JP2003264368A - 多層電気配線回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラインアンドスペースＬ／Ｓ＝２５μｍ／２
５μｍ以下、５μｍ／５μｍ以上のようなウルトラ・フ
ァイン・ピッチ・パターン（ＵＦＰＰ）の配線回路パタ
ーンを精密に形成することができる多層配線回路基板及
びその製造方法を得ること。 【解決手段】 本発明の一実施形態の多層配線回路基板
Ｐは、電解メッキで形成された第１電気配線回路層３、
第２配線回路層７Ａ・・・からなり、それら各電気配線
回路層間が第１永久レジスト層４・・・で絶縁されてお
り、各永久レジスト層４の表面に導電性金属薄膜６が被
覆されていて、少なくとも最下層の電気配線回路３の配
線幅が超微細な幅で形成されている構造のものである。
各電気配線回路層とこれらを接続するスルーホール５は
金属製基板１（図２、Ｓ１）や金属薄膜層６を電極とし
て電解メッキで形成されている。少なくとも最下層の電
気配線回路層３のＬ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ以下、５
μｍ／５μｍ以上のようなウルトラ・ファイン・ピッチ
・パターン（ＵＦＰＰ）の配線回路パターンを形成する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも最下層
の電気配線回路の配線幅が微細な幅で良好に形成された
多層電気配線回路基板及びその製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】先ず、図５乃至図７を参照しながら、従
来技術の一例である多層配線回路基板及びその製造方法
を説明する。

【０００３】図５は８層の導電層を備え、複数本のスル
ーホールが形成されている多層配線回路基板の断面側面
図、図６は図５に示した８層配線基板の製造工程図、そ
して図７は従来技術の８層配線基板の最外層の導電層に
配線回路パターンを形成した場合に生じる好ましくない
断面形状の配線回路パターンを部分的に示した断面図で
ある。

【０００４】なお、以下の説明においては、多層配線回
路基板の一例として８層の導電層を備えた８層配線基板
を採り上げて説明する。

【０００５】図５において、符号１００は８層配線基板
を指す。この８層配線基板１００は導電層Ｌｌ〜Ｌ８の
８導電層を備え、各導電層Ｌｌ〜Ｌ８は絶縁層Ｉｌ、Ｉ
２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、Ｉ７で絶縁されており、
導電層Ｌｌと導電層Ｌ２とはスルーホールＨｌで、導電
層Ｌ７と導電層Ｌ８とはスルーホールＨ２で、導電層Ｌ
ｌと導電層Ｌ４とはスルーホールＨ３で、導電層Ｌ５と
専電層Ｌ８とはスルーホールＨ４で、そして導電層Ｌｌ
と導電層Ｌ８とはスルーホールＨ５とで接続されてい
る。最外層の導電層Ｌｌと導電層Ｌ８には最終的に配線
回路パターンが形成されるが、図示の場合は配線回路パ
ターンが形成される直前の状態で示した。また、導電層
Ｌ２乃至導電層Ｌ７には配線回路パターンが形成されて
いるが、それらの配線回路パターンの図示は省略した。

【０００６】このような構造の８層配線基板１００の製
作する場合には、図６に示したように、先ず、エポキシ
樹脂、ポリイミド、液晶ポリマーなどで形成されている
絶縁基板（絶縁層）Ｉｌ、Ｉ３、Ｉ５、Ｉ７のそれぞれ
の表裏両面に導電層を構成する厚さ３０μｍ程度の銅箔
Ｍａが接着されているリジッドな両面配線基板１１１、
１１３、１１５、１１７を用いて行われる。

【０００７】そして両面配線基板１１１には、所定の位
置に、後にスルーホールＨｌとなる貫通孔を開け、無電
解メッキで厚さ数μｍの銅（Ｃｕ）の無電解メッキ層
（不図示）を成膜し、その表面に電解メッキで厚さ３０
μｍ程度の銅の電解メッキ層Ｍｂを成膜する（図６
Ａ）。

【０００８】次に、図６Ｂに示したように、この電解メ
ッキ層Ｍｂが成膜された両面配線基板１１１と両面配線
基板１１３とをプリプレグなどの絶縁樹脂で接合し（絶
縁層Ｉ２）、４層の導電層を備えた４層基板１２０を形
成する。そしてその所定の位置に後にスルーホールＨ３
となる貫通孔を開け、再度、その表面に無電解メッキで
厚さ数μｍの銅の無電解メッキ層（不図示）を成膜し、
その表面に電解メッキで厚さ３０μｍ程度の鋼の電解メ
ッキ層Ｍｃを成膜する。

【０００９】同様に、両面配線基板１１７にも所定の位
置に後にスルーホールＨ２となる貫通孔を開け、無電解
メッキで厚さ数μｍの銅の無電解メッキ層（不図示）を
成膜し、その表面に電解メッキで厚さ３０μｍ程度の銅
の電解メッキ層Ｍｂを成膜する（図６Ａ）。

【００１０】次に、この電解メッキ層Ｍｂが成膜された
両面配線基板１１７と両面配線基板１１５とを絶縁樹脂
で接合し（絶縁層Ｉ６）、４層の導電層を備えた４層基
板１２０を形成する。そしてその所定の位置に後にスル
ーホールＨ４となる貫通孔を開け、再度、その表面に無
電解メッキで厚さ数μｍの鋼（Ｃｕ）の無電解メッキ層
（不図示）を成膜し、その表面に電解メッキで厚さ３０
μｍ程度の銅の電解メッキ層Ｍｃを成膜する（図６
Ｂ）。

【００１１】次に、図６Ｃに示したように、これら４層
基板１２０、１３０を絶縁樹脂（絶縁層Ｉ４）で接合し
て、８層の導電層を備えた８層基板を形成し、その所定
の位置に後にスルーホールＨ５となる貫通孔を開け、そ
の表面に無電解メッキで厚さ数μｍの鋼の無電解メッキ
層（不図示）を成膜し、その表面に電解メッキで所定の
配線回路パターンＷを施せば、図５に示したような８層
配線基板１００が完成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この８層配
線基板１００の表面に形成されている最外層の導電層Ｌ
ｌ及び導電層Ｌ８とは、前記のように厚さ３０μｍの鋼
箔Ｍａａと厚さ３０μｍの電解メッキ層Ｍａｂ、Ｍａｃ
と厚さ数μｍの２層の無電解メッキ層（不図示）とから
なる９０μｍ以上の厚さの多層構造の導電層であるた
め、この表面に無電解メッキ、その表面に電解メッキを
施し、その導電層Ｌｌを、例えば、化学エッチングして
所定の配線回路パターンＷを形成しようとした場合に、
図７に示したように、配線回路パターンＷの断面形状が
あたかも鉄道レールの断面形状に似たようなくびれた形
状になり、また、隣接間隔が崩れた形状で形成される傾
向があるため、例えば、配線回路パターンの幅が１μｍ
〜２５μｍ、隣接配線回路パターン間隔が１μｍ〜２５
μｍ｛Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ ＆ Ｓｐａｃｅ）＝１μｍ／
１μｍ〜２５μｍ／２５μｍと表記する｝の微細な配線
回路パターンを狭ピッチで形成しにくくなる。

【００１３】また、無電解メッキで銅の薄膜を形成する
には時間が掛かり、その上、貫通孔に空洞なく充実され
たスルーホールを形成することができない。更にまた、
前記のようなくびれた形状の配線回路パターンは何らか
の原因で少し引っ掛けただけでも折れ易く、断線などの
原因になる。

【００１４】このため、通常、Ｌ／Ｓ＝１００の配線回
路パターンを製作する場合には、導電層Ｌｌ及びＬ８の
厚さは３０μｍ位までであって、それらの厚さが薄けれ
ば薄いほど、エッチングをシャープに行うことができ
る。

【００１５】このため現在では、厚い導電層Ｌｌ、Ｌ８
を機械的に、または化学的に研磨して厚みを薄くし、配
線回路パターンを形成している。しかし、これらの研磨
はコントロールが難しく、時間が掛かる。通常、機械的
研磨はバフ研唐で行われ、残りの厚みが５μｍ程度にな
るまで行う。そして８層配線基板１００の最外層表面の
全面にわたって同じ厚さに研磨する。厚さが５μｍ程度
で表面全面にわたって研磨を行うことは至難の業であ
る。また、同様に化学的研磨で行う場合も難しい。

【００１６】従って、本発明はこのような課題を解決し
ようとするものであって、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ以下のよう
な狭ピッチの微細な配線回路パターンを精密に形成する
ことができる多層配線回路基板及びその製造方法を得る
ことを目的とするものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】それ故、前記課題を解決
するために、本発明の多層配線回路基板では、電解メッ
キで形成された複数の電気配線回路層からなり、それら
各電気配線回路層間が永久レジスト層で絶縁されてお
り、それら各永久レジスト層の表面に導電性金属薄膜が
被覆されていて、少なくとも最下層の電気配線回路の配
線幅が超微細な幅で形成されていることを特徴とする。

【００１８】そして前記多層配線回路基板の前記下層の
電気配線回路層が電解メッキ法によるニッケル薄膜層
と、そのニッケル薄膜層の表面に電解メッキ法による銅
薄膜層とから積層されていることが好ましい。

【００１９】また、前記ニッケル薄膜層の表面に金薄膜
層が形成されていること望ましい。

【００２０】更に、前記永久レジストに必要に応じてス
ルーホールが形成されていて、前記下層の電気配線回路
層と前記上層の電気配線回路層とを電気的に接続するよ
うに構成することが望ましい。

【００２１】そしてまた、前記各電気配線回路、前記各
スルーホールの材料を同一良導電性金属で形成すること
が望ましい。

【００２２】更にまた、少なくとも前記最下層の電気配
線回路層の配線の幅が２５μｍ以下１μｍ以上であるこ
とが望ましい。

【００２３】本発明の他の発明である多層配線回路基板
の製造方法では、電解メッキの電極となる金属製基板を
用意する第１工程と、その金属製基板の表面に第１層目
の電気配線回路層を形成するための第１回目のレジスト
を被覆し、第１回目のレジストパターンを形成する第２
工程と、その第１回目のレジストパターンの基に前記金
属製基板を電極として電解メッキで前記第１層目の電気
配線回路層を形成する第３工程と、前記第１層目の電気
配線回路層の形成後、前記第１回目のレジストパターン
を除去する第４工程と、前記第１層目の電気配線回路層
の全表面に第２回目のレジストを被覆し、前記第１層目
の電気配線回路層に通じる第１回目のスルーホールを形
成する第５工程と、その第１回目のスルーホールが形成
された前記第２回目のレジスト層の表面に導電性金属薄
膜を成膜する第６工程と、その第２回目のレジストを除
去せず、第１永久レジスト層とし、その第１永久レジス
ト層の全面を第３回目のレジストで被覆し、第３レジス
トパターンを形成する第７工程と、その第３レジストパ
ターンの基に前記金属製基板及び前記導電性金属薄膜を
電極として前記第２層目の電気配線回路層を電解メッキ
法で形成する第８工程と、前記第２層目の電気配線回路
層の形成後、前記第３回目のレジストパターンを除去す
る第９工程と、必要な電気配線回路層数に応じて、前記
第５工程から前記第９工程までの工程を繰り返して電気
配線回路層を電解メッキ法で形成する第１０工程と、前
記の各工程を経て最終層目の電気配線回路層が形成され
たならば、その電気配線回路層を固定し、保護するた
め、その表面をレジストで被覆してその最終レジスト層
を最終永久レジスト層とする第１１工程と、前記金属製
基板を除去する第１２工程とを含む工程を経て多層配線
基板を製作することを特徴とする。

【００２４】そして前記第１２工程で前記金属製基板を
除去した後で必要に応じて露出された前記第１配線回路
層の金属導電体に金メッキを施すことが望ましい。

【００２５】また、前記金属製基板及び前記各電気配線
回路層の電気配線回路が銅製であり、前記導電性金属薄
膜がパラジュームであることが好ましい。

【００２６】更に、前記パラジュームが蒸着で成膜され
ることが好ましい。

【００２７】従って、本発明の多層配線回路基板によれ
ば、各電気配線回路層の配線回路幅を超微細に形成する
ことができ、しかも前記各層の配線回路は無論のことス
ルーホールは、電解メッキ法を用いて形成されものであ
ることから配線用金属材で緻密に形成することができ
る。また、前記ニッケル薄膜層の表面に銅薄膜層を形成
したことで、その上面に形成された電解メッキのスルー
ホールは緻密に、かつ一体的に形成された構造となり、
下層の電気配線回路層と上層の電気配線回路層とを確実
に接続することができる。更に、最下層の電気配線回路
層に金薄膜層が形成されていることから半導体チップな
どの部品を実装する場合に、その電極を接続し易い。

【００２８】また、本発明の多層配線回路基板の製造方
法によれば、金属製基板を電極として、その金属製基板
の表面に電解メッキ法により同一の導電性金属材を超微
細な電気配線回路を成長、形成させることができ、特に
最下層の電気配線回路をラインアンドスペース（Ｌ／
Ｓ）＝２５μｍ／２５μｍ以下、Ｌ／Ｓ＝１μｍ／１μ
ｍ以上の電気配線回路も緻密に成長させることができ
る。しかも、最後に前記金属製基板を除去した後には前
記のような超微細な電気配線回路が露出するので、これ
の電気配線回路の表面に金薄膜層を介して微小ピッチの
間隔で多数の電極バンプが形成されている半導体チップ
のような電子部品でも良好に実装することができる。

【００２９】更に、下層の電気配線回路層の上層に形成
する電気配線回路層も同様に電解メッキ法でスルーホー
ルと共に形成することから両電気配線回路層は緻密なス
ルーホールで接続され、しかも強固に電気配線回路層を
形成することができる。また、各電気配線回路層間に上
層の電気配線回路を形成するためのレジスト層を除去す
ることなく残存させるため、それが永久レジスト層の電
気絶縁層となり、廃棄物及び工数を削減することができ
る。更にまた、第１永久レジスト層の表面に金属薄膜層
を形成したことにより、特に金属薄膜層としてパラジュ
ームを用いたことにより、密着性のよい薄膜を成膜で
き、これを電極として上層の電気配線回路層及びスルー
ホールを電解メッキで良好に形成することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図を用いて、本発明の一実
施形態の多層配線回路基板及びその製造方法を説明す
る。

【００３１】なお、以下に記す実施の形態は、本発明の
好適な実施形態例であるから、技術的に好ましい種々の
限定が付されているが、本発明を限定する旨の記載がな
い限り、これらの実施形態に限られるものではないこと
を予め断っておく。

【００３２】図１は本発明の一実施形態の多層配線回路
基板の構造とこれに半導体チップを実装した構造を拡大
して示した略線的断面図、図２は図１に示した多層配線
回路基板の製造方法を示した工程図、図３は図２に示し
た工程に続く多層配線回路基板の製造方法を示した工程
図、そして図４は図３に示した工程に続く多層配線回路
基板の製造方法を示した工程図である。

【００３３】先ず、図１を用いて本発明の一実施形態の
多層配線回路基板の構成及び構造及びこれに半導体チッ
プ（以下、「ＩＣチップ」と記す）を実装した構造を説
明する。

【００３４】図１において、符号Ｐは本発明の一実施形
態の多層配線回路基板を指す。この多層配線回路基板Ｐ
は、電解メッキで形成された複数の、図示の例では、２
層の第１配線回路層３と第２配線回路層７Ａとからな
り、それらの第１配線回路層３と第２配線回路層７Ａと
の間に第１永久レジスト層４が介在して両者間層の電気
絶縁の機能を果たしており、その第１永久レジスト層４
の表面に導電性金属薄膜６が被覆されていて、少なくと
も最下層の電気配線回路３の配線幅が、例えば、２５μ
ｍ以下、１μｍ以上での超微細な幅で形成されている。

【００３５】前記下層の電気配線回路層３は電解メッキ
法によるニッケル薄膜層３ａと、このニッケル薄膜層３
ａの表面に電解メッキ法による銅薄膜層３ｂとが積層さ
れた構造のもである。また、ニッケル薄膜層３ａの表面
には金薄膜層１１が成膜されている。

【００３６】また、第１永久レジストには必要に応じて
スルーホールが形成されていて、下層の電気配線回路層
３と上層の電気配線回路層７Ａとが電気的に接続される
ように構成されている。これら各電気配線回路、各スル
ーホールの材料が同一良導電性金属、例えば、銅で形成
されている。

【００３７】そして図１に示したように、本発明の多層
配線回路基板Ｐの第１配線回路層３を覆っている金メッ
キ１１には、複数の多数の電極バンプＢが狭ピッチで形
成されているＩＣチップＳを容易に実装することができ
る。

【００３８】次に、図２乃至図４を用いて、本発明の一
実施形態の多層配線回路基板の製造方法を説明する。

【００３９】図２の工程Ｓ１において、先ず最初に、例
えば、銅（Ｃｕ）製の金属製基板１を用意する。この金
属製基板１は、例えば、厚さ１００〜２００μｍの銅板
である。この金属製基板１の厚みは、後記する金属製基
板１の除去工程Ｓ１３及び各工程のハンドリング性など
を考慮して設定する。

【００４０】次に、工程Ｓ２において、金属製基板１の
表面上に第１回目のレジストを塗布した後、例えば、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて所定の第１電気配線回路
３を形成するための第１回目のレジストパタ−ン２を形
成する。形成されるレジストパタ−ン２のラインアンド
スペ−スＬ／Ｓは２５μｍ／２５μｍ以下の微細配線と
する。

【００４１】次の工程Ｓ３では、微細な第１配線回路層
３を形成する。即ち、前記第１回目のレジストパタ−ン
２をマスクとして、金属製基板１を一方の電極として、
露出している金属製基板１の表面上に、先ず、薄膜のニ
ッケル（Ｎｉ）メッキ層３ａを電解メッキで形成し、次
に、そのＮｉメッキ層３ａの表面に薄膜の銅（Ｃｕ）メ
ッキ層３ｂを順に積層する。Ｎｉメッキ層３ａの厚さ
を、例えば、５μｍ〜１５μｍ程度、そしてＣｕメッキ
層３ｂの厚さを、例えば、１０〜２０μｍ程度とする。

【００４２】所定の厚さでＮｉメッキ層３ａ及びＣｕメ
ッキ層３ｂからなる第１配線回路層３が形成されると、
次に、工程Ｓ４で、レジストパタ−ン２を剥離する。こ
うして金属製基板１の表面上にＬ／Ｓ＝２５μｍ／２５
μｍ以下のＮｉ−Ｃｕ積層構造からなる微細な第１配線
回路層３を形成することができる。図示の実施例の場合
は、工程４に示したように、Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍで
ある。

【００４３】次に、工程５で、第１配線回路層３が形成
されている全面に、例えば、エポキシ系の第２回目のレ
ジストを、例えば、厚さ５μｍ〜２０μｍ程度で塗布
し、第２レジスト層４を形成する。この第２レジスト層
４の塗布により第１配線回路層３の表面及び側面が被覆
され、その形状や寸法を安定に保持することができる。
また、この第２レジスト層４は、後記するように、その
表面上に形成する第２配線回路層と第１配線回路層３と
を電気的に絶縁、分離するための第１永久レジスト層４
Ａ（図３工程Ｓ６）となるものである。

【００４４】第２回目に塗布するレジスト４としては、
例えば、住友ベークライト株式会社製の「ＣＲＣ−８０
００シリーズ」、シップレー・ファー・イースト株式会
社製（Ｓｈｉｐｌｅｙ・Ｆａｒ・Ｅａｓｔ・ＬＴＤ）の
「Ｍｕｌｔｉｐｏｓｉｔ」などの感光性絶縁材を用いる
ことができる。

【００４５】次に、図３に移って、工程５に続く工程Ｓ
６では、第１永久レジスト層４Ａの表面に、例えば、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて窓開けの露光を行う。符
号Ｍａはマスクであり、符号ＰＬａは平行光である。こ
の窓開けは第１配線回路層３と第２配線回路層を接続す
るスルーホール５を形成するためのものである。このス
ルーホール５は、工程Ｓ７に示したように、露光された
第１永久レジスト層４Ａの部分をエッチングすることに
より形成する。

【００４６】次の工程Ｓ８では、第１永久レジスト層４
Ａをエッチングして露出した第１配線回路層３の表面上
のＣｕメッキ層３ｂと第１永久レジスト層４Ａの表面上
の有機物を表面処理より除去する。この表面処理は、例
えば、酸、アルカリを用いて払拭することもできるが、
他にもイオンによって、例えば、アルゴンガスによる逆
スパッタリングや酸素プラズマにより表面処理を行なう
こともできる。そしてこの表面処理を行った後に、前処
理として数オングストローム（Å）単位の厚さの、例え
ば、パラジューム（Ｐｄ）薄膜層のような導電性金属薄
膜層６を無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などの薄
膜成膜手段により成膜する。

【００４７】次に、工程Ｓ９で、第２配線回路層７Ａを
形成する。第１永久レジスト層４Ａに窓開けされたスル
ーホール５内へのＣｕメッキと第２配線回路層７Ａとな
る面全体へのＣｕメッキ層７を、薄膜金属層６を一方の
電極として電解メッキ法を用いて形成する。第２配線回
路層７ＡとなるＣｕメッキ層７の厚みは、例えば、１０
μｍ〜３０μｍ程度でよい。

【００４８】続く工程Ｓ１０で、Ｃｕメッキされた第２
配線回路層７Ａの表面上に第３回目のレジストを塗布
し、第３レジスト層８を形成し、そして、例えば、フォ
トリソグラフィ技術を用いて第２配線回路７Ａの形成用
のレジストパターンを形成する。レジストパターンのラ
インアンドスペ−スＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以上で
あってもよい。符号Ｍｂはレジストパターン８を形成す
るためのマスク、符号ＰＬｂは平行光である。

【００４９】次に、工程Ｓ１１では、第３レジスト層８
のパターンをマスクとして、第２配線回路層７Ａのエッ
チング９を行う。使用するエッチング液は、塩化鉄溶
液、塩化銅液などを用いることができる。エッチング
後、レジストパターン８を剥離する。こうして、第２配
線回路層７Ａが形成される。

【００５０】続いて次の工程Ｓ１２では、第２配線回路
層７Ａの上面に、第４回目のレジストを第２永久レジス
ト層１０として塗布する。これにより第２配線回路層７
Ａを固定し、保護する。

【００５１】そして次の工程Ｓ１３では、工程Ｓ１で用
意した金属製基板１全体を、例えば、塩化第二鉄でエッ
チングして除去する。この金属製基板１の除去により工
程Ｓ３で形成された第１配線回路層３（Ｎｉ−Ｃｕメッ
キ）のＮｉメッキ面３ａが露出する。

【００５２】次に、工程Ｓ１４では、金属製基板１の除
去で露出した第１配線回路層３の表面のＮｉメッキ層３
ａ面に、例えば、０．１μｍ〜５μｍの金（Ａｕ）メッ
キ１１を施す。

【００５３】このような製造方法を採ることにより、本
発明の一実施形態の２層の多層配線回路基板Ｐが得られ
る。

【００５４】そして、この多層配線回路基板Ｐに半導体
チップ（ＩＣチップ）Ｓを実装する場合には、多層配線
回路基板Ｐの前記Ａｕメッキ１１部分を電極パッドとし
て、ＩＣチップＳの複数の接合バンプＢをそれぞれの電
極パッド１１に接合することにより、図１に示したよう
に実装することができる。

【００５５】前記の実施形態では、微細なＬ／Ｓの第１
配線回路層３と第２配線回路層７との２層の多層配線回
路基板Ｐであるが、第２配線回路層７を形成する工程Ｓ
４〜工程Ｓ１２の工程を繰り返すことにより、必要とす
る層数の配線回路層を形成でき、各配線回路層間に永久
レジスト層を電気絶縁層として介挿でき、そして所望の
配線回路層をスルーホール５で接続することができる多
層配線回路基板Ｐを製作することができる。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の多層配線回路基板及びその製造方法によれば、次のよ
うな効果がある。即ち、本発明によれば、ＵＦＰＰの製
法で形成された微細な配線回路パタ−ンの上に、永久レ
ジスト層より分離された一般的な配線幅の、例えば、３
０μｍ以上の回路パタ−ンをも多段に、しかも必要に応
じて各配線回路層を相互に接続、一体化でき、しかも電
解メッキ法で接続を形成しているために緻密に形成する
ことができる。

【００５７】前記の構造により、１μｍ〜３０μｍ未満
の超微細な配線回路パタ−ンを含む小型で高密度の多層
配線回路基板を形成することができる。

【００５８】また、微細な第１配線回路層３とその次の
配線回路層を絶縁分離している層を永久レジストとする
ことにより、製造工程を短縮することができる。

【００５９】更にまた、従来のプリント基板を用いず、
金属製基板１及び金属薄膜層６を一方の電極として電解
メッキ法を使用することができ、このため第１配線回路
層３、第２配線回路層７・・・、そしてスルーホール５
を金属製基板１上に電解メッキで緻密に、そして短時間
に所望の厚みまで成長させることができる。従って、従
来のようにプリント基板の銅箔をエッチングして、銅箔
を除去した部分に無電解メッキ法でＣｕメッキを形成す
る方法に比して格段に短時間で効率的に多層配線回路基
板を製造することができる。

【００６０】このように本発明によれば、数々の優れた
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態の多層配線回路基板の構
造とこれに半導体チップを実装した構造を拡大して示し
た略線的断面図である。

【図２】 図１に示した多層配線回路基板の製造方法を
示した工程図である。

【図３】 図２に示した工程に続く多層配線回路基板の
製造方法を示した工程図である。

【図４】 図３に示した工程に続く多層配線回路基板の
製造方法を示した工程図である。

【図５】 ８層の導電層を備え、複数本のスルーホール
が形成されている多層配線回路基板の断面側面図であ
る。

【図６】 図５に示した８層配線基板の製造工程図であ
る。

【図７】 従来技術の８層配線基板の最外層の導電層に
配線回路パターンを形成した場合に生じる好ましくない
断面形状の配線回路パターンを部分的に示した断面図で
ある。

【符号の説明】 Ｐ…本発明の一実施形態の多層配線回路基板、Ｍａ，Ｍ
ｂ…マスク、ＰＬａ，ＰＬｂ…平行光、１…金属製基板
（銅）、２…レジストパタ−ン、３…第１配線回路層、
３ａ…Ｎｉメッキ層、３ｂ…Ｃｕメッキ層、４…第２レ
ジスト層、４Ａ…第１永久レジスト層、５…スルーホー
ル、６…金属薄膜層、７…Ｃｕメッキ層、７Ａ…第２配
線回路層、８…第３レジスト層、９…エッチング、１０
…第２永久レジスト層、１１…Ａｕメッキ、

フロントページの続き (72)発明者 草野 英俊 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内 Ｆターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA43 CC09 CC32 CC54 CC55 CC58 DD03 DD16 DD17 DD23 DD32 DD33 DD44 DD47 DD48 EE33 FF07 FF15 GG17 GG18 GG22 GG23 HH26 HH32

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電解メッキで形成された複数の電気配線
   回路層からなり、該各電気配線回路層間が永久レジスト
   層で絶縁されており、該各永久レジスト層の表面に導電
   性金属薄膜が被覆されていて、少なくとも最下層の電気
   配線回路の配線幅が超微細な幅で形成されていることを
   特徴とする多層電気配線回路基板。
2. 【請求項２】 前記下層の電気配線回路層が電解メッキ
   法によるニッケル薄膜層と、該ニッケル薄膜層の表面に
   電解メッキ法による銅薄膜層とから積層されていること
   を特徴とする請求項１に記載の多層電気配線回路基板。
3. 【請求項３】 前記ニッケル薄膜層の表面に金薄膜層が
   形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多層
   電気配線回路基板。
4. 【請求項４】 前記永久レジストに必要に応じてスルー
   ホールが形成されていて、前記下層の電気配線回路層と
   前記上層の電気配線回路層とが電気的に接続されている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の多層電
   気配線回路基板。
5. 【請求項５】 前記各電気配線回路、前記各スルーホー
   ルの材料が同一良導電性金属で形成されていることを特
   徴とする請求項１乃至請求項４に記載の多層電気配線回
   路基板。
6. 【請求項６】 少なくとも前記最下層の電気配線回路層
   の配線の幅が２５μｍ以下、１μｍ以上であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項５に記載の多層電気配線回
   路基板。
7. 【請求項７】 電解メッキの電極となる金属製基板を用
   意する第１工程と、 該金属製基板の表面に第１層目の電気配線回路層を形成
   するための第１回目のレジストを被覆し、第１回目のレ
   ジストパターンを形成する第２工程と、 該第１回目のレジストパターンの基に前記金属製基板を
   電極として電解メッキで前記第１層目の電気配線回路層
   を形成する第３工程と、 前記第１層目の電気配線回路層の形成後、前記第１回目
   のレジストパターンを除去する第４工程と、 前記第１層目の電気配線回路層の全表面に第２回目のレ
   ジストを被覆し、前記第１層目の電気配線回路層に通じ
   る第１回目のスルーホールを形成する第５工程と、 該第１回目のスルーホールが形成された前記第２回目の
   レジスト層の表面に導電性金属薄膜を成膜する第６工程
   と、 該第２回目のレジストを除去せず、第１永久レジスト層
   とし、該第１永久レジスト層の全面を第３回目のレジス
   トで被覆し、第３レジストパターンを形成する第７工程
   と、 該第３レジストパターンの基に前記金属製基板及び前記
   導電性金属薄膜を電極として前記第２層目の電気配線回
   路層を電解メッキ法で形成する第８工程と、 前記第２層目の電気配線回路層の形成後、前記第３回目
   のレジストパターンを除去する第９工程と、 必要な電気配線回路層数に応じて、前記第５工程から前
   記第９工程までの工程を繰り返して電気配線回路層を電
   解メッキ法で形成する第１０工程と、 前記の各工程を経て最終層目の電気配線回路層が形成さ
   れたならば、該電気配線回路層を固定し、保護するた
   め、その表面をレジストで被覆して該最終レジスト層を
   最終永久レジスト層とする第１１工程と、 前記金属製基板を除去する第１２工程とを含む工程を経
   て多層配線基板を製作することを特徴とする多層配線基
   板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１２工程で前記金属製基板を除去
   した後で必要に応じて露出された前記第１配線回路層の
   金属導電体に金メッキを施すことを特徴とする請求項７
   に記載の多層配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記金属製基板及び前記各電気配線回路
   層の電気配線回路が銅製であり、前記導電性金属薄膜が
   パラジュームであることを特徴とする請求項７に記載の
   多層配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記パラジュームは蒸着で成膜される
    ことを特徴とする請求項９に記載の多層配線基板の製造
    方法。