JP2003268451A - 高磁束密度鏡面方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
高磁束密度鏡面方向性電磁鋼板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鏡面方向性電磁鋼板鋼板において、結晶方位
の集積度を高め、鉄損の向上を図る。 【解決手段】 質量で、Ｓｉ：０．８〜４．８％、Ｃ：
０．００３〜０．１％、酸可溶性Ａｌ：０．０１２〜
０．０５％、Ｎ≦０．０１％を含有する鋼帯を冷延・脱
炭焼鈍後、焼鈍分離剤を塗布し仕上げ焼鈍を施す方向性
電磁鋼板の製造方法において、脱炭焼鈍をＦｅ系酸化物
の形成しない酸化度の雰囲気ガス中で行い、鋼板表面に
シリカを主成分とする酸化層を形成させた後に、アルミ
ナを主成分とする焼鈍分離剤を塗布すること、及びこの
焼鈍分離剤中に硼素化合物を添加することを特徴とする
磁束密度の高い鏡面方向性電磁鋼板の製造方法。
の集積度を高め、鉄損の向上を図る。 【解決手段】 質量で、Ｓｉ：０．８〜４．８％、Ｃ：
０．００３〜０．１％、酸可溶性Ａｌ：０．０１２〜
０．０５％、Ｎ≦０．０１％を含有する鋼帯を冷延・脱
炭焼鈍後、焼鈍分離剤を塗布し仕上げ焼鈍を施す方向性
電磁鋼板の製造方法において、脱炭焼鈍をＦｅ系酸化物
の形成しない酸化度の雰囲気ガス中で行い、鋼板表面に
シリカを主成分とする酸化層を形成させた後に、アルミ
ナを主成分とする焼鈍分離剤を塗布すること、及びこの
焼鈍分離剤中に硼素化合物を添加することを特徴とする
磁束密度の高い鏡面方向性電磁鋼板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として変圧器そ
の他の電気機器等の鉄心として利用される一方向性電磁
鋼板の製造方法に関するものである。特に、その表面を
効果的に仕上げ、かつ磁束密度を高めることにより、鉄
損特性の向上を図るものである。
の他の電気機器等の鉄心として利用される一方向性電磁
鋼板の製造方法に関するものである。特に、その表面を
効果的に仕上げ、かつ磁束密度を高めることにより、鉄
損特性の向上を図るものである。
【０００２】
【従来の技術】方向性電磁鋼板は、磁気鉄心として多く
の電気機器に用いられている。方向性電磁鋼板はＳｉを
０．８〜４．８％含有し、製品の結晶粒の方位を｛１１
０｝＜００１＞方位に高度に集積させた鋼板である。そ
の磁気特性として磁束密度が高く（Ｂ8 値で代表され
る）、鉄損が低い（Ｗ17/50 値で代表される）ことが要
求される。特に最近では、省エネルギーの見地から電力
損失の低減に対する要求が高まっている。
の電気機器に用いられている。方向性電磁鋼板はＳｉを
０．８〜４．８％含有し、製品の結晶粒の方位を｛１１
０｝＜００１＞方位に高度に集積させた鋼板である。そ
の磁気特性として磁束密度が高く（Ｂ8 値で代表され
る）、鉄損が低い（Ｗ17/50 値で代表される）ことが要
求される。特に最近では、省エネルギーの見地から電力
損失の低減に対する要求が高まっている。
【０００３】この要求にこたえ、方向性電磁鋼板の鉄損
を低減させる手段として、磁区を細分化する技術が開発
された。積み鉄心の場合、仕上げ焼鈍後の鋼板にレーザ
ービームを照射して局部的な微少歪を与えることにより
磁区を細分化して鉄損を低減させる方法が、例えば特開
昭５８−２６４０５号公報に開示されている。しかしな
がらこれらの磁区の動きを観察すると、鋼板表面のグラ
ス被膜の凹凸によりピン止めされ、動かない磁区も存在
していることが分かった。従って、方向性電磁鋼板の鉄
損値を更に低減させるためには、磁区細分化と合わせて
磁区の動きを阻害する鋼板表面のグラス被膜の凹凸によ
るピン止め効果をなくすことが重要であると考えられ
る。
を低減させる手段として、磁区を細分化する技術が開発
された。積み鉄心の場合、仕上げ焼鈍後の鋼板にレーザ
ービームを照射して局部的な微少歪を与えることにより
磁区を細分化して鉄損を低減させる方法が、例えば特開
昭５８−２６４０５号公報に開示されている。しかしな
がらこれらの磁区の動きを観察すると、鋼板表面のグラ
ス被膜の凹凸によりピン止めされ、動かない磁区も存在
していることが分かった。従って、方向性電磁鋼板の鉄
損値を更に低減させるためには、磁区細分化と合わせて
磁区の動きを阻害する鋼板表面のグラス被膜の凹凸によ
るピン止め効果をなくすことが重要であると考えられ
る。
【０００４】そのためには、磁区の動きを阻害する鋼板
表面のグラス被膜を形成させない事が有効である。その
手段として、焼鈍分離剤として粗大高純アルミナを用い
ることによりグラス被膜を形成させない方法が、例えば
米国特許第３７８５８８２号に開示されている。しかし
ながら、この方法では表面直下の介在物をなくすことが
できず、鉄損の向上代はＷ15/60 で高々２％に過ぎな
い。
表面のグラス被膜を形成させない事が有効である。その
手段として、焼鈍分離剤として粗大高純アルミナを用い
ることによりグラス被膜を形成させない方法が、例えば
米国特許第３７８５８８２号に開示されている。しかし
ながら、この方法では表面直下の介在物をなくすことが
できず、鉄損の向上代はＷ15/60 で高々２％に過ぎな
い。
【０００５】この表面直下の介在物を制御し、かつ表面
の鏡面化を達成する方法として、仕上げ焼鈍後に化学研
磨或いは電解研磨を行う方法が、例えば特開昭６４−８
３６２０号公報に開示されている。しかしながら、化学
研磨・電解研磨等の方法は、研究室レベルでの少試料の
材料を加工することは可能であるが、工業的規模で行う
には薬液の濃度管理、温度管理、公害設備の付与等の点
で大きな問題があり、いまだ実用化されるに至っていな
い。
の鏡面化を達成する方法として、仕上げ焼鈍後に化学研
磨或いは電解研磨を行う方法が、例えば特開昭６４−８
３６２０号公報に開示されている。しかしながら、化学
研磨・電解研磨等の方法は、研究室レベルでの少試料の
材料を加工することは可能であるが、工業的規模で行う
には薬液の濃度管理、温度管理、公害設備の付与等の点
で大きな問題があり、いまだ実用化されるに至っていな
い。
【０００６】一方、鉄損を向上させるためには結晶粒の
方位集積度を高めることが有効であり、そのその方法と
して田口・坂倉（特公昭４０−１５６４４号公報）、小
松等（特公昭６２−４５２８５号公報）等により、イン
ヒビターとしてＡｌの窒化物を使用する方法が開示され
ている。しかしながら、アルミナを焼鈍分離剤とする前
記米国特許第３７８５８８２号の方法を、Ａｌの窒化物
をインヒビターとするこれらの方法に適用した場合、二
次再結晶が不安定になってしまい、鉄損の向上を達成で
きない。
方位集積度を高めることが有効であり、そのその方法と
して田口・坂倉（特公昭４０−１５６４４号公報）、小
松等（特公昭６２−４５２８５号公報）等により、イン
ヒビターとしてＡｌの窒化物を使用する方法が開示され
ている。しかしながら、アルミナを焼鈍分離剤とする前
記米国特許第３７８５８８２号の方法を、Ａｌの窒化物
をインヒビターとするこれらの方法に適用した場合、二
次再結晶が不安定になってしまい、鉄損の向上を達成で
きない。
【０００７】本発明者らは、これらの問題点すなわち、
（１）田口・坂倉（特公昭４０−１５６４４号公報）、
小松等（特公昭６２−４５２８５号公報）等の、Ａｌの
窒化物をインヒビターとして使用する高磁束密度材の二
次再結晶が不安定であること、及び（２）表面下の介在
物が存在することを解決する方策の検討を行った。
（１）田口・坂倉（特公昭４０−１５６４４号公報）、
小松等（特公昭６２−４５２８５号公報）等の、Ａｌの
窒化物をインヒビターとして使用する高磁束密度材の二
次再結晶が不安定であること、及び（２）表面下の介在
物が存在することを解決する方策の検討を行った。
【０００８】その結果、グラス被膜を形成させない場合
では、仕上げ焼鈍中においてＡｌの窒化物インヒビター
が急激に弱体化することが、二次再結晶が不安定になる
原因であることをつきとめた。その対処方策を鋭意検討
し、脱炭焼鈍の露点を制御し、脱炭焼鈍時に形成される
酸化層においてＦｅ系酸化物（Ｆｅ2 ＳｉＯ4 、ＦｅＯ
等）を形成させないこと、このような酸化層を形成させ
た脱炭焼鈍板を、アルミナを主成分とする焼鈍分離剤を
水スラリー状で塗布、もしくは静電塗布法等によりドラ
イ・コートすることにより二次再結晶を安定化させると
共に、仕上げ焼鈍後の表面を鏡面状に仕上げて鉄損を大
きく低下させることができることを見いだした（特開平
７−１１８７５０号公報）。また、鋼中に界面偏析元素
を添加して二次再結晶前にこれらの元素を表面に濃化さ
せることが、インヒビターを制御して二次再結晶挙動を
安定化することに有効であることを見いだした（特開平
６−２５６８５０号公報）。
では、仕上げ焼鈍中においてＡｌの窒化物インヒビター
が急激に弱体化することが、二次再結晶が不安定になる
原因であることをつきとめた。その対処方策を鋭意検討
し、脱炭焼鈍の露点を制御し、脱炭焼鈍時に形成される
酸化層においてＦｅ系酸化物（Ｆｅ2 ＳｉＯ4 、ＦｅＯ
等）を形成させないこと、このような酸化層を形成させ
た脱炭焼鈍板を、アルミナを主成分とする焼鈍分離剤を
水スラリー状で塗布、もしくは静電塗布法等によりドラ
イ・コートすることにより二次再結晶を安定化させると
共に、仕上げ焼鈍後の表面を鏡面状に仕上げて鉄損を大
きく低下させることができることを見いだした（特開平
７−１１８７５０号公報）。また、鋼中に界面偏析元素
を添加して二次再結晶前にこれらの元素を表面に濃化さ
せることが、インヒビターを制御して二次再結晶挙動を
安定化することに有効であることを見いだした（特開平
６−２５６８５０号公報）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は更に、アルミ
ナを主成分とする焼鈍分離剤の添加物を調整することに
より、二次再結晶による結晶方位の集積度を高め、製品
の鉄損の向上を達成する方法を提供するものである。
ナを主成分とする焼鈍分離剤の添加物を調整することに
より、二次再結晶による結晶方位の集積度を高め、製品
の鉄損の向上を達成する方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は下記の構成を要旨とする。 （１）質量で、 Ｓｉ：０．８〜４．８％、 Ｃ ：０．００３〜０．１％、 酸可溶性Ａｌ：０．０１２〜０．０５％、 Ｎ≦０．０１％ を含有する鋼帯を冷延・脱炭焼鈍後、焼鈍分離剤を塗布
し仕上げ焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法におい
て、脱炭焼鈍をＦｅ系酸化物の形成しない酸化度の雰囲
気ガス中で行い、鋼板表面にシリカを主成分とする酸化
層を形成させた後に、アルミナを主成分とする焼鈍分離
剤を塗布すること、及びこの焼鈍分離剤中に硼素化合物
を添加することを特徴とする磁束密度の高い鏡面方向性
電磁鋼板の製造方法。 （２）Ｓｎ或いはＳｂまたはそれらの化合物の一種もし
くは複数種を焼鈍分離剤に添加することを特徴とする前
項（１）記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電磁鋼板の
製造方法。 （３）鋼中元素としてＳｎまたはＳｂを質量で０．０３
〜０．１５％添加することを特徴とする前記（１）また
は（２）記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電磁鋼板の
製造方法。 （４）焼鈍分離剤の仕上げ焼鈍時の持ち込み水分を１．
５％以下とすることを特徴とする前記（１）乃至（３）
のいずれか１項に記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電
磁鋼板の製造方法。 （５）仕上焼鈍工程の１０００〜１１００℃の二次再結
晶温度域の加熱速度を２０℃／ｈｒ以下として、この温
度域で二次再結晶させることを特徴とする前記（１）乃
至（４）のいずれか１項に記載の磁束密度の高い鏡面方
向性電磁鋼板の製造方法。
に本発明は下記の構成を要旨とする。 （１）質量で、 Ｓｉ：０．８〜４．８％、 Ｃ ：０．００３〜０．１％、 酸可溶性Ａｌ：０．０１２〜０．０５％、 Ｎ≦０．０１％ を含有する鋼帯を冷延・脱炭焼鈍後、焼鈍分離剤を塗布
し仕上げ焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法におい
て、脱炭焼鈍をＦｅ系酸化物の形成しない酸化度の雰囲
気ガス中で行い、鋼板表面にシリカを主成分とする酸化
層を形成させた後に、アルミナを主成分とする焼鈍分離
剤を塗布すること、及びこの焼鈍分離剤中に硼素化合物
を添加することを特徴とする磁束密度の高い鏡面方向性
電磁鋼板の製造方法。 （２）Ｓｎ或いはＳｂまたはそれらの化合物の一種もし
くは複数種を焼鈍分離剤に添加することを特徴とする前
項（１）記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電磁鋼板の
製造方法。 （３）鋼中元素としてＳｎまたはＳｂを質量で０．０３
〜０．１５％添加することを特徴とする前記（１）また
は（２）記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電磁鋼板の
製造方法。 （４）焼鈍分離剤の仕上げ焼鈍時の持ち込み水分を１．
５％以下とすることを特徴とする前記（１）乃至（３）
のいずれか１項に記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電
磁鋼板の製造方法。 （５）仕上焼鈍工程の１０００〜１１００℃の二次再結
晶温度域の加熱速度を２０℃／ｈｒ以下として、この温
度域で二次再結晶させることを特徴とする前記（１）乃
至（４）のいずれか１項に記載の磁束密度の高い鏡面方
向性電磁鋼板の製造方法。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
質量で、Ｓｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１％、Ｃ：０．０
６％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加
熱した後、板厚２．０ｍｍに熱延した。この熱延板を１
１２０℃で２分間焼鈍した後、最終板厚０．２２ｍｍに
冷延した。この冷延板を雰囲気ガスの酸化度（Ｐ H2 O
／Ｐ H2 ）：０．１の湿潤ガス中で８３０℃で脱炭焼鈍
を施した。その後、アンモニア窒化により窒素量が０．
０２％になるように窒化処理を施した。
質量で、Ｓｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１％、Ｃ：０．０
６％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％の珪素鋼スラブを１１５０℃で加
熱した後、板厚２．０ｍｍに熱延した。この熱延板を１
１２０℃で２分間焼鈍した後、最終板厚０．２２ｍｍに
冷延した。この冷延板を雰囲気ガスの酸化度（Ｐ H2 O
／Ｐ H2 ）：０．１の湿潤ガス中で８３０℃で脱炭焼鈍
を施した。その後、アンモニア窒化により窒素量が０．
０２％になるように窒化処理を施した。
【００１２】これらの試料にアルミナを主成分とする焼
鈍分離剤にＢ2 Ｏ3 を０〜３％添加し、水スラリー状で
塗布・乾燥した。乾燥後の塗布量は２０ｇ／ｍ2 であっ
た。仕上げ焼鈍は酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ H2 ）：０．０
００１６の窒素−水素混合ガス雰囲気中で、１０℃／ｈ
ｒで１２００℃まで加熱し、酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ
H2 ）：０．００００３９の水素ガスに切り替え１２０
０℃で５時間焼鈍した。これらの試料について、張力コ
ーテイング処理とレーザー照射による磁区細分化処理を
行った後の製品の磁束密度（Ｂ8 ）を図１に示す。
鈍分離剤にＢ2 Ｏ3 を０〜３％添加し、水スラリー状で
塗布・乾燥した。乾燥後の塗布量は２０ｇ／ｍ2 であっ
た。仕上げ焼鈍は酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ H2 ）：０．０
００１６の窒素−水素混合ガス雰囲気中で、１０℃／ｈ
ｒで１２００℃まで加熱し、酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ
H2 ）：０．００００３９の水素ガスに切り替え１２０
０℃で５時間焼鈍した。これらの試料について、張力コ
ーテイング処理とレーザー照射による磁区細分化処理を
行った後の製品の磁束密度（Ｂ8 ）を図１に示す。
【００１３】図１より、Ｂ2 Ｏ3 を０〜０．２％添加、
特に０．５％以上添加することにより、製品の磁束密度
（Ｂ8 ）が向上していることがわかる。二次再結晶に影
響を及ぼすＢ2 Ｏ3 の影響を鋭意を調査したところ、二
次再結晶温度域である１０００℃において鋼中のＢ量が
増加して、マトリックスの粒成長抑制効果が強化してい
ることが確認された。従って磁束密度（Ｂ8 ）が向上し
たのは、焼鈍分離剤に添加したＢ2 Ｏ3 が分解し、分解
したＳが鋼中に侵入しインヒビター効果を強化したため
と推測される。
特に０．５％以上添加することにより、製品の磁束密度
（Ｂ8 ）が向上していることがわかる。二次再結晶に影
響を及ぼすＢ2 Ｏ3 の影響を鋭意を調査したところ、二
次再結晶温度域である１０００℃において鋼中のＢ量が
増加して、マトリックスの粒成長抑制効果が強化してい
ることが確認された。従って磁束密度（Ｂ8 ）が向上し
たのは、焼鈍分離剤に添加したＢ2 Ｏ3 が分解し、分解
したＳが鋼中に侵入しインヒビター効果を強化したため
と推測される。
【００１４】次に本発明の実施形態を述べる。基本的な
製造法としては、磁束密度（Ｂ8 ）が高い製品を製造で
きる、小松等による（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主インヒビター
として用いる低温スラブに基づく製造法（例えば特公昭
６２−４５２８５号公報）、または田口・坂倉等による
ＡｌＮとＭｎＳを主インヒビターとして用いる高温スラ
ブ加熱に基づく製造法（例えば特公昭４０−１５６４４
号公報）を適用すれば良い。
製造法としては、磁束密度（Ｂ8 ）が高い製品を製造で
きる、小松等による（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主インヒビター
として用いる低温スラブに基づく製造法（例えば特公昭
６２−４５２８５号公報）、または田口・坂倉等による
ＡｌＮとＭｎＳを主インヒビターとして用いる高温スラ
ブ加熱に基づく製造法（例えば特公昭４０−１５６４４
号公報）を適用すれば良い。
【００１５】Ｓｉは電気抵抗を高め、鉄損を下げるうえ
で重要な元素である。含有量が４．８％を超えると、冷
間圧延時に材料が割れ易くなり圧延が不可能となる。一
方、Ｓｉ量を下げると仕上げ焼鈍時にα→γ変態を生
じ、結晶の方向性が損なわれるので、実質的に結晶の方
向性に影響を及ぼさない０．８％を下限とする。
で重要な元素である。含有量が４．８％を超えると、冷
間圧延時に材料が割れ易くなり圧延が不可能となる。一
方、Ｓｉ量を下げると仕上げ焼鈍時にα→γ変態を生
じ、結晶の方向性が損なわれるので、実質的に結晶の方
向性に影響を及ぼさない０．８％を下限とする。
【００１６】Ｃは、残留すると製品特性（鉄損）の低下
を引き起こすので、０．００３％以下に抑えることが必
要である。しかしながら、製鋼段階でＣ量を低くすると
熱延板の結晶組織に粗大な｛１００｝伸長粒が存在し、
二次再結晶に悪影響を及ぼす。また、析出物や一次再結
晶集合組織制御の観点からも、Ｃはある程度製鋼段階で
添加することが必要である。従って、製鋼段階では０．
００３％以上、好ましくはα／γ変態が生じる０．０２
％以上添加することが望ましい。一方、０．１％より多
く添加しても、上述の結晶組織、析出物等への影響はほ
ぼ飽和し、脱炭に必要な時間が長くなるので、０．１％
を上限とする。
を引き起こすので、０．００３％以下に抑えることが必
要である。しかしながら、製鋼段階でＣ量を低くすると
熱延板の結晶組織に粗大な｛１００｝伸長粒が存在し、
二次再結晶に悪影響を及ぼす。また、析出物や一次再結
晶集合組織制御の観点からも、Ｃはある程度製鋼段階で
添加することが必要である。従って、製鋼段階では０．
００３％以上、好ましくはα／γ変態が生じる０．０２
％以上添加することが望ましい。一方、０．１％より多
く添加しても、上述の結晶組織、析出物等への影響はほ
ぼ飽和し、脱炭に必要な時間が長くなるので、０．１％
を上限とする。
【００１７】酸可溶性Ａｌは、Ｎと結合してＡｌＮまた
は（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎとして、インヒビターとして機能す
るために必須の元素である。磁束密度が高くなる０．０
１２〜０．０５％を限定範囲とする。
は（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎとして、インヒビターとして機能す
るために必須の元素である。磁束密度が高くなる０．０
１２〜０．０５％を限定範囲とする。
【００１８】Ｎは、製鋼時に０．０１％超添加するとブ
リスターとよばれる鋼板中の空孔を生じるので、０．０
１％を上限とする。
リスターとよばれる鋼板中の空孔を生じるので、０．０
１％を上限とする。
【００１９】Ｍｎ，Ｓは、田口・坂倉等による高温スラ
ブ加熱に基づく製造法では、ＭｎＳとしてインヒビター
として機能するために必須の元素である。磁束密度が高
くなる、Ｍｎ：０．０３〜０．１５％、Ｓ：０．０１〜
０．０５％を限定範囲とする。また、Ｓは小松等による
（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主インヒビターとして用いる低温ス
ラブに基づく製造法では、磁気特性に悪影響を及ぼすの
で、０．０１５％以下とすることが望ましい。
ブ加熱に基づく製造法では、ＭｎＳとしてインヒビター
として機能するために必須の元素である。磁束密度が高
くなる、Ｍｎ：０．０３〜０．１５％、Ｓ：０．０１〜
０．０５％を限定範囲とする。また、Ｓは小松等による
（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主インヒビターとして用いる低温ス
ラブに基づく製造法では、磁気特性に悪影響を及ぼすの
で、０．０１５％以下とすることが望ましい。
【００２０】Ｓｎ，Ｓｂは、鋼板表面に偏析して仕上げ
焼鈍中のインヒビターの分解を抑制し、磁束密度の高い
製品を安定して製造することに有効な元素である。０．
０３〜０．１５％添加することが望ましい。この下限値
未満ではインヒビターの分解抑制効果が少なく、実質的
な磁束密度向上効果が得られない。またこの上限値を超
えるとインヒビターの分解抑制効果が飽和すると共に、
小松等による（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主インヒビターとして
用いる低温スラブに基づく製造法においては、鋼板中へ
の窒化処理が難しくなり、二次再結晶が不安定になる場
合が生じる。
焼鈍中のインヒビターの分解を抑制し、磁束密度の高い
製品を安定して製造することに有効な元素である。０．
０３〜０．１５％添加することが望ましい。この下限値
未満ではインヒビターの分解抑制効果が少なく、実質的
な磁束密度向上効果が得られない。またこの上限値を超
えるとインヒビターの分解抑制効果が飽和すると共に、
小松等による（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主インヒビターとして
用いる低温スラブに基づく製造法においては、鋼板中へ
の窒化処理が難しくなり、二次再結晶が不安定になる場
合が生じる。
【００２１】Ｃｒは脱炭焼鈍の酸化層を改善し、グラス
被膜形成に有効な元素として、必要あれば０．０３〜
０．２％添加することが望ましい。その他、微量のＢ，
Ｂｉ，Ｃｕ，Ｓｅ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｍｏ等を鋼中に含有す
ることは、本発明の主旨を損なうものではない。
被膜形成に有効な元素として、必要あれば０．０３〜
０．２％添加することが望ましい。その他、微量のＢ，
Ｂｉ，Ｃｕ，Ｓｅ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｍｏ等を鋼中に含有す
ることは、本発明の主旨を損なうものではない。
【００２２】上記成分の溶鋼は、通常の工程により熱延
板とされるか、もしくは溶鋼を連続鋳造して薄帯とす
る。前記熱延板または連続鋳造薄帯はただちに、もしく
は短時間焼鈍を経て冷間圧延される。上記焼鈍は７５０
〜１２００℃の温度域で３０秒〜３０分間行われ、この
焼鈍は製品の磁気特性を高めるために有効である。従っ
て、望む製品の特性レベルとコストを勘案して採否を決
めるとよい。冷間圧延は、一回もしくは中間焼鈍を施す
複数の冷間圧延により所定の最終板厚とする。製品の磁
束密度（Ｂ8）を高めるためには、基本的には前記特公
昭４０−１５６４４号公報に開示されているように、最
終冷延圧下率８０％以上とすれば良い。
板とされるか、もしくは溶鋼を連続鋳造して薄帯とす
る。前記熱延板または連続鋳造薄帯はただちに、もしく
は短時間焼鈍を経て冷間圧延される。上記焼鈍は７５０
〜１２００℃の温度域で３０秒〜３０分間行われ、この
焼鈍は製品の磁気特性を高めるために有効である。従っ
て、望む製品の特性レベルとコストを勘案して採否を決
めるとよい。冷間圧延は、一回もしくは中間焼鈍を施す
複数の冷間圧延により所定の最終板厚とする。製品の磁
束密度（Ｂ8）を高めるためには、基本的には前記特公
昭４０−１５６４４号公報に開示されているように、最
終冷延圧下率８０％以上とすれば良い。
【００２３】冷間圧延後の材料は、鋼中に含まれる炭素
を除去するために湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍を行う。こ
の脱炭焼鈍において、Ｆｅ系の酸化物（Ｆｅ2 Ｓｉ
Ｏ4 ，ＦｅＯ等の低級酸化物）を形成させない低い酸化
度で焼鈍を行うことが、表面の鏡面化を達成する上で必
須の要件である。例えば、通常脱炭焼鈍が行われる８０
０〜８５０℃の温度域においては、雰囲気ガスの酸化度
（Ｐ H2 O ／Ｐ H2 ）：０．１５以下に調整することに
より、Ｆｅ系酸化物の生成を抑制することができる。但
し、あまりに酸化度を下げると脱炭速度が遅くなってし
まう。この両者を勘案すると、この温度域においては雰
囲気ガスの酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ H2 ）：０．０１〜
０．１５の範囲が好ましい。
を除去するために湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍を行う。こ
の脱炭焼鈍において、Ｆｅ系の酸化物（Ｆｅ2 Ｓｉ
Ｏ4 ，ＦｅＯ等の低級酸化物）を形成させない低い酸化
度で焼鈍を行うことが、表面の鏡面化を達成する上で必
須の要件である。例えば、通常脱炭焼鈍が行われる８０
０〜８５０℃の温度域においては、雰囲気ガスの酸化度
（Ｐ H2 O ／Ｐ H2 ）：０．１５以下に調整することに
より、Ｆｅ系酸化物の生成を抑制することができる。但
し、あまりに酸化度を下げると脱炭速度が遅くなってし
まう。この両者を勘案すると、この温度域においては雰
囲気ガスの酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ H2 ）：０．０１〜
０．１５の範囲が好ましい。
【００２４】この脱炭焼鈍板に、（Ａｌ、Ｓｉ）Ｎを主
インヒビターとして用いる製造法（例えば特公昭６２−
４５２８５号公報）においては、窒化処理を施す。この
窒化処理の方法は特に限定するものではなく、アンモニ
ア等の窒化能のある雰囲気ガス中で行う方法等がある。
量的には０．００５％以上、望ましくはＮ／酸可溶性Ａ
ｌの比率が２／３以上となるように窒化すれば良い。
インヒビターとして用いる製造法（例えば特公昭６２−
４５２８５号公報）においては、窒化処理を施す。この
窒化処理の方法は特に限定するものではなく、アンモニ
ア等の窒化能のある雰囲気ガス中で行う方法等がある。
量的には０．００５％以上、望ましくはＮ／酸可溶性Ａ
ｌの比率が２／３以上となるように窒化すれば良い。
【００２５】これらの脱炭焼鈍板を、アルミナを主成分
とする焼鈍分離剤を水スラリーで塗布、もしくは静電塗
布法等によりドライ・コートし、コイル状に巻きとる。
その際に、アルミナを主成分とする焼鈍分離剤の持ち込
み水分を１．５％以下とすることが、二次再結晶の安定
化及び表面の鏡面化を達成する上で有効である。水スラ
リーで塗布・乾燥する際に、焼鈍分離剤の塗布乾燥後の
持ち込み水分を制御するためには、アルミナのＢＥＴ
値、粒径等と共に、水スラリーにする際の水温、攪拌時
間等を管理すれば良い。
とする焼鈍分離剤を水スラリーで塗布、もしくは静電塗
布法等によりドライ・コートし、コイル状に巻きとる。
その際に、アルミナを主成分とする焼鈍分離剤の持ち込
み水分を１．５％以下とすることが、二次再結晶の安定
化及び表面の鏡面化を達成する上で有効である。水スラ
リーで塗布・乾燥する際に、焼鈍分離剤の塗布乾燥後の
持ち込み水分を制御するためには、アルミナのＢＥＴ
値、粒径等と共に、水スラリーにする際の水温、攪拌時
間等を管理すれば良い。
【００２６】焼鈍分離剤としては、特願２００１−２２
０２２８号に開示されているように、ＢＥＴ比表面積を
制御したアルミナとマグネシアを一定比率範囲で混合し
た粉体を焼鈍分離剤として用いることは、表面の鏡面化
を促進するうえで有効な方法である。また、鋼板との密
着性不足が懸念されたり、あるいはスラリー状態での沈
降に問題が生じるようであれば、必要に応じて増粘剤な
どを添加しても良い。
０２２８号に開示されているように、ＢＥＴ比表面積を
制御したアルミナとマグネシアを一定比率範囲で混合し
た粉体を焼鈍分離剤として用いることは、表面の鏡面化
を促進するうえで有効な方法である。また、鋼板との密
着性不足が懸念されたり、あるいはスラリー状態での沈
降に問題が生じるようであれば、必要に応じて増粘剤な
どを添加しても良い。
【００２７】この焼鈍分離剤中に硼素化合物を添加する
ことが、本発明の要件である。焼鈍分離剤中に添加した
硼素化合物は仕上げ焼鈍中に分解し、分解した硼素は鋼
中に侵入してインヒビターとして作用して、磁束密度
（Ｂ8 ）を向上させると考えられる。硼素化合物として
は、Ｂ2 Ｏ3 ，Ｈ3 ＢＯ3 ，Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ，Ｎａ2 Ｂ
4 Ｏ7 ・１０Ｈ2 Ｏ等の化合物を用いればよい。これら
の硼素化合物を複数種添加して使用することもできる。
アルミナを焼鈍分離剤の主成分として用いる場合には、
鋼板表面にフォルステライト被膜等が形成されないの
で、添加したＢが効率よく鋼板中に侵入する。
ことが、本発明の要件である。焼鈍分離剤中に添加した
硼素化合物は仕上げ焼鈍中に分解し、分解した硼素は鋼
中に侵入してインヒビターとして作用して、磁束密度
（Ｂ8 ）を向上させると考えられる。硼素化合物として
は、Ｂ2 Ｏ3 ，Ｈ3 ＢＯ3 ，Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ，Ｎａ2 Ｂ
4 Ｏ7 ・１０Ｈ2 Ｏ等の化合物を用いればよい。これら
の硼素化合物を複数種添加して使用することもできる。
アルミナを焼鈍分離剤の主成分として用いる場合には、
鋼板表面にフォルステライト被膜等が形成されないの
で、添加したＢが効率よく鋼板中に侵入する。
【００２８】磁束密度を向上させるためには、添加した
硼素化合物がＢ量として鋼板に対して０．０００５％以
上となる量添加すれば良い。添加量の上限については特
に制限するものではないが、０．００４％程度添加する
とその効果は飽和してしまう。また、あまり多く添加す
ると仕上げ焼鈍の二次再結晶完了温度が高くなりすぎる
ために、１０００〜１１００℃の二次再結晶温度域の加
熱速度を遅くして二次再結晶完了温度の調整を行う必要
がある。これらを勘案すると、硫化物はＳ量として鋼板
に０．０００５〜０．００４％となる量添加することが
好ましい。
硼素化合物がＢ量として鋼板に対して０．０００５％以
上となる量添加すれば良い。添加量の上限については特
に制限するものではないが、０．００４％程度添加する
とその効果は飽和してしまう。また、あまり多く添加す
ると仕上げ焼鈍の二次再結晶完了温度が高くなりすぎる
ために、１０００〜１１００℃の二次再結晶温度域の加
熱速度を遅くして二次再結晶完了温度の調整を行う必要
がある。これらを勘案すると、硫化物はＳ量として鋼板
に０．０００５〜０．００４％となる量添加することが
好ましい。
【００２９】更に、ＳｎまたはＳｂ及びそれらの化合物
の一種もしくは複数種を焼鈍分離剤に添加することも、
有効な方策である。Ｓｎ、及びＳｂが表面に偏析すると
脱窒素のバリアーになり、ＡｌＮ，（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ等
のＡｌの窒化物インヒビターが二次再結晶温度域まで安
定化するためであると考えられる。
の一種もしくは複数種を焼鈍分離剤に添加することも、
有効な方策である。Ｓｎ、及びＳｂが表面に偏析すると
脱窒素のバリアーになり、ＡｌＮ，（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ等
のＡｌの窒化物インヒビターが二次再結晶温度域まで安
定化するためであると考えられる。
【００３０】この脱炭焼鈍板を積層して仕上げ焼鈍を施
し、二次再結晶と窒化物の純化を行う。二次再結晶を特
開平２ー２５８９２９号公報に開示される様に一定の温
度で保持するか、または加熱速度を制御する等の手段に
より二次再結晶を所定の温度域で行わせることは、製品
の磁束密度（Ｂ8 ）を高めるうえで有効である。
し、二次再結晶と窒化物の純化を行う。二次再結晶を特
開平２ー２５８９２９号公報に開示される様に一定の温
度で保持するか、または加熱速度を制御する等の手段に
より二次再結晶を所定の温度域で行わせることは、製品
の磁束密度（Ｂ8 ）を高めるうえで有効である。
【００３１】二次再結晶完了後、窒化物等の純化と表面
酸化膜の還元を行うために、１００％水素で１１００℃
以上の温度で焼鈍する。この場合、雰囲気ガスの露点は
低い方が好ましい。仕上げ焼鈍後、表面に張力コーテイ
ング処理を行い、必要に応じてレーザー照射等の磁区細
分化処理を施す。
酸化膜の還元を行うために、１００％水素で１１００℃
以上の温度で焼鈍する。この場合、雰囲気ガスの露点は
低い方が好ましい。仕上げ焼鈍後、表面に張力コーテイ
ング処理を行い、必要に応じてレーザー照射等の磁区細
分化処理を施す。
【００３２】
【実施例】［実施例１］質量で、Ｓｉ：３．３％、Ｃ：
０．０６％、酸可溶性Ａｌ：０．０２６％、Ｎ：０．０
０８％、Ｍｎ：０．１％、Ｓ：０．００７％、Ｃｒ：
０．１％、Ｓｎ：０．０７％、含有する珪素鋼スラブを
１１５０℃で加熱した後、板厚２．０ｍｍに熱延した。
この熱延板を１１００℃で２分間焼鈍した後、最終板厚
０．２２ｍｍに冷延した。この冷延板を酸化度（Ｐ H2
O ／Ｐ H2 ）：０．１の湿潤ガス中で脱炭を兼ね８４０
℃で９０秒焼鈍し、一次再結晶させた。次いでアンモニ
ア雰囲気中で焼鈍することにより、窒素量を０．０２％
に増加して、インヒビターの強化を行った。
０．０６％、酸可溶性Ａｌ：０．０２６％、Ｎ：０．０
０８％、Ｍｎ：０．１％、Ｓ：０．００７％、Ｃｒ：
０．１％、Ｓｎ：０．０７％、含有する珪素鋼スラブを
１１５０℃で加熱した後、板厚２．０ｍｍに熱延した。
この熱延板を１１００℃で２分間焼鈍した後、最終板厚
０．２２ｍｍに冷延した。この冷延板を酸化度（Ｐ H2
O ／Ｐ H2 ）：０．１の湿潤ガス中で脱炭を兼ね８４０
℃で９０秒焼鈍し、一次再結晶させた。次いでアンモニ
ア雰囲気中で焼鈍することにより、窒素量を０．０２％
に増加して、インヒビターの強化を行った。
【００３３】この鋼板に、以下の（Ａ）〜（Ｆ）の焼鈍
分離剤を水スラリー状で塗布・乾燥した。 （Ａ）Ａｌ2 Ｏ3 、（Ｂ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｈ3 Ｂ
Ｏ3 、（Ｃ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ・１０Ｈ
2 Ｏ、（Ｄ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 、（Ｅ）Ａ
ｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 ＋２％Ｓｂ2 （Ｓ
Ｏ4 ）3 、（Ｆ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 ＋１％
Ｓｎ。
分離剤を水スラリー状で塗布・乾燥した。 （Ａ）Ａｌ2 Ｏ3 、（Ｂ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｈ3 Ｂ
Ｏ3 、（Ｃ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ・１０Ｈ
2 Ｏ、（Ｄ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 、（Ｅ）Ａ
ｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 ＋２％Ｓｂ2 （Ｓ
Ｏ4 ）3 、（Ｆ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 ＋１％
Ｓｎ。
【００３４】これらの試料を積層して仕上げ焼鈍を施し
た。仕上げ焼鈍は窒素と水素の混合ガス中１０℃／ｈｒ
で１２００℃まで加熱し、水素ガスに切り替え１２００
℃で２０時間焼鈍した。その後、張力コーテイング処理
を施した後、レーザー照射して磁区細分化した。得られ
た製品の磁気特性を表１に示す。
た。仕上げ焼鈍は窒素と水素の混合ガス中１０℃／ｈｒ
で１２００℃まで加熱し、水素ガスに切り替え１２００
℃で２０時間焼鈍した。その後、張力コーテイング処理
を施した後、レーザー照射して磁区細分化した。得られ
た製品の磁気特性を表１に示す。
【００３５】
表１
試料符号 磁束密度 鉄損Ｗ17/50 備 考
Ｂ8 （Ｔ） （Ｗ/kg ）
Ａ １．９３７ ０．７０ 比較例
Ｂ １．９５５ ０．６２ 本発明例
Ｃ １．９４９ ０．６４ 本発明例
Ｄ １．９５８ ０．６１ 本発明例
Ｅ １．９５５ ０．６１ 本発明例
Ｆ １．９５３ ０．６２ 本発明例
【００３６】硼素化合物を添加することにより、二次再
結晶が安定的に発達して磁束密度（Ｂ8 ）が向上し、鉄
損（Ｗ17/50 ）が低減することがわかる。また、更にＳ
ｎ或いはＳｂまたはそれらの化合物の一種もしくは複数
種を焼鈍分離剤に添加することも、有効な方策であるこ
とが分かる。
結晶が安定的に発達して磁束密度（Ｂ8 ）が向上し、鉄
損（Ｗ17/50 ）が低減することがわかる。また、更にＳ
ｎ或いはＳｂまたはそれらの化合物の一種もしくは複数
種を焼鈍分離剤に添加することも、有効な方策であるこ
とが分かる。
【００３７】［実施例２］実施例１で用いた脱炭・窒化
板に以下の（Ａ）〜（Ｄ）の焼鈍分離剤を塗布・乾燥し
た。（Ａ）Ａｌ2 Ｏ3 、（Ｂ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ
2 Ｏ3 、（Ｃ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｂ2 Ｏ3 、（Ｄ）Ａｌ
2 Ｏ3 ＋３％Ｂ2 Ｏ3 。これらの試料を積層して仕上げ
焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は窒素と水素の混合ガス中、
（１）２０℃／ｈｒ及び（２）２５℃／ｈｒの加熱速度
で１２００℃まで加熱し、水素ガスに切り替え１２００
℃で２０時間焼鈍した。その後、張力コーテイング処理
を施した後、レーザー照射して磁区細分化した。得られ
た製品の磁気特性を表２に示す。
板に以下の（Ａ）〜（Ｄ）の焼鈍分離剤を塗布・乾燥し
た。（Ａ）Ａｌ2 Ｏ3 、（Ｂ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％Ｂ
2 Ｏ3 、（Ｃ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｂ2 Ｏ3 、（Ｄ）Ａｌ
2 Ｏ3 ＋３％Ｂ2 Ｏ3 。これらの試料を積層して仕上げ
焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は窒素と水素の混合ガス中、
（１）２０℃／ｈｒ及び（２）２５℃／ｈｒの加熱速度
で１２００℃まで加熱し、水素ガスに切り替え１２００
℃で２０時間焼鈍した。その後、張力コーテイング処理
を施した後、レーザー照射して磁区細分化した。得られ
た製品の磁気特性を表２に示す。
【００３８】
表２
加熱速度 試料符号 磁束密度 備 考
（℃／ｈｒ） Ｂ8 （Ｔ）
２０ Ａ １．９３３ 比較例
２０ Ｂ １．９５３ 本発明例
２０ Ｃ １．９５２ 本発明例
２０ Ｄ １．９５５ 本発明例
２５ Ａ １．９３１ 比較例
２５ Ｂ １．９５１ 本発明例
２５ Ｃ １．９４９ 本発明例
２５ Ｄ １．９２４ 比較例
【００３９】硼素化合物を添加することにより、二次再
結晶が安定的に発達して磁束密度（Ｂ8 ）が向上する
が、（Ｄ）の場合のようにあまり多く添加すると、仕上
げ焼鈍の加熱速度が２５℃／ｈｒと速い場合には二次再
結晶完了温度が高くなりすぎるために磁束密度が低下す
ることが分かる。
結晶が安定的に発達して磁束密度（Ｂ8 ）が向上する
が、（Ｄ）の場合のようにあまり多く添加すると、仕上
げ焼鈍の加熱速度が２５℃／ｈｒと速い場合には二次再
結晶完了温度が高くなりすぎるために磁束密度が低下す
ることが分かる。
【００４０】［実施例３］質量で、Ｓｉ：３．２％、
Ｃ：０．０８％、酸可溶性Ａｌ：０．０２５％、Ｎ：
０．００９％、Ｍｎ：０．０８％、Ｃｕ：０．０９％、
Ｓ：０．０２５％、Ｓｎ：０．１％を含有する珪素鋼ス
ラブを１３５０℃で加熱した後、板厚２．０ｍｍに熱延
した。この熱延板を１１２０℃で焼鈍した後０．２２ｍ
ｍ厚に冷延した。この冷延板を酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ H
2 ）：０．１３の湿潤ガス中湿潤ガス中で脱炭を兼ね８
５０℃で９０秒焼鈍し、一次再結晶させた。
Ｃ：０．０８％、酸可溶性Ａｌ：０．０２５％、Ｎ：
０．００９％、Ｍｎ：０．０８％、Ｃｕ：０．０９％、
Ｓ：０．０２５％、Ｓｎ：０．１％を含有する珪素鋼ス
ラブを１３５０℃で加熱した後、板厚２．０ｍｍに熱延
した。この熱延板を１１２０℃で焼鈍した後０．２２ｍ
ｍ厚に冷延した。この冷延板を酸化度（Ｐ H2 O ／Ｐ H
2 ）：０．１３の湿潤ガス中湿潤ガス中で脱炭を兼ね８
５０℃で９０秒焼鈍し、一次再結晶させた。
【００４１】この鋼板に以下の（Ａ）〜（Ｆ）の焼鈍分
離剤を水スラリー状で塗布・乾燥した。（Ａ）Ａｌ2 Ｏ
3 、（Ｂ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｈ3 ＢＯ3 、（Ｃ）Ａｌ2
Ｏ3＋１％Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ・１０Ｈ2 Ｏ、（Ｄ）Ａｌ2
Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 、（Ｅ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％
Ｂ2 Ｏ3 ＋２％Ｓｂ2 （ＳＯ4 ）3 、（Ｆ）Ａｌ2Ｏ3
＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 ＋１％Ｓｎ。これらの試料を積層し
て仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は窒素と水素の混合
ガス中１０℃／ｈｒで１２００℃まで加熱し、水素ガス
に切り替え１２００℃で２０時間焼鈍した。その後、張
力コーテイング処理を施した後、レーザー照射して磁区
細分化した。得られた製品の磁気特性を表４に示す。
離剤を水スラリー状で塗布・乾燥した。（Ａ）Ａｌ2 Ｏ
3 、（Ｂ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋１％Ｈ3 ＢＯ3 、（Ｃ）Ａｌ2
Ｏ3＋１％Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ・１０Ｈ2 Ｏ、（Ｄ）Ａｌ2
Ｏ3 ＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 、（Ｅ）Ａｌ2 Ｏ3 ＋０．５％
Ｂ2 Ｏ3 ＋２％Ｓｂ2 （ＳＯ4 ）3 、（Ｆ）Ａｌ2Ｏ3
＋０．５％Ｂ2 Ｏ3 ＋１％Ｓｎ。これらの試料を積層し
て仕上げ焼鈍を施した。仕上げ焼鈍は窒素と水素の混合
ガス中１０℃／ｈｒで１２００℃まで加熱し、水素ガス
に切り替え１２００℃で２０時間焼鈍した。その後、張
力コーテイング処理を施した後、レーザー照射して磁区
細分化した。得られた製品の磁気特性を表４に示す。
【００４２】
表４
試料符号 磁束密度 鉄損Ｗ17/50 備 考
Ｂ8 （Ｔ） （Ｗ/kg ）
Ａ １．９３５ ０．７１ 比較例
Ｂ １．９５３ ０．６２ 本発明例
Ｃ １．９４６ ０．６４ 本発明例
Ｄ １．９５２ ０．６２ 本発明例
Ｅ １．９５５ ０．６１ 本発明例
Ｆ １．９５３ ０．６２ 本発明例
【００４３】硼素化合物を添加することにより、二次再
結晶が安定的に発達して磁束密度（Ｂ8 ）が向上し、鉄
損（Ｗ17/50 ）が低減することがわかる。また、更にＳ
ｎまたはＳｂ及びそれらの化合物の一種もしくは複数種
を焼鈍分離剤に添加することも、有効な方策であること
が分かる。
結晶が安定的に発達して磁束密度（Ｂ8 ）が向上し、鉄
損（Ｗ17/50 ）が低減することがわかる。また、更にＳ
ｎまたはＳｂ及びそれらの化合物の一種もしくは複数種
を焼鈍分離剤に添加することも、有効な方策であること
が分かる。
【００４４】
【発明の効果】本発明により、二次再結晶による結晶方
位の集積度を高めると共に、表面の鏡面状態を向上させ
ることにより、磁気特性の良い一方向性電磁鋼板を低コ
ストで製造することができる。
位の集積度を高めると共に、表面の鏡面状態を向上させ
ることにより、磁気特性の良い一方向性電磁鋼板を低コ
ストで製造することができる。
【図１】磁束密度（Ｂ8 ）に及ぼす硼素化合物（Ｂ2 Ｏ
3 ）の添加量の影響を示す図。
3 ）の添加量の影響を示す図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K033 AA02 BA01 CA02 CA03 CA09
FA01 FA13 FA14 JA04 LA00
MA01 MA02 MA03 PA08 PA11
RA02 SA02 SA03 TA01 TA04
TA06
5E041 AA02 CA02 HB11 NN01 NN18
Claims (5)
- 【請求項１】 質量で、 Ｓｉ：０．８〜４．８％、 Ｃ ：０．００３〜０．１％、 酸可溶性Ａｌ：０．０１２〜０．０５％、 Ｎ ≦０．０１％ を含有する鋼帯を冷延・脱炭焼鈍後、焼鈍分離剤を塗布
し仕上げ焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法におい
て、脱炭焼鈍をＦｅ系酸化物の形成しない酸化度の雰囲
気ガス中で行い、鋼板表面にシリカを主成分とする酸化
層を形成させた後に、アルミナを主成分とする焼鈍分離
剤を塗布すること、及びこの焼鈍分離剤中に硼素化合物
を添加することを特徴とする磁束密度の高い鏡面方向性
電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｎ或いはＳｂまたはそれらの化合物の
一種もしくは複数種を焼鈍分離剤に添加することを特徴
とする請求項１記載の磁気特性の良好な鏡面方向性電磁
鋼板の製造方法。 - 【請求項３】 鋼中元素としてＳｎ或いはＳｂを質量で
０．０３〜０．１５％添加することを特徴とする請求項
１または２に記載の磁気特性の良好な鏡面方向性珪素鋼
板の製造方法。 - 【請求項４】 焼鈍分離剤の仕上げ焼鈍時の持ち込み水
分を１．５％以下とすることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の磁気特性の良好な鏡面方向性
電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項５】 仕上焼鈍工程の１０００〜１１００℃の
二次再結晶温度域の加熱速度を２０℃／ｈｒ以下とし
て、この温度域で二次再結晶させることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁束密度の高い鏡
面方向性電磁鋼板の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2002071426A JP4422385B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 方向性電磁鋼板の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071426A JP4422385B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003268451A true JP2003268451A (ja) | 2003-09-25 |
| JP4422385B2 JP4422385B2 (ja) | 2010-02-24 |
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ID=29201705
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|---|---|---|---|
| JP2002071426A Expired - Fee Related JP4422385B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101440598B1 (ko) | 2012-11-07 | 2014-09-15 | 주식회사 포스코 | 방향성 전기강판 및 그 제조방법 |
| WO2020149333A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 日本製鉄株式会社 | 一方向性電磁鋼板の製造方法 |
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