JP2003249640A

JP2003249640A - 固体撮像素子の製造方法

Info

Publication number: JP2003249640A
Application number: JP2002046527A
Authority: JP
Inventors: Kunihiko Hikichi; 邦彦引地; Eishin Tsugawa; 英信津川; Tomohiro Shiiba; 智宏椎葉; Yasuaki Arai; 保明荒井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-02-22
Filing date: 2002-02-22
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】露光装置の一括露光範囲よりも大きい露光領
域を有する固体撮像素子を高精度で安価に作製する。【解決手段】撮像素子１０の全露光領域を撮像部、左
側周辺回路部、右側周辺回路部に３分割する。そして、
最初の露光工程において、パターン合わせマーク４０Ｂ
と合わせずれ検出マーク４０Ａの基準となる主尺を含む
１つ目の撮像部２０を形成する。次に次露光工程以降で
は、１つ目の撮像部２０に形成した各マーク４０Ａ、４
０Ｂを基準として、２つ目以降の撮像部２０の露光と各
マーク４０Ａ、４０Ｂの形成を行い、次いで周辺回路部
３０の左側領域３１０、右側領域３２０の露光を順次行
っていく。この際、露光装置の縦長な一括露光範囲に合
わせたウェーハを９０°回転し、周辺回路部３０の左側
領域３１０、右側領域３２０を縦長に合わせて露光を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤ型撮像素子
やＣＭＯＳ型撮像素子等の固体撮像素子の製造方法に関
し、特にフォトレジスト工程で用いる露光装置の一括露
光範囲よりも大きい露光領域を有する固体撮像素子を作
製する場合の露光方法の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、一般的な半導体装置のフォトレ
ジスト工程において、露光装置の一括露光範囲を超える
大きさのパターンを同時に形成する場合には、複数枚の
レチクル（回路原版）を用いて全体の露光領域を分割
し、各分割領域を個別に露光して、それらを継ぎ合わせ
ることにより、全体のパターンを得る必要がある。しか
し、このような継ぎ合わせ露光では、その継ぎ目におい
て露光装置の合わせ誤差による合わせずれが必ず生じ、
また複数のレチクルを別々に露光することに起因して、
各露光間で線幅差が生じるため、一括露光範囲に収まる
半導体装置に対して製造誤差が大きくなるという問題が
ある。従って、一括露光範囲を超える大きさの半導体装
置を露光する場合に、全体のパターンを単純に分割して
別々のレチクルに収め、それらを継ぎ合わせ露光する
と、半導体装置の目標特性を達成できない可能性があ
る。

【０００３】一方、固体撮像素子の製造工程において
は、近年、広画角固体撮像素子の市場要求が大きくなっ
てきており、このような広画角固体撮像装置において
は、分割継ぎ合わせ露光を考えざるを得ない。図４は、
従来のＣＣＤ型撮像素子の外観を示す正面図であり、図
５は、図４に示すＣＣＤ型撮像素子に分割継ぎ合わせ露
光を行った場合の分割露光領域を示す説明図である。図
４において、長方形の板状に形成された素子チップ１０
の中央部には、被写体を撮像する撮像部２０が設けら
れ、この撮像部２０の外側領域に周辺回路部３０が設け
られている。

【０００４】撮像部２０には、入射光量に応じた信号電
荷を生成する複数の光電変換素子（フォトセンサ）が２
次元マトリクス状に配置され、各光電変換素子の各列毎
に各光電変換素子によって生成した信号電荷を垂直方向
に転送する複数のＣＣＤ垂直転送部が設けられ、さら
に、各ＣＣＤ垂直転送部によって転送された信号電荷を
水平方向に転送する１つまたは複数のＣＣＤ水平転送部
と、このＣＣＤ水平転送部によって転送された信号電荷
を電気信号に変換し、撮像信号として出力する出力部等
が設けられている。また、周辺回路部３０には、出力部
から出力された撮像信号に対して所定の信号処理を行う
信号処理回路が設けられ、さらに保護トランジスタ、バ
スライン、電極パッド等の各要素が配置されている。

【０００５】また、図５に示す例では、図４に示すＣＣ
Ｄ型撮像素子の作製で必要となる露光領域全体を左右
（長手方向）に２分割したものであり、左側の露光領域
１０Ａと右側の露光領域１０Ｂに対して個別のレクチル
を作製し、個別に露光を行い、継ぎ合わせることによ
り、一括露光範囲の小さい露光装置でチップサイズの大
きい固体撮像素子の露光を行うことが可能となる。な
お、各分割露光領域１０Ａ、１０Ｂの所定位置には、各
分割露光領域１０Ａ、１０Ｂを継ぎ合わせる際に位置出
しを行うための複数の位置出し用マーク４０Ａ、４０Ｂ
が形成されている。この位置出し用マーク４０Ａ、４０
Ｂは、各分割露光領域１０Ａ、１０Ｂのコーナ部に設け
られた合わせずれ検出マーク４０Ａと、各分割露光領域
１０Ａ、１０Ｂの底辺および外側辺に設けられたパター
ン合わせマーク４０Ｂよりなり、各露光工程において、
先の露光工程で形成されたパターン合わせマーク４０Ｂ
を目標として露光位置を決定し、合わせずれ検出マーク
４０Ａによって合わせずれを補正する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例による分割継ぎ合わせ露光を用いた場合、固体撮像
装置に特有の問題として、画像特性に極めて影響の大き
い撮像部については、上述のような分割継ぎ合わせ露光
の採用による製造誤差が許容できないことが挙げられ
る。なお、このような広い面積を一括露光するには、よ
り広い一括露光範囲を有する露光装置を用いることも可
能であるが、このような一括露光範囲の広い露光装置
は、一般的に一括露光範囲が狭い露光装置よりも解像度
が低く、位置合わせ誤差も大きいため、近年の微細化に
対応できず、高品位の広画角固体撮像装置を製造するこ
とは困難である。また、将来は、一括露光範囲が広く、
かつ、解像度や位置合わせ精度も高い露光装置が開発さ
れることが予想されるが、このような露光装置が開発さ
れたとしても、高価な装置となることが予想され、容易
に導入できないという問題が生じる。

【０００７】そこで本発明の目的は、露光装置の一括露
光範囲よりも大きい露光領域を有する固体撮像素子を高
精度で安価に作製できる固体撮像素子の製造方法を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、少なくとも入射光量に応じた信号電荷を
生成する複数の光電変換素子を含む撮像部と、前記撮像
部の周辺に設けられ、撮像部からの信号を処理する周辺
回路部とを有する固体撮像素子の製造方法において、フ
ォトレジスト工程で用いる露光装置の一括露光範囲より
も大きい露光領域を有する固体撮像素子を作製する場合
に、前記固体撮像素子の全体領域を複数に分割し、各分
割領域に対して個別のレクチルによって露光を行う分割
露光工程を有し、前記分割露光工程は、少なくとも前記
撮像部全体を一括露光してフォトレジストパターンを形
成する第１露光工程を含むことを特徴とする。

【０００９】本発明の固体撮像素子の製造方法では、フ
ォトレジスト工程で用いる露光装置の一括露光範囲より
も大きい露光領域を有する固体撮像素子を作製する場合
に、前記固体撮像素子の全体領域を複数に分割し、各分
割領域に対して個別のレクチルによって露光を行う分割
露光工程を行う。そして、この分割露光工程において
は、少なくとも前記撮像部全体を一括露光してフォトレ
ジストパターンを形成する。したがって、少なくとも画
像特性に極めて影響の大きい撮像部については、全体を
一括露光してフォトレジストパターンを形成することに
より、撮像部内に露光の継ぎ合わせをもたない状態で作
製できる。この結果、固体撮像素子の画質劣化を生じる
ことなく、また、高価な露光装置を用いることなく、高
品位の広画角固体撮像装置を安価に製造することができ
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に説明す
る実施の形態は、本発明の好適な具体例であり、技術的
に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の記
載がない限り、これらの態様に限定されないものとす
る。

【００１１】図１は、本発明の実施の形態例で用いる分
割露光領域を示す説明図である。なお、本実施の形態例
で露光する固体撮像素子は、例えば図４に示すＣＣＤ撮
像素子であるものとし、以下の説明では図４で示した引
用符号を用いて説明する。また、図２は本実施の形態例
における露光作業に用いる露光装置の一括露光範囲を模
式的に示す説明図であり、図３は本実施の形態例におけ
る露光作業の具体例を示す平面図である。

【００１２】まず、本実施の形態例で用いる露光装置に
ついて説明する。半導体装置の製造工程において、フォ
トレジストパターンの形成に用いられる露光装置は、一
般的にレチクルパターンを適当な倍率で縮小投影し、ウ
ェーハを載せたステージを逐次移動することによってウ
ェーハ全面を露光する構造になっている。なお、この露
光範囲をスリット型の露光手段でスキャンし、最終的に
図２に示すような露光範囲を得るものもあるが、本質的
に同様である。図２に示すように、露光装置の光学系は
光軸に垂直に見て円形の結像可能範囲１００を持ち、こ
れに内接する矩形の範囲を一括露光することが可能であ
るが、実際はレチクルやウェーハのパターン合わせに用
いる顕微鏡などを結像可能範囲１００中の両側円弧部１
２０に配置するため、この両側円弧部１２０を避けた長
方形の範囲１１０のみを一括露光範囲として使用するこ
とができる。

【００１３】たとえば、２２ｍｍ角の露光範囲を持つ一
般的な露光装置は、実際の結像可能範囲が直径３１．１
ｍｍの円形であり、長辺２５．２ｍｍ、短辺１８．２ｍ
ｍの長方形の露光範囲を得ることができる。なお、この
数値は一例であり、本発明を限定するものでないものと
する。そして、このような露光装置によって決定される
固有の一括露光範囲を超える大きさの固体撮像装置を得
るためには、上述した分割露光が必要になる。例えば図
５に示すように、全体を２分割すれば、上記の例では最
大２５．２ｍｍ×３６．４ｍｍの大きさの固体撮像装置
を得ることができる。しかし、２分割された各々の領域
は、上述したパターン合わせマーク４０Ｂを用いて別々
に露光されるため、合わせずれ検出マーク４０Ａを用い
た前工程パターンとの合わせずれ補正は別個に行う必要
があり、各分割領域間のずれ補正を最適化できない。ま
た、各分割領域間の露光エネルギーが完全に一致すると
は限らないため、各分割領域間の線幅差が生じやすいと
いう問題もある。

【００１４】そこで、本実施の形態例では、分割方法を
以下のように工夫することにより、特に画質特性に重要
な影響のある撮像部全体の露光を一括して行い、継ぎ合
わせのための不具合をなくしたものである。すなわち、
複数のレチクルを用いた分割露光で上記のような位置ず
れや線幅差の問題を完全になくすのは不可能であるが、
以下のような分割方法によって撮像部の継ぎ合わせをな
くし、上記問題の影響をほとんど無視することが可能と
なる。具体的には、図１に示すように、撮像部２０は全
体で一括露光領域２１０とし、それ以外の周辺回路部３
０を左側と右側に分割し、それぞれを一括露光領域３１
０、３２０とすることにより、合計３つの分割領域で全
体のパターンを継ぎ合わせ露光する方法である。

【００１５】次に、図３に基づいて、継ぎ合わせ露光工
程について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、
最初の露光工程において、パターン合わせマーク４０Ｂ
と合わせずれ検出マーク４０Ａの基準となる主尺を含む
１つ目の撮像部２０を形成する。なお、この際、図３
（Ａ）に示すように、横長の撮像部２０はウェーハ６０
を９０°回転させてセットし、上述した露光装置の一括
露光範囲１１０に合わせた状態で露光する。

【００１６】そして、次露光工程以降では、１つ目の撮
像部２０に形成した各マーク４０Ａ、４０Ｂを基準とし
て、２つ目以降の撮像部２０の露光と各マーク４０Ａ、
４０Ｂの形成を行い（第１露光工程）、次いで図３
（Ｂ）（Ｃ）に示すように、周辺回路部３０の左側領域
３１０、右側領域３２０の露光を順次行っていく（第２
露光工程）。この際、図３（Ａ）で縦長に合わせたウェ
ーハを９０°回転し、周辺回路部３０の左側領域３１
０、右側領域３２０を縦長に合わせて露光を行う。な
お、このような周辺回路部３０の露光時にも、最初の露
光工程で形成したマーク４０Ａ、４０Ｂを基準に露光で
きる。

【００１７】このような分割露光工程によれば、撮像部
２０と周辺回路部３０との間には従来と同じ合わせずれ
や線幅差が生じるが、単位素子は撮像部３０にのみ存在
し、周辺回路部には単独回路のみが存在するため、両領
域間では撮像領域内に比べ厳密なパターンの一致は不要
である。また、このような性質を利用して、周辺回路部
の露光工程では、各周辺回路部３０でのみ用いるマーク
４０Ａ、４０Ｂを、周辺回路部３０の各分割領域の露光
時に形成しておき、それ以降の露光工程で、これらの周
辺回路部３０に形成したマーク４０Ａ、４０Ｂを用いる
ようにしてもよい。

【００１８】以上のような方法により、露光装置の一括
露光範囲を超える大きさの固体撮像装置を新たな設備投
資を行うことなく製造できる。また、従来の継ぎ合わせ
露光では製品特性上許容できない誤差が生じるが、本例
の方法では通常の一括露光品と同等の製品特性を得るこ
とができる。

【００１９】なお、上述の例では、一連の作業工程で３
つの分割継ぎ合わせ露光を行う場合について説明した
が、実際には、例えば撮像部の露光だけを行う場合もあ
り、このような場合も本発明に含まれるものとする。ま
た、上述の例では、最初の露光で１つ目の撮像部に対す
るマーク４０Ａ、４０Ｂの形成と撮像部の露光の両方を
同時に行っているが、最初の露光でマーク４０Ａ、４０
Ｂだけを形成するような方法も可能である。

【００２０】また、ＣＣＤ型撮像素子の撮像部２０に含
ませる要素としては、上述の従来例で説明したように、
光電変換素子、ＣＣＤ垂直転送部は、ＣＣＤ水平転送
部、および出力部までを含ませることが考えられるが、
このうち出力部については、特に初段の電荷検出用トラ
ンジスタまでが画質に大きく影響する要素であることか
ら、この電荷検出用トランジスタまでを撮像部に含め、
それ以降の要素は周辺回路部に含ませるような構成とし
てもよい。

【００２１】すなわち、この撮像部には、ＣＣＤ水平転
送部からの信号電荷を受け取るフローティングデフュー
ジョン部と、このフローティングデフュージョン部の電
位変動を検出して電気信号に変換する電荷検出用のＭＯ
Ｓトランジスタと、この電荷検出用トランジスタの出力
を増幅する複数のＭＯＳトランジスタよりなる増幅回路
と、電荷検出用トランジスタの電位をリセットするリセ
ット用ＭＯＳトランジスタ等から構成されているが、こ
のうちのフローティングデフュージョン部と電荷検出用
トランジスタだけを撮像部に配置し、その他を周辺回路
部に配置するような構成としてもよい。

【００２２】また、上述の例では、本発明をＣＣＤ型撮
像素子に適用したが、同様にＣＭＯＳ型撮像素子に適用
してもよい。すなわち、ＣＭＯＳ型撮像素子は、ＣＣＤ
型撮像素子のように光電変換素子の信号電荷をＣＣＤ転
送レジスタによって読み出し、後段の出力部で一括して
電気信号に変換するものではなく、単位画素毎に設けた
各種ＭＯＳトランジスタによるゲート回路によって各単
位画素の光電変換素子を単位画素毎に電気信号に変換
し、信号線に出力するものであり、各ゲート回路の駆動
を垂直方向と水平方向の走査回路によって制御し、任意
の画素領域の撮像信号を出力できるようにしたものであ
り、このようなＣＭＯＳ型撮像素子を分割露光によって
作製する場合にも本発明の方法を適用することができ
る。なお、この場合の撮像部には、単位画素毎の光電変
換素子、ゲート回路、および垂直、水平走査回路が含ま
れることになる。

【００２３】また、上述した例では、撮像部の露光時と
周辺回路部の露光時とでウェーハを９０°回転させた
が、本発明はこれに限定されないものである。すなわ
ち、上述した例では、露光装置の一括露光範囲を最大限
利用して撮像部を露光していたため、そのままの角度で
露光位置を一括露光範囲の長手方向にスライドさせただ
けでは、一括露光範囲の短手方向の寸法が不足してお
り、周辺回路部の分割露光を行うことができないため、
どうしてもウェーハを回転させる必要があった。しか
し、露光装置の一括露光範囲よりも撮像部をやや小さく
し、一括露光範囲の短手方向の寸法に周辺回路部の短手
方向の幅が納まるようにすれば、長手方向の位置をスラ
イドさせるだけで、周辺回路部の分割露光を行うことが
可能となるので、撮像部の露光後、そのままの角度で周
辺回路部の露光を行うことが可能となる。

【００２４】つまり、この場合には、露光装置の一括露
光範囲を最大限利用しない代わりに、ウェーハを９０°
回転する動作が不要となる。なお、ウェーハをスライド
させる動作を含む露光作業と回転させる動作を含む露光
作業では、露光作業上の有利、不利はそれほどないもの
であるが、パターン設計上は、ウェーハを回転させた場
合、ウェーハ上のｘ座標とｙ座標の関係が逆転するた
め、やや作業が煩雑となる。したがって、必要となる撮
像部のサイズと露光装置の一括露光範囲との間でサイズ
的な余裕のある場合には、ウェーハの回転を含まない方
法を採用することで、パターン設計の容易化を図ること
が可能となる。

【００２５】また、上述の例では、位置出し用マークと
して合わせずれ検出マークとパターン合わせマークの組
み合わせを用いたが、このようなマークの具体的形態に
ついても種々変形が可能である。また、露光作業の具体
的手順についても、上述した例に限定されるものではな
く、例えば位置出しマーク形成後の撮像部と周辺回路部
の露光順序等は適宜変更が可能である。さらに、本発明
にかかる固体撮像素子の製造方法は、上記実施の形態例
で説明したものに限定されず、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の変形が可能である。

【００２６】

【発明の効果】以上のように、本発明の固体撮像素子の
製造方法によれば、フォトレジスト工程で用いる露光装
置の一括露光範囲よりも大きい露光領域を有する固体撮
像素子を作製する場合に、前記固体撮像素子の全体領域
を複数に分割し、各分割領域に対して個別のレクチルに
よって露光を行う分割露光工程において、少なくとも前
記撮像部全体を一括露光してフォトレジストパターンを
形成するようにした。したがって、少なくとも画像特性
に極めて影響の大きい撮像部については、全体を一括露
光してフォトレジストパターンを形成することにより、
撮像部内に露光の継ぎ合わせをもたない状態で作製でき
ることになり、固体撮像素子の画質劣化を生じることな
く、また、高価な露光装置を用いることなく、高品位の
広画角固体撮像装置を安価に製造できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態例で用いる固体撮像素子の
分割露光領域を示す説明図である。

【図２】本発明の実施の形態例における露光作業に用い
る露光装置の一括露光範囲を模式的に示す説明図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態例における露光作業の具体
例を示す平面図である。

【図４】従来のＣＣＤ型撮像素子の外観を示す正面図で
ある。

【図５】図４に示すＣＣＤ型撮像素子に分割継ぎ合わせ
露光を行った場合の分割露光領域を示す説明図である。

【符号の説明】

１０……素子チップ、２０……撮像部、３０……周辺回
路部、４０Ａ、４０Ｂ……位置出し用マーク、１００…
…結像可能範囲、１１０……一括露光範囲、１２０……
両側円弧部、２１０、３１０、３２０……一括露光領
域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者椎葉智宏東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者荒井保明東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 2H097 AA12 JA02 KA03 KA12 LA20 4M118 BA09 EA01 EA14 EA20 FA06 5F046 AA25 CB17 CC13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも入射光量に応じた信号電荷を
生成する複数の光電変換素子を含む撮像部と、前記撮像
部の周辺に設けられ、撮像部からの信号を処理する周辺
回路部とを有する固体撮像素子の製造方法において、フォトレジスト工程で用いる露光装置の一括露光範囲よ
りも大きい露光領域を有する固体撮像素子を作製する場
合に、前記固体撮像素子の全体領域を複数に分割し、各
分割領域に対して個別のレクチルによって露光を行う分
割露光工程を有し、前記分割露光工程は、少なくとも前記撮像部全体を一括
露光してフォトレジストパターンを形成する第１露光工
程を含む、ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】前記分割露光工程は、前記周辺回路部を
複数に分割し、各分割領域を個別のレクチルによって露
光を行う第２露光工程を含むことを特徴とする請求項１
記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】前記第１露光工程と第２露光工程との間
で半導体基板の角度を９０°変更する工程を有すること
を特徴とする請求項２記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】前記分割露光工程の最初の露光時に、前
記撮像部の複数の所定位置に位置出し用マークを形成す
る工程を有することを特徴とする請求項１記載の固体撮
像素子の製造方法。
【請求項５】前記位置出し用マークは、合わせずれ検
出マークとパターン合わせマークよりなり、次の露光時
に、前記パターン合わせマークを目標として露光位置を
決定し、前記合わせずれ検出マークによって合わせずれ
を補正することを特徴とする請求項４記載の固体撮像素
子の製造方法。
【請求項６】前記分割露光工程の最初の露光時が前記
第１露光工程であり、前記撮像部全体を一括露光する際
に前記位置出し用マークを形成することを特徴とする請
求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】前記分割露光工程の最初の露光時に前記
位置出し用マークを形成した後、その後の工程で前記第
１露光工程を行い、前記撮像部全体を一括露光すること
を特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】前記分割露光工程は、前記周辺回路部を
複数に分割し、各分割領域を個別のレクチルによって露
光を行う第２露光工程を含み、前記第２露光工程による
露光時に前記周辺回路部の複数の所定位置に位置出し用
マークを形成する工程を有することを特徴とする請求項
４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】半導体ウェーハ上に複数の固体撮像素子
の露光作業を順次行うことを特徴とする請求項４記載の
固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】最初に露光した固体撮像素子に形成し
た前記位置出し用マークを次に露光する固体撮像素子の
位置出しに用いることを特徴とする請求項９記載の固体
撮像素子の製造方法。
【請求項１１】前記固体撮像素子がＣＣＤ型撮像素子
であり、前記撮像部には、入射光量に応じた信号電荷を
生成する複数の光電変換素子と、各光電変換素子によっ
て生成した信号電荷を転送するＣＣＤ転送部とを含むこ
とを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方
法。
【請求項１２】前記周辺回路部には、保護トランジス
タ、バスライン、電極パッドを含むことを特徴とする請
求項１１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】前記撮像部には、さらに前記ＣＣＤ転
送部によって転送された信号電荷を電気信号に変換し、
撮像信号として出力する出力部を含むことを特徴とする
請求項１２記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】前記撮像部には、さらに前記ＣＣＤ転
送部によって転送された信号電荷を電気信号に変換し、
撮像信号として出力する出力部のうち、前記ＣＣＤ転送
部からの信号電荷を受け取るフローティングデフュージ
ョン部と、前記フローティングデフュージョン部の電位
変動を検出して電気信号に変換する電荷検出用トランジ
スタとを含むことを特徴とする請求項１２記載の固体撮
像素子の製造方法。
【請求項１５】前記周辺回路部には、さらに前記出力
部のうち、前記電荷検出用トランジスタの出力を増幅す
る増幅回路を含むことを特徴とする請求項１４記載の固
体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】前記固体撮像素子がＣＭＯＳ型撮像素
子であり、前記撮像部には、入射光量に応じた信号電荷
を生成する複数の光電変換素子と、各光電変換素子によ
って生成した信号電荷を電気信号に変換し、画素信号と
して出力する複数のゲート回路と、前記ゲート回路を制
御して読み出す画素信号を選択する走査回路とを含むこ
とを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方
法。
【請求項１７】前記周辺回路部には、保護トランジス
タ、バスライン、電極パッドを含むことを特徴とする請
求項１６記載の固体撮像素子の製造方法。