JPH0352202A - 厚膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
厚膜抵抗器の製造方法Info
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- JPH0352202A JPH0352202A JP1185935A JP18593589A JPH0352202A JP H0352202 A JPH0352202 A JP H0352202A JP 1185935 A JP1185935 A JP 1185935A JP 18593589 A JP18593589 A JP 18593589A JP H0352202 A JPH0352202 A JP H0352202A
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- resistance paste
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超小型の厚膜抵抗器の製造に好適の方法に関す
るものである。
るものである。
厚膜抵抗器は通常、セラミック基体上に先ず必要な電極
を電極ペーストの塗布、乾燥、焼戒により形成しておき
、この電極間に所要の抵抗ペーストを塗布し、乾燥し、
焼成するようにして製造している。抵抗ペーストを電極
ペーストの後に焼戒するのは、ほぼ同一の温度で２度焼
成すると抵抗被膜の特性が大幅に変化するからである。
を電極ペーストの塗布、乾燥、焼戒により形成しておき
、この電極間に所要の抵抗ペーストを塗布し、乾燥し、
焼成するようにして製造している。抵抗ペーストを電極
ペーストの後に焼戒するのは、ほぼ同一の温度で２度焼
成すると抵抗被膜の特性が大幅に変化するからである。
ところで近年、電子部品の高密度化が進み、厚膜抵抗器
もより小型のものが求められている。又、コストダウン
の要求もあり、電極ペーストとして用いるＡｇ − Ｐ
ｄ系ペーストにおいても高価なＰｄの含有率を減少せし
めた低価格の品種に向っており、Ｐｄ含有率は更に低下
せざるを得ない状況にある。
もより小型のものが求められている。又、コストダウン
の要求もあり、電極ペーストとして用いるＡｇ − Ｐ
ｄ系ペーストにおいても高価なＰｄの含有率を減少せし
めた低価格の品種に向っており、Ｐｄ含有率は更に低下
せざるを得ない状況にある。
ところが使用するＡｇ−Ｐｄ系電極ペースト中のＰｄ含
有率が低下する程電極中のＡｇが抵抗体部へ拡散し易く
なり、この拡散により抵抗体の性能に変化を生じる。拡
散による影響は抵抗器が小型になる程無視し得なくなる
。即ち厚膜抵抗器の小型化とコストダウンは従来の抵抗
体製造技術による限り、限界に達していると見て差支え
ない。
有率が低下する程電極中のＡｇが抵抗体部へ拡散し易く
なり、この拡散により抵抗体の性能に変化を生じる。拡
散による影響は抵抗器が小型になる程無視し得なくなる
。即ち厚膜抵抗器の小型化とコストダウンは従来の抵抗
体製造技術による限り、限界に達していると見て差支え
ない。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、より小
型の厚膜抵抗器を、性能を劣化することなく安価に製造
し得る方法を提供することにある。
型の厚膜抵抗器を、性能を劣化することなく安価に製造
し得る方法を提供することにある。
上記目的を達或するため本発明の方法は、セラミック基
体上に先ず抵抗ペーストを塗布し、乾燥して焼成し、次
いで所定の位置に電極ペーストを塗布し、乾燥した後前
記抵抗ペースト焼成時よりも低い温度で焼成する点に特
徴がある。
体上に先ず抵抗ペーストを塗布し、乾燥して焼成し、次
いで所定の位置に電極ペーストを塗布し、乾燥した後前
記抵抗ペースト焼成時よりも低い温度で焼成する点に特
徴がある。
本発明法が適用し得る抵抗ペーストは特に限定されるも
のでなく、Ｒｕｎｇ系、Ｐｂ．ＲｕｚＯ．系など７００
〜１０００゜Ｃで焼成可能な抵抗ペーストならば何れで
あっても良い。そのような抵抗ペーストを先ず基体上に
スクリーン印刷法等によって塗布し、ぺ一スト中の溶剤
を蒸発させて塗膜を乾燥し、当該ペーストの所定の条件
で焼成する。次にこの焼成抵抗膜の電極となるべき所定
の位置に電極ペーストを塗布し、乾燥した後前記抵抗ペ
ーストよりも低い温度で焼戒する。
のでなく、Ｒｕｎｇ系、Ｐｂ．ＲｕｚＯ．系など７００
〜１０００゜Ｃで焼成可能な抵抗ペーストならば何れで
あっても良い。そのような抵抗ペーストを先ず基体上に
スクリーン印刷法等によって塗布し、ぺ一スト中の溶剤
を蒸発させて塗膜を乾燥し、当該ペーストの所定の条件
で焼成する。次にこの焼成抵抗膜の電極となるべき所定
の位置に電極ペーストを塗布し、乾燥した後前記抵抗ペ
ーストよりも低い温度で焼戒する。
電極ペーストを抵抗ペースト焼戒時より低い温度で焼成
する理由は、先に形成された抵抗膜の性能を大幅に変化
させないためである。どの程度の温度が適当かは抵抗ペ
ーストの種類によって異なるので、５００〜７００℃の
範囲内で実験的に求めれば良い。
する理由は、先に形成された抵抗膜の性能を大幅に変化
させないためである。どの程度の温度が適当かは抵抗ペ
ーストの種類によって異なるので、５００〜７００℃の
範囲内で実験的に求めれば良い。
電極ペーストとしてはＡｇ − Ｐｄ系、Ａｇ−Ｐｔ系
等Ａｇを主威分とするものが半田付けのし易さの点で好
ましい材料である。これら電極材料は、７００〜９００
℃で焼成されるタイプが一般的であるが、上記のように
より低い温度で焼成するためにペースト中に使用するガ
ラスの軟化点をより低いものにすると共にガラス含有率
を若干増すなど、低温焼成に適した組或を選択する必要
がある。このような低温焼成用電極ペーストは種々市販
されているので抵抗ペーストと同様適宜入手することが
できる。
等Ａｇを主威分とするものが半田付けのし易さの点で好
ましい材料である。これら電極材料は、７００〜９００
℃で焼成されるタイプが一般的であるが、上記のように
より低い温度で焼成するためにペースト中に使用するガ
ラスの軟化点をより低いものにすると共にガラス含有率
を若干増すなど、低温焼成に適した組或を選択する必要
がある。このような低温焼成用電極ペーストは種々市販
されているので抵抗ペーストと同様適宜入手することが
できる。
このように本発明法では電極ペーストの焼ｔｃ温度を低
くするため抵抗膜への導電或分の拡散が少ない。とくに
抵抗膜の安定性を確保するため高温焼成型の抵抗ペース
トが多く用いられるようになっているが、従来法による
と抵抗ペーストを高温で焼成する程先に形成された電極
からの拡散が多くなるので、このような抵抗ペーストを
使用する場合、本発明法は大きな効果がある。
くするため抵抗膜への導電或分の拡散が少ない。とくに
抵抗膜の安定性を確保するため高温焼成型の抵抗ペース
トが多く用いられるようになっているが、従来法による
と抵抗ペーストを高温で焼成する程先に形成された電極
からの拡散が多くなるので、このような抵抗ペーストを
使用する場合、本発明法は大きな効果がある。
Ａｇ粉５７．０、Ｐｄ粉０． ５、ガラス粉Ｉ２．５、
有機質ビヒクル３０．０、各重量％の電極ペーストと、
Ｒｕｂ．粉１６．０、ガラス粉５３．０、有機質ビヒク
ル３１．０，各重量％の１００Ω／口の抵抗ペースト（
これをＡ抵抗ペーストと称する）又はＰｂｚＲｕｚＯｉ
粉２６．Ｏ、ガラス粉４５．５、有機質ビヒクル２８．
５、各重量％の１００ ｋΩ／口の抵抗ペースト（これ
をＢ抵抗ペーストと称する）との組合せで抵抗器を試作
した。ガラス粉末の組或は抵抗用がＰｂＯ ７０、Ｓｉ
Ｏｄ９、＾ｌｚｏｓ９、ＢｚＯｉ ２、各重量％であり
、電極用はＰｂ０７４、ＳｉＯｚｌ８、ａＬＯｚ ５、
ＣａＯ３、各重量％で、有機ビヒクルとしてエチルセル
ロース１５重量％のターピネオール溶液を用いた。
有機質ビヒクル３０．０、各重量％の電極ペーストと、
Ｒｕｂ．粉１６．０、ガラス粉５３．０、有機質ビヒク
ル３１．０，各重量％の１００Ω／口の抵抗ペースト（
これをＡ抵抗ペーストと称する）又はＰｂｚＲｕｚＯｉ
粉２６．Ｏ、ガラス粉４５．５、有機質ビヒクル２８．
５、各重量％の１００ ｋΩ／口の抵抗ペースト（これ
をＢ抵抗ペーストと称する）との組合せで抵抗器を試作
した。ガラス粉末の組或は抵抗用がＰｂＯ ７０、Ｓｉ
Ｏｄ９、＾ｌｚｏｓ９、ＢｚＯｉ ２、各重量％であり
、電極用はＰｂ０７４、ＳｉＯｚｌ８、ａＬＯｚ ５、
ＣａＯ３、各重量％で、有機ビヒクルとしてエチルセル
ロース１５重量％のターピネオール溶液を用いた。
先ずアルもナ基板に抵抗ペーストを長さ１． ０ ｍｍ
、幅０． ５ ｍｍパターンに印刷し、乾燥後ピーク温
度８５０″Ｃ、ピーク時間１０分、全焼戒時間６０分の
温度プロフィールを有するベルト式焼成炉で焼成した。
、幅０． ５ ｍｍパターンに印刷し、乾燥後ピーク温
度８５０″Ｃ、ピーク時間１０分、全焼戒時間６０分の
温度プロフィールを有するベルト式焼成炉で焼成した。
次いでこの抵抗膜の両端に電極ペーストを極間距離が０
． ５ ｍｍとなる′ように印刷し、ピーク温度６００
″Ｃ１ピーク時間５分、全焼戒時間３０分の焼成炉で焼
成した。抵抗膜にはガラスコートを施し、常法に従って
面積抵抗値、抵抗温度係数（ＴＣＰ）、負荷寿命（７０
℃， １．５Ｈｏｎ・０．５Ｈｏｆｆ、定格電力１／
１６Ｗ）、耐湿負荷寿命（４０℃．９５％ＲＨ， １
．５ Ｈ ｏｎ ・０．５ Ｈ ｏｆｆ，定格電力１
／１６Ｗ）を測定した． 又、比較のため、Ａｇ粉６０．０、Ｐｄ粉５．０、ガラ
ス粉１５．０（組或はＰｂ０ ７ ０． Ｏ ， Ｓｉ
Ｏｚ ２０． ０、Ｂｚ（ｈ １０． Ｏ、各重量％）
、有機質ビヒクル２０．０、各重量％の電極ペーストを
用い、従来例に従ってアルミナ基板に先ず極間距離０．
５ ａａの電極パターンで印刷し、８５０″Ｃで焼戒
後、該電極間に前記抵抗ベース｝Ａ，Ｂを長さ１．０ｍ
ｍ、幅０． ５ ｍｍのパターンで印刷し、８５０゜Ｃ
で焼成し、上記と同様の測定を行った。
． ５ ｍｍとなる′ように印刷し、ピーク温度６００
″Ｃ１ピーク時間５分、全焼戒時間３０分の焼成炉で焼
成した。抵抗膜にはガラスコートを施し、常法に従って
面積抵抗値、抵抗温度係数（ＴＣＰ）、負荷寿命（７０
℃， １．５Ｈｏｎ・０．５Ｈｏｆｆ、定格電力１／
１６Ｗ）、耐湿負荷寿命（４０℃．９５％ＲＨ， １
．５ Ｈ ｏｎ ・０．５ Ｈ ｏｆｆ，定格電力１
／１６Ｗ）を測定した． 又、比較のため、Ａｇ粉６０．０、Ｐｄ粉５．０、ガラ
ス粉１５．０（組或はＰｂ０ ７ ０． Ｏ ， Ｓｉ
Ｏｚ ２０． ０、Ｂｚ（ｈ １０． Ｏ、各重量％）
、有機質ビヒクル２０．０、各重量％の電極ペーストを
用い、従来例に従ってアルミナ基板に先ず極間距離０．
５ ａａの電極パターンで印刷し、８５０″Ｃで焼戒
後、該電極間に前記抵抗ベース｝Ａ，Ｂを長さ１．０ｍ
ｍ、幅０． ５ ｍｍのパターンで印刷し、８５０゜Ｃ
で焼成し、上記と同様の測定を行った。
結果を第１表にまとめて示す。
第
１
表
第１表の結果は本発明法の場合抵抗体本来の性能を示し
、一方従来法では性能が大幅に低下することを示してお
り、本発明法によれば電極材料に影響されないで抵抗器
を製造し得ることが分る。
、一方従来法では性能が大幅に低下することを示してお
り、本発明法によれば電極材料に影響されないで抵抗器
を製造し得ることが分る。
本発明により抵抗器の小型化、低コスト化を一層進めら
れる見通しが得られた。
れる見通しが得られた。
Claims (1)
- セラミック基体上に抵抗被膜と電極とを形成して厚膜抵
抗器を製造するに際し、セラミック基体上に先ず抵抗ペ
ーストを塗布し、乾燥して焼成し、次いで所定の位置に
電極ペーストを塗布し、乾燥した後前記抵抗ペースト焼
成時よりも低い温度で焼成することを特徴とする厚膜抵
抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185935A JP2777206B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 厚膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185935A JP2777206B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 厚膜抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352202A true JPH0352202A (ja) | 1991-03-06 |
| JP2777206B2 JP2777206B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=16179458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185935A Expired - Lifetime JP2777206B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 厚膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777206B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966067A (en) * | 1997-12-26 | 1999-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor and the manufacturing method thereof |
| JP2002280205A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Kamaya Denki Kk | チップ形抵抗器およびその製造方法 |
| US6470167B2 (en) | 2000-02-24 | 2002-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heating roller for fixing a toner image and method of manufacturing the same |
| CN110504075A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-11-26 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种阻值范围为10kΩ/□~100kΩ/□的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918669A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 厚膜回路の形成法 |
| JPS63181496A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜回路基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1185935A patent/JP2777206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918669A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 厚膜回路の形成法 |
| JPS63181496A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜回路基板の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966067A (en) * | 1997-12-26 | 1999-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor and the manufacturing method thereof |
| US6470167B2 (en) | 2000-02-24 | 2002-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heating roller for fixing a toner image and method of manufacturing the same |
| JP2002280205A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Kamaya Denki Kk | チップ形抵抗器およびその製造方法 |
| CN110504075A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-11-26 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种阻值范围为10kΩ/□~100kΩ/□的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
| CN110504075B (zh) * | 2017-10-23 | 2021-04-23 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种阻值范围为10kΩ/□～100kΩ/□的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2777206B2 (ja) | 1998-07-16 |
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