくとも一層の
電気導電性の高い膜を有し、且つ上記基板を所定位置に
固定する手段の少なくとも１部に基板の厚さよりも小さ
い導電部を有し、これらの導電部が夫々電気的に接触す
る様に形成されていることを特徴とするＸ線露光装置及
びこれを用いたＸ線露光方法である。
よって達成される。即ち、本発明は、Ｘ線光源部、Ｘ線
マスク部、Ｘ線被露光基板及び該基板を固定する手段と
からなるＸ線露光装置において、上記Ｘ線被露光基板の
最外周が導電部であり且つ該基板上に少なくとも一層の
電気導電性の高い膜を有し、且つ上記基板を所定位置に
固定する手段の少なくとも１部に基板の厚さよりも小さ
い導電部を有し、これらの導電部が夫々電気的に接触す
る様に形成されていることを特徴とするＸ線露光装置及
びこれを用いたＸ線露光方法である。
【０００５】
【作用】本発明のＸ線露光装置は、露光時の静電気の発
生や高エネルギーのＸ線により被露光基板から発生する
光電子及びオージェ電子が、Ｘ線被露光基板上の導電性
膜に吸収された後、該基板の最外周に設けられた導電部
、基板の固定手段に設けられた導電部を通って外部へ流
れる構成となっており、且つ、被露光基板の厚さよりも
基板の固定手段に設けられた導電部が小さい為、Ｘ線マ
スク面と被露光基板との間のプロキシミティギャップを
一定値に保ちつつＸ線を露光することが出来、且つＸ線
露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、その
結果Ｘ線マスクと基板とが接触し放電することがなくな
り、Ｘ線マスクや基板の破損を防止出来る。又、放出さ
れる光電子及びオージェ電子の影響でレジストが過剰露
光されることも防止出来る為、寸法精度よくレジストパ
ターンを形成することが出来る。
生や高エネルギーのＸ線により被露光基板から発生する
光電子及びオージェ電子が、Ｘ線被露光基板上の導電性
膜に吸収された後、該基板の最外周に設けられた導電部
、基板の固定手段に設けられた導電部を通って外部へ流
れる構成となっており、且つ、被露光基板の厚さよりも
基板の固定手段に設けられた導電部が小さい為、Ｘ線マ
スク面と被露光基板との間のプロキシミティギャップを
一定値に保ちつつＸ線を露光することが出来、且つＸ線
露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、その
結果Ｘ線マスクと基板とが接触し放電することがなくな
り、Ｘ線マスクや基板の破損を防止出来る。又、放出さ
れる光電子及びオージェ電子の影響でレジストが過剰露
光されることも防止出来る為、寸法精度よくレジストパ
ターンを形成することが出来る。
【０００６】
【実施例】以下、図面を使用して本発明の実施例を説明
する。
する。
【０００７】実施例１
図１は本発明のＸ線露光装置の断面を図解的に説明する
図である。本露光装置は、図１に示した様に、被露光基
板２とそれを固定する手段である基板チャック３との間
に電気的接点４を有しており、更に、基板チャック３は
チャンバー１と導通している。又、Ｘ線マスク５の一側
面部と、マスクチャック６の一部を構成するＸ線マスク
の位置決めを行うブロック７との間に電気的接点を有し
、更に、ブロック部７とチャンバー１とは導通しており
、チャンバー１がアース電位となっている。尚、チャン
バー１内はヘリウム雰囲気であり、その圧力は１００ｔ
ｏｒｒ程度となっている。
図である。本露光装置は、図１に示した様に、被露光基
板２とそれを固定する手段である基板チャック３との間
に電気的接点４を有しており、更に、基板チャック３は
チャンバー１と導通している。又、Ｘ線マスク５の一側
面部と、マスクチャック６の一部を構成するＸ線マスク
の位置決めを行うブロック７との間に電気的接点を有し
、更に、ブロック部７とチャンバー１とは導通しており
、チャンバー１がアース電位となっている。尚、チャン
バー１内はヘリウム雰囲気であり、その圧力は１００ｔ
ｏｒｒ程度となっている。
【０００８】図２は、図１に示した被露光基板２とそれ
を固定する手段である基板チャック３の部分拡大図であ
る。被露光基板２１は最外周に導電部２２をもつＳｉウ
エハーである。この導電部２２は、銅を１０μｍの厚さ
に部分蒸着することにより形成される。被露光基板２１
の形成材料としては本実施例で使用したＳｉウエハーが
よく用いられるが、これ以外にも、ＧａＡｓ基板やガラ
ス基板、又はＳｉウエハー上に金属、セラミックス、酸
化物等が付着及び加工されたものも使用出来る。又、２
４はＸ線レジストであり、ここでは化学増幅型レジスト
ＲＡＹ−ＰＮ（商品名：ヘキスト社製）を用いた。但し
、導電部２２のある最外周部はエッジリンスを行いレジ
スト２４を取り除いておく。その上に積層する導電膜２
３は、アルカリ可溶型の導電性高分子を用いて形成する
。ここではテトラシアノキジメタン（ＴＣＮＱ）錯体と
メタクリレート樹脂からなるポリマーを用いた。２５は
基板チャックであり、Ａｌからなるが、この他、ステン
レス等の金属やアルミナ等のセラミックスも使用出来る
。この基板チャック２５上にはアースバネ２６があり、
図２に示す様に導電部２２に接して形成する。アースバ
ネ２６の形成材質としては、リン青銅、ステンレス等で
よい。又、その形状は、図２に示す様に導電部２２と接
触する部分は導電部２２を傷付けない様に接触端が曲面
になっている。しかし、これに限らずアースバネ２６の
材質及び形状としては、導電性があり、且つ導電部２２
及びレジストを傷付けなければこれらの限りではない。 又、２６をアースバネと呼んだがバネ性のないピン等で
あってもかまわない。しかし、Ｘ線露光はプロキシミテ
ィー露光の為、Ｘ線マスク５と被露光基板２との間隔は
、１０〜５０μｍ程度の定まった値に固定されなければ
ならない。この為アースバネ２６の大きさは、基板２１
の厚みよりも小さいものでなければならない。従って、
Ｘ線被露光基板２１の形成に規格通りのＳｉウエハーを
用いればその厚さは通常、４ｉｎｃｈ ウエハーであ
れば５２５μｍ、６ｉｎｃｈ ウエハーであれば６７
５μｍ、８ｉｎｃｈ ウエハーであれば７２５μｍで
あるから、アースバネ２６の大きさは、ピンの先の球の
直径が０．５ｍｍ以下であればよい。又、用いる基板２
１の厚さによりピンを交換することも出来る。
を固定する手段である基板チャック３の部分拡大図であ
る。被露光基板２１は最外周に導電部２２をもつＳｉウ
エハーである。この導電部２２は、銅を１０μｍの厚さ
に部分蒸着することにより形成される。被露光基板２１
の形成材料としては本実施例で使用したＳｉウエハーが
よく用いられるが、これ以外にも、ＧａＡｓ基板やガラ
ス基板、又はＳｉウエハー上に金属、セラミックス、酸
化物等が付着及び加工されたものも使用出来る。又、２
４はＸ線レジストであり、ここでは化学増幅型レジスト
ＲＡＹ−ＰＮ（商品名：ヘキスト社製）を用いた。但し
、導電部２２のある最外周部はエッジリンスを行いレジ
スト２４を取り除いておく。その上に積層する導電膜２
３は、アルカリ可溶型の導電性高分子を用いて形成する
。ここではテトラシアノキジメタン（ＴＣＮＱ）錯体と
メタクリレート樹脂からなるポリマーを用いた。２５は
基板チャックであり、Ａｌからなるが、この他、ステン
レス等の金属やアルミナ等のセラミックスも使用出来る
。この基板チャック２５上にはアースバネ２６があり、
図２に示す様に導電部２２に接して形成する。アースバ
ネ２６の形成材質としては、リン青銅、ステンレス等で
よい。又、その形状は、図２に示す様に導電部２２と接
触する部分は導電部２２を傷付けない様に接触端が曲面
になっている。しかし、これに限らずアースバネ２６の
材質及び形状としては、導電性があり、且つ導電部２２
及びレジストを傷付けなければこれらの限りではない。 又、２６をアースバネと呼んだがバネ性のないピン等で
あってもかまわない。しかし、Ｘ線露光はプロキシミテ
ィー露光の為、Ｘ線マスク５と被露光基板２との間隔は
、１０〜５０μｍ程度の定まった値に固定されなければ
ならない。この為アースバネ２６の大きさは、基板２１
の厚みよりも小さいものでなければならない。従って、
Ｘ線被露光基板２１の形成に規格通りのＳｉウエハーを
用いればその厚さは通常、４ｉｎｃｈ ウエハーであ
れば５２５μｍ、６ｉｎｃｈ ウエハーであれば６７
５μｍ、８ｉｎｃｈ ウエハーであれば７２５μｍで
あるから、アースバネ２６の大きさは、ピンの先の球の
直径が０．５ｍｍ以下であればよい。又、用いる基板２
１の厚さによりピンを交換することも出来る。
【０００９】本発明のＸ線露光方法においては、上記の
Ｘ線露光装置を使用し、図１に示した様に、マスク５の
裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが被露光
基板２、即ち図２のレジスト膜２４に転写される。本発
明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図２に示す
構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２から発生
する光電子及びオージェ電子等は、導電膜２３に吸収さ
れた後、導電部２２、アースバネ２６、基板チャック２
５を通って、チャンバー１へと流れていく。又、Ｘ線マ
スク５から発生する電子も同様に、マスク導電膜、ブロ
ック７、マスクチャック６を通って、チャンバー１へと
流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置は、前記し
た様に基板２１の厚さよりもピン先が小さいアースバネ
２６を用いている為、マスク面と被露光基板との間のプ
ロキシミティギャップを一定値に保ちつつＸ線を露光す
ることが出来、且つ、Ｘ線露光時に発生するレジスト膜
面の帯電が防止され、その結果Ｘ線マスクと基板とが接
触し放電することがなくなり、Ｘ線マスクや基板の破損
を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も防ぐことが
出来る為、寸法精度よくレジストパターンを形成するこ
とが出来た。尚、レジスト膜２４の現像にはアルカリの
液を用いる為、導電膜２３は同時に剥離される。
Ｘ線露光装置を使用し、図１に示した様に、マスク５の
裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが被露光
基板２、即ち図２のレジスト膜２４に転写される。本発
明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図２に示す
構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２から発生
する光電子及びオージェ電子等は、導電膜２３に吸収さ
れた後、導電部２２、アースバネ２６、基板チャック２
５を通って、チャンバー１へと流れていく。又、Ｘ線マ
スク５から発生する電子も同様に、マスク導電膜、ブロ
ック７、マスクチャック６を通って、チャンバー１へと
流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置は、前記し
た様に基板２１の厚さよりもピン先が小さいアースバネ
２６を用いている為、マスク面と被露光基板との間のプ
ロキシミティギャップを一定値に保ちつつＸ線を露光す
ることが出来、且つ、Ｘ線露光時に発生するレジスト膜
面の帯電が防止され、その結果Ｘ線マスクと基板とが接
触し放電することがなくなり、Ｘ線マスクや基板の破損
を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も防ぐことが
出来る為、寸法精度よくレジストパターンを形成するこ
とが出来た。尚、レジスト膜２４の現像にはアルカリの
液を用いる為、導電膜２３は同時に剥離される。
【００１０】実施例２
図３は、本発明の別の実施例であるＸ線露光装置内の被
露光基板２とそれを固定する手段である基板チャック３
の部分拡大図である。被露光基板３１は実施例１と同様
の最外周に導電部３２を持つＳｉウエハーである。導電
部３２は、１００ｋｅＶのＡｕ＋ 集束イオンビームを
用い、イオン注入することにより形成される。この際に
使用するイオンとしては、この他ベリリウムイオン、ガ
リリウムイオン、ゲルマニウムイオン、すずイオン、ア
ルミニウムイオン、銅イオン、パラジウムイオン、砒素
イオン、硼素イオン等、集束イオンビームとして利用出
来るものならどの様なものを用いてもよい。Ｘ線露光装
置、Ｘ線レジスト３４、導電膜３３、基板チャック３５
、アースバネ３６等は実施例１と同様のものを用いる。
露光基板２とそれを固定する手段である基板チャック３
の部分拡大図である。被露光基板３１は実施例１と同様
の最外周に導電部３２を持つＳｉウエハーである。導電
部３２は、１００ｋｅＶのＡｕ＋ 集束イオンビームを
用い、イオン注入することにより形成される。この際に
使用するイオンとしては、この他ベリリウムイオン、ガ
リリウムイオン、ゲルマニウムイオン、すずイオン、ア
ルミニウムイオン、銅イオン、パラジウムイオン、砒素
イオン、硼素イオン等、集束イオンビームとして利用出
来るものならどの様なものを用いてもよい。Ｘ線露光装
置、Ｘ線レジスト３４、導電膜３３、基板チャック３５
、アースバネ３６等は実施例１と同様のものを用いる。
【００１１】又、実施例１と同様に図１に示す様にマス
ク５の裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが
被露光基板２、即ち図３のレジスト膜３４に転写される
。本発明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図３
に示す構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２か
ら発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜３３に
吸収された後、導電部３２、アースバネ３６、基板チャ
ック３５を通って、チャンバー１へと流れていく。 又、Ｘ線マスク５から発生する電子も同様に、マスク導
電膜、ブロック７、マスクチャック６を通って、チャン
バー１へと流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置
は、前記した様に被露光基板３１の厚さよりもピン先が
小さいアースバネ３６を用いている為、Ｘ線マスク面と
被露光基板との間のプロキシミティギャップを一定値に
保ちつつＸ線を露光することが出来、且つ、Ｘ線露光時
に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、その結果Ｘ
線マスクと基板とが接触し放電することがなくなり、Ｘ
線マスクや基板の破損を防止出来る。更に、レジストの
過剰露光も防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジスト
パターンを形成することが出来た。尚、レジスト膜３４
の現像にはアルカリの液を用いる為、導電膜３３は同時
に剥離される。
ク５の裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが
被露光基板２、即ち図３のレジスト膜３４に転写される
。本発明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図３
に示す構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２か
ら発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜３３に
吸収された後、導電部３２、アースバネ３６、基板チャ
ック３５を通って、チャンバー１へと流れていく。 又、Ｘ線マスク５から発生する電子も同様に、マスク導
電膜、ブロック７、マスクチャック６を通って、チャン
バー１へと流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置
は、前記した様に被露光基板３１の厚さよりもピン先が
小さいアースバネ３６を用いている為、Ｘ線マスク面と
被露光基板との間のプロキシミティギャップを一定値に
保ちつつＸ線を露光することが出来、且つ、Ｘ線露光時
に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、その結果Ｘ
線マスクと基板とが接触し放電することがなくなり、Ｘ
線マスクや基板の破損を防止出来る。更に、レジストの
過剰露光も防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジスト
パターンを形成することが出来た。尚、レジスト膜３４
の現像にはアルカリの液を用いる為、導電膜３３は同時
に剥離される。
【００１２】実施例３
図４は、本発明の別の実施例であるＸ線露光装置内の被
露光基板２とそれを固定する手段である基板チャック３
の部分断面図である。被露光基板４１は最外周に導電部
４２をもつＳｉウエハーである。又、この導電部４２は
、ニッケルを１００μｍの厚さに部分めっきして形成さ
れる。４３は導電膜であり、カーボンにより形成する。 導電膜４３の形成にはこの様な無機物が主に使われるが
、塗布型の導電性ポリマー（例えばポリ塩化ビニルベン
ジルトリメチルアンモニウム塩）等、有機物を用いるこ
とも出来る。４４はＸ線に感光するレジスト膜であり、
本実施例ではＳｉ含有レジストＳＮＲ（商品名：東洋曹
達社製）を用いる。Ｘ線露光装置、基板チャック４５、
アースバネ４６等は実施例１と同様のものを用いる。
露光基板２とそれを固定する手段である基板チャック３
の部分断面図である。被露光基板４１は最外周に導電部
４２をもつＳｉウエハーである。又、この導電部４２は
、ニッケルを１００μｍの厚さに部分めっきして形成さ
れる。４３は導電膜であり、カーボンにより形成する。 導電膜４３の形成にはこの様な無機物が主に使われるが
、塗布型の導電性ポリマー（例えばポリ塩化ビニルベン
ジルトリメチルアンモニウム塩）等、有機物を用いるこ
とも出来る。４４はＸ線に感光するレジスト膜であり、
本実施例ではＳｉ含有レジストＳＮＲ（商品名：東洋曹
達社製）を用いる。Ｘ線露光装置、基板チャック４５、
アースバネ４６等は実施例１と同様のものを用いる。
【００１３】又、実施例１と同様に図１に示す様にマス
ク５の裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが
被露光基板２、即ち図４のレジスト膜４４に転写される
。本発明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図４
に示す構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２か
ら発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜４３に
吸収された後、導電部４２、アースバネ４６、基板チャ
ック４５を通って、チャンバー１へと流れていく。 又、Ｘ線マスク５から発生する電子も同様に、マスク導
電膜、ブロック７、マスクチャック６を通って、チャン
バー１へと流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置
は、前記した様に基板４１の厚さよりもピン先が小さい
アースバネ４６を用いている為、マスク面と被露光基板
との間のプロキシミティギャップを一定値に保ちつつＸ
線を露光することが出来、且つ、Ｘ線露光時に発生する
レジスト膜面の帯電が防止され、その結果Ｘ線マスクと
基板とが接触し放電することがなくなり、Ｘ線マスクや
基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も
防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを
形成することが出来た。尚、導電膜４２はその材料に最
適な方法によりその後エッチングする。この実施例で用
いたカーボンの場合には、酸素プラズマを用いてエッチ
ングする。この場合、導電膜４２はレジストパターンの
形状に沿ってエッチングされ、レジスト膜の一部として
次のプロセスに利用される。
ク５の裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが
被露光基板２、即ち図４のレジスト膜４４に転写される
。本発明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図４
に示す構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２か
ら発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜４３に
吸収された後、導電部４２、アースバネ４６、基板チャ
ック４５を通って、チャンバー１へと流れていく。 又、Ｘ線マスク５から発生する電子も同様に、マスク導
電膜、ブロック７、マスクチャック６を通って、チャン
バー１へと流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置
は、前記した様に基板４１の厚さよりもピン先が小さい
アースバネ４６を用いている為、マスク面と被露光基板
との間のプロキシミティギャップを一定値に保ちつつＸ
線を露光することが出来、且つ、Ｘ線露光時に発生する
レジスト膜面の帯電が防止され、その結果Ｘ線マスクと
基板とが接触し放電することがなくなり、Ｘ線マスクや
基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も
防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを
形成することが出来た。尚、導電膜４２はその材料に最
適な方法によりその後エッチングする。この実施例で用
いたカーボンの場合には、酸素プラズマを用いてエッチ
ングする。この場合、導電膜４２はレジストパターンの
形状に沿ってエッチングされ、レジスト膜の一部として
次のプロセスに利用される。
【００１４】実施例４
図５は、本発明の別の実施例であるＸ線露光装置内の被
露光基板の部分断面図である。基板５１は実施例１と同
様の最外周に導電部５２をもつＳｉウエハーである。 又、この導電部５２は２００ｋｅＶのＢｅ２＋集束イオ
ンビームを注入することにより形成される。基板５１上
には多層レジストの下層となる５７がある。本実施例で
は５７はポリイミドから形成したが、ノボラック樹脂等
のポリマーを用いることも出来る。但し、塗布の際に導
電部５２のある最外周は、エッジリンスにより取り除く
。 この５７の上には多層レジストの中間層にあたる導電膜
５３が形成される。この導電膜５３の形成にはＴｉ等の
金属が主に使用される。更にその上に、Ｘ線レジスト５
４が例えばＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）が塗
布される。基板チャック５５、アースバネ５６は実施例
１と同様のものが用いられる。
露光基板の部分断面図である。基板５１は実施例１と同
様の最外周に導電部５２をもつＳｉウエハーである。 又、この導電部５２は２００ｋｅＶのＢｅ２＋集束イオ
ンビームを注入することにより形成される。基板５１上
には多層レジストの下層となる５７がある。本実施例で
は５７はポリイミドから形成したが、ノボラック樹脂等
のポリマーを用いることも出来る。但し、塗布の際に導
電部５２のある最外周は、エッジリンスにより取り除く
。 この５７の上には多層レジストの中間層にあたる導電膜
５３が形成される。この導電膜５３の形成にはＴｉ等の
金属が主に使用される。更にその上に、Ｘ線レジスト５
４が例えばＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）が塗
布される。基板チャック５５、アースバネ５６は実施例
１と同様のものが用いられる。
【００１５】又、実施例１と同様に図１に示す様にマス
ク５の裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが
被露光基板２、即ち図５のレジスト膜５４に転写される
。本発明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図５
に示す構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２か
ら発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜５３に
吸収された後、導電部５２、アースバネ５６、基板チャ
ック５５を通って、チャンバー１へと流れていく。 又、Ｘ線マスク５から発生する電子も同様に、マスク導
電膜、ブロック７、マスクチャック６を通って、チャン
バー１へと流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置
は、前記した様に基板５１の厚さよりもピン先が小さい
アースバネ５６を用いている為、マスク面と被露光基板
との間のプロキシミティギャップを一定値に保ちつつＸ
線を露光することが出来、且つ、Ｘ線露光時に発生する
レジスト膜面の帯電が防止され、その結果Ｘ線マスクと
基板とが接触し放電することがなくなり、Ｘ線マスクや
基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も
防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを
形成することが出来た。尚、導電膜５３はその材料に最
適な方法によりその後エッチングする。この実施例で用
いたＴｉの場合には、ＣＦ４ ガスを用いたプラズマを
用いてエッチングする。更に、酸素プラズマによりポリ
マー５７もエッチングする。本実施例の場合、ポリマー
５７が次のプロセスでレジストとしての作用を果たす為
、ポリマー５７のパターン形成後は導電膜５２はその後
のプロセスにより除去されたりされなかったりする。
ク５の裏面からＸ線が照射され、マスク上のパターンが
被露光基板２、即ち図５のレジスト膜５４に転写される
。本発明のＸ線露光装置においては被露光基板２が図５
に示す構成を有する為、Ｘ線露光の際に被露光基板２か
ら発生する光電子及びオージェ電子等は、導電膜５３に
吸収された後、導電部５２、アースバネ５６、基板チャ
ック５５を通って、チャンバー１へと流れていく。 又、Ｘ線マスク５から発生する電子も同様に、マスク導
電膜、ブロック７、マスクチャック６を通って、チャン
バー１へと流れていく。この様に本発明のＸ線露光装置
は、前記した様に基板５１の厚さよりもピン先が小さい
アースバネ５６を用いている為、マスク面と被露光基板
との間のプロキシミティギャップを一定値に保ちつつＸ
線を露光することが出来、且つ、Ｘ線露光時に発生する
レジスト膜面の帯電が防止され、その結果Ｘ線マスクと
基板とが接触し放電することがなくなり、Ｘ線マスクや
基板の破損を防止出来る。更に、レジストの過剰露光も
防ぐことが出来る為、寸法精度よくレジストパターンを
形成することが出来た。尚、導電膜５３はその材料に最
適な方法によりその後エッチングする。この実施例で用
いたＴｉの場合には、ＣＦ４ ガスを用いたプラズマを
用いてエッチングする。更に、酸素プラズマによりポリ
マー５７もエッチングする。本実施例の場合、ポリマー
５７が次のプロセスでレジストとしての作用を果たす為
、ポリマー５７のパターン形成後は導電膜５２はその後
のプロセスにより除去されたりされなかったりする。
【００１６】実施例５
図６は、本発明の別の実施例であるＸ線露光装置内の被
露光基板の部分断面図である。基板６１、導電部６２、
基板チャック６５、アースバネ６６は実施例１と同様の
ものを用いた。６３はＸ線レジストであり、且つ導電膜
である導電性レジストである。ここでは４級アンモニウ
ム塩をもったポリスチレンを用いた。又、実施例１と同
様に図１に示す様にマスク５の裏面からＸ線が照射され
、マスク上のパターンが被露光基板２、即ち図６のレジ
スト膜６３に転写される。本発明のＸ線露光装置におい
ては被露光基板２が図６に示す構成を有する為、Ｘ線露
光の際に被露光基板２から発生する光電子及びオージェ
電子等は、導電性レジスト膜６３に吸収された後、導電
部６２、アースバネ６６、基板チャック６５を通って、
チャンバー１へと流れていく。又、Ｘ線マスク５から発
生する電子も同様にマスク導電膜、ブロック７、マスク
チャック６を通って、チャンバー１へと流れていく。こ
の様に本発明のＸ線露光装置は、前記した様に基板６１
の厚さよりもピン先が小さいアースバネ６６を用いてい
る為、マスク面と被露光基板との間のプロキシミティギ
ャップを一定値に保ちつつＸ線を露光することが出来、
Ｘ線露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、
その結果Ｘ線マスクと基板とが接触し放電することがな
くなり、マスクや基板の破損を防止出来る。更に、レジ
ストの過剰露光も防ぐことが出来る為、寸法精度よくレ
ジストパターンを形成することが出来た。
露光基板の部分断面図である。基板６１、導電部６２、
基板チャック６５、アースバネ６６は実施例１と同様の
ものを用いた。６３はＸ線レジストであり、且つ導電膜
である導電性レジストである。ここでは４級アンモニウ
ム塩をもったポリスチレンを用いた。又、実施例１と同
様に図１に示す様にマスク５の裏面からＸ線が照射され
、マスク上のパターンが被露光基板２、即ち図６のレジ
スト膜６３に転写される。本発明のＸ線露光装置におい
ては被露光基板２が図６に示す構成を有する為、Ｘ線露
光の際に被露光基板２から発生する光電子及びオージェ
電子等は、導電性レジスト膜６３に吸収された後、導電
部６２、アースバネ６６、基板チャック６５を通って、
チャンバー１へと流れていく。又、Ｘ線マスク５から発
生する電子も同様にマスク導電膜、ブロック７、マスク
チャック６を通って、チャンバー１へと流れていく。こ
の様に本発明のＸ線露光装置は、前記した様に基板６１
の厚さよりもピン先が小さいアースバネ６６を用いてい
る為、マスク面と被露光基板との間のプロキシミティギ
ャップを一定値に保ちつつＸ線を露光することが出来、
Ｘ線露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止され、
その結果Ｘ線マスクと基板とが接触し放電することがな
くなり、マスクや基板の破損を防止出来る。更に、レジ
ストの過剰露光も防ぐことが出来る為、寸法精度よくレ
ジストパターンを形成することが出来た。
【００１７】
【効果】以上の様に本発明のＸ線露光装置は、露光時の
静電気や高エネルギーのＸ線により被露光基板から発生
する光電子及びオージェ電子が、Ｘ線被露光基板上の電
気導電性膜に吸収された後、該基板の最外周に設けられ
た導電部、基板の固定手段に設けられた導電部を通って
外部へ流れる構成となっており、且つ、被露光基板の厚
さよりも基板の固定手段に設けられた導電部が小さい為
、Ｘ線マスク面と被露光基板との間のプロキシミティギ
ャップを一定値に保ちつつＸ線を露光することが出来、
且つ、Ｘ線露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止
され、その結果Ｘ線マスクと基板とが接触し放電するこ
とがなくなり、Ｘ線マスクや基板の破損を防止出来る。 又、放出される光電子及びオージェ電子の影響でレジス
トが過剰露光されることも防止出来る為、寸法精度よく
レジストパターンを形成することが出来る。
静電気や高エネルギーのＸ線により被露光基板から発生
する光電子及びオージェ電子が、Ｘ線被露光基板上の電
気導電性膜に吸収された後、該基板の最外周に設けられ
た導電部、基板の固定手段に設けられた導電部を通って
外部へ流れる構成となっており、且つ、被露光基板の厚
さよりも基板の固定手段に設けられた導電部が小さい為
、Ｘ線マスク面と被露光基板との間のプロキシミティギ
ャップを一定値に保ちつつＸ線を露光することが出来、
且つ、Ｘ線露光時に発生するレジスト膜面の帯電が防止
され、その結果Ｘ線マスクと基板とが接触し放電するこ
とがなくなり、Ｘ線マスクや基板の破損を防止出来る。 又、放出される光電子及びオージェ電子の影響でレジス
トが過剰露光されることも防止出来る為、寸法精度よく
レジストパターンを形成することが出来る。
【００１５】
【図１】本発明のＸ線露光装置の断面図である。
【図２】本発明の実施例のＸ線露光装置のＸ線被露光基
板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図３】本発明の別の実施例のＸ線露光装置のＸ線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図４】本発明の別の実施例のＸ線露光装置のＸ線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図５】本発明の別の実施例のＸ線露光装置のＸ線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【図６】本発明の別の実施例のＸ線露光装置のＸ線被露
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
光基板及び該基板を固定する手段の部分断面図である。
【符号の説明】
１：チャンバー
２、２１、３１、４１、５１、６１：Ｘ線被露光基板３
、２５、３５、４５、５５、６５：基板チャック４、２
６、３６、４６、５６、６６：アースバネ又はピン ２２、３２、４２、５２、６２：導電部２３、３３、４
３、５３、６３：導電性膜２４、３４、４４、５４、６
３：レジスト５：Ｘ線マスク ６：マスクチャック ７：ブロック
、２５、３５、４５、５５、６５：基板チャック４、２
６、３６、４６、５６、６６：アースバネ又はピン ２２、３２、４２、５２、６２：導電部２３、３３、４
３、５３、６３：導電性膜２４、３４、４４、５４、６
３：レジスト５：Ｘ線マスク ６：マスクチャック ７：ブロック
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線光源部、Ｘ線マスク部、Ｘ線被露
光基板及び該基板を固定する手段とからなるＸ線露光装
置において、上記Ｘ線被露光基板の最外周が導電部であ
り且つ該基板上に少なくとも一層の電気導電性の高い膜
を有し、且つ上記基板を所定位置に固定する手段の少な
くとも１部に基板の厚さよりも小さい導電部を有し、こ
れらの導電部が夫々電気的に接触する様に形成されてい
ることを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】 Ｘ線被露光基板の表面にＸ線マスクを
重ね、該マスクを通してＸ線を露光するＸ線露光方法に
おいて、上記Ｘ線被露光基板の最外周が導電部であり且
つ該基板上に少なくとも一層の電気導電性の高い膜を有
し、且つ上記基板を所定位置に固定する手段の少なくと
も１部に基板の厚さよりも小さい導電部を有し、これら
の導電部を必要に応じて電気的に接触させることを特徴
とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039030A JPH04258109A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039030A JPH04258109A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258109A true JPH04258109A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12541715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039030A Pending JPH04258109A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258109A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244913B1 (ko) * | 1996-09-17 | 2000-03-02 | 윤종용 | 절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석방법 |
| JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟ｘ線露光装置 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3039030A patent/JPH04258109A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244913B1 (ko) * | 1996-09-17 | 2000-03-02 | 윤종용 | 절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석방법 |
| JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟ｘ線露光装置 |
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