JP2003292582A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 流動性、硬化性及び耐半田クラック性に優れ
た特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供
すること。 【解決手段】（Ａ）一般式（１）で示される結晶性エポ
キシ樹脂、（Ｂ）１５０℃での溶融粘度が８０〜３００
ｍＰａ・ｓのフェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂組
成物に対し８５〜９３重量％の無機充填材及び（Ｄ）硬
化促進剤として一般式（２）で示される分子化合物を含
むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 （Ｐはリン原子、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、置換もしく
は無置換の芳香族基又はアルキル基、Ａは、（ａ＋ｂ）
価の芳香族基、Ｘは、水素原子又は１価有機基を表す。
ａは、３〜５の整数、ｂは、１〜３の整数を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、流動性、硬化性及
び耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ
樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適した方法として採用されており、信
頼性の点でもエポキシ樹脂、硬化剤であるフェノール樹
脂や硬化促進剤の改良により特性の向上が図られてき
た。しかし、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能
化の市場動向において、半導体素子の高集積化も年々進
み、又半導体装置の表面実装化が増加する中で、半導体
封止用エポキシ樹脂組成物への要求はますます厳しいも
のとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹
脂組成物では解決できない問題点もでてきている。その
最大の問題点は、表面実装の採用により、半導体装置が
半田浸漬或いは半田リフロー工程で急激に２００℃以上
の高温にさらされ、吸湿した水分が爆発的に気化する際
の応力により半導体装置に剥離やクラックが発生した
り、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の
各種メッキされた各接合部分或いはＬｅａｄ Ｏｎ Ｃ
ｈｉｐ構造の半導体装置において、ポリイミドテープ接
着剤等とエポキシ樹脂組成物の硬化物との各界面で、剥
離が生じ信頼性が著しく低下したりする。

【０００３】更に近年、半導体装置の薄型化に伴い、半
導体装置中に占めるエポキシ樹脂組成物の硬化物の厚み
が一段と薄くなってきており、例えば６４Ｍ、２５６Ｍ
ＤＲＡＭ用の半導体装置は１ｍｍ厚のＴＳＯＰが主流で
あり、又新たにエリア実装型の１ｍｍ厚の半導体素子装
置が採用されつつあり、耐半田性の要求はますます強く
なっている。又これら薄型半導体装置には、成形時の充
填性が良好で、金線変形が少なく、半導体素子やリード
フレームの変形（半導体素子のシフトやダイパッドシフ
トと呼ぶ）がないエポキシ樹脂組成物が要求され、その
ためエポキシ樹脂組成物は成形時の流動性に優れること
が必要である。半田処理による信頼性の低下の改良と成
形時の流動性向上を両立するために、エポキシ樹脂組成
物中の溶融シリカ粉末の充填量を増加させることで低吸
湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し耐半田性を向上さ
せると共に、低溶融粘度の樹脂を使用して、成形時低粘
度で高流動性を維持させる手法が提案されている。この
手法におけるエポキシ樹脂としては、特に常温では固体
で、溶融時は粘度が極端に低下する結晶性のエポキシ樹
脂があり、特にその代表的な例としてビフェニル型エポ
キシ樹脂が広く使用されている。又硬化剤であるフェノ
ール樹脂についても、樹脂の低分子量化による低粘度品
が採用されつつある。

【０００４】一方上記結晶性エポキシ樹脂は２官能エポ
キシ樹脂であるため、エポキシ樹脂組成物の成形時にお
ける硬化性が遅く、又硬化物の架橋密度が低くなるため
に、成形品が柔らかくなる傾向にあり、金型の離型時に
成形品の欠け、折れ、或いは金型汚れが発生する等成形
性が低下する。この傾向は硬化剤であるフェノール樹脂
を低粘度化することで、更に顕著になる。これを回避す
べく、硬化性向上を図るために硬化促進剤を多量に使用
すると、エポキシ樹脂組成物の成形時の流動性低下、高
粘度化を起こすため、金型充填性が低下するという問題
があった。このように溶融シリカ粉末の高充填化技術、
成形時の高流動化と成形時の硬化性は相反する現象のた
め、これを両立することが困難であった。

【０００５】この問題を解決すべく、低温での粘度、流
動性の経時変化を抑え、成形時の加熱によってのみ、硬
化反応を起こすような、いわゆる潜伏性硬化促進剤の研
究が盛んになされている。その手段として、硬化促進剤
の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発
現する研究がなされており、特開平８−４１２９０号公
報では、種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造
を有する潜伏性硬化促進剤が開示されている。しかし、
このホスホニウム塩は、イオン対が比較的容易に外部環
境の影響を受けるため、近年の低分子エポキシ樹脂やフ
ェノールアラルキル樹脂のような分子の動きやすいフェ
ノール樹脂を用いるエポキシ樹脂組成物では、流動性が
低下する問題が生じている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、流動性、硬
化性及び耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関する
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］
（Ａ）一般式（１）で示され結晶性エポキシ樹脂、
（Ｂ）１５０℃での溶融粘度が８０〜３００ｍＰａ・ｓ
のフェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂組成物に対し
８５〜９３重量％の無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤と
して一般式（２）で示される分子化合物を含むことを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、

【０００８】

【化４】

【０００９】

【化５】

【００１０】（Ｐはリン原子、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ
₄は、置換もしくは無置換の芳香族基又はアルキル基、
Ａは、（ａ＋ｂ）価の芳香族基、Ｘは、水素原子又は１
価有機基を表す。ａは、３〜５の整数、ｂは、１〜３の
整数を表す。）

【００１１】［２］ 一般式（２）で示される分子化合
物が、一般式（３）である第［１］項記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、

【００１２】

【化６】

【００１３】（Ｐはリン原子、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ
₄は、置換もしくは無置換の芳香族基又はアルキル基を
表す。）

【００１４】［３］ 第［１］項又は［２］項記載のエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなるこ
とを特徴とする半導体装置、である。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式（１）
で示される結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶性の固
体であるが、融点以上では極めて低粘度の液状となり、
無機充填材を高充填化できるので、これを用いたエポキ
シ樹脂組成物は、耐半田性に優れる特性を有する。一般
式（１）の具体例としては、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、４，
４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルビフェニル等のビフェノール類化合物のグリシジルエ
ーテル化物であるビフェニル型エポキシ樹脂、ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、２，２'-ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２’−ビス（３，５−ジメチルー４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド等のビスフェ
ノール化合物のグリシジルエーテル化物であるビスフェ
ノール型エポキシ樹脂が挙げられる。

【００１６】本発明に用いられる一般式（１）で示され
る結晶性エポキシ樹脂の特性を損なわない範囲で他のエ
ポキシ樹脂を併用してもよい。併用できるエポキシ樹脂
としては、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するモ
ノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えばオル
ソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラ
ルキル型（フェニレン骨格又はジフェニレン骨格を有す
る）エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。

【００１７】本発明に用いられるフェノール樹脂の１５
０℃での溶融粘度は、８０〜３００ｍＰａ・ｓである。
溶融粘度が１５０℃で３００ｍＰａ・ｓを越えると、得
られるエポキシ樹脂組成物の成形時の溶融粘度が上昇す
るために成形時の流動性が低下し、金型内の成形品の未
充填や金線変形、リードフレーム変形（いわゆるパッド
シフト）が発生する。一方溶融粘度が８０ｍＰａ・ｓ未
満では、エポキシ樹脂組成物の成形時に硬化性が低下す
る、低分子量成分が金型を汚す等の理由で離型性が低下
する。又得られるエポキシ樹脂組成物が室温で軟化し、
粉体でのブロッキング、タブレット打錠時の金型付着、
或いは打錠されたタブレットが変形しやすい等、作業
性、品質安定性に劣る。本発明でのフェノール樹脂の１
５０℃での溶融粘度の測定には、ＩＣＩ粘度計を用い
る。前記フェノール樹脂の特性を損なわない範囲で、他
のフェノール樹脂を併用してもよい。併用できるフェノ
ール樹脂としては、フェノール性水酸基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、具体的には、フ
ェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂
（フェニレン骨格又はジフェニレン骨格を有する）、テ
ルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、トリフェノールメ
タン等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても
よい。本発明では、各種フェノール樹脂を併用した時の
１５０℃での溶融粘度８０〜３００ｍＰａ・ｓは、それ
ぞれ単独のフェノール樹脂の溶融粘度の値を指すもので
なく、用いた全てのフェノール樹脂の溶融混合物の溶融
粘度を指す。一般式（１）で示される結晶性エポキシ樹
脂の特性を最大限発現させるには、フェノールアラルキ
ル樹脂（フェニレン骨格又はジフェニレン骨格を有す
る）が好ましい。この構造のフェノール樹脂は、フェノ
ールノボラック樹脂に比べ、熱時の低弾性率化、リード
フレーム、半導体素子等の基材との高密着性、低吸水等
の特徴を有し、半田処理時の熱応力の低減と半導体装置
のクラック、剥離の発生の防止に効果的である。

【００１８】本発明に用いられる無機充填材について
は、特に限定されないが、一般に封止材料に用いられて
いる無機充填材を使用することができる。例えば溶融破
砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、
２次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸
化アルミニウム等が挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末
が好ましい。形状は限りなく真球状であることが好まし
く、又粒子の大きさの異なるものを混合することにより
充填量を多くすることができる。本発明に用いられる無
機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中８
５〜９３重量％が好ましく、８５重量％未満だと成形さ
れた半導体装置の吸湿量が増大し、半田処理温度での強
度が低下してしまうため、半田処理時に半導体装置に剥
離やクラックが発生する。一方９３重量％を越えると、
成形時の流動性が低下し、未充填や半導体素子のチップ
シフト、ダイパッドシフトが発生する。

【００１９】本発明において硬化促進剤として機能する
一般式（２）で示される分子化合物は、テトラ置換ホス
ホニウムと多価プロトン供与体との錯塩である。この分
子化合物は、１個のテトラ置換オニウムカチオンと、多
価プロトン供与体が１個のプロトンを放出してなる有機
アニオンがイオン対を形成し、更にアニオン分子部と他
のプロトン供与体分子が水素結合等の分子間相互作用を
介して安定な錯塩を形成するものである。

【００２０】一般式（２）で示される分子化合物が、従
来のホスホニウムカチオン−プロトン供与体アニオンで
ある１：１型のホスホニウム塩と異なる点は、３価以上
のプロトン供与体が、分子中の水酸基が関与した分子間
水素結合を介して、プロトン供与体間の水素結合によ
り、高次構造の錯アニオン部を形成し、安定な超分子型
の錯塩を形成している点である。この安定な超分子型錯
塩構造により、従来のホスホニウムカチオン−プロトン
供与体アニオンが１：１型の塩に比べて、低温の活性が
抑制され、エポキシ樹脂組成物の混練温度での反応を抑
制し、一方、成形温度付近に到達するまでは、触媒活性
が、より抑制されているため、成形時に、より良好な流
動性を与えることができる。一方、成形温度付近の高温
においては、水素結合により形成される超分子型の錯塩
構造は、速やかに熱的に解離分解し活性化し、従来のホ
スホニウム塩同様に速やかに硬化を促進し、良好な硬化
性を発現する。更に、従来のホスホニウム塩に比べて、
従って、一般式（２）で示される分子化合物を用いるこ
とによって、良好な保存安定性、硬化性、流動性に優れ
たエポキシ樹脂組成物を得ることができる。

【００２１】本発明に用いる一般式（２）で示される分
子化合物を構成するホスホニウムカチオンとしては、置
換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換基にも
つ、テトラ置換ホスホニウムイオンもしくはテトラ置換
アンモニウムイオンが、熱や加水分解に対する安定性の
点で好ましく、具体的には、テトラフェニルホスホニウ
ム、テトラトリルホスホニウム等のテトラアリール置換
ホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウムやベン
ジルトリフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホ
スニウム等のトリアリールホスフィンとアルキルハライ
ドから合成されたホスホニウムハライドに起源をもつト
リアリールモノアルキルホスホニウム、テトラブチルホ
スホニウム等のテトラアルキル置換ホスホニウムイオン
が挙げられる。

【００２２】又分子化合物を形成するもう一方の成分で
ある、３価以上のプロトン供与体としては、１，２，３
−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキ
シベンゼン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン、２，
４，６−トリヒドロキシプロピオンフェノン、１，８，
９−トリヒドロキシアントラセン、１，２，４−トリヒ
ドロキシアントラキノン、１，４，９，１０−テトラヒ
ドロキシアントラセン、２，３，４，４’−テトラヒド
ロキシフェニルメタン等が挙げられるが、ホスホニウム
化合物の安定性や硬化性、流動性、保存性、硬化物物性
のバランスの点から、１，２，３−トリヒドロキシベン
ゼン、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、２，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン等の一般式（３）で
示されるトリヒドロキシベンゼンが特に好ましい。

【００２３】一般式（２）で示される分子化合物は、前
述のような３価以上のプロトン供与体と、最終的に脱ハ
ロゲン化水素を助ける塩基、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物をアルコール
等の溶媒に溶解し、続いて適当な溶媒に溶解した前記テ
トラ置換ホスホニウムのハライドを添加し反応させて、
最終的には再結晶や再沈殿等の操作により固形分として
取り出す方法や、テトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボ
レートとプロトン供与体を熱反応後、アルコール等の溶
媒中で加熱反応させる方法で合成可能である。

【００２４】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換
体、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等の
カップリング剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色
剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤、
酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本
発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分及び
その他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、混練
機で溶融混練して冷却後粉砕する方法等で得られる。

【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬
化すればよい。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。 硬化促進剤の合成例 合成例１ 撹拌装置付きの１Ｌのセパラブルフラスコに１，２，３
−トリヒドロキシベンゼン２５．２ｇ（０．２ｍｏ
ｌ）、メタノール１００ｍＬを仕込み、室温で撹拌溶解
し、更に攪拌しながら、予め５５０ｍＬのメタノールに
水酸化ナトリウム４．０ｇ(０．１ｍｏｌ)を溶解した溶
液を添加した。次いで、予めテトラフェニルホスホニウ
ムブロマイド４１．９ｇ（０．１ｍｏｌ）を１５０ｍＬ
のメタノールに溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を
継続し、３００ｍＬのメタノールを追加した後、フラス
コ内の溶液に５００ｍＬの水を撹拌しながら滴下し、淡
黄色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、融点１９８〜２
００℃の淡黄色色結晶１０９．８ｇを得た。この化合物
をＣ１とする。Ｃ１を、ＮＭＲ、マススペクトル、元素
分析で分析した結果、テトラフェニルホスホニウム１分
子と１，２，３−トリヒドロキシベンゼンが、モル比
１：２で錯化した一般式（４）で示される目的の分子化
合物であることが確認された。合成の収率は９３．０％
であった。

【００２７】

【化７】

【００２８】合成例２ 合成例２は、合成例１の１，２，３−トリヒドロキシベ
ンゼン（０．２ｍｏｌ）を１，３，５−トリヒドロキシ
ベンゼン（０．２ｍｏｌ）に変えた以外は、基本的な操
作は全て合成例1と同様に行った。この化合物をＣ２と
する。合成例１と同様にして分析した結果、テトラフェ
ニルホスホニウム１分子と１，３，５−トリヒドロキシ
ベンゼンが、モル比１：２で錯化した一般式（５）で示
される目的の分子化合物であることが確認された。合成
の収率は８９．０％であった。

【００２９】

【化８】

【００３０】

【実施例】以下、本発明を実施例で示す。配合割合は重
量部とする。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシ（株）製、ＹＸ−４０００Ｈ、 エポキシ当量１９１、融点１０５℃） （以下、エポキシ樹脂Ａという） ６．３重量部 フェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−３Ｌ、水酸基当量１ ７２、１５０℃の溶融粘度２００ｍＰａ・ｓ）（以下、フェノール樹脂Ｅという ） ５．７重量部 溶融球状シリカ粉末 ８７．０重量部 式（４）で示される硬化促進剤 ０．２重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ０．３重量部 カーボンブラック ０．３重量部 カルナバワックス ０．２重量部 各成分をミキサーを用いて常温で混合した後、加熱混練
を行い、冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。
結果を表１に示す。

【００３１】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注
入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。スパイ
ラルフローは、流動性のパラメータであり、大きい数値
を示す方が良好な流動性を示す。単位はｃｍ。 硬化トルク：キュラストメーター（オリエンテック
（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶＰＳ型）を用
い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。この値の
大きい方が硬化性は良好である。単位はＮ・ｍ。 未充填発生率：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズ
は１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサ
イズは８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ製）
を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間
１分にて５０ショット連続でトランスファー成形し、離
型不良又はダイパッドシフトに起因するパッケージ未充
填が発生した割合を求め、％で表示した。 耐半田性：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズは１
４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサイズ
は８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ製）を金
型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１分
でトランスファー成形し、１７５℃、８時間で後硬化さ
せた。得られた半導体パッケージを８５℃、相対湿度８
５％の環境下で１６８時間放置し、その後２４０℃の半
田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージを観察
し、外部クラック［（クラック発生パッケージ数）／
（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。又チッ
プとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を
超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）
／（チップ面積）×１００］として、１０個のパッケー
ジの平均値を求め、％で表示した。

【００３２】実施例２〜６、比較例１〜８ 表１、表２に示す割合で各成分を配合し、実施例１と同
様な方法でエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様
な方法で評価した。結果を表１、表２に示す。なお、実
施例２〜６、比較例１〜７で用いたエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂を以下に示す。 エポキシ樹脂Ｂ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジ
ャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ６８１０、エポキシ
当量１７３、融点４５℃） エポキシ樹脂Ｃ：ビス（２−ターシャリブチル−５−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィドジグリシジ
ルエーテル（新日鉄化学（株）製ＧＫ−４２９２、エポ
キシ当量２４２、融点１２０℃） エポキシ樹脂Ｄ：オルソクレゾールノボラックエポキシ
樹脂（エポキシ当量２００、軟化点６２℃） フェノール樹脂Ｆ：フェノールアラルキル樹脂（三井化
学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１６８、１５０
℃の溶融粘度１１０ｍＰａ・ｓ） フェノール樹脂Ｇ：ｐ−ビフェニレン変性フェノール樹
脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１Ｓ、水酸基当
量１９９、１５０℃の溶融粘度１４０ｍＰａ・ｓ） フェノール樹脂Ｈ：ｐ−ビフェニレン変性フェノール樹
脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、水酸基
当量１９９、１５０℃の溶融粘度９０ｍＰａ・ｓ） フェノール樹脂Ｉ：フェノールアラルキル樹脂（三井化
学（株）製、ＸＬＣ−２Ｌ、水酸基当量１７５、１５０
℃の溶融粘度３６０ｍＰａ・ｓ） フェノール樹脂Ｊ：フェノールアラルキル樹脂（三井化
学（株）製、ＸＬＣ−５Ｌ、水酸基当量１６７、１５０
℃の溶融粘度５０ｍＰａ・ｓ） フェノール樹脂Ｋ：ｐ−ビフェニレン変性フェノール樹
脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１Ｈ、水酸基当
量１９９、１５０℃の溶融粘度４００ｍＰａ・ｓ）

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、潜伏性硬化促進剤を用いているため、流動性、硬
化性のバランスがよく、成形性に優れ、かつこれを用い
て封止された半導体装置は、耐半田性に優れている。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で示される結晶性エ
   ポキシ樹脂、（Ｂ）１５０℃での溶融粘度が８０〜３０
   ０ｍＰａ・ｓのフェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂
   組成物中８５〜９３重量％の無機充填材及び（Ｄ）一般
   式（２）で示される分子化合物を含むことを特徴とする
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 （Ｐはリン原子、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、置換もしく
   は無置換の芳香族基又はアルキル基、Ａは、（ａ＋ｂ）
   価の芳香族基、Ｘは、水素原子又は１価有機基を表す。
   ａは、３〜５の整数、ｂは、１〜３の整数を表す。）
2. 【請求項２】 一般式（２）で示される分子化合物が、
   一般式（３）である請求項１記載の半導体封止用エポキ
   シ樹脂組成物。 【化３】 （Ｐはリン原子、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、置換もしく
   は無置換の芳香族基又はアルキル基を表す。）
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成
   物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする
   半導体装置。