JP2003140345A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003140345A5 JP2003140345A5 JP2001338103A JP2001338103A JP2003140345A5 JP 2003140345 A5 JP2003140345 A5 JP 2003140345A5 JP 2001338103 A JP2001338103 A JP 2001338103A JP 2001338103 A JP2001338103 A JP 2001338103A JP 2003140345 A5 JP2003140345 A5 JP 2003140345A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- positive resist
- resist composition
- composition according
- polymer skeleton
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical group FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 125000006551 perfluoro alkylene group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical group CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
Claims (4)
- （Ａ）ポリマー骨格の主鎖及び／又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び
（Ｄ）少なくとも一つのフッ素原子を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - （Ａ）の樹脂が、パーフルオロアルキレン基、パーフルオロアリーレン基から選択される部位を、ポリマー骨格の主鎖に少なくとも一つ有するか、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリール基、ヘキサフルオロ−２−プロパノ−ル基、及びヘキサフルオロ−２−プロパノ−ル基のＯＨ基を保護した基から選択される部位を、ポリマー骨格の側鎖に少なくとも一つ有するフッ素基含有樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
- １８０ｎｍ以下の波長の遠紫外光による露光用組成物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001338103A JP2003140345A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001338103A JP2003140345A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003140345A JP2003140345A (ja) | 2003-05-14 |
| JP2003140345A5 true JP2003140345A5 (ja) | 2005-04-07 |
Family
ID=19152644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001338103A Abandoned JP2003140345A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003140345A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8097401B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-01-17 | International Business Machines Corporation | Self-forming top anti-reflective coating compositions and, photoresist mixtures and method of imaging using same |
| JP4636201B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-02-23 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP6035887B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-11-30 | セントラル硝子株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| KR102177417B1 (ko) * | 2017-12-31 | 2020-11-11 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | 포토레지스트 조성물 및 방법 |
| JP7757914B2 (ja) * | 2021-10-20 | 2025-10-22 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7757915B2 (ja) * | 2021-10-20 | 2025-10-22 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2023062677A (ja) * | 2021-10-21 | 2023-05-08 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7838440B2 (ja) * | 2021-10-21 | 2026-04-01 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3915870B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2007-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3874061B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2007-01-31 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3804756B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2006-08-02 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3687735B2 (ja) * | 1999-10-13 | 2005-08-24 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3672780B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2005-07-20 | セントラル硝子株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| JP3981803B2 (ja) * | 1999-12-15 | 2007-09-26 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4132510B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2008-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3861966B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3861976B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3797415B2 (ja) * | 2000-02-17 | 2006-07-19 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3912483B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2007-05-09 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4190167B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| US7108953B2 (en) * | 2000-10-13 | 2006-09-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dissolution inhibitors in photoresist compositions for microlithography |
| JP3734015B2 (ja) * | 2000-11-16 | 2006-01-11 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4199914B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2008-12-24 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| US20050100814A1 (en) * | 2000-11-29 | 2005-05-12 | Berger Larry L. | Bases and surfactants and their use in photoresist compositions for microlithography |
| US6858379B2 (en) * | 2001-03-22 | 2005-02-22 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions for short wavelength imaging |
| JP2005509180A (ja) * | 2001-03-22 | 2005-04-07 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 短波長像形成用の溶媒およびフォトレジスト組成物 |
| KR100416595B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 플루오르가 함유된 폴리머 및 이를 포함하는 화학증폭형레지스트 조성물 |
| JP3891257B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2007-03-14 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3988038B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2007-10-10 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3945200B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2007-07-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3978601B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2007-09-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001338103A patent/JP2003140345A/ja not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2632066B2 (ja) | ポジ画像の形成方法 | |
| JP2764771B2 (ja) | 感光性組成物 | |
| JP2003167333A5 (ja) | ||
| JP2001281849A5 (ja) | ||
| EP1480079A8 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP2008310314A5 (ja) | ||
| JP2003241379A5 (ja) | ||
| EP0831369A3 (en) | Positive photosensitive composition | |
| JP2004302198A5 (ja) | ||
| ATE434202T1 (de) | Photoresistzusammensetzung für die belichtung mit duv-strahlung | |
| JP2001183837A5 (ja) | ||
| JP2004334107A5 (ja) | ||
| JP2004287262A5 (ja) | ||
| JP2003280202A5 (ja) | ||
| JP2003140345A5 (ja) | ||
| JP2003270791A5 (ja) | ||
| JP2000231194A5 (ja) | ||
| JP2003262952A5 (ja) | ||
| JP2000019737A5 (ja) | ||
| JPH11327145A5 (ja) | ||
| JP2002323768A5 (ja) | ||
| JP2003207886A5 (ja) | ||
| JP2000187329A5 (ja) | ||
| JP2001330957A5 (ja) | ||
| JP2000347410A5 (ja) |