JP2003197351A - 窒化セラミックヒーター - Google Patents
窒化セラミックヒーターInfo
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- JP2003197351A JP2003197351A JP2001395677A JP2001395677A JP2003197351A JP 2003197351 A JP2003197351 A JP 2003197351A JP 2001395677 A JP2001395677 A JP 2001395677A JP 2001395677 A JP2001395677 A JP 2001395677A JP 2003197351 A JP2003197351 A JP 2003197351A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｐｔ−Ｐｄ粉体とガラス・フリットを用い、
抵抗温度係数（Ｔ・Ｃ・Ｒ）を重視した、抵抗発熱体ペ
ーストを印刷，焼成したＡｌＮ・セラミック・ヒーター
は最高保持温度３５０℃以上の可逆過程を有するヒート
・サイクル・運転に於いて、ヒート・サイクル回数の増
加に伴わない初期抵抗値が増加し、性能が劣化する。 【解決手段】 本発明はＡｌＮ・セラミック・ヒーター
が大気雰囲気中に使用される事を前提とし、当該抵抗発
熱体、ペーストの焼成条件より１００℃以上余裕を持つ
１２００〜１４００℃の範囲にて、ＡｌＮ・セラミック
・基板上にＡｌ2Ｏ3 被膜を生成せしめ、前記反応を防
止し、当該抵抗発熱体ペーストを当該基板に印刷し、１
１００〜１３００℃にて焼成し、前記課題を解決した。
抵抗温度係数（Ｔ・Ｃ・Ｒ）を重視した、抵抗発熱体ペ
ーストを印刷，焼成したＡｌＮ・セラミック・ヒーター
は最高保持温度３５０℃以上の可逆過程を有するヒート
・サイクル・運転に於いて、ヒート・サイクル回数の増
加に伴わない初期抵抗値が増加し、性能が劣化する。 【解決手段】 本発明はＡｌＮ・セラミック・ヒーター
が大気雰囲気中に使用される事を前提とし、当該抵抗発
熱体、ペーストの焼成条件より１００℃以上余裕を持つ
１２００〜１４００℃の範囲にて、ＡｌＮ・セラミック
・基板上にＡｌ2Ｏ3 被膜を生成せしめ、前記反応を防
止し、当該抵抗発熱体ペーストを当該基板に印刷し、１
１００〜１３００℃にて焼成し、前記課題を解決した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐｔ１００％粉体
とＡｌ2 Ｏ3 被膜と親和性の有る結晶化温度９５０℃の
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢａＯおよびＣａＯ系ガラス・
フリットよりなる抵抗発熱体ペーストをＡｌＮセラミッ
ク基板に印刷し、１２００℃１０mins焼成する事によ
り、最高保持温度６００℃の可逆過程を有するヒート・
サイクル運転に於いてサイクル回数２０万回、初期抵抗
値の変化は１５％以下となるＡｌＮ・セラミック・ヒー
ターとその製造方法に関する。
とＡｌ2 Ｏ3 被膜と親和性の有る結晶化温度９５０℃の
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢａＯおよびＣａＯ系ガラス・
フリットよりなる抵抗発熱体ペーストをＡｌＮセラミッ
ク基板に印刷し、１２００℃１０mins焼成する事によ
り、最高保持温度６００℃の可逆過程を有するヒート・
サイクル運転に於いてサイクル回数２０万回、初期抵抗
値の変化は１５％以下となるＡｌＮ・セラミック・ヒー
ターとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】（１）ＡｌＮセラミック基板は、大気雰
囲気６００℃以上に於いて、容易に酸化が観察出来、９
００℃以上に至ると、ＡｌＮセラミック基板上にＡｌ2
Ｏ3 を顕著に表出せしめる。従って、ＡｌＮセラミック
基板に、ガラス・フリットと貴金属系（Ｐｔ，Ｐｄ，Ａ
ｕ，Ａｇ）粉体を用いた抵抗発熱体ペーストを印刷し、
大気雰囲気９００℃以上にて焼成すると、ガラス成分酸
化物とＡｌＮが反応し、焼成体中に気泡を生成し、密着
強度が弱くなる。 （２）Ｐｔ−Ｐｄ粉体とガラス・フリットを用い、抵抗
温度係数（Ｔ・Ｃ・Ｒ）を重視した、抵抗発熱体ペース
トを印刷，焼成したＡｌＮ・セラミック・ヒーターは最
高保持温度３５０℃以上の可逆過程を有するヒート・サ
イクル・運転に於いて、ヒート・サイクル回数の増加に
伴わない初期抵抗値が増加し、性能が劣化する。 従来の開示技術を示せば次のとおりである。特許第２１
１２５５０号、特許第２７３０７９４号および特許第３
０３３８５２号の各特許公報、特開昭６３−１４６４８
号および特開平１１−２１９７７４号並に田中貴金属工
業株式会社厚木工場製造技術センター発行（November/1
6/2000）のパンフレット中のセンサー用ペーストの紹介
記事。
囲気６００℃以上に於いて、容易に酸化が観察出来、９
００℃以上に至ると、ＡｌＮセラミック基板上にＡｌ2
Ｏ3 を顕著に表出せしめる。従って、ＡｌＮセラミック
基板に、ガラス・フリットと貴金属系（Ｐｔ，Ｐｄ，Ａ
ｕ，Ａｇ）粉体を用いた抵抗発熱体ペーストを印刷し、
大気雰囲気９００℃以上にて焼成すると、ガラス成分酸
化物とＡｌＮが反応し、焼成体中に気泡を生成し、密着
強度が弱くなる。 （２）Ｐｔ−Ｐｄ粉体とガラス・フリットを用い、抵抗
温度係数（Ｔ・Ｃ・Ｒ）を重視した、抵抗発熱体ペース
トを印刷，焼成したＡｌＮ・セラミック・ヒーターは最
高保持温度３５０℃以上の可逆過程を有するヒート・サ
イクル・運転に於いて、ヒート・サイクル回数の増加に
伴わない初期抵抗値が増加し、性能が劣化する。 従来の開示技術を示せば次のとおりである。特許第２１
１２５５０号、特許第２７３０７９４号および特許第３
０３３８５２号の各特許公報、特開昭６３−１４６４８
号および特開平１１−２１９７７４号並に田中貴金属工
業株式会社厚木工場製造技術センター発行（November/1
6/2000）のパンフレット中のセンサー用ペーストの紹介
記事。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明は従来技術の
欠点を改良したものである。
欠点を改良したものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はＡｌＮ・セラミ
ック・ヒーターが大気雰囲気中に使用される事を前提と
し、当該抵抗発熱体、ペーストの焼成条件より１００℃
以上余裕を持つ１２００〜１４００℃の範囲にて、Ａｌ
Ｎ・セラミック・基板上にＡｌ2 Ｏ3 被膜を生成せし
め、前記反応を防止し、当該抵抗発熱体ペーストを当該
基板に印刷し、１１００〜１３００℃にて焼成し、前記
課題を解決した。
ック・ヒーターが大気雰囲気中に使用される事を前提と
し、当該抵抗発熱体、ペーストの焼成条件より１００℃
以上余裕を持つ１２００〜１４００℃の範囲にて、Ａｌ
Ｎ・セラミック・基板上にＡｌ2 Ｏ3 被膜を生成せし
め、前記反応を防止し、当該抵抗発熱体ペーストを当該
基板に印刷し、１１００〜１３００℃にて焼成し、前記
課題を解決した。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、Ｐｔ１００％粉体とＡ
ｌ2 Ｏ3 被膜と親和性の有る結晶化温度９５０℃のＳｉ
Ｏ2 −ＢａＯ−ＣａＯ系ガラスフリットより成る抵抗発
熱体ペーストを当該基板上に印刷し、１２００℃１０mi
ns焼成する事により前記課題を解決し、最高保持温度６
００℃の可逆過程を有するヒート・サイクル運転に於い
てサイクル回数２０万回、初期抵抗値の変化は１５％以
下なるＡｌＮ・セラミック・ヒーターを得た。
ｌ2 Ｏ3 被膜と親和性の有る結晶化温度９５０℃のＳｉ
Ｏ2 −ＢａＯ−ＣａＯ系ガラスフリットより成る抵抗発
熱体ペーストを当該基板上に印刷し、１２００℃１０mi
ns焼成する事により前記課題を解決し、最高保持温度６
００℃の可逆過程を有するヒート・サイクル運転に於い
てサイクル回数２０万回、初期抵抗値の変化は１５％以
下なるＡｌＮ・セラミック・ヒーターを得た。
【０００６】
【実施例】〔実施例Ｉ〕セラミック・ヒーターの製造方
法の実施例を説明すれば次のとおりである。その工程を
示せば次のとおりである。 （１）ＡｌＮ・セラミック・基板を大気雰囲気９００℃
以上にて焼成してＡｌ2Ｏ3 被膜を基板表面に形成す
る。この場合１２００℃以上で焼成し、使用炉に通気性
を持たす事が効果的である。またヒート・サイクル・パ
ターンとして表１に示すように行い、ＡｌＮ・セラミッ
ク・基板上に０．１〜０．２μｍ以上のＡｌ2 Ｏ3 被膜
を形成する。 （２）Ｐｔ／Ｐｄ＝６／４，Ｐｔ／Ｐｄ＝９／１，Ｐｔ
＝１００％の粉体とそれぞれに適合したガラス・フリッ
トよりなるペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を製作し、
ペースト（Ａ），（Ｂ）をＡｌＮ・セラミック基板に、
ペースト（Ｃ）を当該Ａｌ2 Ｏ3 被膜処理されたＡｌＮ
・セラミック基板に印刷し、それぞれの焼成条件にて焼
成し、ＡｌＮセラミックヒーターを形成する。
法の実施例を説明すれば次のとおりである。その工程を
示せば次のとおりである。 （１）ＡｌＮ・セラミック・基板を大気雰囲気９００℃
以上にて焼成してＡｌ2Ｏ3 被膜を基板表面に形成す
る。この場合１２００℃以上で焼成し、使用炉に通気性
を持たす事が効果的である。またヒート・サイクル・パ
ターンとして表１に示すように行い、ＡｌＮ・セラミッ
ク・基板上に０．１〜０．２μｍ以上のＡｌ2 Ｏ3 被膜
を形成する。 （２）Ｐｔ／Ｐｄ＝６／４，Ｐｔ／Ｐｄ＝９／１，Ｐｔ
＝１００％の粉体とそれぞれに適合したガラス・フリッ
トよりなるペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を製作し、
ペースト（Ａ），（Ｂ）をＡｌＮ・セラミック基板に、
ペースト（Ｃ）を当該Ａｌ2 Ｏ3 被膜処理されたＡｌＮ
・セラミック基板に印刷し、それぞれの焼成条件にて焼
成し、ＡｌＮセラミックヒーターを形成する。
【０００７】
【表１】
【０００８】前記したペーストの詳細につき説明すれば
次のとおりである。 〔１〕ＡｌＮ基板ヒーター用発熱抵抗体ペースト組成成分 ペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を使用される組成材料 （１）Ｐｔ及びＰｄ粉末 粉末状 平均粒子粒 ０．８〜１．０μｍ （２）ガラスフリット (i)ペースト（Ａ），（Ｂ）に使用される高温，中温用組成 高温用 Ａｌ2 Ｏ3 −ＣａＯ−ＳｉＯ2 系 結晶化温度８７５℃ 中温用 ＺｎＯ −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系 結晶化温度７５０℃ (ii)ペースト（Ｃ）に使用される組成 ＳｉＯ2 ：Ａｌ2 Ｏ3 ：ＢａＯ：ＣａＯ＝ 結晶化温度９５０℃ ４０ ： ２０ ： ２０： １５ （３）ビヒクル 有機バインダー（エチル・セルローズ、他） 有機溶剤 （ターピネオール、他） 〔２〕ペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の組成成分重量比及び焼成条件 （１）ペースト（Ａ）
次のとおりである。 〔１〕ＡｌＮ基板ヒーター用発熱抵抗体ペースト組成成分 ペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を使用される組成材料 （１）Ｐｔ及びＰｄ粉末 粉末状 平均粒子粒 ０．８〜１．０μｍ （２）ガラスフリット (i)ペースト（Ａ），（Ｂ）に使用される高温，中温用組成 高温用 Ａｌ2 Ｏ3 −ＣａＯ−ＳｉＯ2 系 結晶化温度８７５℃ 中温用 ＺｎＯ −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系 結晶化温度７５０℃ (ii)ペースト（Ｃ）に使用される組成 ＳｉＯ2 ：Ａｌ2 Ｏ3 ：ＢａＯ：ＣａＯ＝ 結晶化温度９５０℃ ４０ ： ２０ ： ２０： １５ （３）ビヒクル 有機バインダー（エチル・セルローズ、他） 有機溶剤 （ターピネオール、他） 〔２〕ペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の組成成分重量比及び焼成条件 （１）ペースト（Ａ）
【０００９】
【表２】
【００１０】（２）ペースト（Ｂ）
【００１１】
【表３】
【００１２】（３）ペースト（Ｃ）
【００１３】
【表４】
【００１４】共に固有抵抗値の中心値は１２０ｍΩ／□
／１０μｍ
／１０μｍ
【００１５】〔実施例２〕下記に表記されたペーストを
酸化処理された当該基板に印刷し、大気雰囲気中にて仮
焼成を行い、下記ペースト成分よりＰｔ１００％粉体を
除外した保護被膜用ペーストを印刷し、下記焼成条件に
て焼成した。
酸化処理された当該基板に印刷し、大気雰囲気中にて仮
焼成を行い、下記ペースト成分よりＰｔ１００％粉体を
除外した保護被膜用ペーストを印刷し、下記焼成条件に
て焼成した。
【００１６】
【表５】
【００１７】〔評価試験結果〕〔実施例１〕に示される
ヒータ（ｃ）と同等の結果を得た。 （１）初期抵抗値 １８．８Ω （２）抵抗温度係数 ２１．９×１０-4 （３）初期昇温特性 ５．５sec （４）ヒートサイクル回数２０万回後の抵抗値２０．３
Ω
ヒータ（ｃ）と同等の結果を得た。 （１）初期抵抗値 １８．８Ω （２）抵抗温度係数 ２１．９×１０-4 （３）初期昇温特性 ５．５sec （４）ヒートサイクル回数２０万回後の抵抗値２０．３
Ω
【００１８】
【発明の効果】ＡｌＮ基板にペースト（Ａ），（Ｂ）又
除く焼成処理されたＡｌＮ基板にペースト（Ｃ）を図１
のマスクを用い、印刷し、各焼成条件にて焼成し、図２
のセラミックヒーター装置に基づき、他の工程、発熱抵
抗体保護膜の生成、発熱体部と台座部の接着、他を行
い、ヒーター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を組立製作をし
た。各ヒーターの初期抵抗値は室温に於いて ヒーター（Ａ）→２０．９Ω ヒーター（Ｂ）→１９．９Ω ヒーター（Ｃ）→２０．２Ω （１）ヒーター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）抵抗温度特性
除く焼成処理されたＡｌＮ基板にペースト（Ｃ）を図１
のマスクを用い、印刷し、各焼成条件にて焼成し、図２
のセラミックヒーター装置に基づき、他の工程、発熱抵
抗体保護膜の生成、発熱体部と台座部の接着、他を行
い、ヒーター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を組立製作をし
た。各ヒーターの初期抵抗値は室温に於いて ヒーター（Ａ）→２０．９Ω ヒーター（Ｂ）→１９．９Ω ヒーター（Ｃ）→２０．２Ω （１）ヒーター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）抵抗温度特性
【００１９】
【表６】
【００２０】図表より、ヒーター（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は ヒーター（Ａ）→α(A) ＝７．７×１０-4 ヒーター（Ｂ）→α(B) ＝１３．１×１０-4 ヒーター（Ｃ）→α(C) ＝２３．３×１０-4 （測定回路）
（Ｃ）の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は ヒーター（Ａ）→α(A) ＝７．７×１０-4 ヒーター（Ｂ）→α(B) ＝１３．１×１０-4 ヒーター（Ｃ）→α(C) ＝２３．３×１０-4 （測定回路）
【００２１】
【表７】
【００２２】各設定温度に於いてＶpeak−peak，Ｉpeak
−peakを測定 Ｒｔ＝ＶT peak−peak／ＩT peak−peakにてＲｔを算出
−peakを測定 Ｒｔ＝ＶT peak−peak／ＩT peak−peakにてＲｔを算出
【００２３】（２）ヒーター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の
初期昇温特性
初期昇温特性
【００２４】
【表８】
【００２５】ＡＣ２００Ｖをヒーター（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に印加し、室温より４５０℃に達する時間を記録
計にて計測した。
（Ｃ）に印加し、室温より４５０℃に達する時間を記録
計にて計測した。
【００２６】（３）ヒーター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の
ヒートサイクル回数に依る抵抗値変化 （ｉ）ヒート・サイクル・パターン
ヒートサイクル回数に依る抵抗値変化 （ｉ）ヒート・サイクル・パターン
【００２７】
【表９】
【００２８】（ii）ヒート・サイクル回転に依る抵抗値
変化
変化
【００２９】
【表１０】
【００３０】（iii ）ヒート・サイクル５万回後のヒー
ター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の室温抵抗値は ヒーター（Ａ）→３０．０Ω ヒーター（Ｂ）→２５．９Ω ヒーター（Ｃ）→２０．６Ω であった。抵抗温度特性は
ター（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の室温抵抗値は ヒーター（Ａ）→３０．０Ω ヒーター（Ｂ）→２５．９Ω ヒーター（Ｃ）→２０．６Ω であった。抵抗温度特性は
【００３１】
【表１１】
【００３２】となり、昇温特性はヒート・サイクル数５
万回後は明らかに初期とは逆転した。
万回後は明らかに初期とは逆転した。
【００３３】
【表１２】
【００３４】又、ヒーター（Ａ）はヒート・サイクル１
０万回以下、ヒーター（Ｂ）は１５万回以下で断線破壊
した。 〔４〕評価試験結果とヒーター（Ｃ）の改善 (1)ヒーター（Ａ），（Ｂ）はヒート・サイクル回数が
増加すると共に劣化し、ヒーター寿命は ヒーター（Ａ）→ヒート・サイクル５万回 ヒーター（Ｂ）→ヒート・サイクル１０万回 ヒーター（Ｃ）→ヒート・サイクル２０万回以上となり ヒート・サイクル５万回以上に於いて、全ての性能に於
いてヒーター（Ｃ）が優位となる。 (2)ヒーター（Ｃ）の初期昇温特性は初期抵抗値の変更
に依り、ヒーター（Ａ）と同等程度にする事が出来る。
ヒーター（Ａ）の初期４５０℃に於ける抵抗値は Ｒ(A) ＝２０．８〔１＋α(A) （４５０−２
５）〕 ｔ＝４５０℃ 但し〔α(A) ＝７．７×１０-4〕 ＝２７．７Ω 従って、ヒーター（Ｃ）の４５０℃に於ける抵抗値Ｒ
(C) ＝２７．７Ω ｔ＝４５０℃ とし、次式を得る。 Ｒ(C) ＝２７．７＝Ｒ(C) 〔１＋α(C) （４５０
−２５）〕 ｔ＝４５０℃ 〔α(C) ＝２３．３×
１０-4〕 Ｒ(C) ＝１３．９Ωを得る。 ｔ＝２５℃印刷条件を変更する事（ダブル・パス等）に
より、印刷厚みを１．５倍程度を目度として、初期抵抗
Ｒ (C)′＝１４．６Ωの当該ＡｌＮ・セラミック・ヒー
ター (C)′を得た。 ヒーター (C)′の評価 （ｉ）昇温特性
０万回以下、ヒーター（Ｂ）は１５万回以下で断線破壊
した。 〔４〕評価試験結果とヒーター（Ｃ）の改善 (1)ヒーター（Ａ），（Ｂ）はヒート・サイクル回数が
増加すると共に劣化し、ヒーター寿命は ヒーター（Ａ）→ヒート・サイクル５万回 ヒーター（Ｂ）→ヒート・サイクル１０万回 ヒーター（Ｃ）→ヒート・サイクル２０万回以上となり ヒート・サイクル５万回以上に於いて、全ての性能に於
いてヒーター（Ｃ）が優位となる。 (2)ヒーター（Ｃ）の初期昇温特性は初期抵抗値の変更
に依り、ヒーター（Ａ）と同等程度にする事が出来る。
ヒーター（Ａ）の初期４５０℃に於ける抵抗値は Ｒ(A) ＝２０．８〔１＋α(A) （４５０−２
５）〕 ｔ＝４５０℃ 但し〔α(A) ＝７．７×１０-4〕 ＝２７．７Ω 従って、ヒーター（Ｃ）の４５０℃に於ける抵抗値Ｒ
(C) ＝２７．７Ω ｔ＝４５０℃ とし、次式を得る。 Ｒ(C) ＝２７．７＝Ｒ(C) 〔１＋α(C) （４５０
−２５）〕 ｔ＝４５０℃ 〔α(C) ＝２３．３×
１０-4〕 Ｒ(C) ＝１３．９Ωを得る。 ｔ＝２５℃印刷条件を変更する事（ダブル・パス等）に
より、印刷厚みを１．５倍程度を目度として、初期抵抗
Ｒ (C)′＝１４．６Ωの当該ＡｌＮ・セラミック・ヒー
ター (C)′を得た。 ヒーター (C)′の評価 （ｉ）昇温特性
【００３５】
【表１３】
【００３６】（ii）ヒート・サイクル試験
【００３７】
【表１４】
【００３８】
【表１５】
【００３９】(3)以上の評価試験結果より以下の事が主
張出来る。 Ｐｔ−Ｐｄ粉体を組成成分とする抵抗発熱体ペーストを
印刷し、焼成されたＡｌＮ・セラミック・ヒーターは、
ヒート・サイクル回数が増加すると、Ｐｄを含む割合が
多くなれば、劣化も早まる。従って、Ｐｔのみで形成さ
れ、なおかつＡｌ2 Ｏ3 と親和性を持つガラス・フリッ
トより成る、抵抗発熱体ペーストを用い、Ａｌ2 Ｏ3 被
膜を処理されたＡｌＮ・セラミック・ヒーターがベスト
で有ると言える。
張出来る。 Ｐｔ−Ｐｄ粉体を組成成分とする抵抗発熱体ペーストを
印刷し、焼成されたＡｌＮ・セラミック・ヒーターは、
ヒート・サイクル回数が増加すると、Ｐｄを含む割合が
多くなれば、劣化も早まる。従って、Ｐｔのみで形成さ
れ、なおかつＡｌ2 Ｏ3 と親和性を持つガラス・フリッ
トより成る、抵抗発熱体ペーストを用い、Ａｌ2 Ｏ3 被
膜を処理されたＡｌＮ・セラミック・ヒーターがベスト
で有ると言える。
【図１】窒化セラミック基板の説明図である。
【図２】窒化セラミックヒーターの説明図である。
【図３】窒化セラミックヒーターの要部断面説明図であ
る。
る。
ＡｌＮ 窒化アルミ
Ｐｔ 白金
Ｐｄ パラジウム
ＭｇＯ マグネシア
ＳｉＯ2 シリカ
ＣａＯ カルシア
Claims (3)
- 【請求項１】 ＡｌＮセラミック基板を、大気雰囲気
中、当該抵抗発熱体ペースト焼成条件以上で焼成し、基
板表面にＡｌ2 Ｏ3 被膜を生成せしめ、結晶化温度９５
０℃以上のＡｌ2 Ｏ3 と親和性の有るガラス・フリット
とＰｔ１００％粉体より成る抵抗発熱体ペーストを当該
基板に印刷し、大気雰囲気中１１００〜１３００℃の範
囲で焼成するＡｌＮ・セラミック・ヒーターの製造方
法。 - 【請求項２】 当該ＡｌＮ・セラミック・ヒーターを使
用し、保持温度５０〜３００℃の範囲、最高保持温度３
５０〜７００℃の範囲で可逆過程を有するヒート・サイ
クル運転を目的とするセラミック・ヒーターの製造方
法。 - 【請求項３】 大気雰囲気中で焼成、酸化処理されたＡ
ｌＮセラミック基板にＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし、ＳｉＯ
2 、ＣａＯ、ＭｇＯ、他、等の無機酸化物粉体とＰｔ１
００％粉体より成る抵抗発熱体ペーストを当該基板に印
刷し、大気雰囲気中１２５０〜１５００℃の範囲で焼成
するＡｌＮ・セラミック・ヒーターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395677A JP2003197351A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 窒化セラミックヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395677A JP2003197351A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 窒化セラミックヒーター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197351A true JP2003197351A (ja) | 2003-07-11 |
| JP2003197351A5 JP2003197351A5 (ja) | 2005-04-07 |
Family
ID=27601990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001395677A Pending JP2003197351A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 窒化セラミックヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003197351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7928347B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-04-19 | Rohm Co., Ltd. | Heating unit and method of making the same |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001395677A patent/JP2003197351A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7928347B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-04-19 | Rohm Co., Ltd. | Heating unit and method of making the same |
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