JP2003132829A - 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイス製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高いスループットでかつ高い信頼性をもつ、複
数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料面
上に照射する電子線装置とする。 【解決手段】電子線装置は、一次電子線を走査させて試
料面上に照射させる少なくとも一つの電子光学素子２１
を各電子銃毎に備え、電子光学素子が、一枚の絶縁部材
２１０に上記複数の電子銃の光軸に対応して穴を形成
し、絶縁部材を前記穴の回りで複数のスリット２１３に
より複数の区域に分割し、絶縁部材の少なくともスリッ
トによって分割された区域に金属のコーティング層２１
２を施すことによって形成され、各区域のコーティング
層に別個に電圧を印加可能になっている。
数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料面
上に照射する電子線装置とする。 【解決手段】電子線装置は、一次電子線を走査させて試
料面上に照射させる少なくとも一つの電子光学素子２１
を各電子銃毎に備え、電子光学素子が、一枚の絶縁部材
２１０に上記複数の電子銃の光軸に対応して穴を形成
し、絶縁部材を前記穴の回りで複数のスリット２１３に
より複数の区域に分割し、絶縁部材の少なくともスリッ
トによって分割された区域に金属のコーティング層２１
２を施すことによって形成され、各区域のコーティング
層に別個に電圧を印加可能になっている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の表面に形成され
たパターン等を検査するのに適した電子線装置及びその
電子線装置を用いてプロセス途中或いは終了後の試料の
評価を行うデバイスの製造方法に関し、詳しくは、最小
線幅０．１μｍ以下のパターンを有するウエハ等の試料
等の欠陥検査、ＣＤ測定、電位コントラストの測定、高
時間分解電位測定等の評価を高いスループットでかつ高
い信頼性のもとで行える電子線装置及びそのような電子
線装置を用いてプロセス途中或いは終了後の試料の評価
を行い、歩留まりの向上を図ったデバイス製造方法に関
する。
たパターン等を検査するのに適した電子線装置及びその
電子線装置を用いてプロセス途中或いは終了後の試料の
評価を行うデバイスの製造方法に関し、詳しくは、最小
線幅０．１μｍ以下のパターンを有するウエハ等の試料
等の欠陥検査、ＣＤ測定、電位コントラストの測定、高
時間分解電位測定等の評価を高いスループットでかつ高
い信頼性のもとで行える電子線装置及びそのような電子
線装置を用いてプロセス途中或いは終了後の試料の評価
を行い、歩留まりの向上を図ったデバイス製造方法に関
する。
【０００２】
【従来技術】２枚の強磁性体を光軸に平行に配置し、各
光軸の回りに同軸の穴を設け、これら２枚の板の周辺部
にこれら２枚の強磁性体間に磁力線が形成されるよう磁
気回路を有する磁気レンズ群を持つマルチビーム用のレ
ンズは公知である。しかしながら、上記のような従来技
術では、強磁性体の透磁率が無限大でないことに起因し
て、±１％程度の磁場強度の変動があり、これらを何ら
かの補正を行わないと、マルチビームを収束することが
できない。更に、可変成形ビームでは各光学系毎にビー
ム寸法とビーム電流が異なり、空間荷電効果により焦点
位置が各光学系毎に変動するので、各ビームで同一の磁
場の強度のレンズではマルチビームを高精度に合焦させ
ることができない問題があった。
光軸の回りに同軸の穴を設け、これら２枚の板の周辺部
にこれら２枚の強磁性体間に磁力線が形成されるよう磁
気回路を有する磁気レンズ群を持つマルチビーム用のレ
ンズは公知である。しかしながら、上記のような従来技
術では、強磁性体の透磁率が無限大でないことに起因し
て、±１％程度の磁場強度の変動があり、これらを何ら
かの補正を行わないと、マルチビームを収束することが
できない。更に、可変成形ビームでは各光学系毎にビー
ム寸法とビーム電流が異なり、空間荷電効果により焦点
位置が各光学系毎に変動するので、各ビームで同一の磁
場の強度のレンズではマルチビームを高精度に合焦させ
ることができない問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、マルチビームのための複数のレンズの焦点
距離を全てがほとんど同じにできるか、或いは各レンズ
の焦点距離を高速で変化させることが可能な電子線装置
を提供することである。本発明が解決しようとする他の
課題は、電子銃や非点補正装置としても機能する偏向器
の小型化が可能で１枚のウエハ内に多くの光学系を配置
可能な電子線装置を提供することである。本発明が解決
しようとする別の課題は、上記のような電子線装置を用
いてプロセス終了後の試料を評価するデバイスの製造方
法を提供することである。
する課題は、マルチビームのための複数のレンズの焦点
距離を全てがほとんど同じにできるか、或いは各レンズ
の焦点距離を高速で変化させることが可能な電子線装置
を提供することである。本発明が解決しようとする他の
課題は、電子銃や非点補正装置としても機能する偏向器
の小型化が可能で１枚のウエハ内に多くの光学系を配置
可能な電子線装置を提供することである。本発明が解決
しようとする別の課題は、上記のような電子線装置を用
いてプロセス終了後の試料を評価するデバイスの製造方
法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願一つの発明は、複数
の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料面上
に照射する電子線装置において、前記一次電子線を走査
させて試料面上に照射させる少なくとも一つの電子光学
素子を各電子銃毎に備え、前記電子光学素子が、一枚の
絶縁部材に上記複数の電子銃の光軸に対応して穴を形成
し、前記絶縁部材を前記穴の回りで複数のスリットによ
り複数の区域に分割し、前記絶縁部材の少なくとも前記
スリットによって分割された区域に金属のコーティング
層を施すことによって形成され、各区域のコーティング
層に別個に電圧を印加可能になって構成されている。本
願の他の発明は、複数の電子銃から放出された一次電子
線を走査させて試料面上に照射する電子線装置におい
て、前記一次電子線を集束して試料面上に照射させる複
数のレンズを各電子銃毎に備え、前記複数のレンズが、
光軸方向に隔てて配置されかつ互いに絶縁された複数の
絶縁部材を備え、前記複数の絶縁部材の各々には前記複
数の電子銃の光軸に対応した位置に同軸の穴が形成さ
れ、各絶縁部材の表面のうち前記穴の内面と、少なくと
も前記穴の周囲の両表面に金属のコーティング層を形成
して各穴毎のコーティング層を互いに絶縁し、前記複数
の絶縁部材に形成されたコーティング層に同一の電圧を
印加するように構成されている。
の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料面上
に照射する電子線装置において、前記一次電子線を走査
させて試料面上に照射させる少なくとも一つの電子光学
素子を各電子銃毎に備え、前記電子光学素子が、一枚の
絶縁部材に上記複数の電子銃の光軸に対応して穴を形成
し、前記絶縁部材を前記穴の回りで複数のスリットによ
り複数の区域に分割し、前記絶縁部材の少なくとも前記
スリットによって分割された区域に金属のコーティング
層を施すことによって形成され、各区域のコーティング
層に別個に電圧を印加可能になって構成されている。本
願の他の発明は、複数の電子銃から放出された一次電子
線を走査させて試料面上に照射する電子線装置におい
て、前記一次電子線を集束して試料面上に照射させる複
数のレンズを各電子銃毎に備え、前記複数のレンズが、
光軸方向に隔てて配置されかつ互いに絶縁された複数の
絶縁部材を備え、前記複数の絶縁部材の各々には前記複
数の電子銃の光軸に対応した位置に同軸の穴が形成さ
れ、各絶縁部材の表面のうち前記穴の内面と、少なくと
も前記穴の周囲の両表面に金属のコーティング層を形成
して各穴毎のコーティング層を互いに絶縁し、前記複数
の絶縁部材に形成されたコーティング層に同一の電圧を
印加するように構成されている。
【０００５】本願の別の発明は、複数の電子銃から放出
された一次電子線を走査させて試料面上に照射する電子
線装置において、前記一次電子線を集束して試料面上に
照射させる複数のレンズを各電子銃毎に備え、前記複数
のレンズが、光軸方向に隔てて配置されかつ互いに絶縁
された複数の絶縁部材を備え、前記複数の絶縁部材の各
々には前記複数の電子銃の光軸に対応した位置に同軸の
穴が形成され、前記複数の絶縁部材のうち少なくとも一
つの絶縁部材は、前記穴の近傍に同じ電位が与えられる
ように金属のコーティング層が施され、残りの絶縁部材
は、同一の絶縁部材の各光軸の近傍が同電位になるよう
に金属のコーティング層が施されて構成されている。本
願の更に別の発明は、電子銃から放出された一次電子線
を収束させて試料に走査させて照射する電子線装置にお
いて、前記電子銃が、光軸を有する複数のカソードと、
これらの複数のカソードの光軸位置に対応した穴を有す
るアノードと、これらの複数のカソードの各光軸の回り
の複数の穴を有する制御電極群とを有して構成されてい
る。本願の更に別の発明は、上記いずれかに記載された
電子線装置を使用して、デバイスの製造プロセス終了後
の少なくとも１プロセスでデバイスの評価を行うことで
ある。
された一次電子線を走査させて試料面上に照射する電子
線装置において、前記一次電子線を集束して試料面上に
照射させる複数のレンズを各電子銃毎に備え、前記複数
のレンズが、光軸方向に隔てて配置されかつ互いに絶縁
された複数の絶縁部材を備え、前記複数の絶縁部材の各
々には前記複数の電子銃の光軸に対応した位置に同軸の
穴が形成され、前記複数の絶縁部材のうち少なくとも一
つの絶縁部材は、前記穴の近傍に同じ電位が与えられる
ように金属のコーティング層が施され、残りの絶縁部材
は、同一の絶縁部材の各光軸の近傍が同電位になるよう
に金属のコーティング層が施されて構成されている。本
願の更に別の発明は、電子銃から放出された一次電子線
を収束させて試料に走査させて照射する電子線装置にお
いて、前記電子銃が、光軸を有する複数のカソードと、
これらの複数のカソードの光軸位置に対応した穴を有す
るアノードと、これらの複数のカソードの各光軸の回り
の複数の穴を有する制御電極群とを有して構成されてい
る。本願の更に別の発明は、上記いずれかに記載された
電子線装置を使用して、デバイスの製造プロセス終了後
の少なくとも１プロセスでデバイスの評価を行うことで
ある。
【０００６】
【実施の形態】以下図面を参照して本発明による電子線
装置の一つの実施形態について説明する。図１［Ａ］は
本実施形態による電子線装置の立断面図であって、図１
［Ｂ］の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１［Ｂ］は
概略平面図であって、一次光学系と二次光学系の平面上
の位置関係を示す図である。図１において、この実施形
態の電子線装置１は、複数（図で４個のみ示す）の電子
銃１０と、各電子銃に対応して設けられていて電子銃か
ら放出された一次電子線を試料に照射する一次光学系２
０と、各一次光学系に対応して設けられていて一次電子
線の照射により試料から放出された二次電子が導入され
る二次光学系４０と、各一次及び二次光学系の組に対応
して配置されていて二次電子を検出する検出系５０とを
備えている。
装置の一つの実施形態について説明する。図１［Ａ］は
本実施形態による電子線装置の立断面図であって、図１
［Ｂ］の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１［Ｂ］は
概略平面図であって、一次光学系と二次光学系の平面上
の位置関係を示す図である。図１において、この実施形
態の電子線装置１は、複数（図で４個のみ示す）の電子
銃１０と、各電子銃に対応して設けられていて電子銃か
ら放出された一次電子線を試料に照射する一次光学系２
０と、各一次光学系に対応して設けられていて一次電子
線の照射により試料から放出された二次電子が導入され
る二次光学系４０と、各一次及び二次光学系の組に対応
して配置されていて二次電子を検出する検出系５０とを
備えている。
【０００７】電子銃１０は、図２及び図３に詳細に示さ
れるように、カソード１１と、共通のウェーネルト１５
と、共通のアノード１６とを備えている。各電子銃１０
のカソード１１は円柱状の本体１１０を備え、その本体
１１０の一端面（図２で下端面）１１１には、下方に突
出する複数（この実施形態では６個）の突起１１２が形
成されている。この突起１１２は、先端が尖った円錐形
或いは角錐形の形状を有していて、カソード１１の中心
軸線でもある光軸ＯＡ1を中心とした半径Ｒ１の円周上
に形成されている。各突起の位置は、突起の尖端の位置
をＸ軸（図２において左右方向に伸びる軸）に投影した
場合に隣接する突起間の距離Ｌｘが全て等しくなるよう
に決められている。各カソード１１は、そのカソードを
加熱するカーボンヒーター１２と共に支持金具１１３に
より保持されている。ウェーネルト１５は、複数の電子
銃に対して、光軸ＯＡ1に垂直に配置された単一の板状
部材で構成されていて、カソード１１の突起１１２に対
応した位置に小孔１５１が形成されている。また、アノ
ード１６も、電子銃に対して、光軸ＯＡ1に垂直に配置
された単一の板状部材で構成されていて、光軸ＯＡ1を
中心とした半径Ｒ２（Ｒ２＞Ｒ１）の穴１６１が形成さ
れている。カソード１１、ウエーネルト１５及びアノー
ド１６は公知の電子銃と同じ材料でつくられている。
れるように、カソード１１と、共通のウェーネルト１５
と、共通のアノード１６とを備えている。各電子銃１０
のカソード１１は円柱状の本体１１０を備え、その本体
１１０の一端面（図２で下端面）１１１には、下方に突
出する複数（この実施形態では６個）の突起１１２が形
成されている。この突起１１２は、先端が尖った円錐形
或いは角錐形の形状を有していて、カソード１１の中心
軸線でもある光軸ＯＡ1を中心とした半径Ｒ１の円周上
に形成されている。各突起の位置は、突起の尖端の位置
をＸ軸（図２において左右方向に伸びる軸）に投影した
場合に隣接する突起間の距離Ｌｘが全て等しくなるよう
に決められている。各カソード１１は、そのカソードを
加熱するカーボンヒーター１２と共に支持金具１１３に
より保持されている。ウェーネルト１５は、複数の電子
銃に対して、光軸ＯＡ1に垂直に配置された単一の板状
部材で構成されていて、カソード１１の突起１１２に対
応した位置に小孔１５１が形成されている。また、アノ
ード１６も、電子銃に対して、光軸ＯＡ1に垂直に配置
された単一の板状部材で構成されていて、光軸ＯＡ1を
中心とした半径Ｒ２（Ｒ２＞Ｒ１）の穴１６１が形成さ
れている。カソード１１、ウエーネルト１５及びアノー
ド１６は公知の電子銃と同じ材料でつくられている。
【０００８】図１において、一次光学系２０は、軸合わ
せ用の第１及び第２の偏向器２１（２１ａ）及び２１
（２１ｂ）と、コンデンサレンズ２２と、マルチ開口板
２３と、軸合わせ用の第３及び第４の偏向器２１（２１
ｃ）及び２１（２１ｄ）と、ＮＡ開口板２４と、縮小レ
ンズ２５と、軸合わせ及び走査用の第５及び第６の偏向
器２１（２１ｅ）及び２１（２１ｆ）と、Ｅ×Ｂ分離器
２６と、対物レンズ２７とをそなえ、それらは上から順
に図示のように並べられている。
せ用の第１及び第２の偏向器２１（２１ａ）及び２１
（２１ｂ）と、コンデンサレンズ２２と、マルチ開口板
２３と、軸合わせ用の第３及び第４の偏向器２１（２１
ｃ）及び２１（２１ｄ）と、ＮＡ開口板２４と、縮小レ
ンズ２５と、軸合わせ及び走査用の第５及び第６の偏向
器２１（２１ｅ）及び２１（２１ｆ）と、Ｅ×Ｂ分離器
２６と、対物レンズ２７とをそなえ、それらは上から順
に図示のように並べられている。
【０００９】第１ないし第６の偏向器２１（２１ａない
し２１ｆ）は、光軸ＯＡ1に沿う方向（Ｚ軸に沿った方
向）の長さ（偏向器を構成する部材の厚さ）及びその部
材に形成されている穴の径が異なる以外は実質的に同じ
構造であるので、偏向器２１ａを代表して説明する。図
１、図４及び図５において、偏向器２１は、所定の厚さ
を有するマシナブルセラミック等の絶縁材製の部材２１
０からつくられている。絶縁材製の部材２１０には各光
軸ＯＡ1を中心とする所望の半径の円形の穴２１１が形
成されている。図５において、各穴の回りには、光軸を
中心として半径方向に所定の距離まで伸びかつ部材２１
０を貫通する複数（この実施形態では８個）のスリット
２１３が円周方向に所望の間隔（図４では等間隔で示さ
れている）で形成され、穴２１１の周囲で部材２１０が
スリット２１３により複数の区域（この実施形態では８
区域）に分割される。部材への穴２１１の形成及びスリ
ット２１３の形成が完了した後、部材２１０の表面、す
なわち、図１において上面及び下面、穴２１１の内面及
びスリットの内面には金等の金属のコーティング層２１
２が施される。その後スリット２１３の内面の最奥部
（光軸から半径方向最外側部分）の一定範囲のコーティ
ング層の剥離を行うと共に、部材２１０の上面及び下面
のコーティング層２１２にも各スリット２１３の最奥部
の剥離部にそれぞれ連続する剥離部２１４が形成されて
いる。これにより、穴２１１の回りの各区域のコーティ
ング層２１２は、互いに隣接する区域のコーティング層
から電気的に絶縁され、それぞれ、剥離部２１４によっ
て区切られた、コーティング層からなる導体２１５を介
して外部の電源（図示せず）に接続され得るようになっ
ている。そして、導体２１５を介して穴２１１内に電極
口電圧が印加される。各偏向器２１は、部材の両側（図
１で上下両側）には導電性の金属性の静電シールド板３
１が、コーティング層から隔てて配置されている。この
静電シールド板３１には、図５に示されるように、光軸
ＯＡ1を中心とした円形の穴３１１が形成されている。
この穴３１１の直径は偏向器２１の穴２１１の直径と同
じである。この静電シールド板３１は絶縁物でつくられ
ている偏向器２１の部材２１０の表面が帯電したとき
に、電界が光軸に沿う方向に漏れるのを防止する。上記
偏向器のうち、第１及び第２の偏向器２１ａ及び２１ｂ
は、コンデンサレンズ２２及びマルチ開口板２３の開口
に対する一次電子線の軸合わせを行う軸合わせ用であ
り、第３及び第４の偏向器２１ｃ及び２１ｄは、ＮＡ開
口板２４の開口２４１及び縮小レンズ２５に対する一次
電子線の軸合わせを行う軸合わせ用であり、更に、第５
及び第６の偏向器２１ｅ及び２１ｆは、資料Ｓ上への一
次電子線の照射点を走査させと同時に対物レンズ２７に
対して一次電子線の軸合わせを行う。
し２１ｆ）は、光軸ＯＡ1に沿う方向（Ｚ軸に沿った方
向）の長さ（偏向器を構成する部材の厚さ）及びその部
材に形成されている穴の径が異なる以外は実質的に同じ
構造であるので、偏向器２１ａを代表して説明する。図
１、図４及び図５において、偏向器２１は、所定の厚さ
を有するマシナブルセラミック等の絶縁材製の部材２１
０からつくられている。絶縁材製の部材２１０には各光
軸ＯＡ1を中心とする所望の半径の円形の穴２１１が形
成されている。図５において、各穴の回りには、光軸を
中心として半径方向に所定の距離まで伸びかつ部材２１
０を貫通する複数（この実施形態では８個）のスリット
２１３が円周方向に所望の間隔（図４では等間隔で示さ
れている）で形成され、穴２１１の周囲で部材２１０が
スリット２１３により複数の区域（この実施形態では８
区域）に分割される。部材への穴２１１の形成及びスリ
ット２１３の形成が完了した後、部材２１０の表面、す
なわち、図１において上面及び下面、穴２１１の内面及
びスリットの内面には金等の金属のコーティング層２１
２が施される。その後スリット２１３の内面の最奥部
（光軸から半径方向最外側部分）の一定範囲のコーティ
ング層の剥離を行うと共に、部材２１０の上面及び下面
のコーティング層２１２にも各スリット２１３の最奥部
の剥離部にそれぞれ連続する剥離部２１４が形成されて
いる。これにより、穴２１１の回りの各区域のコーティ
ング層２１２は、互いに隣接する区域のコーティング層
から電気的に絶縁され、それぞれ、剥離部２１４によっ
て区切られた、コーティング層からなる導体２１５を介
して外部の電源（図示せず）に接続され得るようになっ
ている。そして、導体２１５を介して穴２１１内に電極
口電圧が印加される。各偏向器２１は、部材の両側（図
１で上下両側）には導電性の金属性の静電シールド板３
１が、コーティング層から隔てて配置されている。この
静電シールド板３１には、図５に示されるように、光軸
ＯＡ1を中心とした円形の穴３１１が形成されている。
この穴３１１の直径は偏向器２１の穴２１１の直径と同
じである。この静電シールド板３１は絶縁物でつくられ
ている偏向器２１の部材２１０の表面が帯電したとき
に、電界が光軸に沿う方向に漏れるのを防止する。上記
偏向器のうち、第１及び第２の偏向器２１ａ及び２１ｂ
は、コンデンサレンズ２２及びマルチ開口板２３の開口
に対する一次電子線の軸合わせを行う軸合わせ用であ
り、第３及び第４の偏向器２１ｃ及び２１ｄは、ＮＡ開
口板２４の開口２４１及び縮小レンズ２５に対する一次
電子線の軸合わせを行う軸合わせ用であり、更に、第５
及び第６の偏向器２１ｅ及び２１ｆは、資料Ｓ上への一
次電子線の照射点を走査させと同時に対物レンズ２７に
対して一次電子線の軸合わせを行う。
【００１０】コンデンサレンズ２２、縮小レンズ２５及
び対物レンズ２７は同じ構造を有しているので、ここで
は対物レンズ２７の構造について詳細に説明して、他の
レンズの説明は省略する。図１に示されるように、対物
レンズ２７は互いに平行に配置された３枚の板状の電
極、すなわち、上部電極２７、中央電極２７ａ、下部電
極２７ｂを備えている。図１、図６及び図７において、
上電極２７は、偏向器と同様にマシナブルセラミック等
の絶縁材製の部材２７０を備えている。絶縁材製の部材
２７０には各光軸ＯＡ1を中心とする所望の半径の円形
の穴２７１が形成されている。部材２７０の表面すなわ
ち、図１において上面及び下面並びに穴２７１の内面は
金等の金属のコーティング層２７２が施されている。図
７において、各穴の回りには、光軸を中心として所望の
半径の円形のコーティング層の剥離部２７４が形成され
ている。この剥離部２７４は好ましくは部材に形成され
る各穴について同一の円形が好ましいが、製作の制約上
図６では中央の二つの穴に対する剥離部はほぼ同じ形状
であるが両側の二つの穴に対する剥離部は互いにかつ中
央の剥離部とも異なっている。しかしながら、剥離部２
７４は、帯電しても光軸上にその電界が漏れてこないよ
うに光軸から可能な限り遠くに配置されている。中央電
極２７ａ及び下部電極２７ｂは、全ての光軸のレンズに
同じ電圧が与えられれば良いので、特に絶縁のためのパ
ターニングは必要でなく、金属板で構成されていてもよ
い。したがって、中央電極２７ａ及び下部電極２７ｂ
は、この実施形態では、それぞれ金属製の部材２７０ａ
及び２７０ｂで形成され、光軸ＯＡ 1の位置に光軸を中
心とした所望の半径を有する円形の穴２７１ａ及び２７
１ｂがそれぞれ形成されている。電極を薄くしたい場合
には、ヤング率の高いセラミックで作り、表面に金属の
コーティング層を施してもよい。また、各レンズ電極の
厚みは全体に亘って均一である必要はなく、図８に示さ
れるように（この図では代表して対物レンズ２７につい
て示す）、各光軸毎にそれらの光軸の回りで軸対称にな
っていれば、種々の断面形状を取り得る。
び対物レンズ２７は同じ構造を有しているので、ここで
は対物レンズ２７の構造について詳細に説明して、他の
レンズの説明は省略する。図１に示されるように、対物
レンズ２７は互いに平行に配置された３枚の板状の電
極、すなわち、上部電極２７、中央電極２７ａ、下部電
極２７ｂを備えている。図１、図６及び図７において、
上電極２７は、偏向器と同様にマシナブルセラミック等
の絶縁材製の部材２７０を備えている。絶縁材製の部材
２７０には各光軸ＯＡ1を中心とする所望の半径の円形
の穴２７１が形成されている。部材２７０の表面すなわ
ち、図１において上面及び下面並びに穴２７１の内面は
金等の金属のコーティング層２７２が施されている。図
７において、各穴の回りには、光軸を中心として所望の
半径の円形のコーティング層の剥離部２７４が形成され
ている。この剥離部２７４は好ましくは部材に形成され
る各穴について同一の円形が好ましいが、製作の制約上
図６では中央の二つの穴に対する剥離部はほぼ同じ形状
であるが両側の二つの穴に対する剥離部は互いにかつ中
央の剥離部とも異なっている。しかしながら、剥離部２
７４は、帯電しても光軸上にその電界が漏れてこないよ
うに光軸から可能な限り遠くに配置されている。中央電
極２７ａ及び下部電極２７ｂは、全ての光軸のレンズに
同じ電圧が与えられれば良いので、特に絶縁のためのパ
ターニングは必要でなく、金属板で構成されていてもよ
い。したがって、中央電極２７ａ及び下部電極２７ｂ
は、この実施形態では、それぞれ金属製の部材２７０ａ
及び２７０ｂで形成され、光軸ＯＡ 1の位置に光軸を中
心とした所望の半径を有する円形の穴２７１ａ及び２７
１ｂがそれぞれ形成されている。電極を薄くしたい場合
には、ヤング率の高いセラミックで作り、表面に金属の
コーティング層を施してもよい。また、各レンズ電極の
厚みは全体に亘って均一である必要はなく、図８に示さ
れるように（この図では代表して対物レンズ２７につい
て示す）、各光軸毎にそれらの光軸の回りで軸対称にな
っていれば、種々の断面形状を取り得る。
【００１１】マルチ開口板２３には、図示しないが、各
光軸を中心とした所定の円周上に、カソード１１に形成
された突起１１２及びウエーネルト１５に形成された小
孔１５２に対応させて複数（この実施形態では６個）の
開口が形成されている。また、ＮＡ開口板２４には各光
軸ＯＡ1の位置に光軸を中心とする所望の半径の円形の
穴２４１が形成されている。
光軸を中心とした所定の円周上に、カソード１１に形成
された突起１１２及びウエーネルト１５に形成された小
孔１５２に対応させて複数（この実施形態では６個）の
開口が形成されている。また、ＮＡ開口板２４には各光
軸ＯＡ1の位置に光軸を中心とする所望の半径の円形の
穴２４１が形成されている。
【００１２】図１及び図９において、Ｅ×Ｂ分離器２６
は、第６の偏向器２１ｆと一体的に形成されている。偏
向器２１ｆの構造は前記偏向器２１ａと実質的に同じで
あるので詳細な説明は省略する。なお、穴２１１の周囲
に形成された８個のスリットに連続する剥離部２１４は
この図では細い線で示されているが、実際にはコーティ
ング層によって形成される隣接する導体２１５間の電気
的導通を阻止するために所望の幅を持たせて形成されて
いる。偏向器２１ｆを構成する部材２１０には穴２１１
の中心すなわち光軸ＯＡ1側から順に、一対の第１（図
９において半径方向内側）のサドルコイル用の一対の円
弧状の切欠き２６１と、一対の第２の（半径方向外側）
のサドルコイル用の一対の円弧状の切欠き２６２と、更
にその半径方向外側のパーマロイコア用の一対の円弧状
の切欠き２６３とが、それぞれ対向して形成されてい
る。第１のサドルコイル用の切欠き２６１と第２のサド
ルコイル用の切欠き２６２とは光軸を中心として円周方
向に９０°ずらして配置されている。また、第２のサド
ルコイル用の切欠き２６２とパーマロイコア用の切欠き
２６３とも光軸を中心として円周方向に９０°ずらして
配置されている。各切欠きは部材２６０の厚さ方向に貫
通して形成されている。切欠き２６１にはＸ方向の磁界
を発生させるサドルコイル２６５が、切欠き２６２には
Ｙ方向の磁界を発生させるサドルコイル２６６が、そし
て、切欠き２６３にはパーマロイコア２６７が、それぞ
れ埋め込まれている。部材２６０の表面のコーティング
層は線で示されたコーティング層の剥離部２１４によっ
て電気的に区切られていて、導体２１５を形成してい
る。
は、第６の偏向器２１ｆと一体的に形成されている。偏
向器２１ｆの構造は前記偏向器２１ａと実質的に同じで
あるので詳細な説明は省略する。なお、穴２１１の周囲
に形成された８個のスリットに連続する剥離部２１４は
この図では細い線で示されているが、実際にはコーティ
ング層によって形成される隣接する導体２１５間の電気
的導通を阻止するために所望の幅を持たせて形成されて
いる。偏向器２１ｆを構成する部材２１０には穴２１１
の中心すなわち光軸ＯＡ1側から順に、一対の第１（図
９において半径方向内側）のサドルコイル用の一対の円
弧状の切欠き２６１と、一対の第２の（半径方向外側）
のサドルコイル用の一対の円弧状の切欠き２６２と、更
にその半径方向外側のパーマロイコア用の一対の円弧状
の切欠き２６３とが、それぞれ対向して形成されてい
る。第１のサドルコイル用の切欠き２６１と第２のサド
ルコイル用の切欠き２６２とは光軸を中心として円周方
向に９０°ずらして配置されている。また、第２のサド
ルコイル用の切欠き２６２とパーマロイコア用の切欠き
２６３とも光軸を中心として円周方向に９０°ずらして
配置されている。各切欠きは部材２６０の厚さ方向に貫
通して形成されている。切欠き２６１にはＸ方向の磁界
を発生させるサドルコイル２６５が、切欠き２６２には
Ｙ方向の磁界を発生させるサドルコイル２６６が、そし
て、切欠き２６３にはパーマロイコア２６７が、それぞ
れ埋め込まれている。部材２６０の表面のコーティング
層は線で示されたコーティング層の剥離部２１４によっ
て電気的に区切られていて、導体２１５を形成してい
る。
【００１３】図１０において、一次電子線の照射によっ
て資料から放出されて二次電子線が投入される二次光学
系４０が示されている。この二次光学系４０は、図１０
において一次光学系の光軸ＯＡ1に対して傾斜している
光軸ＯＡ2を有していている。したがって、Ｅ×Ｂ分離
器２６より電子銃側の第４及び第５の偏向器２１ｄ及び
２１ｅを構成する板状の部材、縮小レンズ２５を構成す
る板状の部材、並びにＮＡ開口板２４のＹ軸方向の部分
（光軸ＯＡ1からＹ軸方向に離れた部分）は、二次電子
の進行を妨げないように切り欠かれている。二次光学系
４０は、マルチ開口板４１を備えそのマルチ開口板４１
には一次光学系のマルチ開口板２３に形成された開口に
対応した複数の開口４１１が形成されている。マルチ開
口板４１の各開口に対応して検出系５０の検出器５１が
配置されている。
て資料から放出されて二次電子線が投入される二次光学
系４０が示されている。この二次光学系４０は、図１０
において一次光学系の光軸ＯＡ1に対して傾斜している
光軸ＯＡ2を有していている。したがって、Ｅ×Ｂ分離
器２６より電子銃側の第４及び第５の偏向器２１ｄ及び
２１ｅを構成する板状の部材、縮小レンズ２５を構成す
る板状の部材、並びにＮＡ開口板２４のＹ軸方向の部分
（光軸ＯＡ1からＹ軸方向に離れた部分）は、二次電子
の進行を妨げないように切り欠かれている。二次光学系
４０は、マルチ開口板４１を備えそのマルチ開口板４１
には一次光学系のマルチ開口板２３に形成された開口に
対応した複数の開口４１１が形成されている。マルチ開
口板４１の各開口に対応して検出系５０の検出器５１が
配置されている。
【００１４】上記電子線装置において、各電子銃１０の
カソード１１の突起１１２から放出された複数（この実
施形態で６本）の一次電子線はウエーネルト１５の小孔
１５１を通過することで所定の形及び間隔に揃った状態
で電子銃を出る。その一次電子線は第１及び第２の偏向
器２１ａ及び２１ｂによりコンデンサレンズ２２及びマ
ルチ開口板２３の開口に対して軸合わせされ、コンデン
サレンズ２３により集束される。一次電子線は、更に、
第３及び第４の偏向器２１ｃ及び２１ｄにより縮小レン
ズ２５に対して軸合わせされ、縮小レンズにより開口の
縮小像が結像される。この一次電子線は、更に、第５及
び第６の偏向器１２ｅ及び１２ｆによって対物レンズ２
７に対して軸合わせされると共に走査され対物レンズ２
７により一次電子線が縮小像として試料Ｓの面に照射さ
れる。一次電子線の照射により試料Ｓから放出された二
次電子は、Ｅ×Ｂ分離器２６によって二次光学系４０に
投入され、マルチ開口板４１の各開口の位置で二次電子
の像を結像する。この二次電子は開口毎に配置された検
出器５１により検出されてその強度を表す電気信号に変
換され出力される。図示しない処理装置で処理される。
試料は、図示しないステージ装置によりＸ軸方向及びＹ
軸方向に移動可能に支持されており、そのステージ装置
を動作させて試料ＳをＹ方向に連続移動させ、Ｘ方向に
ステップアンドリピート移動させて試料の表面に形成さ
れたパターン等を評価する。
カソード１１の突起１１２から放出された複数（この実
施形態で６本）の一次電子線はウエーネルト１５の小孔
１５１を通過することで所定の形及び間隔に揃った状態
で電子銃を出る。その一次電子線は第１及び第２の偏向
器２１ａ及び２１ｂによりコンデンサレンズ２２及びマ
ルチ開口板２３の開口に対して軸合わせされ、コンデン
サレンズ２３により集束される。一次電子線は、更に、
第３及び第４の偏向器２１ｃ及び２１ｄにより縮小レン
ズ２５に対して軸合わせされ、縮小レンズにより開口の
縮小像が結像される。この一次電子線は、更に、第５及
び第６の偏向器１２ｅ及び１２ｆによって対物レンズ２
７に対して軸合わせされると共に走査され対物レンズ２
７により一次電子線が縮小像として試料Ｓの面に照射さ
れる。一次電子線の照射により試料Ｓから放出された二
次電子は、Ｅ×Ｂ分離器２６によって二次光学系４０に
投入され、マルチ開口板４１の各開口の位置で二次電子
の像を結像する。この二次電子は開口毎に配置された検
出器５１により検出されてその強度を表す電気信号に変
換され出力される。図示しない処理装置で処理される。
試料は、図示しないステージ装置によりＸ軸方向及びＹ
軸方向に移動可能に支持されており、そのステージ装置
を動作させて試料ＳをＹ方向に連続移動させ、Ｘ方向に
ステップアンドリピート移動させて試料の表面に形成さ
れたパターン等を評価する。
【００１５】各検出器により検出された二次電子は、そ
の強度を表す電気信号に変換され、出力される。出力さ
れた電気信号は増幅器５２によりそれぞれ増幅された
後、処理制御系６０の画像処理部６１によって受信さ
れ、画像処理部６１には一次電子線を偏向させるための
走査信号が更に供給され画像データに変換する。画像処
理部は試料の面を示す画像を表示することができる。こ
の画像を標準パターンと比較することによって試料Ｓの
欠陥を検出することもできる。また、レジストレーショ
ンにより試料Ｓの被測定パターンを一次光学系２０の光
軸の近くへ移動させ、ラインスキャンすることにより線
幅評価信号を取り出し、これを適宜に校正することによ
って試料上のパターンの線幅を測定することができる。
の強度を表す電気信号に変換され、出力される。出力さ
れた電気信号は増幅器５２によりそれぞれ増幅された
後、処理制御系６０の画像処理部６１によって受信さ
れ、画像処理部６１には一次電子線を偏向させるための
走査信号が更に供給され画像データに変換する。画像処
理部は試料の面を示す画像を表示することができる。こ
の画像を標準パターンと比較することによって試料Ｓの
欠陥を検出することもできる。また、レジストレーショ
ンにより試料Ｓの被測定パターンを一次光学系２０の光
軸の近くへ移動させ、ラインスキャンすることにより線
幅評価信号を取り出し、これを適宜に校正することによ
って試料上のパターンの線幅を測定することができる。
【００１６】ここで、一次光学系のマルチ開口板２３の
開口を通過した一次電子線を試料Ｓの面上に合焦させ、
試料Ｓから放出された二次電子を検出器５１に結像させ
る際に、一次光学系で生じるコマ収差、軸上色収差及び
視野非点という三つの収差による影響を最小にするよう
に特に配慮する必要がある。次に、複数の一次電子線の
間隔と二次光学系との関係については、一次電子線の間
隔を、二次電子に対する対物レンズの収差よりも大きい
距離だけ離せば複数のビーム間のクロストークを無くす
ことができる。上記実施形態の電子線装置では、複数の
電子銃を有する複数の光学系を複数の一体の部材上に形
成することが可能であり、しかも個々の光学系の光学素
子毎に制御が可能であるので個々の光学系の光軸毎に合
焦条件を合わせることが可能になる。また板状の部材に
複数の光学系の同じ光学素子を並べて製造できるので全
体装置をコンパクト化可能である。
開口を通過した一次電子線を試料Ｓの面上に合焦させ、
試料Ｓから放出された二次電子を検出器５１に結像させ
る際に、一次光学系で生じるコマ収差、軸上色収差及び
視野非点という三つの収差による影響を最小にするよう
に特に配慮する必要がある。次に、複数の一次電子線の
間隔と二次光学系との関係については、一次電子線の間
隔を、二次電子に対する対物レンズの収差よりも大きい
距離だけ離せば複数のビーム間のクロストークを無くす
ことができる。上記実施形態の電子線装置では、複数の
電子銃を有する複数の光学系を複数の一体の部材上に形
成することが可能であり、しかも個々の光学系の光学素
子毎に制御が可能であるので個々の光学系の光軸毎に合
焦条件を合わせることが可能になる。また板状の部材に
複数の光学系の同じ光学素子を並べて製造できるので全
体装置をコンパクト化可能である。
【００１７】次に図１１及び図１２を参照して本発明に
よる半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図
１１は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一実
施例を示すフローチャートである。この実施例の製造工
程は以下の主工程を含んでいる。 （１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを
準備するウエハ準備工程） （２）露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程
（又はマスクを準備するマスク準備工程） （３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシ
ング工程 （４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出
し、動作可能にならしめるチップ組立工程 （５）できたチップを検査するチップ検査工程 なお、上記のそれぞれの主工程は更に幾つかのサブ工程
からなっている。
よる半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図
１１は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一実
施例を示すフローチャートである。この実施例の製造工
程は以下の主工程を含んでいる。 （１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを
準備するウエハ準備工程） （２）露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程
（又はマスクを準備するマスク準備工程） （３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシ
ング工程 （４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出
し、動作可能にならしめるチップ組立工程 （５）できたチップを検査するチップ検査工程 なお、上記のそれぞれの主工程は更に幾つかのサブ工程
からなっている。
【００１８】これらの主工程中の中で、半導体デバイス
の性能に決定的な影響を及ぼすのが（３）のウエハプロ
セッシング工程である。この工程では、設計された回路
パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとし
て動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッ
シング工程は以下の各工程を含んでいる。 （Ａ）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部
を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤ
やスパッタリング等を用いる） （Ｂ）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 （Ｃ）薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するために
マスク（レチクル）を用いてレジストパターンを形成す
るリソグラフィー工程 （Ｄ）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工す
るエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用い
る） （Ｅ）イオン・不純物注入拡散工程 （Ｆ）レジスト剥離工程 （Ｇ）加工されたウエハを検査する工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
の性能に決定的な影響を及ぼすのが（３）のウエハプロ
セッシング工程である。この工程では、設計された回路
パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとし
て動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッ
シング工程は以下の各工程を含んでいる。 （Ａ）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部
を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤ
やスパッタリング等を用いる） （Ｂ）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程 （Ｃ）薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するために
マスク（レチクル）を用いてレジストパターンを形成す
るリソグラフィー工程 （Ｄ）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工す
るエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用い
る） （Ｅ）イオン・不純物注入拡散工程 （Ｆ）レジスト剥離工程 （Ｇ）加工されたウエハを検査する工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
【００１９】図１２は、図１１のウエハプロセッシング
工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャ
ートである。このリソグラフィー工程は以下の各工程を
含む。 （ａ）前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上
にレジストをコートするレジスト塗布工程 （ｂ）レジストを露光する工程 （ｃ）露光されたレジストを現像してレジストのパター
ンを得る現像工程 （ｄ）現像されたレジストパターンを安定化するための
アニール工程 上記の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング
工程、リソグラフィー工程については、周知のものであ
りこれ以上の説明を要しないであろう。上記（Ｇ）の検
査工程に本発明に係る欠陥検査方法、欠陥検査装置を用
いると、微細なパターンを有する半導体デバイスでも、
スループット良く検査できるので、全数検査が可能とな
り、製品の歩留まりの向上、欠陥製品の出荷防止が可能
と成る。
工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャ
ートである。このリソグラフィー工程は以下の各工程を
含む。 （ａ）前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上
にレジストをコートするレジスト塗布工程 （ｂ）レジストを露光する工程 （ｃ）露光されたレジストを現像してレジストのパター
ンを得る現像工程 （ｄ）現像されたレジストパターンを安定化するための
アニール工程 上記の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング
工程、リソグラフィー工程については、周知のものであ
りこれ以上の説明を要しないであろう。上記（Ｇ）の検
査工程に本発明に係る欠陥検査方法、欠陥検査装置を用
いると、微細なパターンを有する半導体デバイスでも、
スループット良く検査できるので、全数検査が可能とな
り、製品の歩留まりの向上、欠陥製品の出荷防止が可能
と成る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、次のような効果を奏す
ることが可能である。 （イ）マルチビーム、マルチコラムの電子線装置を容易
につくることができる。 （ロ）偏向器等の各コラムを一体の部材でつくれるので
コンパクトになり、その結果一枚の被評価或いは被加工
ウエハ上に多数の光学系を配置できる。 （ハ）絶縁スペーサを光軸から遠い位置に各光軸の共用
のものとして小数設ければ良いので、帯電の問題が発生
する確率が小さくて済む。 （ニ）スループットが（一光学系のビーム数）×（光学
系の数）倍になるので、スループットが大幅に向上す
る。 （ホ）平面の金属はがし部をリソグラフィを用いて行え
ば容易にメタライズを選択的にはがせる。 （ト）光軸毎に補正用のレンズ作用を持たせることがで
きるので、光軸毎の合焦条件を正確に合わせることがで
きる。
ることが可能である。 （イ）マルチビーム、マルチコラムの電子線装置を容易
につくることができる。 （ロ）偏向器等の各コラムを一体の部材でつくれるので
コンパクトになり、その結果一枚の被評価或いは被加工
ウエハ上に多数の光学系を配置できる。 （ハ）絶縁スペーサを光軸から遠い位置に各光軸の共用
のものとして小数設ければ良いので、帯電の問題が発生
する確率が小さくて済む。 （ニ）スループットが（一光学系のビーム数）×（光学
系の数）倍になるので、スループットが大幅に向上す
る。 （ホ）平面の金属はがし部をリソグラフィを用いて行え
ば容易にメタライズを選択的にはがせる。 （ト）光軸毎に補正用のレンズ作用を持たせることがで
きるので、光軸毎の合焦条件を正確に合わせることがで
きる。
【図１】［Ａ］は本発明による電子線装置の縦断面図で
あって、［Ｂ］の線Ａ−Ａに沿った一次光学系の断面を
示す図である。
あって、［Ｂ］の線Ａ−Ａに沿った一次光学系の断面を
示す図である。
【図２】電子銃の拡大図側面図である。
【図３】図２の線Ｃ−Ｃに沿って見た図である。
【図４】偏向器の平面図である。
【図５】偏向器の静電シールド板の平面図である。
【図６】対物レンズの上部電極の平面図である。
【図７】対物レンズの中央及び下部電極の平面図であ
る。
る。
【図８】光学レンズの光軸回りの形状の一例を示す断面
図である。
図である。
【図９】偏向器及びＥ×Ｂ分離器の平面図である。
【図１０】二次光学系を示す図である。
【図１１】本発明による半導体デバイスの製造方法の一
実施例を示すフローチャートである。
実施例を示すフローチャートである。
【図１２】図１１のウエハプロセッシング工程の中核を
なすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。
なすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。
１ 電子線装置
１０ 電子銃
１１ カソード １４ ウエーネル
ト １６ アノード ２０ 一次光学系 ２１（２１ａ〜２１ｆ） 偏向器 ２２ コンデンサ
レンズ ２３ マルチ開口板 ２４ ＮＡ開口板 ２５ 縮小レンズ ２６ Ｅ×Ｂ偏
向器 ２７ 対物レンズ ４０ 二次光学系 ４１ マルチ開口板 ５０ 検出系 ５１ 検出器 ６０ 処理制御系 ６１ 画像処理部
ト １６ アノード ２０ 一次光学系 ２１（２１ａ〜２１ｆ） 偏向器 ２２ コンデンサ
レンズ ２３ マルチ開口板 ２４ ＮＡ開口板 ２５ 縮小レンズ ２６ Ｅ×Ｂ偏
向器 ２７ 対物レンズ ４０ 二次光学系 ４１ マルチ開口板 ５０ 検出系 ５１ 検出器 ６０ 処理制御系 ６１ 画像処理部
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ２１Ｋ 1/087 Ｇ２１Ｋ 1/087 Ｓ ５Ｃ０３０
5/04 Ｍ ５Ｃ０３３
5/04 Ｗ
Ｈ０１Ｊ 37/05
Ｈ０１Ｊ 37/05 37/06 Ａ
37/06 37/12
37/12 37/28 Ｂ
37/28 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ
Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ
(72)発明者 野路 伸治
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
(72)発明者 佐竹 徹
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA10 BA15 CA03 GA01
GA06 HA09 HA13 JA02 LA11
MA05
2G011 AA01 AE03
2G014 AA02 AA03 AA08 AB59 AC11
2G132 AA00 AD15 AF13 AL00 AL11
4M106 AA01 BA02 CA08 CA39 CA41
DB14
5C030 BB02 BB05 BB06
5C033 AA02 AA05 CC01 FF01 NN01
NP01 NP05 NP06 UU01 UU02
UU04
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の電子銃から放出された一次電子線
を集束して試料面上に照射する電子線装置において、 前記一次電子線を走査させて試料面上に照射させる少な
くとも一つの電子光学素子を各電子銃毎に備え、 前記電子光学素子が、一枚の絶縁部材に上記複数の電子
銃の光軸に対応して穴を形成し、前記絶縁部材を前記穴
の回りで複数のスリットにより複数の区域に分割し、前
記絶縁部材の少なくとも前記スリットによって分割され
た区域に金属のコーティング層を施すことによって形成
され、各区域のコーティング層に別個に電圧を印加可能
になっていることを特徴とする電子線装置。 - 【請求項２】 複数の電子銃から放出された一次電子線
を走査させて試料面上に照射する電子線装置において、 前記一次電子線を集束して試料面上に照射させる複数の
レンズを各電子銃毎に備え、 前記複数のレンズが、光軸方向に隔てて配置されかつ互
いに絶縁された複数の絶縁部材を備え、前記複数の絶縁
部材の各々には前記複数の電子銃の光軸に対応した位置
に同軸の穴が形成され、各絶縁部材の表面のうち前記穴
の内面と、少なくとも前記穴の周囲の両表面に金属のコ
ーティング層を形成して各穴毎のコーティング層を互い
に絶縁し、前記複数の絶縁部材に形成されたコーティン
グ層に同一の電圧を印加することを特徴とする電子線装
置。 - 【請求項３】 複数の電子銃から放出された一次電子線
を走査させて試料面上に照射する電子線装置において、 前記一次電子線を集束して試料面上に照射させる複数の
レンズを各電子銃毎に備え、 前記複数のレンズが、光軸方向に隔てて配置されかつ互
いに絶縁された複数の絶縁部材を備え、前記複数の絶縁
部材の各々には前記複数の電子銃の光軸に対応した位置
に同軸の穴が形成され、前記複数の絶縁部材のうち少な
くとも一つの絶縁部材は、前記穴の近傍に同じ電位が与
えられるように金属のコーティング層が施され、残りの
絶縁部材は、同一の絶縁部材の各光軸の近傍が同電位に
なるように金属のコーティング層が施されていることを
特徴とする電子線装置。 - 【請求項４】 電子銃から放出された一次電子線を収束
させて試料に走査させて照射する電子線装置において、 前記電子銃が、光軸を有する複数のカソードと、これら
の複数のカソードの光軸位置に対応した穴を有するアノ
ードと、これらの複数のカソードの各光軸の回りの複数
の穴を有する制御電極群とを有することを特徴とする電
子線装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載され
た電子線装置を使用して、デバイスの製造プロセス終了
後の少なくとも１プロセスでデバイスの評価を行うこと
を特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001332941A JP2003132829A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001332941A JP2003132829A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003132829A true JP2003132829A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19148289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001332941A Withdrawn JP2003132829A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003132829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013097869A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Ebara Corp | 試料観察装置及び試料観察方法 |
| CN115902576A (zh) * | 2022-09-28 | 2023-04-04 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种pcb层偏检测装置、方法及相关组件 |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001332941A patent/JP2003132829A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013097869A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Ebara Corp | 試料観察装置及び試料観察方法 |
| KR101816935B1 (ko) | 2011-10-28 | 2018-01-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 시료 관찰 장치 및 시료 관찰 방법 |
| CN115902576A (zh) * | 2022-09-28 | 2023-04-04 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种pcb层偏检测装置、方法及相关组件 |
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