JP2003303859A - 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置用テープキャリアおいて、絶縁基材
の片面側及び他面側の被めっき部に電解めっきをするに
際し、表面積の少ない面のめっき厚が厚く形成されるよ
うにする。 【解決手段】絶縁基材５の片面にランド７ａを含む配線
パターン７を設け、このランド７ａを絶縁基材５に設け
た開口（ブラインドビア１ａ）を通して絶縁基材５の他
面側に露出させ、絶縁基材５の片面及び他面に対する電
解めっきにより、配線パターン７の表面に導電層４ｂを
形成すると共に、前記開口を通してランド７ａの露出す
る部分に開口内を浅くするための導体層４ａを設けた半
導体装置用テープキャリアにおいて、絶縁基材５の他面
側に導電性のダミーパターン部３を設け、これにより絶
縁基材５の他面側に存する被めっき部の表面積を片面側
に存する配線パターン７の表面積よりも大きくし、前記
ランド７ａの露出する開口内に形成する導体層４ａのめ
っき厚を厚くする。
の片面側及び他面側の被めっき部に電解めっきをするに
際し、表面積の少ない面のめっき厚が厚く形成されるよ
うにする。 【解決手段】絶縁基材５の片面にランド７ａを含む配線
パターン７を設け、このランド７ａを絶縁基材５に設け
た開口（ブラインドビア１ａ）を通して絶縁基材５の他
面側に露出させ、絶縁基材５の片面及び他面に対する電
解めっきにより、配線パターン７の表面に導電層４ｂを
形成すると共に、前記開口を通してランド７ａの露出す
る部分に開口内を浅くするための導体層４ａを設けた半
導体装置用テープキャリアにおいて、絶縁基材５の他面
側に導電性のダミーパターン部３を設け、これにより絶
縁基材５の他面側に存する被めっき部の表面積を片面側
に存する配線パターン７の表面積よりも大きくし、前記
ランド７ａの露出する開口内に形成する導体層４ａのめ
っき厚を厚くする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を外部
基板等に接続する際のインタポーザとして用いられる半
導体装置用テープキャリア、特に、ＬＧＡ（Land Grid
Array）構造又はＢＧＡ（Ball Grid Array）構造の半導
体装置用として適したテープキャリアおよびその製造方
法に関するものである。
基板等に接続する際のインタポーザとして用いられる半
導体装置用テープキャリア、特に、ＬＧＡ（Land Grid
Array）構造又はＢＧＡ（Ball Grid Array）構造の半導
体装置用として適したテープキャリアおよびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を外部基板等に接続す
る際のインタポーザとして、ランドグリッド アレイ
（ＬＧＡ）やボール グリッド アレイ（ＢＧＡ）等の
端子を具備する半導体装置用テープキャリアが用いられ
る。
る際のインタポーザとして、ランドグリッド アレイ
（ＬＧＡ）やボール グリッド アレイ（ＢＧＡ）等の
端子を具備する半導体装置用テープキャリアが用いられ
る。
【０００３】ＬＧＡ型半導体装置用テープキャリアの場
合には、ビアホールを有する絶縁基材の片面側（表面
側）に配線パターンを設け、また他面側（裏面側）にビ
アホールを通してこれと電気的に接続されたランド部を
設け、その配線パターン及びランド部側の表面処理とし
てめっきを施し、片側の配線パターンをＩＣチップと接
続することでＬＧＡ型半導体装置の内部的な接続を行な
い、他側のランド部をプリント基板の端子と接合して外
部との電気的接続を行う。
合には、ビアホールを有する絶縁基材の片面側（表面
側）に配線パターンを設け、また他面側（裏面側）にビ
アホールを通してこれと電気的に接続されたランド部を
設け、その配線パターン及びランド部側の表面処理とし
てめっきを施し、片側の配線パターンをＩＣチップと接
続することでＬＧＡ型半導体装置の内部的な接続を行な
い、他側のランド部をプリント基板の端子と接合して外
部との電気的接続を行う。
【０００４】またＢＧＡ型半導体装置用テープキャリア
の場合には、図７及び図８に示すように、ビアホール１
及びパーフォレーションホール２を有する絶縁基材（ベ
ースフィルム）５の片面側（表面側）に接着剤６で張っ
た銅箔をパターニングして、はんだボール形成用ランド
７ａ及びボンディング用パッド７ｂを含む配線パターン
７を、ランド７ａが上記ビアホール１を閉じてブライン
ドビアを形成するように設け、その片面側の配線パター
ン７のパッド７ｂをＩＣチップとワイヤボンディングす
る一方、他面側（裏面側）では、ビアホール（ブライン
ドビア）１の開口を通してランド７ａにはんだボールを
搭載してＢＧＡ型半導体装置を構成し、はんだボールを
プリント基板の端子と接合して外部との電気的接続を行
う。
の場合には、図７及び図８に示すように、ビアホール１
及びパーフォレーションホール２を有する絶縁基材（ベ
ースフィルム）５の片面側（表面側）に接着剤６で張っ
た銅箔をパターニングして、はんだボール形成用ランド
７ａ及びボンディング用パッド７ｂを含む配線パターン
７を、ランド７ａが上記ビアホール１を閉じてブライン
ドビアを形成するように設け、その片面側の配線パター
ン７のパッド７ｂをＩＣチップとワイヤボンディングす
る一方、他面側（裏面側）では、ビアホール（ブライン
ドビア）１の開口を通してランド７ａにはんだボールを
搭載してＢＧＡ型半導体装置を構成し、はんだボールを
プリント基板の端子と接合して外部との電気的接続を行
う。
【０００５】かかるインタポーザの配線パターン７及び
ランド７ａ側の表面処理としては、従来、スズめっき
や、はんだ（スズ−鉛）めっき、金めっきを施し、この
めっき部４を通してＩＣチップやはんだボールと接合す
る方法を取っている。
ランド７ａ側の表面処理としては、従来、スズめっき
や、はんだ（スズ−鉛）めっき、金めっきを施し、この
めっき部４を通してＩＣチップやはんだボールと接合す
る方法を取っている。
【０００６】ところで、電子機器の小型化、高密度化に
伴い、ＢＧＡ型半導体装置のはんだボールの狭ピッチ
化、小径化が進んでいる。このため、従来の半導体装置
用テープキャリアの場合、ファインピッチ化を図るため
ビアホールの開口径を絶縁性フィルムの厚みに対して相
対的に小さくすると、はんだボールがはんだボール形成
用ランドに接触し難くなる。この結果、はんだ濡れ不良
が生じたり、開口内にボイドが生じ、はんだボール形成
用ランドにはんだが接合されないことがある。
伴い、ＢＧＡ型半導体装置のはんだボールの狭ピッチ
化、小径化が進んでいる。このため、従来の半導体装置
用テープキャリアの場合、ファインピッチ化を図るため
ビアホールの開口径を絶縁性フィルムの厚みに対して相
対的に小さくすると、はんだボールがはんだボール形成
用ランドに接触し難くなる。この結果、はんだ濡れ不良
が生じたり、開口内にボイドが生じ、はんだボール形成
用ランドにはんだが接合されないことがある。
【０００７】この問題を解決する手段として、絶縁基材
と、この絶縁基材の少なくとも片面に形成され、前記絶
縁基材に設けられた開口（ブラインドビア）を通して前
記絶縁基材の他面に露出する配線とを備えた半導体装置
用テープキャリアにおいて、前記配線の露出する部分に
導体層としての電解めっきを所定の厚みに設けて前記開
口の深さを小にすることにより、配線に設けた導体層が
絶縁基材の配線（開口内）の深さを浅くするという、い
わゆる埋めめっき技術が考案されている。このことによ
り、ファインピッチ化のために配線の開口の径を小さく
しても、はんだボールの搭載、或いははんだペースト印
刷・リフローにおけるはんだ接合が確実に行えるように
することができる。
と、この絶縁基材の少なくとも片面に形成され、前記絶
縁基材に設けられた開口（ブラインドビア）を通して前
記絶縁基材の他面に露出する配線とを備えた半導体装置
用テープキャリアにおいて、前記配線の露出する部分に
導体層としての電解めっきを所定の厚みに設けて前記開
口の深さを小にすることにより、配線に設けた導体層が
絶縁基材の配線（開口内）の深さを浅くするという、い
わゆる埋めめっき技術が考案されている。このことによ
り、ファインピッチ化のために配線の開口の径を小さく
しても、はんだボールの搭載、或いははんだペースト印
刷・リフローにおけるはんだ接合が確実に行えるように
することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置用テープキャリアの製造においては、表面側
の配線パターン及び裏面側のはんだボール搭載部又はラ
ンド部のめっき処理において、絶縁基材の表裏両面の被
めっき部が共に同じ条件の下で電解めっき処理されるた
め、各面のめっき膜の特性を同時に満たす膜厚となって
いない。つまり、同一条件下で表裏両面にめっき処理を
施すと、ブラインドビアの開口が小径であるため、ブラ
インドビア内を浅くする導体層を形成するめっき厚の方
が、配線パターン側よりも薄く形成されてしまう。この
ため、ブラインドビア内に、はんだボールを接触させて
ＢＧＡ型端子を構成し得るような厚さ（高さ）まで凹状
に埋め込みめっきを施し、あるいは、ＬＧＡ型端子を構
成し得るような厚さ（高さ）まで凹状又は凸状に埋め込
みめっきを施す、ということが困難であるという問題が
あった。
半導体装置用テープキャリアの製造においては、表面側
の配線パターン及び裏面側のはんだボール搭載部又はラ
ンド部のめっき処理において、絶縁基材の表裏両面の被
めっき部が共に同じ条件の下で電解めっき処理されるた
め、各面のめっき膜の特性を同時に満たす膜厚となって
いない。つまり、同一条件下で表裏両面にめっき処理を
施すと、ブラインドビアの開口が小径であるため、ブラ
インドビア内を浅くする導体層を形成するめっき厚の方
が、配線パターン側よりも薄く形成されてしまう。この
ため、ブラインドビア内に、はんだボールを接触させて
ＢＧＡ型端子を構成し得るような厚さ（高さ）まで凹状
に埋め込みめっきを施し、あるいは、ＬＧＡ型端子を構
成し得るような厚さ（高さ）まで凹状又は凸状に埋め込
みめっきを施す、ということが困難であるという問題が
あった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、絶縁基材の片面側及び他面側の被めっき部に対する
電解めっきに際し、表面積の少ない面のめっき厚が厚く
形成されるように構成した半導体装置用テープキャリア
およびその製造方法を提供することにある。
し、絶縁基材の片面側及び他面側の被めっき部に対する
電解めっきに際し、表面積の少ない面のめっき厚が厚く
形成されるように構成した半導体装置用テープキャリア
およびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、半導体装置用テープキャリアの表面側の
配線パターン及び裏面側のはんだボール搭載部又はラン
ド部にめっきを施す際、テープキャリア側で予め表面と
裏面の相対表面積を変えておき、表裏面の相対電流密度
を変えることにより、表面積の少ない面のめっき厚を厚
くして、表裏面の各々の特性を向上させるようにしたも
のである。具体的には次のように構成したものである。
め、本発明は、半導体装置用テープキャリアの表面側の
配線パターン及び裏面側のはんだボール搭載部又はラン
ド部にめっきを施す際、テープキャリア側で予め表面と
裏面の相対表面積を変えておき、表裏面の相対電流密度
を変えることにより、表面積の少ない面のめっき厚を厚
くして、表裏面の各々の特性を向上させるようにしたも
のである。具体的には次のように構成したものである。
【００１１】請求項１の発明に係る半導体装置用テープ
キャリアは、絶縁基材の片面にランドを含む配線パター
ンを設け、このランドを絶縁基材に設けた開口（ブライ
ンドビア）を通して絶縁基材の他面側に露出させ、前記
絶縁基材の片面及び他面に対する電解めっきにより、前
記配線パターンの表面に導電層を形成すると共に、前記
開口を通してランドの露出する部分に開口内を浅くする
ための導体層を設けた半導体装置用テープキャリアにお
いて、前記絶縁基材の他面側に導電性のダミーパターン
部を設け、これにより絶縁基材の他面側に存する被めっ
き部の表面積を片面側に存する配線パターンの表面積よ
りも大きくし、前記ランドの露出する開口内に形成する
前記導体層のめっき厚を厚くしたことを特徴とする。
キャリアは、絶縁基材の片面にランドを含む配線パター
ンを設け、このランドを絶縁基材に設けた開口（ブライ
ンドビア）を通して絶縁基材の他面側に露出させ、前記
絶縁基材の片面及び他面に対する電解めっきにより、前
記配線パターンの表面に導電層を形成すると共に、前記
開口を通してランドの露出する部分に開口内を浅くする
ための導体層を設けた半導体装置用テープキャリアにお
いて、前記絶縁基材の他面側に導電性のダミーパターン
部を設け、これにより絶縁基材の他面側に存する被めっ
き部の表面積を片面側に存する配線パターンの表面積よ
りも大きくし、前記ランドの露出する開口内に形成する
前記導体層のめっき厚を厚くしたことを特徴とする。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１記載の半導体
装置用テープキャリアにおいて、前記ランドの露出する
開口内に形成する導体層のめっき厚を、絶縁基材の他面
側からはんだボール又は外部基板の端子が接触し得る程
度まで厚くしたことを特徴とする。
装置用テープキャリアにおいて、前記ランドの露出する
開口内に形成する導体層のめっき厚を、絶縁基材の他面
側からはんだボール又は外部基板の端子が接触し得る程
度まで厚くしたことを特徴とする。
【００１３】ＬＧＡ型半導体装置用テープキャリアとす
る場合には、前記ランドの露出する開口内に形成する導
体層のめっき厚を、開口から凸部として膨出する程度ま
で厚くすることもできる。
る場合には、前記ランドの露出する開口内に形成する導
体層のめっき厚を、開口から凸部として膨出する程度ま
で厚くすることもできる。
【００１４】請求項３の発明に係る半導体装置用テープ
キャリアの製造方法は、絶縁基材の片面にランドを含む
配線パターンを設け、絶縁基材の他面から前記ランドが
露出するように開口（ブラインドビア）を設け、前記絶
縁基材の片面及び他面に対して電解めっきを施すことに
より、配線パターンの表面に導電層を形成すると共に、
前記開口を通してランドの露出する部分に開口内を浅く
するための導体層を形成する半導体装置用テープキャリ
アの製造方法において、前記絶縁基材の片面及び他面に
対して電解めっきを施す際、前記絶縁基材の他面側に導
電性のダミーパターン部を設けて、予め絶縁基材の他面
側に存する被めっき部の表面積を片面側に存する配線パ
ターンの表面積よりも大きくしておき、その後に電解め
っきを行って前記ランドの露出する開口内に前記導体層
を厚く形成することを特徴とする。
キャリアの製造方法は、絶縁基材の片面にランドを含む
配線パターンを設け、絶縁基材の他面から前記ランドが
露出するように開口（ブラインドビア）を設け、前記絶
縁基材の片面及び他面に対して電解めっきを施すことに
より、配線パターンの表面に導電層を形成すると共に、
前記開口を通してランドの露出する部分に開口内を浅く
するための導体層を形成する半導体装置用テープキャリ
アの製造方法において、前記絶縁基材の片面及び他面に
対して電解めっきを施す際、前記絶縁基材の他面側に導
電性のダミーパターン部を設けて、予め絶縁基材の他面
側に存する被めっき部の表面積を片面側に存する配線パ
ターンの表面積よりも大きくしておき、その後に電解め
っきを行って前記ランドの露出する開口内に前記導体層
を厚く形成することを特徴とする。
【００１５】請求項４の発明に係る半導体装置用テープ
キャリアの製造方法は、絶縁基材に開口（ビアホール）
を形成した後に、絶縁基材の片面にランドを含む配線パ
ターンを設けて、絶縁基材の他面から開口（ブラインド
ビア）を通して前記ランドを露出させ、前記絶縁基材の
片面及び他面に対して電解めっきを施すことにより、配
線パターンの表面に導電層を形成すると共に、前記開口
を通してランドの露出する部分に開口内を浅くするため
の導体層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造
方法において、前記絶縁基材の片面及び他面に対して電
解めっきを施す際、前記絶縁基材の他面側に導電性のダ
ミーパターン部を設けて、予め絶縁基材の他面側に存す
る被めっき部の表面積を片面側に存する配線パターンの
表面積よりも大きくしておき、その後に電解めっきを行
って前記ランドの露出する開口内に前記導体層を厚く形
成することを特徴とする。
キャリアの製造方法は、絶縁基材に開口（ビアホール）
を形成した後に、絶縁基材の片面にランドを含む配線パ
ターンを設けて、絶縁基材の他面から開口（ブラインド
ビア）を通して前記ランドを露出させ、前記絶縁基材の
片面及び他面に対して電解めっきを施すことにより、配
線パターンの表面に導電層を形成すると共に、前記開口
を通してランドの露出する部分に開口内を浅くするため
の導体層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造
方法において、前記絶縁基材の片面及び他面に対して電
解めっきを施す際、前記絶縁基材の他面側に導電性のダ
ミーパターン部を設けて、予め絶縁基材の他面側に存す
る被めっき部の表面積を片面側に存する配線パターンの
表面積よりも大きくしておき、その後に電解めっきを行
って前記ランドの露出する開口内に前記導体層を厚く形
成することを特徴とする。
【００１６】＜発明の要点＞本発明は、半導体装置用テ
ープキャリアにおける片面側（表面側）の配線パターン
の表面めっき処理、及び他面側（裏面側）のはんだボー
ル搭載部又はランド部の充填めっき処理又は表面めっき
処理としてめっきを施す際、絶縁基材の他面側に蒸着等
により導電性のダミーパターン部を設けておくことによ
り、テープキャリア側で、予め表面と裏面の相対表面積
を変えておく。すなわち絶縁基材の他面側に存する被め
っき部の表面積を、片面側に存する配線パターンの表面
積よりも大きくしておく。
ープキャリアにおける片面側（表面側）の配線パターン
の表面めっき処理、及び他面側（裏面側）のはんだボー
ル搭載部又はランド部の充填めっき処理又は表面めっき
処理としてめっきを施す際、絶縁基材の他面側に蒸着等
により導電性のダミーパターン部を設けておくことによ
り、テープキャリア側で、予め表面と裏面の相対表面積
を変えておく。すなわち絶縁基材の他面側に存する被め
っき部の表面積を、片面側に存する配線パターンの表面
積よりも大きくしておく。
【００１７】これにより電解めっき時における表裏面の
相対電流密度が変わることになり、表面積の少ない面の
めっき厚、つまりランドの露出する開口内に導体層とし
て析出するめっき厚が厚くなり、表裏面の各々の接合上
の特性が向上する。
相対電流密度が変わることになり、表面積の少ない面の
めっき厚、つまりランドの露出する開口内に導体層とし
て析出するめっき厚が厚くなり、表裏面の各々の接合上
の特性が向上する。
【００１８】例えば、裏面ランド部側に予めダミーパタ
ーンを設け、表面配線側よりも表面積を多くしておき、
その後金めっき又ははんだめっきを施すことにより、裏
面が厚く、表面が薄い金めっき又ははんだめっきとな
り、表面のワイヤボンディング性を従来通り維持するこ
とができ、また、裏面ははんだとの金−スズ接合性が向
上する。
ーンを設け、表面配線側よりも表面積を多くしておき、
その後金めっき又ははんだめっきを施すことにより、裏
面が厚く、表面が薄い金めっき又ははんだめっきとな
り、表面のワイヤボンディング性を従来通り維持するこ
とができ、また、裏面ははんだとの金−スズ接合性が向
上する。
【００１９】また、ＬＧＡ用のテープキャリアの裏面ラ
ンド部側の表面積を表面配線側より予め表面積を多くし
ておき、その後はんだめっきを施すことにより、表面が
薄く裏面が厚いはんだめっきとなり、裏面にビア内の埋
め込みがなされることから、ビアの空隙が減少し、基板
側はんだとの接合性が向上する。
ンド部側の表面積を表面配線側より予め表面積を多くし
ておき、その後はんだめっきを施すことにより、表面が
薄く裏面が厚いはんだめっきとなり、裏面にビア内の埋
め込みがなされることから、ビアの空隙が減少し、基板
側はんだとの接合性が向上する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２１】図１及び図２に製造しようとする半導体装
置用テープキャリア（ＢＧＡ用又はＬＧＡ用ＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）テープキャリア）１０の構造を
示す。
置用テープキャリア（ＢＧＡ用又はＬＧＡ用ＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）テープキャリア）１０の構造を
示す。
【００２２】図２において、ポリイミド樹脂等の耐熱性
ベースフィルムから成る絶縁基材５には、図１に示すよ
うに、ビアホール１が６×６のアレイ状に形成され、ま
た幅方向両側枠部に長手方向にパーフォレーションホー
ル２が形成される。この絶縁基材５の片面側（表面側）
には、図２に示すように、直接に又は接着剤６を介して
銅箔が張り合わせられ、この銅箔をパターニングして、
はんだボール形成用ランド７ａ及びボンディングパッド
７ｂを含む配線パターン７が形成される。この配線パタ
ーン７は、ランド７ａが上記ビアホール１を閉じてブラ
インドビアを形成するように設けられる。すなわち、絶
縁基材５の他面側（裏面側）から見たとき、絶縁基材５
に設けたビアホール（開口）１を通して、配線パターン
のランド７ａが露出した状態となる。
ベースフィルムから成る絶縁基材５には、図１に示すよ
うに、ビアホール１が６×６のアレイ状に形成され、ま
た幅方向両側枠部に長手方向にパーフォレーションホー
ル２が形成される。この絶縁基材５の片面側（表面側）
には、図２に示すように、直接に又は接着剤６を介して
銅箔が張り合わせられ、この銅箔をパターニングして、
はんだボール形成用ランド７ａ及びボンディングパッド
７ｂを含む配線パターン７が形成される。この配線パタ
ーン７は、ランド７ａが上記ビアホール１を閉じてブラ
インドビアを形成するように設けられる。すなわち、絶
縁基材５の他面側（裏面側）から見たとき、絶縁基材５
に設けたビアホール（開口）１を通して、配線パターン
のランド７ａが露出した状態となる。
【００２３】次いで、上記絶縁基材５の片面及び他面の
被めっき部に対して電解めっきを施すが、これに先立
ち、絶縁基材５の他面側には、図１に示すように導電性
のダミーパターン部３が設けられる。そして、これをめ
っき液中に入れて銅箔に通電し、ビアホール（開口）１
から露出したランド７ａの面にめっき（導体層４ａ）を
析出させる。めっきとしては、銅めっき、ニッケルめっ
き、スズめっき、金めっき、銀めっき等の単体金属、お
よびはんだめっきのような合金めっきを使用する。
被めっき部に対して電解めっきを施すが、これに先立
ち、絶縁基材５の他面側には、図１に示すように導電性
のダミーパターン部３が設けられる。そして、これをめ
っき液中に入れて銅箔に通電し、ビアホール（開口）１
から露出したランド７ａの面にめっき（導体層４ａ）を
析出させる。めっきとしては、銅めっき、ニッケルめっ
き、スズめっき、金めっき、銀めっき等の単体金属、お
よびはんだめっきのような合金めっきを使用する。
【００２４】この実施形態では、帯状の銅箔から成る導
電性のダミーパターン部３が、上記ビアホール１のアレ
イを絶縁基材５の長手方向両側から挟むように、絶縁基
材５の幅方向に配設される。この導電性のダミーパター
ン部３を設けたことにより、絶縁基材５の他面側に存す
る被めっき部（ビアホール１の開口等）の表面積が、片
面側に存する配線パターンの表面積よりも大きくなる。
この結果、電解めっき時において表裏面の相対電流密度
が変わることから、上記ランド７ａが露出するビアホー
ル１内を浅くする目的で設けられるめっき部４（導体層
４ａ）のめっき厚が相対的に厚く形成され、配線パター
ン７上の表面処理する目的で設けられるめっき部４（導
電層４ｂ）が相対的に薄く形成される。
電性のダミーパターン部３が、上記ビアホール１のアレ
イを絶縁基材５の長手方向両側から挟むように、絶縁基
材５の幅方向に配設される。この導電性のダミーパター
ン部３を設けたことにより、絶縁基材５の他面側に存す
る被めっき部（ビアホール１の開口等）の表面積が、片
面側に存する配線パターンの表面積よりも大きくなる。
この結果、電解めっき時において表裏面の相対電流密度
が変わることから、上記ランド７ａが露出するビアホー
ル１内を浅くする目的で設けられるめっき部４（導体層
４ａ）のめっき厚が相対的に厚く形成され、配線パター
ン７上の表面処理する目的で設けられるめっき部４（導
電層４ｂ）が相対的に薄く形成される。
【００２５】上記ランド７ａの露出する開口内に設ける
導体層４ａのめっき厚は、ＢＧＡ型半導体装置用テープ
キャリアを構成する場合には、絶縁基材５の裏面側から
はんだボールが接触し得る程度まで厚く形成する。ま
た、ＬＧＡ型半導体装置用テープキャリアを構成する場
合には、絶縁基材５の裏面側から外部プリント基板の端
子が接触し得る程度まで厚く形成し、ランド部とする。
後者の場合には、ランド７ａの露出する開口内に形成す
る導体層４ａのめっき厚を、開口から凸部（絶縁基材よ
りもやや厚さのある凸部）として膨出する程度まで厚く
形成し、ランド部とすることもできる。
導体層４ａのめっき厚は、ＢＧＡ型半導体装置用テープ
キャリアを構成する場合には、絶縁基材５の裏面側から
はんだボールが接触し得る程度まで厚く形成する。ま
た、ＬＧＡ型半導体装置用テープキャリアを構成する場
合には、絶縁基材５の裏面側から外部プリント基板の端
子が接触し得る程度まで厚く形成し、ランド部とする。
後者の場合には、ランド７ａの露出する開口内に形成す
る導体層４ａのめっき厚を、開口から凸部（絶縁基材よ
りもやや厚さのある凸部）として膨出する程度まで厚く
形成し、ランド部とすることもできる。
【００２６】次に、上記半導体装置用テープキャリア１
０の製造方法について、説明する。
０の製造方法について、説明する。
【００２７】まず、図３（ａ）に示すように絶縁基材５
をプレス加工によりグリッド状にビアホール（開口部）
１を形成する。ここに、絶縁基材５としては、ポリイミ
ドやエポキシ等のベースフィルムを用いているが、例え
ば、ポリイミド、ポリエステル、ポリスルホン、ポリパ
ラバン酸、フッ素樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂などの電気絶縁性の樹脂単体からなる
可撓性フィルムが使用できる。
をプレス加工によりグリッド状にビアホール（開口部）
１を形成する。ここに、絶縁基材５としては、ポリイミ
ドやエポキシ等のベースフィルムを用いているが、例え
ば、ポリイミド、ポリエステル、ポリスルホン、ポリパ
ラバン酸、フッ素樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂などの電気絶縁性の樹脂単体からなる
可撓性フィルムが使用できる。
【００２８】次に、図３（ｂ）に示すように絶縁基材５
の片面に銅箔８をラミネートする。
の片面に銅箔８をラミネートする。
【００２９】さらに、図３（ｃ）に示すように銅箔８の
表面に感光性フォトレジスト９をラミネートする。図４
（ｄ）に示すように、感光性フォトレジスト９を露光、
現像し、配線を形成したい部分にのみ感光性フォトレジ
スト９を残すようにする。
表面に感光性フォトレジスト９をラミネートする。図４
（ｄ）に示すように、感光性フォトレジスト９を露光、
現像し、配線を形成したい部分にのみ感光性フォトレジ
スト９を残すようにする。
【００３０】図３（ｅ）に示すように、銅箔８面をエッ
チングすることにより、ランド７ａを有する配線パター
ン７を形成する。図３（ｆ）に示すように感光性フォト
レジスト９を剥離する。これにより絶縁基材５の片面に
配線パターン７が形成され、ビアホール（開口部）１は
片面側（表面側、図３では下面側）がランド７ａで閉じ
られ、ブラインドビア１ａとなる。
チングすることにより、ランド７ａを有する配線パター
ン７を形成する。図３（ｆ）に示すように感光性フォト
レジスト９を剥離する。これにより絶縁基材５の片面に
配線パターン７が形成され、ビアホール（開口部）１は
片面側（表面側、図３では下面側）がランド７ａで閉じ
られ、ブラインドビア１ａとなる。
【００３１】図４（ｇ）に示すように、絶縁基材５の配
線パターン７を形成しない面側、つまり上記絶縁基材５
の他面側に、蒸着などにより導電性のダミーパターン部
３を設ける。ダミーパターン部３を設ける理由は、後工
程の電解めっき工程において、絶縁基材５の他面側に存
する被めっき部の表面積を片面側に存する配線パターン
７の表面積よりも大きくし、ブラインドビア１ａ内に導
体層４ａとして形成するめっき厚を厚くするためであ
る。
線パターン７を形成しない面側、つまり上記絶縁基材５
の他面側に、蒸着などにより導電性のダミーパターン部
３を設ける。ダミーパターン部３を設ける理由は、後工
程の電解めっき工程において、絶縁基材５の他面側に存
する被めっき部の表面積を片面側に存する配線パターン
７の表面積よりも大きくし、ブラインドビア１ａ内に導
体層４ａとして形成するめっき厚を厚くするためであ
る。
【００３２】最後に、図４（ｈ）に示すように、上記ダ
ミーパターン部３を設けた絶縁基材５を、電解めっき液
中に入れて配線等を通して通電し、ブラインドビア１ａ
内に露出したランド７ａ等にめっきを析出させる。かく
して半導体装置用テープキャリア１０が完成する。
ミーパターン部３を設けた絶縁基材５を、電解めっき液
中に入れて配線等を通して通電し、ブラインドビア１ａ
内に露出したランド７ａ等にめっきを析出させる。かく
して半導体装置用テープキャリア１０が完成する。
【００３３】このように、絶縁基材５の他面側にダミー
パターン部３を設けることにより、絶縁基材５の他面側
（配線パターン７を有しない面側）のめっき表面積を大
きくすることができる。このため、配線パターン７上の
めっき部４（導電層４ｂ）を相対的に薄く、ブラインド
ビア１ａ内の充填めっき部４（導体層４ａ）を相対的に
厚く形成することができる。
パターン部３を設けることにより、絶縁基材５の他面側
（配線パターン７を有しない面側）のめっき表面積を大
きくすることができる。このため、配線パターン７上の
めっき部４（導電層４ｂ）を相対的に薄く、ブラインド
ビア１ａ内の充填めっき部４（導体層４ａ）を相対的に
厚く形成することができる。
【００３４】この製造方法の特徴は、図４（ｇ）に示す
ように、絶縁基材５の他面側に蒸着などにより導電性の
ダミーパターン部３を形成した後に、めっきを施す点に
ある。従って、この導電性のダミーパターン部３はめっ
き工程の前に形成されておればよく、必ずしも図４
（ｇ）の工程において形成しなければならない、という
ものではない。
ように、絶縁基材５の他面側に蒸着などにより導電性の
ダミーパターン部３を形成した後に、めっきを施す点に
ある。従って、この導電性のダミーパターン部３はめっ
き工程の前に形成されておればよく、必ずしも図４
（ｇ）の工程において形成しなければならない、という
ものではない。
【００３５】上記実施形態では、絶縁基材５にプレス加
工によりビアホール１を形成したが、これにかえて絶縁
基材５に銅箔８をラミネートした後にレーザー加工によ
り絶縁基材５にブラインドビアを形成する方法を採用す
ることができる。すなわち、絶縁基材にビアホール（開
口）１を形成した後に、絶縁基材５の一方面に直接に又
は接着層を介して銅箔８を設け、配線パターン７を形成
した後、ビアホール１から露出したランド７ａの面に埋
め込み用の導体層４ａを設ける方法だけでなく、絶縁基
材５の一方の面に直接又は接着層を介して銅箔８を設
け、絶縁基材５の他方の面から銅箔８が露出するように
ビアホール（開口）１を設け、銅箔８をエッチングする
ことにより配線パターン７を形成し、ビアホール１から
露出したランド７ａの面に埋め込み用の導体層４ａを設
ける方法にも適用することができる。
工によりビアホール１を形成したが、これにかえて絶縁
基材５に銅箔８をラミネートした後にレーザー加工によ
り絶縁基材５にブラインドビアを形成する方法を採用す
ることができる。すなわち、絶縁基材にビアホール（開
口）１を形成した後に、絶縁基材５の一方面に直接に又
は接着層を介して銅箔８を設け、配線パターン７を形成
した後、ビアホール１から露出したランド７ａの面に埋
め込み用の導体層４ａを設ける方法だけでなく、絶縁基
材５の一方の面に直接又は接着層を介して銅箔８を設
け、絶縁基材５の他方の面から銅箔８が露出するように
ビアホール（開口）１を設け、銅箔８をエッチングする
ことにより配線パターン７を形成し、ビアホール１から
露出したランド７ａの面に埋め込み用の導体層４ａを設
ける方法にも適用することができる。
【００３６】図５は上記半導体装置用テープキャリアを
用いて構成したＬＧＡ型半導体装置２０及びその取付け
状態を示す断面図である。
用いて構成したＬＧＡ型半導体装置２０及びその取付け
状態を示す断面図である。
【００３７】このＬＧＡ型半導体装置２０は、図１に示
した半導体装置用テープキャリア１０の配線パターン７
を有する面上に接着剤１１を介して半導体チップ１２を
搭載し、さらに半導体チップ１２の電極端子（電極バッ
ド）１３と配線パターン７のパッド７ｂとをボンディン
グワイヤ１４により接続し、これらを封止樹脂１５によ
りモールド成形して、ＬＧＡ型半導体装置を構成したも
のである。
した半導体装置用テープキャリア１０の配線パターン７
を有する面上に接着剤１１を介して半導体チップ１２を
搭載し、さらに半導体チップ１２の電極端子（電極バッ
ド）１３と配線パターン７のパッド７ｂとをボンディン
グワイヤ１４により接続し、これらを封止樹脂１５によ
りモールド成形して、ＬＧＡ型半導体装置を構成したも
のである。
【００３８】このＬＧＡ型半導体装置２０を外部プリン
ト基板３０側の端子３１に搭載するときは、テープキャ
リア１０側の導体層４ａ（ランド部）の表面及びプリン
ト基板３０側の端子３１の表面上に、それぞれめっき１
６又はめっき３２が形成され、これらのめっき層１６、
３２を介して、テープキャリア１０側の導体層４ａ（ラ
ンド部）とプリント基板３０側の端子３１とが接合され
る。
ト基板３０側の端子３１に搭載するときは、テープキャ
リア１０側の導体層４ａ（ランド部）の表面及びプリン
ト基板３０側の端子３１の表面上に、それぞれめっき１
６又はめっき３２が形成され、これらのめっき層１６、
３２を介して、テープキャリア１０側の導体層４ａ（ラ
ンド部）とプリント基板３０側の端子３１とが接合され
る。
【００３９】図６は上記半導体装置用テープキャリアを
用いて構成したＢＧＡ型半導体装置２１及びその取付状
態を示す断面図である。
用いて構成したＢＧＡ型半導体装置２１及びその取付状
態を示す断面図である。
【００４０】このＢＧＡ型半導体装置２１は、図１に示
した半導体装置用テープキャリア１０の配線パターン７
を有する面上に接着剤１１を介して半導体チップ１２を
搭載し、さらに半導体チップ１２の電極端子と配線パタ
ーン７のパッド７ｂとをボンディングワイヤ１４により
接続し、これらを封止樹脂１５によりモールド成形す
る。そして、最後に導体層４ａの上にはんだボール２２
を配置し、リフローすることにより、導体層４ａとはん
だボール２２との電気的な導通を図る。
した半導体装置用テープキャリア１０の配線パターン７
を有する面上に接着剤１１を介して半導体チップ１２を
搭載し、さらに半導体チップ１２の電極端子と配線パタ
ーン７のパッド７ｂとをボンディングワイヤ１４により
接続し、これらを封止樹脂１５によりモールド成形す
る。そして、最後に導体層４ａの上にはんだボール２２
を配置し、リフローすることにより、導体層４ａとはん
だボール２２との電気的な導通を図る。
【００４１】図５のＬＧＡ型半導体装置２０との相違点
は、めっき部４（導体層４ａ）上にはんだボール２２を
搭載する点にある。
は、めっき部４（導体層４ａ）上にはんだボール２２を
搭載する点にある。
【００４２】図１、図４（ｈ）、図５及び図６において
は、導体層４ａを絶縁基材５よりもやや厚さの薄い凹部
に形成しているが、これに限定されるものではなく、導
体層４ａは絶縁基材５よりもやや厚さのある凸部を形成
するものであってもよい。
は、導体層４ａを絶縁基材５よりもやや厚さの薄い凹部
に形成しているが、これに限定されるものではなく、導
体層４ａは絶縁基材５よりもやや厚さのある凸部を形成
するものであってもよい。
【００４３】具体例として、次のようにＢＧＡ型半導体
装置及びＬＧＡ型半導体装置を製造した。
装置及びＬＧＡ型半導体装置を製造した。
【００４４】(i) ポリイミドやエポキシ等のベースフィ
ルムに接着剤を施したフィルムキャリアテープに、１８
μｍ銅箔をラミネートした後、感光性フォトレジスト９
を塗布し、フォトマスクを介して露光、現像を行ない、
フォトレジストによるパターンを形成後、エッチングに
より銅の配線パターン７を形成し、フォトレジストを剥
離後、めっき部４として金めっきを配線面（被めっき
部）に施し、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを形成し
た。ここで、使用するフォトマスクは裏面配線において
予めダミーパターン部３を設けておき、表面配線側より
もめっき表面積を多くしたパターンを用いた。その後Ｉ
Ｃチップ１２を接合後、樹脂により必要部を封止するこ
とによりＢＧＡ半導体装置を形成した。
ルムに接着剤を施したフィルムキャリアテープに、１８
μｍ銅箔をラミネートした後、感光性フォトレジスト９
を塗布し、フォトマスクを介して露光、現像を行ない、
フォトレジストによるパターンを形成後、エッチングに
より銅の配線パターン７を形成し、フォトレジストを剥
離後、めっき部４として金めっきを配線面（被めっき
部）に施し、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを形成し
た。ここで、使用するフォトマスクは裏面配線において
予めダミーパターン部３を設けておき、表面配線側より
もめっき表面積を多くしたパターンを用いた。その後Ｉ
Ｃチップ１２を接合後、樹脂により必要部を封止するこ
とによりＢＧＡ半導体装置を形成した。
【００４５】(ii) ポリイミド等耐熱性のベースフィル
ムに接着剤を施したフィルムキャリアテープに、１８μ
ｍ銅箔をラミネート後、感光性フォトレジスト９を塗布
し、フォトマスクを介して露光、現像を行ない、フォト
レジストによるパターンを形成後、エッチングにより銅
の配線パターン７を形成し、フォトレジストを剥離後、
めっき部４としてスズ−銀はんだめっきを配線面（被め
っき部）に施し、ＬＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを形成
した。その後ＩＣチップを接合後、樹脂により必要部を
封止することによりＬＧＡ半導体装置を形成した。
ムに接着剤を施したフィルムキャリアテープに、１８μ
ｍ銅箔をラミネート後、感光性フォトレジスト９を塗布
し、フォトマスクを介して露光、現像を行ない、フォト
レジストによるパターンを形成後、エッチングにより銅
の配線パターン７を形成し、フォトレジストを剥離後、
めっき部４としてスズ−銀はんだめっきを配線面（被め
っき部）に施し、ＬＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを形成
した。その後ＩＣチップを接合後、樹脂により必要部を
封止することによりＬＧＡ半導体装置を形成した。
【００４６】上記のように、めっき（めっき部４）を施
す表面積を、予め裏面側にダミーパターン等を設けて、
表面側の表面積よりも多くしたパターンを形成すること
により、表面側と裏面側の相対電流密度において、裏面
がより電流密度が高くなるため、裏面側のめっき厚さを
厚くすることができた。また表面側の配線上には従来と
同様の膜厚を形成することができ、従来と同様のワイヤ
ボンディング性を維持し、ワイヤボンディング不良をゼ
ロとすることができた。
す表面積を、予め裏面側にダミーパターン等を設けて、
表面側の表面積よりも多くしたパターンを形成すること
により、表面側と裏面側の相対電流密度において、裏面
がより電流密度が高くなるため、裏面側のめっき厚さを
厚くすることができた。また表面側の配線上には従来と
同様の膜厚を形成することができ、従来と同様のワイヤ
ボンディング性を維持し、ワイヤボンディング不良をゼ
ロとすることができた。
【００４７】また、めっきを施す表面側の表面積が裏面
よりも多いパターンを形成することにより、表面側と裏
面側の相対電流密度において、裏面側がより電流密度が
高くなるため、めっき厚さを厚くすることができる。こ
のため、裏面側のビア内に十分な厚さで埋め込みがなさ
れることになり、ブラインドビア１ａ内の空隙が減少し
た。また、このテープキャリアを用いたＬＧＡ半導体装
置を作成し、基板側はんだと接合をしたところ、接合性
が向上し、接合不良をゼロとすることができた。
よりも多いパターンを形成することにより、表面側と裏
面側の相対電流密度において、裏面側がより電流密度が
高くなるため、めっき厚さを厚くすることができる。こ
のため、裏面側のビア内に十分な厚さで埋め込みがなさ
れることになり、ブラインドビア１ａ内の空隙が減少し
た。また、このテープキャリアを用いたＬＧＡ半導体装
置を作成し、基板側はんだと接合をしたところ、接合性
が向上し、接合不良をゼロとすることができた。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、半導体
装置用テープキャリアにおける片面側の配線パターンの
表面めっき処理、及び他面側のはんだボール搭載部又は
ランド部の充填めっき処理又は表面めっき処理としてめ
っきを施す際、絶縁基材の他面側に蒸着等により導電性
のダミーパターン部を設けておくことにより、テープキ
ャリア側で、予め表面と裏面の相対表面積を変えてお
き、すなわち絶縁基材の他面側に存する被めっき部の表
面積を、片面側に存する配線パターンの表面積よりも大
きくしておき、これにより電解めっき時における表裏面
の相対電流密度が変わるようにしたので、表面積の少な
い面のめっき厚、つまりランドの露出する開口内に導体
層として析出するめっき厚を厚くして、表裏面の各々の
接合上の特性を向上させることができる。
装置用テープキャリアにおける片面側の配線パターンの
表面めっき処理、及び他面側のはんだボール搭載部又は
ランド部の充填めっき処理又は表面めっき処理としてめ
っきを施す際、絶縁基材の他面側に蒸着等により導電性
のダミーパターン部を設けておくことにより、テープキ
ャリア側で、予め表面と裏面の相対表面積を変えてお
き、すなわち絶縁基材の他面側に存する被めっき部の表
面積を、片面側に存する配線パターンの表面積よりも大
きくしておき、これにより電解めっき時における表裏面
の相対電流密度が変わるようにしたので、表面積の少な
い面のめっき厚、つまりランドの露出する開口内に導体
層として析出するめっき厚を厚くして、表裏面の各々の
接合上の特性を向上させることができる。
【００４９】また相対的にめっき厚の薄い配線パターン
についても、従来と同様の良好なワイヤボンディング性
を維持することができる。
についても、従来と同様の良好なワイヤボンディング性
を維持することができる。
【００５０】従って、電解めっき法を用いて、所望のＬ
ＧＡ型又はＢＧＡ型半導体装置用テープキャリアを実現
することができる。
ＧＡ型又はＢＧＡ型半導体装置用テープキャリアを実現
することができる。
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの構造を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】本発明の半導体装置用テープキャリアの構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方
法の前半部分を示す断面図である。
法の前半部分を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方
法の後半部分を示す断面図である。
法の後半部分を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体装置用テープキャリアを用いて
構成したＬＧＡ型半導体装置とその取付状態を示す断面
図である。
構成したＬＧＡ型半導体装置とその取付状態を示す断面
図である。
【図６】本発明の半導体装置用テープキャリアを用いて
構成したＢＧＡ型半導体装置とその取付状態を示す断面
図である。
構成したＢＧＡ型半導体装置とその取付状態を示す断面
図である。
【図７】従来の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図８】従来の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
１ ビアホール（開口）
１ａ ブラインドビア
２ パーフォレーションホール
３ ダミーパターン部
４ めっき部
４ａ 導体層
４ｂ 導電層
５ 絶縁基材
７ 配線パターン
７ａ ランド
７ｂ パッド
８ 銅箔
９ 感光性フォトレジスト
１０ 半導体装置用テープキャリア
２０ ＬＧＡ型半導体装置
２１ ＢＧＡ型半導体装置
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基材の片面にランドを含む配線パター
ンを設け、このランドを絶縁基材に設けた開口を通して
絶縁基材の他面側に露出させ、前記絶縁基材の片面及び
他面に対する電解めっきにより、前記配線パターンの表
面に導電層を形成すると共に、前記開口を通してランド
の露出する部分に開口内を浅くするための導体層を設け
た半導体装置用テープキャリアにおいて、 前記絶縁基材の他面側に導電性のダミーパターン部を設
け、これにより絶縁基材の他面側に存する被めっき部の
表面積を片面側に存する配線パターンの表面積よりも大
きくし、前記ランドの露出する開口内に形成する前記導
体層のめっき厚を厚くしたことを特徴とする半導体装置
用テープキャリア。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置用テープキャリ
アにおいて、 前記ランドの露出する開口内に形成する導体層のめっき
厚を、絶縁基材の他面側からはんだボール又は外部基板
の端子が接触し得る程度まで厚くしたことを特徴とする
半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項３】絶縁基材の片面にランドを含む配線パター
ンを設け、絶縁基材の他面から前記ランドが露出するよ
うに開口を設け、前記絶縁基材の片面及び他面に対して
電解めっきを施すことにより、配線パターンの表面に導
電層を形成すると共に、前記開口を通してランドの露出
する部分に開口内を浅くするための導体層を形成する半
導体装置用テープキャリアの製造方法において、 前記絶縁基材の片面及び他面に対して電解めっきを施す
際、前記絶縁基材の他面側に導電性のダミーパターン部
を設けて、予め絶縁基材の他面側に存する被めっき部の
表面積を片面側に存する配線パターンの表面積よりも大
きくしておき、その後に電解めっきを行って前記ランド
の露出する開口内に前記導体層を厚く形成することを特
徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。 - 【請求項４】絶縁基材に開口を形成した後に、絶縁基材
の片面にランドを含む配線パターンを設けて、絶縁基材
の他面から開口を通して前記ランドを露出させ、前記絶
縁基材の片面及び他面に対して電解めっきを施すことに
より、配線パターンの表面に導電層を形成すると共に、
前記開口を通してランドの露出する部分に開口内を浅く
するための導体層を形成する半導体装置用テープキャリ
アの製造方法において、 前記絶縁基材の片面及び他面に対して電解めっきを施す
際、前記絶縁基材の他面側に導電性のダミーパターン部
を設けて、予め絶縁基材の他面側に存する被めっき部の
表面積を片面側に存する配線パターンの表面積よりも大
きくしておき、その後に電解めっきを行って前記ランド
の露出する開口内に前記導体層を厚く形成することを特
徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002108002A JP2003303859A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002108002A JP2003303859A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003303859A true JP2003303859A (ja) | 2003-10-24 |
Family
ID=29391886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002108002A Withdrawn JP2003303859A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003303859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018008214A1 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Ｔｏｗａ株式会社 | 配線基板、配線基板の製造方法、電子部品、および電子部品の製造方法 |
-
2002
- 2002-04-10 JP JP2002108002A patent/JP2003303859A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018008214A1 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Ｔｏｗａ株式会社 | 配線基板、配線基板の製造方法、電子部品、および電子部品の製造方法 |
| JP2018006702A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Ｔｏｗａ株式会社 | 配線基板、配線基板の製造方法、電子部品、および電子部品の製造方法 |
| KR20190025835A (ko) * | 2016-07-08 | 2019-03-12 | 토와 가부시기가이샤 | 배선 기판, 배선 기판의 제조 방법, 전자 부품, 및 전자 부품의 제조 방법 |
| KR102254999B1 (ko) * | 2016-07-08 | 2021-05-24 | 토와 가부시기가이샤 | 배선 기판, 배선 기판의 제조 방법, 전자 부품, 및 전자 부품의 제조 방법 |
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