JP2003177012A - 表面形状測定方法及び表面形状測定装置 - Google Patents
表面形状測定方法及び表面形状測定装置Info
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Abstract
被測定物表面を光走査し、その反射光に基づいて被測定
物表面の形状を測定する表面形状測定装置において、検
査速度の高速化と測定精度の改善を図り測定全体のスル
ープットを向上させる。 【解決手段】 回転するポリゴンミラー5に、複数のレ
ーザ素子からレーザ光L1、L2及びL3を入射し、ポ
リゴンミラー5が反射偏向するレーザ光Lを被測定物1
0の表面11に光を走査する。被測定物10を移動させ
ながら、被測定物10の表面11から反射する反射光L
rを受光領域が複数の独立した領域に分割された光検出
器14で受光し、光検出器からの信号を基に被測定物1
0の表面11の形状を算出する演算装置16で構成す
る。
Description
装された電子部品や、半導体チップ、半導体ウエーハ等
の被測定物の所定面に光を走査して、その被測定物の所
定面から反射した散乱反射光を検知し、被測定物の形状
不良や表面の欠陥等を測定・検査するための表面形状測
定方法及び表面形状測定装置に関する。
上に実装された電子部品の表面を検査する装置としてよ
く知られているレーザスキャン方式の表面検査装置を示
す。
検査装置は半導体レーザ素子31から放射されたレーザ
光Lをコリメータレンズ32により平行光に揃え、アナ
モフィックプリズム34を用いてビーム形状を整形し、
ポリゴンミラー35の外周面35aに入射する。ポリゴ
ンミラー35は鏡面から成る外周面35aで構成される
8面体を有し、回転軸Pの回りを矢印方向E、すなわち
時計回りに、たとえば3,600rpmの速度で回転す
る。レーザ光Lは回転軸Pに対し垂直方向からポリゴン
ミラー35の外周面35aに入射する。外周面35aで
反射するレーザ光Lは、ポリゴンミラー35の回転に沿
ってレーザ光L1〜L2の範囲で偏向される。偏向され
たレーザ光L1〜L2は複数個(図では3枚の場合を例
示)のレンズ37、38及び39から成る光走査用fθ
レンズ系36によって偏向及び集光され、被測定物40
の表面41に向かって光を走査する。
向から見た図である。図19(b)で示すようにポリゴ
ンミラー35で反射偏向したレーザ光L1〜L2は、光
走査用fθレンズ系36を通り被測定物40の表面41
に向かって光を走査する。この光走査によって被測定物
40の表面41で反射した散乱反射光Lrは、レーザ光
L1〜L2の光軸を挟んだ対称位置に配置した一対の集
光レンズ43でそれぞれ集光され、さらに一対の光検出
器44の受光面45にそれぞれ入射する。光検出器44
は受光した光の大きさや強さに応じた電気信号を演算装
置46に出力する。被測定物40を矢印Aの方向に移動
させながら前記光走査を繰り返すことにより、被測定物
40の表面41に生じた凹凸の状態を検知し、その凹凸
を示した電気信号を得る。
光L1〜L2の光軸を挟んだ両側の対称位置にそれぞれ
配置すれば、被測定物40の表面41の部品42の段差
で散乱反射光Lrが遮られ、一方の光検出器44に散乱
反射光Lrが入射されなくとも、他方の光検出器44で
検出することができる。
2が実装されている状態を示す。ポリゴンミラー35で
レーザ光L1〜L2を反射偏光して光を走査すると、被
測定物40の表面41には部品42の凹凸に対応した走
査光49が集光する。走査光49は被測定物40の表面
41でLr1〜Lr2の巾を持って反射する。反射散乱
光Lr1〜Lr2は集光レンズ43及び48で集光さ
れ、光検出器44の受光面45に入射して入射散乱光4
7として集光する。したがって入射散乱光47は被測定
物40の表面41に実装された部品42の凹凸に応じた
形を示す。光検出器44は、入射散乱光47を光電変換
するとともに、受光面45における入射散乱光47の光
照射位置に対応した電気信号を演算装置46に出力す
る。演算装置46は、光検出器44から入力された電気
信号に基づいて、被測定物40の表面41に実装された
部品42の高さの位置を良く知られた三角測距法により
算出する。
0を矢印A方向に動かしながらその表面41に向かって
光走査を繰り返し、部品42の凹凸の高さ信号50、5
1及び52を求めたものを示す。
とえば、特開平5−281130号公報や特開平6−3
17534号公報に提案されており、これらは波長が異
なる第1、第2のレーザ光源を用いている。
された電子部品などの被測定物表面の測定・検査のスル
ープットの向上を図るためには、測定・検査速度を高め
なければならない。しかし従来の測定・検査装置ではポ
リゴンミラーの高速回転化や受光センサーの高速化には
限界があった。
を向上させるには実装回路基板に実装された電子部品だ
けではなく、実装回路基板に実装される前の電子部品単
体での形状、たとえば半導体素子の外部端子の形状やそ
の歪みの状態を測定・検査しておくことが効果的であ
る。
とが実装回路基板に混載されると、実装回路基板の表面
には大小の部品によって高低差が生じる。こうした高低
差は測定のスループットを低下させる。なぜならば、被
測定面側に高低差が生じると大きさ、形状の異なる被測
定物に応じて光走査手段等を再調整、再設定しなければ
ならないからである。
速化を図って、スループットを大幅に改善することがで
きる表面形状測定方法及び表面形状測定装置を提供する
ことを目的とする。
に、本発明の形状測定方法は、ポリゴンミラーを介して
被測定物に複数のレーザ光を走査線が連続するように走
査させる工程と、この被測定物からの反射光を受光して
被測定物の表面形状を算出する工程とを有するものであ
る。複数のレーザ素子を用いることにより、光走査を高
速化するとともに、複数の走査線が連続した走査線を形
成し、精度の高い形状測定を可能にするものである。
ミラーの回転に同期して複数のレーザ素子の照射を制御
するものである。この構成により、被検査物からの反射
光を光検出器が受光する際に、不要な部分からの反射光
を抑制し、また、大きさの異なる被測定物の形状を測定
する場合、被測定物の大きさに応じて複数のレーザ素子
の発振を切替えることにより、高速で精度の良い形状測
定が可能になるものである。
ーザ素子からの放射レーザ光を、ポリゴンミラーの回転
軸に直交する面で互いの光軸が所定の角度を有するよう
配して、前記ポリゴンミラーにより反射偏向し、光走査
用fθレンズ系を通して被測定物の表面に所定の時間差
をもたせて光走査する。そして被測定物を光走査用fθ
レンズ系に対し相対移動させながら前記複数のレーザ光
により光走査し、被測定物表面から反射する複数のレー
ザ光を、レーザ素子の数量に応じて分割された光検出器
により、それぞれ分離して検出する。これにより、被測
定物の表面には、常に所定の時間で複数のレーザ光が光
走査することになり、被測定物の送り速度を高速にする
ことが可能になり、測定速度を改善するものである。
リゴンミラーと、前記ポリゴンミラーの外周面にレーザ
光を入射する複数のレーザ素子と、前記ポリゴンミラー
が反射偏向するレーザ光を被測定物の所定面に光走査す
る光走査手段とを備え、前記光走査手段は焦点距離fm
mを有する光走査用fθレンズ系を含み、前記N面体の
外周面の1辺の長さをK、前記外周面の1辺の長さKに
おける測定有効領域をH、前記被測定物の表面に光走査
するレーザ光の間隔をy、円周率をπとすると、前記複
数のレーザ素子の相隣接するレーザ光同士が成す光軸の
角度α1を、レーザ光の走査方向に(数4)の値に配設
し、かつ、前記レーザ光同士の光軸の間の角度α2を前
記被測定物と前記光走査手段が相対的に移動する方向
に、(数5)の値に配設する形状測定装置である。
る。
る。
続した走査が可能となる。
リゴンミラーと、前記ポリゴンミラーの外周面にレーザ
光を入射する複数のレーザ素子と、前記ポリゴンミラー
が反射偏向するレーザ光を被測定物の所定面に光走査す
る光走査手段とを備え、前記光走査手段は焦点距離fm
mを有する光走査用fθレンズ系を含み、前記N面体の
外周面の1辺の長さKに対する測定有効領域Hの割合を
R=H/K、前記被測定物に光走査するレーザ光の間隔
をyとすると、前記複数のレーザ素子の相隣接するレー
ザ光同士が成す光軸の角度を360/N(度)に配設
し、前記複数のレーザ素子の相隣接するレーザ光同士が
成す光軸のα3を前記被測定物と前記光走査手段が相対
的に移動する方向に(数6)の値だけ互いに逆方向に傾
けて配設する形状測定装置である。これによって、複数
のレーザ光で安定で連続した走査が可能となる。
る。
形態について、図1から図7を用いて説明する。図1は
本実施の形態に係り、レーザ光を被測定物の所定面、た
とえばその表面にレーザ光を照射して形状を測定する形
状測定装置を示す。
び3を用意する。測定精度を高めるにはレーザ素子が放
射するレーザ光の波長は1μm以下が好ましく、たとえ
ば、これら3つの波長は同一波長の780nmに設定す
る。レーザ素子1から放射するレーザ光L1はコリメー
タレンズ4を通過して、アナモフィックプリズム(図示
せず)に入射する。アナモフィックプリズムを経てビー
ム形状を整形し、ポリゴンミラー5の外周面5aに入射
する。
8つの鏡面から成り、その外周面5aは、回転軸Pの回
りを矢印Eの方向、すなわち時計回り方向にたとえば、
3,600rpmの速度で回転する。レーザ光L1はポ
リゴンミラー5の外周面5aに入射する。これによっ
て、ポリゴンミラー5で反射するレーザ光L1は、ポリ
ゴンミラー5の回転に沿って光路LaからLb、Lcの
方向に偏向される。ここでLa、Lb及びLcはポリゴ
ンミラー5で反射する反射光が、それぞれ光走査用fθ
レンズ系6の入側端、中央及び出側端に入射するときの
光路を示す。
複数枚(図では3枚の場合を例示)のレンズ7、8及び
9からなる光走査用fθレンズ系6によって偏向及び集
光された後、被測定物10の表面11をその一辺の所定
方向(矢印Xの方向)に光走査する。
レーザ光L2、L3は、レーザ光L1と同様にポリゴン
ミラー5及び光走査用fθレンズ系6を通り、被測定物
10の表面11を光走査する。レーザ素子1、2及び3
がそれぞれ放射するレーザ光L1、L2及びL3の波長
は前に述べたようにたとえば780nmの同一波長であ
るが、レーザ素子L1〜L3はそれぞれ異なる波長であ
ってもよい。その場合は光走査用fθレンズ系6として
は波長の違いによる収差を補正する色収差補正レンズを
使用する。
種の電子部品、たとえば抵抗、コンデンサ、コイル、半
導体素子及び集積回路等が実装された実装回路基板であ
ったり、或いは個々の電子部品であったりする。また、
被測定物10が実装回路基板である場合、実際の測定に
供されるのはそこに実装された電子部品であるが、本書
においては実装回路基板を含む全体を被測定物と称す
る。又、電子部品単体を測定する場合、その電子部品の
測定を容易かつ安定に行うためにプリント板に固定、装
着することもある。この場合には電子部品とプリント板
とが一体化された状態を被測定物と称する。又、電子部
品等が固定しやすく位置が安定しているものはそのまま
の状態で本発明の形状測定装置に供することができる。
この場合には電子部品そのものが被測定物である。又、
電子部品の中には半導体チップ、半導体ウエーハも含ま
れる。本発明の形状測定装置はたとえば、半導体ウエー
ハの表面の凹凸を測定するのにも好適である。
状やその所定面に生じた凹凸12の大きさを測定するた
めに、ポリゴンミラー5を回転させながら被測定物10
を今、紙面の手前から奥に向かう方向(Yで示す方向)
に連続的に移動する状態を示す。ポリゴンミラー5の回
転速度を速くしかつ、移動距離yを小さく設定すれば被
測定物10の測定精度は向上する。しかし、測定時間が
長くなることを是認しなければならない。移動距離yの
大きさは被測定物10の大きさにもよるが、数十μmが
妥当である。本実施の形態においてはポリゴンミラー5
の回転速度を3,600rpm、被測定物10の移動速
度を38.4mm/秒、移動距離yを40μmに設定し
た。
光との位置関係をごく簡単に示したものである。図2
(a)に示すように、ポリゴンミラー5の外周面5aを
8面備え、回転軸Pを中心に矢印E方向、すなわち時計
回りに回転する。ポリゴンミラー5の回転は面A、B及
びCで示したように2等辺三角形がこの順序で回転して
いる状態と見なせる。又、面A〜Cは8つの外周面5a
の内の1つの外周面5aの回転軌跡を示している。
の放射方向Fとが一致したときを示す。2等辺三角形Q
1の頂角θ1はポリゴンミラー5が8面体であるから4
5度になる。
外周面5a(2等辺三角形Q1の底辺)に直交する方向
Fから図示しないレーザ光を放射すると、レーザ光は外
周面5aのほぼ中心部にあたる。すなわち、面Bは外周
面5aの底辺側のほぼ中心にレーザ光の放射方向Fとが
一致しているときを示す。このとき、2等辺三角形Q1
の底辺と外周面5aの一辺とが重なった状態であり、面
Aに比べて時計回りに22.5度遅れた位置に置かれて
いる。
りに回転した状態を示す。このときは、レーザ光の放射
方向Fと2等辺三角形Q1の他の一辺とが一致したとき
である。面A〜Cまでに要する回転角度は45度であ
る。
している。レーザ光の任意の方向Fと直交する面Bを中
心にして、反時計回りに22.5度の位置に置かれた面
A、時計回りの22.5度の位置に置かれた面Cに向か
って後述するレーザ光が放射される状態を示す。すなわ
ち、ポリゴンミラー5の1つの外周面5aで受容できる
レーザ光の範囲は45度の大きさであり、この大きさは
ポリゴンミラーをN面体とすれば、360/N(度)の
大きさに等しい。
ゴンミラー5及び光走査用fθレンズ系6を経て、被測
定物10の表面11に光を走査する状態を示す。ポリゴ
ンミラー5の外周面5aが面Aの位置に置かれたとき、
レーザ素子2からのレーザ光L2はポリゴンミラー5の
外周面5aで反射し、光路Laを通り光走査用fθレン
ズ系6の入側端に入射する。ポリゴンミラー5の外周面
5aが面Cの位置に置かれたときは、レーザ光L2は光
路Lcを通り光走査用fθレンズ系6の出側端に入射す
るよう光走査用fθレンズ系6を配設する。したがって
外周面5aが面Bの位置では、レーザ光L2は光走査用
fθレンズ系6の中央に入射する光路Lbを通る。
置に置かれたとき、レーザ光L1は面Aで反射し、光路
Lbを通り被測定物10の中央の点B1(X2,Y1)
を照射する。同様にレーザ光L2は面Aで反射し、光路
Laを通り被測定物10の右端の点A1(X1,Y1)
をそれぞれ照射する。ここでX1、Y1は被測定物10
表面のX方向及びY方向の位置を示す。レーザ光L3は
面Aに対する入射角が大きすぎて光走査用fθレンズ系
6とは反対側に反射され、被測定物10の表面上には現
れない。
Bの位置に置かれると、レーザ光L1は光路Lcを通り
被測定物の10の左端X3上を、レーザー光L2は光路
Lbを通り被測定物10の中央X2上を、又、レーザ光
L3は光路Laを通り被測定物10の右端X1上をそれ
ぞれ照射する。このとき、被測定物10をY方向に距離
yだけ移動させるとレーザ光L1は点C2(X3,Y
2)を、レーザ光L2は点B2(X2,Y2)を、レー
ザ光L3は点A2(X1,Y2)をそれぞれ照射する。
したがってレーザ光L1はポリゴンミラー5が回転し、
面Aから面Bの状態に移る間に点B1と点C2を結ぶ直
線上を走査し、レーザ光L2は点A1と点B2を結ぶ直
線上を走査する。
する間はレーザー光L1は被測定物10上には現れな
い。ポリゴンミラー5が回転し外周面5aが面Cの状態
に置かれると、レーザ光L2は光路Lcを通り、被測定
物10の左端の点C3(X3,Y3)を照射する。又、
レーザ光L3は光路Lbを通り、被測定物10の中央の
点B3(X2,Y3)を照射する。したがって、ポリゴ
ンミラー5の外周面5aが面Bから面Cまで回転する間
に、レーザ光L2は点B2から点C3まで,レーザ光L
3は点A2から点B3までそれぞれ光を走査する。面C
の直後は再び面Aの状態に戻る。
る。すなわち、レーザ光L1は被測定物10の表面11
を点B1と点C2を結ぶ光走査65上を光走査し、レー
ザ光L2は点A1、点B2及び点C3を結ぶ光走査66
を描く。同様にレーザ光L3は点A2と点B3を結ぶ光
走査67を行う。
再び面Aの状態に戻り、前記の光走査が繰り返される。
すなわち次ぎの外周面5aが現れると、レーザ光L1は
点B3とC4とを結ぶ光走査を行う。レーザ光L1の光
走査によって、光走査67と光走査68は連続した1本
の走査線を描く。レーザ光L2は光走査69を行い、レ
ーザL3は光走査70を行う。
レーザ光L1、L2及びL3はたとえば40μmの間隔
をもって被測定物10の表面11の一方の長さWの間を
連続して光を走査する。その結果、従来の1個のレーザ
素子を使用する場合に比べ、被測定物10の移動を高速
に移動することができる。
ポリゴンミラー5の外周面5aの面Bとほぼ平行にレー
ザ光L1の光軸を配置したので、レーザ光L1が光走査
する被測定物10の表面11のX3付近の領域S1及び
レーザ光L3が光走査する被測定物10の表面11のX
1付近の領域S2は不安定に置かれる。したがって、被
測定物10の一辺の長さをレーザ光の照射可能な長さW
からこれらの不安定領域(S1+S2)を除いた長さW
1以下に設定するならば測定精度を高めることができ
る。又、測定精度を高める他の方法としては光走査の不
安定部分を除くために、光走査用fθレンズ系6の巾Z
を小さくしてもよい。
1からの反射光を検出し、被測定物10の形状や所定面
における凹凸の大きさを求める方法を示す。図4は図1
を矢印Dの方向から見た本実施例の構成を示す概略図で
ある。
放射光L1、L2及びL3(まとめてLと表示)は、ポ
リゴンミラー5の外周面5aで反射偏向され光走査用f
θレンズ系6を通り、被測定物10の表面11を光走査
する。この光走査によって被測定物10の表面11で反
射した散乱反射光Lrは、レーザ光Lの光軸を挟んだ両
側の対称な位置に配置した一対の集光レンズ13で集光
され後、さらに一対の光検出器14に入射する。一対の
光検出器14はそれぞれ散乱反射光Lrの走査方向に対
して受光領域がそれぞれに独立した3つの受光領域14
a、14b及び14cに分割されており、それぞれの領
域が受光した光の大きさに応じて電気信号を演算装置1
6a、16b及び16cに出力する。
電気信号を受取ると、その大きさに応じて、被測定物1
0の表面11の凹凸を表す高さ信号に変換し表示装置1
5に出力する。このとき、光検出器14の受光領域を分
割しておくと、被測定物10の表面11を所定の間隔を
持って光走査する複数の走査光からの散乱反射光を、そ
れぞれ分離して検出することができる。被測定物10を
矢印Yの方向に移動させながら前記光走査を繰り返すこ
とにより、被測定物10の表面11の形状や凹凸の状態
を表す電気信号を得ることができる。
出器14をレーザ光Lrの光軸を挟んだ対称の位置に配
置したので、被測定物10の表面11の凹凸12の段差
で散乱反射光Lrが遮られて、一方の光検出器14に散
乱反射光Lrが入射されないという不都合が生じても、
他方の光検出器14で検出することができる。
12を高さ信号として検出する方法を示す。ここでポリ
ゴンミラー5の外周面5aが面Aから面Cまで回転する
のに要する時間を2tとする。時間0からtの間で、レ
ーザ素子1のレーザ光L1は被測定物10の表面11に
光走査線18で示すように点B1から点C2まで光走査
する。又レーザ素子2のレーザ光L2は光走査線19で
示すように点A1から点B2まで光走査する。被測定物
10の表面11から反射するレーザ光L1の散乱反射光
Lr1は集光レンズ13で集光され、3分割された光検
出器14上を光走査線18aのように走査する。すなわ
ち中央の受光領域14bの真中から受光領域14cの左
端に向かって光走査する。
で高さ信号に変換する状態を示す。時間0からt/3ま
では演算装置16bから、t/3からtまでは演算装置
16cから、それぞれ被測定物10の表面11の凹凸に
応じた信号をそれぞれ出力する。
に、光走査線19で示すように点A1から点B2まで被
測定物10の表面11上を光走査する。そして被測定物
10の表面11から反射する散乱反射光Lr2は光走査
線19aで示すように受光領域14aの右端から、受光
領域14bの中央まで光走査する。したがって時間0か
ら2t/3までは演算装置16aから、2t/3からt
までは演算装置16bから、それぞれ被測定物10の表
面11の凹凸12に応じた信号を出力する。
1による被測定物10の表面11上の点B2から点C3
に至る走査光からの散乱反射光が、光検出器14の光走
査線18aで示した位置を、又、レーザ光L3による被
測定物10の表面11上の点A2から点B3に至る走査
光からの散乱反射光が、光検出器14の光走査線19a
の位置をそれぞれ光走査する。
6a、16b及び16cが出力する高さ信号を示す。図
6においてL100はレーザ光L1により得た被測定物
10の高さ信号であり、L200及びL300はそれぞ
れレーザ光L2及びL3により得た被測定物10の高さ
信号を示す。高さ信号L100、L200及びL300
はレーザ光L1、L2及びL3がそれぞれ被測定物10
の表面11を光走査した位置に対応して演算装置16
a、16b及び16cで取り出される高さ信号である
が、これらの高さ信号を並べ替えることにより、図4に
示した表示装置15には被測定物10の表面11の凹凸
12の状態を表示することができる。
ミラー5を用いたが、8面体の形状に限定されない。ポ
リゴンミラー5をN面体で構成し、レーザ素子1、2及
び3の光軸をそれぞれ360/N(度)に配設すれば、
実施の形態1と同様の機能を奏する。たとえば図1の構
成においてポリゴンミラー5を12面体で構成し、レー
ザー素子1、2及び3の光軸をそれぞれ30度に構成す
れば、実施の形態1においてX1あるいはX2付近で光
走査が不安定になるという不都合を排除することができ
るから、レーザ光L1ないしL3が光走査する被測定物
10の全領域にわたり精度のよい高さ信号を得ることが
できる。
一つの光検出器に複数のレーザ素子からの反射散乱光が
入射することを防止するようにしたが、光検出器を2分
割することもできる。なぜならば、光検出器を2分割に
すれば、一つの光検出器が2つの反射散乱光を検知する
恐れが生じるのは、レーザ光がそれぞれ被測定物10の
右端と中央、あるいは中央と左端を照射するときだけで
あり、光検出器を2分割した境界部には必ず有限長の非
動作部分があり、レーザスポットの大きさを前記非動作
部分より小さくすれば、前記不都合が生じないように構
成することができる。したがって、使用するレーザ素子
の数をm個とするとき、光検出器はm−1以上に分割し
て構成すればよい。
照して説明する。
構成する第1群のレーザ素子に加えて、レーザ素子81
及びレーザ素子82で構成する第2群のレーザ素子を備
える。第1群のレーザ素子は第1の測定モードを構成す
る。第1群のレーザ素子及び第2群のレーザ素子の両方
を用いて第2の測定モードを構成する。もちろん第1の
測定モード及び第2の測定モードのいずれかに設定する
か又は両者を切り換えながらいずれか一方を交互に使用
することもできる。
大きく、かつ、測定精度がさほど要求されない形状測定
装置に好適である。測定精度を望む場合には測定時間を
長く設定すればよい。又、第2の測定モードは、被測定
物が比較的小さくかつ測定精度が要求される形状測定装
置に好適である。
されるそれぞれのレーザ光L1、L2及びL3の走査光
については既に実施の形態1の図3を用いて説明した通
りである。すなわち、図8において、被測定物10の表
面11上をレーザ光L1は光走査65で示す走査軌跡を
描き、レーザ光L2は光走査66で示す走査軌跡を、レ
ーザ光L3は光走査67で示す走査軌跡をそれぞれ描
く。
に配設し、レーザ素子81の光軸L4はレーザ素子1及
び2の光軸のなす角を2等分する位置に配置する。すな
わち光軸L2を基準にして反時計回りに22.5度の位
置に配設する。同様にレーザ素子82の光軸L5をレー
ザ素子2及び3の光軸のなす角を2等分する位置、すな
わち光軸L2を基準にして時計回りに22.5度の位置
に配設する。
81から放射されるレーザ光L4の光軸を、レーザ光L
1及びL2の光軸を2等分する位置に配置すると、ポリ
ゴンミラー5の外周面5aが面Aの位置にあるとき、面
Aで反射したレーザ光L4は、光路La及びLbのなす
角度を2等分する光路Ldを通る。すなわち、光路Ld
は光走査用fθレンズ系6の入側端を通る光路Laと中
央を通る光路Lbを2等分する光路で、被測定物10の
表面11上の右端X1と中央X2の中点であるX4を照
射する。したがって、レーザ光L4は光走査線20で示
すように、点A1と点B1の中点(X4,Y1)を起点
として光走査を開始し、被測定物10の左端X3まで光
走査する。すなわち、レーザ光L4の走査光は、レーザ
光L1及びレーザ光L2の走査光の中央を光走査する。
の外周面5aが面Aと面Bの中間の位置まで回転する
と、光走査用fθレンズ系6の入側端を通る光路Laを
通り被測定物10の表面11の右端X1を照射する。こ
のとき被測定物10をy/2だけY方向に移動してやる
と、レーザ光L5は被測定物10の表面11のX1上
で、点A1と点A2の中央部を照射する。ポリゴンミラ
ー5がさらに回転し面Cの位置に置かれると、光路Lb
と光路Lcの中間の光路Leを通り、被測定物10の表
面11上の中央X2と左端X3との中点であるX4まで
光走査する。
に、被測定物10の表面11の右端X1上で、かつ、点
A1と点A2の中点を起点として光走査を開始し、レー
ザ光L2及びレーザ光L3の走査光の中央をX4まで光
走査する。ポリゴンミラー5の回転に沿って、レーザ光
L1ないしL5は前記光走査を繰り返す。
1の中央部X4とX5の間は、実施の形態1に比較し2
倍の密度で光走査することができる。
10の大きさに応じてレーザ素子の数を切換えることを
特徴とする。すなわち、被測定物10の一辺の長さWが
比較的大きく、たとえば、W=60mm前後の場合は図
8示のようにレーザ光L1、L2及びL3を用い、光走
査65、66及び67を行って被測定物10の表面11
の形状や凹凸を第1の測定モードで測定する。又、被測
定物10の大きさが比較的小さく、その一辺の長さが上
記Wの1/2以下のとき、すなわち、30mm以下の場
合はレーザ光L1、L2及びL3に加えて、L4とL5
も用いて第2の測定モードで被測定物10の形状やその
表面の凹凸12を測定する。
さW2がWの1/2以下のように比較的小さい場合は、
被測定物10の一辺の長さW2の間を実施の形態1に比
べて2倍の密度で光走査することができるので、被測定
物10の表面11の凹凸や形状の測定精度は被測定物の
一辺が比較的大きなものに比べて大幅に向上することが
できる。
で、測定・検査精度がさほど要求されない場合は、被測
定物10の移動速度を2倍に速めても、走査光の密度は
実施の形態1とほぼ同じにすることができるので、測定
精度を低下させずに測定することができる。
ラー5は8面体に限定されない。ポリゴンミラー5をN
面体で構成し、第1群のレーザ素子の光軸をそれぞれ3
60/N(度)になるよう構成すれば、実施の形態2と
同等の機能を奏する。例えば図1の構成においてポリゴ
ンミラー5を12面体で構成し、レーザー素子1、2及
び3の光軸を各30度に形成し、レーザ素子4及び5を
それぞれレーザ素子1と2、及びレーザ素子2と3の間
に配置してもよい。
同様に、第1群及び第2群で使用するレーザ素子の数の
合計をm個とするとき、光検出器はm−1以上に分割し
て構成することもできる。
し図10を用いて説明する。基本的な動作は図8によっ
て説明できる。図8の説明は既に前の実施の形態で述べ
た通りであるので詳細な説明は省略する。本実施の形態
は被測定物10の一辺の長さがWの半分程度のW2で示
すように比較的小さな場合の測定に好適である。被測定
物10の中には抵抗やコンデンサ、集積回路等比較的小
型でその一辺が30mm以下のものも少なくない。本実
施の形態ではこうした比較的小型の電子部品の形状測定
装置に好適である。
物の一辺の長さがWで示したように比較的大型のものま
でをカバーすることができる。しかし、小型から大型の
被測定物まで広範囲にカバーする形状測定装置において
は何らかの不都合が生じ得る。本実施の形態においては
小型の電子部品の測定を行うと次ぎのような問題点が生
じる。すなわち、対象被測定物10の測定時に、周囲か
ら不要な反射光が光検出器14に到来してしまうという
ことである。本実施の形態はこうした不要光を遮蔽する
測定方法を提供する。
一辺の長さW2の被測定物10を測定する場合には、X
点はX4〜X5までの範囲で足りる。しかし、本発明の
形状測定装置はX点において、X1〜X4の間、及びX
5〜X3の間もレーザ光が走査されるが、これらのレー
ザ光の走査は一辺の長さがW2の被測定物10の測定に
おいては不要なレーザ光となる。不要なレーザ光又は不
要な反射光が光検出器14に到来すると本来測定に必要
な正規の信号に障害を及ぼすから好ましくない。
来を遮断する手段を提供する。具体的には、レーザ光L
1ないしL5はその一辺の長さW2の被測定物10の表
面11を光走査している間だけ発光するよう構成する。
からY3まで移動するのに要する時間を2tとする。こ
こで時間2tの大きさは、ポリゴンミラー5の回転数と
外周面の構成によって決定される。たとえばポリゴンミ
ラー5の外周面が8面体で、回転数を3,600rpm
とすると、2t=1/(3,600/60)×8(秒)
となる。すなわち、1/480(秒)である。
間を0、Y3を照射しているときを時間2tとし、各レ
ーザ素子の発光のタイミングを同図から求めると図9に
示す通りになる。レーザ光L1ないしL5までを図9に
示すタイミングで発光させれば、レーザ光L1ないしL
5は被測定物10の一辺の長さW2の測定に必要なとき
だけ発光させることができる。
光を切替えるタイミングを示す。図9に示したタイミン
グは図8から導きだせる。すなわち、図8示の点(X
4,Y1)、(X4,Y3)、(X5,Y1)及び(X
5,Y3)で囲まれた領域に着目し、Y1からY3まで
の走査時間を2tとすると、レーザ素子1は時間0〜
0.5tの期間で点灯していることがわかる。同様にレ
ーザ素子2は時間0.5t〜1.5tの期間で点灯して
いることを示す。同様にレーザ素子3、81及び82に
注目すると、それぞれ、1.5t〜2t、0〜1t、及
び1t〜2tの期間に点灯していることを示す。
替える方法を示す。面Aから面Cまで45度回転するポ
リゴンミラー5の外周面5aに、レーザ素子1、2、
3、81、82とは別個に設けたレーザ素子(図示せ
ず)からの照射光23を入射する。
置に光検出器24を配設し、面Cからの反射光30bを
受光する位置に光検出器28を配設する。反射光30a
と30bの成す角度は90度である。光検出器24と2
8との間に等間隔で光検出器25、26及び27を配設
する。したがって、ポリゴンミラー5の外周面5aが面
Aから面Cまで回転する間に、時間0で光検出器24か
らパルス信号が発生し、以降0.5t経過するごとに光
検出器25ないし28が順次パルス信号を発生する。前
記パルス信号をレーザ素子1、2、3、81及び82の
発振を制御する制御装置29に送り、制御装置29によ
りレーザ素子1、2、3、81、82の発振を図9の通
りに制御する。
示す光走査用fθレンズ系6と被測定物10との間に遮
蔽板22を設けてもよい。遮蔽板22は矢印220方向
に移動可能に構成し、被測定物10の一辺の長さW2の
ときは光路Ldから光路Leの間を通過するレーザ光の
みを通す位置に置き、被測定物10の一辺の長さがWの
ときは左右に移動し、光路Laから光路Lcまでの全て
のレーザ光を通すよう構成する。こうした本実施の形態
3によれば、被測定物10が小型の場合でもレーザ光を
測定対象物のみに照射することができ、正確に電子部品
等の形状測定ができる。
の形態を示す。
放射スポット径が比較的大きい場合であっても、被測定
物10の形状等を正確に測定することができる形状測定
装置を提供する。スポット径が20μm〜30μmの比
較的大きな光学系でよければ形状測定装置は廉価に構成
することができる。
のポリゴンミラー60が回転軸Pの回りを矢印Eの方
向、すなわち時計回りにたとえば20,000rpmの
高速で回転し、レーザ光L1、L2及びL3(これらを
総称してLと記す)がポリゴンミラー60の外周面61
に入射している状態を示す。ポリゴンミラー60は12
面体であるから、レーザ光L1とL2との光軸の間及び
レーザ光L2とL3との光軸の間をそれぞれ30度(3
60度/12)の間隔をもって配置した。
ーザ光L1〜L3との位置関係をごく簡単に示したもの
である。外周面61の回転は面A、B及びCで示したよ
うに2等辺三角形Q2がこの順序で回転している状態と
みることができる。
光の放射方向Fとが一致したときを示す。このときは面
Bの状態よりもポリゴンミラー60の回転が15度先行
している状態である。2等辺三角形Q2の頂角θ2は3
0度であるから、15度はその1/2に相当する大きさ
である。
外周面61(2等辺三角形Q2の底辺)に直交する方向
Fから図示しないレーザ光を放射すると、レーザ光は外
周面5aのほぼ中心部にあたる。
回転した状態を示す。このときは、レーザ光の放射方向
Fと2等辺三角形Q2の他の一辺とが一致したときであ
る。
ゴンミラー60の外周面61を正面からみた図である。
又、レーザ光L(L1〜L3)が外周面61を移動する
状態も示している。外周面61が面Aの位置では、レー
ザ光Lの照射スポット62aは外周面61の下端部63
付近にあり、照射スポット62aで示す。又、面B及び
面Cではそれぞれ外周面61の中央及び上端部に、それ
ぞれ放射スポット62b及び62cが形成される。しか
しながら、レーザ光Lのスポット径が所定の大きさ以上
なると、外周面61の上下端にある照射スポット62a
及び62cは正常な円形のスポットから逸脱し、図12
に示したようにたとえば半円状のスポット形状に変形さ
れてしまい、形状測定装置の機能を低下させる。
面に加工するに際し、外周面61の下端部63及び上端
部64は面ダレ等によって、どうしても平面性を得るの
がむずかしい。したがって本実施の形態では、レーザ光
の放射領域をこれらの外周面61の下端部63及び上端
部64を避け、測定有効領域Hの範囲でレーザ光を利用
して被測定物10の形状を測定しようとするものであ
る。実験的には外周面61の一辺の長さKに対し、測定
有効領域Hの割合R=H/Kを60%以上、特に70%
程度が望ましいことを知見した。Rの大きさはレーザ光
の波長にもよるが、Rを60%以上に設定すれば照射ス
ポット62が5mm程度のレーザ光にも充分に適用でき
る。なお、スポット径の大きさがKの大きさに対して無
視できる程度に小さければRの大きさはほぼ1でもよ
い。
的事項である。いま、外周面61の数を12面体とし、
その外周面61の一辺の長さを16mm、R=H/Kを
70%に設定したときを考察してみる。レーザ光Lが光
走査する間の外周面61の回転角度は30度であり、レ
ーザ光Lが測定有効領域Hを光走査する間の外周面61
の測定有効領域としての回転角度は30度に70%を乗
じた値であるから21度になる。すなわち、21度とい
う大きさは、外周面61が矢印E方向に30度回転する
間の、初期の回転角4.5度と終期の4.5度を合わせ
た9度に相当する測定非有効領域を30度から差し引い
た値である。したがって、いま、12面体の外周面61
の一辺の長さをたとえば16mmに設定すると、測定有
効領域Hは、外周面61の下端部63と上端部64のそ
れぞれの2.4mmを除いた11.2mmになる。
被測定物10の表面11を光走査する状態を示す。レー
ザ光L1、L2及びL3のそれぞれの光走査65、66
及び67で示す。図13に表示したX方向の全体の目盛
は30度である。これを6つに区分したので、1目盛は
5度の角度に相当する。又、光走査65と66、及び光
走査66と67のY方向の光走査の間隔はそれぞれ40
μmである。
転する間に、レーザ光L1は被検査物11のX方向に関
して中央のX2から左端のX3まで光走査する。しかし
ながら、光走査開始点X2から4.5度の間は測定非有
効領域である。同様にレーザ光L2による光走査66は
光走査開始点X1からの4.5度と終了点X3までの
4.5度の間が測定非有効領域である。又、レーザ光L
3による光走査67は点X2の前方4.5度の間が測定
非有効領域になる。したがって、レーザ光L3が外周面
61により形成する光走査67と、レーザ光L1が次ぎ
の外周面で形成する光走査68が連続してつながらない
という不連続区間が生じる。前記不連続区間は、点X2
からX方向に4.5度の間、及びY方向にY=0の点か
ら6μmの間である。
光走査を奏するための1つ対策方法を示す。図14に示
した構成の端的な特徴は図11と比較すると明らかにな
る。すなわち、図11ではレーザ光L1とL2、L2と
L3の光軸の成す角度を30度にし、かつ、それらの光
軸は回転軸Pに垂直な面に配設したが、図14の構成
は、レーザ光L1及びL3のそれぞれの光軸とレーザ光
L2の光軸のなす角度を変えるものである。
の光軸との角度30度ではなく、レーザ光L2側に4.
5度傾け、レーザ光L1及びL2の光軸のなす角度α1
を25.5度になるように構成する。同様にレーザ光L
2とL3の光軸間の角度α1も25.5度になるように
配設する。
びL3が外周面61に放射する状態図14(a)の斜め
右方向から見た斜視図である。レーザ光L1の光軸をL
11で示すように走査方向71に対し垂直方向、すなわ
ち副走査方向(被測定物の移動方向Yと同方向)に角度
α2だけシフトさせて構成する。
シフトさせる方法を説明するための図である。ポリゴン
ミラー60の外周面61aで反射するレーザ光L1とL
11の光軸との間に角度α2のずれをもたせた状態で光
走査用fθレンズ系6に入射する。そしてレーザ光L1
とL11が光走査用fθレンズ系6を通過すると、光走
査用fθレンズ系6の副走査方向のテレセントリック特
性により平行光となり、被測定物10上を照射する。光
走査用fθレンズ系6を通過し平行光となった前記レー
ザ光L1とL11の間隔をZとすると、光走査用fθレ
ンズ系6の焦点距離f、レーザ光L1とL11のそれぞ
れの光軸のなす角度α2及び間隔Zとの間には、Z=f
×α2なる関係がある。本実施例の場合、間隔Zが6μ
mになるよう前記レーザ光L1とL11のそれぞれの光
軸のなす角度α2を配設する。すなわち本実施例の場
合、間隔Z=6μm、焦点距離f=80mmであるか
ら、α2=Z/fより、α2として7.5×10−5ラ
ジアン(0.0043度)に設定する。
せて走査したときのレーザ光L1の走査65を示す。す
なわち、X軸方向に4.5度だけシフトすることになる
ので、レーザ光L1による光走査65及び68の始点は
X2上になる。又、レーザ光L11の光軸をL11で示
すように走査方向71に対し垂直方向(副走査方向)に
シフトさせるとY軸方向に6μmシフトすることができ
る。これによって、光走査65の始点は点(X2,0)
に設定することができる。
4.5度傾け、かつ、走査方向71に対しレーザ光L1
1とは逆方向、すなわち被測定物の移動方向Yとは逆方
向に、光軸を7.5×10−5ラジアン傾けて構成す
る。この結果、レーザ光L3による光走査67及び70
は、前記レーザ光L1のシフト方向とは逆方向にX軸上
及びY軸上を前記レーザ光L1のシフト量と同じ量だけ
シフトする。これによって、図14に示すように、レー
ザ光L1及びレーザ光L3による光走査68及び67は
連続した直線となることができる。。
通りである。光走査手段を正N面体のポリゴンミラーと
焦点距離fmmを有する光走査用fθレンズ系6で構成
する。前記正N面体の外周面61の1辺の長さKに対す
る有効領域Hの割合H/KをR(0.6≦R≦1)、被
測定物10の表面に光走査する複数のレーザ光の間隔を
y、円周率をπとすると、前記複数のレーザ光をL1、
L2及びL3としたとき、レーザ光L1とL2及びL2
とL3の光軸のなす角度を光走査方向に関してそれぞれ
α1=360/N×(1+R)/2(度)に配設する。
さらに、レーザ光L2の光軸を基準にしてレーザ光L1
及びレーザ光L3の光軸を前記被測定物と前記光走査手
段が相対的に移動する方向にα2=1/f×y×(1−
R)/2×360/2π(度)だけ互いに逆方向に傾け
て配設するものである。
−5ラジアンという微小角度傾ける操作は容易なことで
はない。しかし本発明においては、レーザ光L1の光源
位置74と外周面61上の照射点72までの距離を前記
光走査用fθレンズ系6の焦点距離fと同じ値に設定
し、照射スポットの位置が副走査方向に6μmずれた照
射点73まで移動するよう、前記レーザ光L1の光軸を
傾ければ、レーザ光L1の光軸を7.5×10−5ラジ
アンに設定することで、こうした難度な操作を克服して
いる。
を奏するための他の実施例を示す。本実施例でのポリゴ
ンミラー60は12面体である。レーザ光L2とL1、
レーザ光L2とL3の光軸同士が成す角度はそれぞれ3
0度であるが、照射スポット位置をポリゴンミラー60
の回転方向にシフトさせることに特徴を有する。こうし
た構成は図14で示した各レーザ光の光軸のなす角度を
25.5度に配設したものとは相違する。
光L2を中心にしてレーザ光L1及びL3の光軸の位置
をそれぞれ30度の位置に配設する。ポリゴンミラー6
0は12面の外周面61を備えているがその1つを示
す。ポリゴンミラー60は、回転軸Pを中心に矢印E方
向、すなわち時計回りにたとえば20,000rpmの
速度で高速回転する。外周面61の回転は面A、B及び
Cで示したような2等辺三角形Q3がこの順序で移動し
ている状態とみなせる。
外周面61の測定有効領域の最下端部、すなわち放射ス
ポット62dの位置に一致したときを示す。このときレ
ーザ光L2は下端部63の位置にほぼ一致する。したが
ってレーザ光L1の放射点75は外周面61の測定有効
領域の最下端部、すなわち放射スポット62dにくるよ
う、レーザ光L2の光軸よりも上方にシフトさせる。シ
フト量は、(K−H)/2である。シフト量は、レーザ
光L1のスポット径及び面Aに対する入射角等により設
定する。ここで、Kは外周面の一辺の長さ、Hはその測
定有効領域である。これらは前に述べたように設計的事
項であるが本実施の形態ではK=16mm、H=11.
2mmに設定する。こうした条件下においての、シフト
量は2.4mmになる。
態を示す。レーザ光L1の光走査65はY=0の線上の
照射位置76から始まる。ただしX方向において照射位
置76はX2上に一致しない。照射位置76とX2との
間のギャップGを角度で表すと、G=360/N×(1
−R)/2(度)である。光走査65が点(X2,0)
を通るようにするには、光走査65を矢印Jの方向にシ
フトすればよい。J方向へのシフト量は、角度360/
N(度)で2y移動することから比例計算により(1−
R)×yとなる。光走査65を矢印Jの方向にシフトす
るには、実施の形態4と同様に、光走査用fθレンズ系
6のテレセントリック特性を用いる。レーザ光L1の光
軸を図17(b)のレーザ光L12に示すように、走査
方向71に対し垂直方向、すなわち副走査方向(被測定
物の移動方向Yと同方向)に角度α3だけシフトして構
成する。なお、f×α3=(1−R)×yの関係から、
シフトさせる角度α3は「α3=1/f×(1−R)×
y(ラジアン)」として求めることができる。又、α3
の大きさは、「α3=1/f×(1−R)×y×360
/2π(度)」でもある。α3をこうした値に設定すれ
ば、図17において光走査65は矢印J方向に平行移動
してY=0でX2上を通るよう調整することができる。
状態で外周面61の中央に来るようその光軸を配設す
る。したがってレーザ光L2の光走査は図13の光走査
66と同一の光走査をする。
測定有効領域の最上端、すなわち図12の照射スポット
62eの位置にくるよう、レーザ光L2に対し下方に移
動する。この場合の移動量も約2.4mmである。この
構成により図13におけるレーザ光L3の光走査67は
Y=80μmの線上で光走査を終える。しかし、X方向
に関しては必ずしもX2上になるとは限らないので、前
記レーザ光L1とは逆方向に角度α3だけ光軸を傾け、
光走査67がY=80μmでX2上を通るように調整す
る。そして、レーザ光L1がX2から発振を開始し、レ
ーザ光L3がX2で発振を止めるよう制御することで、
光走査68及び67は連続した直線にすることができ
る。
るレーザ光Lのスポット径が所定の大きさ以上であって
も、あるいはポリゴンミラーの頂角付近が面ダレ等で平
面性が損なわれていても、被測定物10の凹凸12の高
さを正確に測定することができる。又、測定装置として
も高価な光学系を必要とせず、形状測定装置の廉価化が
図れる。
査して被測定物の形状等を測定あるいは検査する場合、
被測定物の表面には常に一定間隔を置いて複数のレーザ
光が光走査することになり、被測定物の送り速度を高速
にすることが可能になり、検査速度を改善するものであ
る。
するに際し、高密度で光走査する方法を提供し、被測定
物表面の凹凸や形状の測定精度を改善することができ
る。
光を測定対象物のみに照射することができ、正確な検査
あるいは測定ができる。
Lのスポット径が有限長の場合でも、又、ポリゴンミラ
ーの頂角付近が面ダレ等で平面性が損なわれていたとし
ても、被検査物表面の凹凸の高さを正確に測定すること
ができる。
めの図
表面の高さ信号を示す図
めの図
ーザ光の照射位置が移動する状態を示す図
面を移動する状態を示す図
長の場合の、被検査物上の光走査を示す図
状態の検査方法を説明する図
面の高さ信号を示す図
ト 63 下端部 64 上端部 65,66,67,68,69,70 光走査 71 走査方向 72,73,75,77 照射点 74 光源位置 76 照射位置
Claims (9)
- 【請求項1】 ポリゴンミラーを介して被測定物に複数
のレーザ光を走査線が連続するように走査させる工程
と、この被測定物からの反射光を受光して被測定物の表
面形状を算出する工程とを有することを特徴とする表面
形状測定方法。 - 【請求項2】 ポリゴンミラーの回転に同期して複数の
レーザ素子の照射を制御することを特徴とする請求項1
に記載の表面形状測定方法。 - 【請求項3】 複数のレーザ素子と、このレーザ素子か
ら出射されるレーザ光を反射させ被測定物上を走査させ
るポリゴンミラーとを有する走査光学系と、この走査光
学系と前記被測定物とを相対的に移動させる相対移動手
段と、前記被測定物から反射した光を受光し、複数のレ
ーザ光の走査に応じて設けられた複数の受光領域を有し
た検出器とを有したことを特徴とする表面形状測定装
置。 - 【請求項4】 複数のレーザ素子は、被測定物の走査が
等間隔となる位置に配置されていることを特徴とする請
求項3に記載の表面形状測定装置。 - 【請求項5】 ポリゴンミラーに入射する複数のレーザ
光の光軸は、このポリゴンミラーの回転軸に垂直な面に
配置されていることを特徴とする請求項4に記載の表面
形状測定装置。 - 【請求項6】 レーザ素子の数をmとし、受光領域の数
がm−1以上であることを特徴とする請求項3〜5のい
ずれかに記載の表面形状測定装置。 - 【請求項7】 ポリゴンミラーの面数をNとし、隣接す
るレーザ素子をこのポリゴンミラーに対し360/N度
に配置したことを特徴とする請求項3〜6のいずれかに
記載の表面形状測定装置。 - 【請求項8】 走査光学系は焦点距離fmmのfθレン
ズを有し、ポリゴンミラーの面数をN、このポリゴンミ
ラーの1辺の内、走査に使う領域の割合をR、被測定物
上で走査するレーザ光の間隔をymm、隣接するレーザ
素子の光軸が走査方向になす角度をα1、走査方向と垂
直方向になす角度をα2とし、α1が(数1)、α2が
(数2)の関係を満足することを特徴とする請求項3に
記載の表面形状測定装置。 【数1】 【数2】 - 【請求項9】 走査光学系は焦点距離fmmのfθレン
ズを有し、ポリゴンミラーの面数をN、このポリゴンミ
ラーの1辺の内、走査に使う領域の割合をR、被測定物
上で走査するレーザ光の間隔をymmとし、隣接するレ
ーザ素子の光軸が走査方向になす角度を360/N度に
配置し、走査方向と垂直方向になす角度をα3とし、α
3が(数3)の関係を満足することを特徴とする請求項
3に記載の表面形状測定装置。 【数3】
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001378310A JP3888149B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 表面形状測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001378310A JP3888149B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 表面形状測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003177012A true JP2003177012A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3888149B2 JP3888149B2 (ja) | 2007-02-28 |
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ID=19186070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001378310A Expired - Fee Related JP3888149B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 表面形状測定装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3888149B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115060195A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-09-16 | 合肥工业大学 | 基于多线激光和非对称布置多相机的三维测量装置及方法 |
-
2001
- 2001-12-12 JP JP2001378310A patent/JP3888149B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115060195A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-09-16 | 合肥工业大学 | 基于多线激光和非对称布置多相机的三维测量装置及方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3888149B2 (ja) | 2007-02-28 |
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