JP2007149879A - 電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置、電子装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】微小電子機械機構を容易かつ確実に封止することができるとともに、微小電子機械機構を形成した電子部品と発振回路とを接続した場合においても、小型化および低消費電力化が可能で、かつ高精度で駆動させることができるとともに応答精度を向上でき、電子装置の駆動時間を長寿命化させることが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１と、その一方主面に形成されるとともに配線導体２に電気的に接続された接続パッド３と、絶縁基板１の一方主面に接合された枠部材４と、主面に搭載部１７と、接続パッド３に電気的に接続された電極９を有する電子部品封止用基板６において、絶縁基板１中に絶縁層１３を介して形成された、少なくとも一対の容量形成用電極１２と、これに電気的に接続された抵抗体１５とを備えた。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板等の基板の主面に微小電子機械機構および電極が形成されて成る電子部品を封止するための電子部品封止用基板、およびそれを用いて微小電子機械機構を封止することにより形成される電子装置、ならびに電子装置の製造方法に関するものである。

近年、シリコンウェーハ等の半導体基板の主面に、半導体集積回路素子等の微細配線を形成する加工技術を応用して、極めて微小な電子機械機構、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）を形成した電子部品が注目され、実用化に向けて開発が進められている。

このような微小電子機械機構としては、加速度計、圧力センサ、アクチュエータ等のセンサや、微細な鏡面体を可動式に形成したマイクロミラーデバイス、光デバイス、あるいはマイクロポンプ等を組み込んだマイクロ化学システム等、非常に広い分野にわたるものが試作、開発されている。

そのような微小電子機械機構を形成した電子部品を用いて電子装置を構成するための従来の電子部品封止用基板およびそれを用いて成る電子装置の一例を図４に断面図で示す。

図４に示す例では、微小電子機械機構２２が形成された半導体基板２１の主面には、微小電子機械機構２２に電力を供給したり、微小電子機械機構２２から外部電気回路に電気信号を送り出したりするための電極２３が微小電子機械機構２２と電気的に接続されて形成されており、これら半導体基板２１，微小電子機械機構２２および電極２３により、１つの電子部品２４が構成される。

このような電子部品２４は微小電子機械機構２２を広面積の半導体母基板の主面に多数個を縦横に配列形成し、これを個片に分割することによって作製されている。しかし、この方法では、微小電子機械機構２４をダイシング加工等で分割する際、個々の電子部品２４を、シリコン等の半導体母基板の切削粉が付着して、微小電子機械機構２４が破壊されないよう保護し、切断加工を施す必要があること、個々の電子部品２４をパッケージ３１内に個別に気密封止する必要があること、などから、生産性が悪く実用化が難しかった。

このような問題に対して、本出願人は、以前、絶縁基板をセラミック材料で形成した電子部品封止用基板、およびその電子部品封止用基板を用いた電子装置の製造方法（微小電子機械機構の封止方法）を提案した。（特許文献１参照）
この技術によれば、例えば、表面実装が可能な形態で、電子装置を、生産性を良好として製作することができる。

一方、このような電子装置は、近年、より一層の小型化が求められるとともに、無線による通信の機能の付加等の高機能化が求められている。つまり、いわゆるユビキタスに、いつでも、どこでも、何とでも通信できることが必要になるため、より小型の電子装置であることが必須である。例えば、微小電子機械機構を周知の加速度センサ構造（振動部を有するもの）として、外界の加速度の変化を微小電子機械機構の機械的な動作でまず機械的な動きとして検知し、これを電気信号（加速度信号）に変換するようなセンシングを行なわせ、その加速度信号を、無線通信技術を用いて送信するものが提案されている。

このようにセンシングした信号を通信できるようにするためには、センシングした信号を高い周波数の信号に載せて、電波として伝送させる必要がある。センシングした信号を載せて空中を運ぶ役割をする高周波を一般的に搬送波というが、この搬送波を作るためには、発振回路が必要不可欠になる。

なお、発振回路は、一般的に、ＣＲ（コンデンサと抵抗器）を用いたウィーンブリッジ形や移送形の発振回路が用いられる。

そして、従来の微小電子機械機構を形成した電子部品を用いた電子装置では、発振回路を構成するコンデンサや抵抗器は別回路で形成し、例えば、チップコンデンサやチップ抵抗などのチップ部品で構成された発振回路を、電子装置が搭載される外部電気回路基板に実装していた。つまり、電子装置単独では目的とする機能を備えることができず、上記外部電気回路基板等を含めた、例えばセンシングの機能を備える電子装置と、発振の機能を備える外部電気回路基板とで構成される、複合装置を形成する必要がある。
特開２００４−２９６７２４号公報

従来の電子部品封止用基板を用いた電子装置においては、上記のように単独では目的とする機能（例えば、ユビキタスセンシングネットワーク用途等の通信機能）を備えることが難しいことから、これらの電子装置が搭載される電子機器の小型化や、モジュールの小型化が困難であるという問題があった。

また、長期にわたって安定して上記機能を継続させる上で、低電圧，低消費電力化が重要であるが、電子装置単独では上記機能を備えることが難しく、外部電気回路基板等を含めた複合装置とする必要がある。そのため、電子装置と外部電気回路基板とを電気的に接続する経路が長く、また接続材等を介して接続する必要があり、低消費電力化が難しいという問題があった。

また、発振回路をチップコンデンサやチップ抵抗を別回路で形成した場合は、チップコンデンサやチップ抵抗部品の接続端子電極や、導電性接合材などの接続不連続部から発生する電磁ノイズが、微小電子機械機構や、発振回路、外部電気回路基板などの他の回路基板に、悪影響を及ぼすことから、電子装置の駆動応答性や応答精度が劣化したりする問題点もあった。

本発明は上記従来の技術における問題点を解決するために案出されたものであり、その目的は、基板の主面に搭載された微小電子機械機構を容易かつ確実に封止することができるとともに、微小電子機械機構を形成した電子部品と発振回路とを接続した場合においても、小型化および低消費電力化が可能で、かつ微小電子機械機構を形成した電子部品を高精度で駆動させることができるとともに応答精度を向上でき、電子装置の駆動時間を長寿命化させることが可能な電子部品封止用基板、およびそれらからなる電子装置、ならびに電子装置の製造方法を提供することにある。

本発明の電子部品封止用基板は、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成されるとともに前記配線導体に電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に接合された枠部材と、主面に微小電子機械機構の搭載部を有するとともに前記枠部材の内側に前記微小電子機械機構が気密封止されるように前記主面が前記枠部材に接合された基板と、該基板の前記主面に形成されるとともに前記微小電子機械機構および前記接続パッドに電気的に接続された電極とを具備する電子部品封止用基板において、前記絶縁基板中に、該絶縁基板の一部を介して互いに対向配置されるとともに前記接続パッドに電気的に接続された少なくとも一対の容量形成用電極と、該容量形成用電極に電気的に接続された抵抗体とを備えたことを特徴とするものである。

また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、前記絶縁基板は、前記少なくとも一対の容量形成用電極の間に介在する部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも高いことを特徴とするものである。

また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、前記抵抗体は、前記接続パッドの直下の前記絶縁基板の内部に配置されており、かつ前記容量形成用電極と前記接続パッドとの距離は、前記抵抗体と前記接続パッドとの距離よりも長いことを特徴とするものである。

また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、前記抵抗体は、前記接続パッドもしくは前記接続パッドに隣接する前記配線導体が、他の前記接続パッドもしくは前記配線導体に比べて高抵抗とされることにより形成されていることを特徴とするものである。

また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、前記絶縁基板は、前記容量形成用電極と、前記封止される微小電子機械機構との間に介在するようにして、接地導体層が設けられていることを特徴とするものである。

本発明の電子装置は、前記搭載部に微小電子機械機構を搭載して、前記基板と前記電極と前記微小電子機械機構とから成る電子部品を形成し、該電子部品を前記枠部材に接合して前記微小電子機械機構を前記枠体の内側で気密封止するとともに、前記微小電子機械機構を前記電極を介して前記容量形成用電極および前記抵抗体に電気的に接続したことを特徴とするものである。

また本発明の電子装置の製造方法は、母基板に前記微小電子機械機構および前記電極が形成されて成る電子部品領域を多数個縦横に配列形成した多数個取り電子部品を準備する工程と、母絶縁基板に前記配線導体、前記接続パッド、前記枠部材、前記容量形成用電極、および前記抵抗体が形成されて成る電子部品封止領域を多数個前記電子部品の前記電子部品領域に対応させて配列形成した電子部品封止用母基板を準備する工程と、前記多数個取り電子部品における前記電極を前記接続パッドに電気的に接続するとともに、それぞれの前記微小電子機械機構の周囲の前記母基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合して前記微小電子機械機構を前記枠部材の内側に気密封止する工程と、互いに接合された前記多数個取り電子部品および前記電子部品封止用母基板を前記電子部品封止領域毎に分割して、前記電子部品封止領域に前記電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を得る工程とを具備することを特徴とするものである。

本発明の電子部品封止用基板によれば、絶縁基板中に、この絶縁基板の一部を介して互いに対向配置され、接続パッドと電気的に接続された少なくとも一対の容量形成用電極と、容量形成用電極と電気的に接続されて絶縁基板に形成された抵抗体とを備えることから、絶縁基板中に、容量素子と抵抗素子と成るＣＲ発振回路を形成することができる。そのため、微小電子機械機構をこのＣＲ発振回路に接続することができる。

その結果、発振回路をチップ部品で構成した場合における接続端子電極や導電性接合材などが不要となるので、伝送ロスを小さくすることができ、低消費電力化が可能になる。

また、微小電子機械機構と発振回路とを接続する距離が短くなるので、電子装置の小型化に有効な電子部品封止用基板を得ることができる。

また、外部電気回路基板に必要であったチップ部品を搭載するスペースが不要となるので、より小型のモジュールが形成できるため、機器の小型化、低消費電力化に寄与する。また、不要となったスペースに別の回路や部品等を搭載することができるので高機能化、高密度化することも可能になる。

また、発振回路を絶縁基板中に形成しているため、チップコンデンサやチップ抵抗部品の接続端子電極や、導電性接合材などの接続不連続部が存在しない。そのため、電磁ノイズの発生を抑制することができるので、微小電子機械機構や、他の回路基板への干渉を極力小さくすることができる。したがって、高精度な微小電子機械機構の駆動性や、応答精度の良い電子部品封止用基板を得ることができる。

また、本発明の電子部品封止用基板によれば、好ましくは、絶縁基板は、少なくとも一対の容量形成用電極の間に介在する部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも高いものとしたことから、その比誘電率の差に応じて、容量形成用電極間に生じる静電容量を大きくすることができる。一般的に、ＣＲ発振回路の発振周波数は、Ｃ値が大きくなると、発振周波数の帯域を広くすることができるため、大容量のコンデンサを有したＣＲ発振回路を絶縁基板中に形成することにより、発振効率のよい発振回路を形成することができる。

よって、同じ面積でもより大容量のコンデンサを有したＣＲ発振回路を絶縁基板中に内蔵することができるので、機器のより一層の小型化、低消費電力化に寄与する。

また、本発明の電子部品封止用基板によれば、好ましくは、抵抗体は接続パッドの直下の絶縁基板の内部に配置されていることから、ＣＲ発振回路と接続パッドとの配線長がより短くなり、また、抵抗体と接続パッドとの配線長がより短くなるため、伝送ロスをさらに小さくすることができるので、一層の高精度駆動や応答精度の向上、駆動時間の長期化を行なうことができる。

また同時に、容量形成用電極は、この接続パッドの直下に配置されている抵抗体に比べて、接続パッドとの間の距離が長いため、接続パッドと電極等を介して電気的に接続される微小電子機械機構との間の距離を離すことができる。そのため、容量形成用電極により形成されるコンデンサから発生する発振ノイズが、微小電子機械機構に与える干渉、特に、加速度センサの振動等の機械的な動作の阻害等の機械的な干渉を極力小さくすることができる。その結果、発振ノイズに起因して高精度駆動、応答精度の向上に支障が生じ、微小電子機械機構領域の破壊や変形などが起こるのを防止することができる。

すなわち、この構成により、特に、機械的な作動をともなう微小電子機械機構を備える電子部品について、センシング等の作動の信頼性を極めて高くして封止することができる。

また、本発明の電子部品封止用基板によれば、好ましくは、抵抗体は、接続パッドもしくは接続パッドに隣接する配線導体が、他の接続パッドもしくは配線導体に比べて高抵抗とされることにより形成されていることにより形成されていることから、発振機能を備える電子部品封止用基板を、より一層小型に形成することができる。すなわち、抵抗体を別途パターンで設けるよりも、接続パッドもしくは、配線導体に抵抗体を形成することにより、より短い距離でＣＲ発振回路を形成することができるため、より小型で高効率な発振回路が形成できる。

また、本発明の電子部品封止用基板によれば、好ましくは、絶縁基板は、容量形成用電極と、封止される微小電子機械機構との間に介在するようにして、接地導体層が設けられていることから、ＣＲ発振回路の容量形成用電極部から発生する発振ノイズを、接地導体層でシールドすることができる。そのため、発振ノイズが微小電子機械機構に作用することはより効果的に防止される。その結果、発振ノイズに起因して微小電子機械機構の高精度駆動、応答精度の向上に支障が生じ、微小電子機械機構領域の破壊や変形などが起こるのをより確実に防止することができる。

本発明の電子装置は、搭載部に微小電子機械機構を搭載して、基板と電極と微小電子機械機構とから成る電子部品を形成し、電子部品を枠部材に接合して微小電子機械機構を枠体の内側で気密封止するとともに、微小電子機械機構を電極を介して容量形成用電極および抵抗体に電気的に接続したことから、絶縁基板中に、容量素子と抵抗素子とから成るＣＲ発振回路を形成することができる。そのため、微小電子機械機構をこのＣＲ発振回路に接続することができるので、発振回路をチップ部品で構成した場合における接続端子電極や導電性接合材などが不要となり、伝送ロスを小さくすることができ、低消費電力化が可能になる。

また、微小電子機械機構と発振回路とを接続する距離が短くなるので、小型の電子装置を得ることができる。

また、外部電気回路基板に必要であったチップ部品を搭載するスペースが不要となるので、より小型のモジュールが形成できるため、機器の小型化、低消費電力化に寄与する。また、不要となったスペースに別の回路や部品等を搭載することができるので高機能化、高密度化することも可能になる。

また、発振回路を絶縁基板中に形成しているため、チップコンデンサやチップ抵抗部品の接続端子電極や、導電性接合材などの接続不連続部が存在しないため、電磁ノイズの発生を抑制することができるので、微小電子機械機構や、他の回路基板への干渉を極力小さくすることができる。したがって、高精度な微小電子機械機構の駆動性や、応答精度の良い電子装置を得ることができる。

本発明の電子装置の製造方法によれば、上記各工程を具備することから、多数個の電子装置を一括して製造することができるので、電子装置の生産性が高い。

また、電子部品封止用母基板は、母絶縁基板中に、抵抗体および容量形成用電極が形成されているので、製造された個々の電子装置は、発振の機能を備えたものとなっている。

したがって、本発明の電子装置の製造方法によれば、小型化および低消費電力化が容易で、かつ駆動の精度や応答精度に優れ、駆動の長寿命化が可能な電子装置を、生産性を良好として製造することが可能な製造方法を提供することができる。

また、この分割の際、電子部品領域の微小電子機械機構は封止用基板により封止されているので、ダイシング加工等による分割で発生するシリコン等の半導体基板の切削粉が微小電子機械機構に付着することはなく、分割後の電子装置において微小電子機械機構を確実に作動させることができる。

また、分割して得られた電子装置は、絶縁基板の他方主面や側面に配線導体が導出されているので、この導出された端部に金属バンプ等の端子を取着するだけで、表面実装等により外部伝記回路基板に実装することができるものとなり、実装の工程を非常に短く、かつ容易なものとすることができる。

さらに、分割して得られた電子装置は、絶縁基板中に、この絶縁基板の一部を介して互いに対向配置され、接続パッドと電気的に接続された少なくとも一対の容量形成用電極と、容量形成用電極と電気的に接続されて絶縁基板に形成された抵抗体とから成るＣＲ発振回路を形成したことから、微小電子機械機構を形成した電子部品をこのＣＲ発振回路に接続することができ、高精度駆動や応答精度の向上、駆動時間の長時間化が可能な微小電子機械機構を形成した電子部品とすることができる。

本発明の電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置、ならびに電子装置の製造方法について以下に詳細に説明する。

図１は本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は絶縁基板、２は配線導体、３は接続パッド、４は枠部材、５は接続端子、７は半導体基板等の基板、９は電極である。これら絶縁基板１、配線導体２、接続パッド３、枠部材４、接続端子５、基板７および電極９により電子部品封止用基板６が基本的に形成される。

この電子部品封止用基板６を用いて、微小電子機械機構８が基板７に搭載されて成る電子部品１０を封止することにより、微小電子機械機構８が電子部品封止用基板６の絶縁基板１と枠部材４と基板７とで形成される領域内に気密封止された構造を備える電子装置１６が形成される。

本発明における微小電子機械機構（以下、ＭＥＭＳともいう）８は、例えば加速度センサ、圧力センサ、地磁気センサ、ガスセンサ、ハードディスク用磁気ヘッド、バイオセンサー、ＤＮＡチップなどの各種センサや、電気スイッチ、インダクタ、キャパシタ、共振器、アンテナ、マイクロリレー、光スイッチ、マイク、マイクロリアクタ、プリントヘッド、ディスプレイデバイスなどの機能を有する電子装置１６であり、半導体微細加工技術を基本とした、いわゆるマイクロマシニングで作製される部品であり、１素子あたり１０μｍ〜数１００μｍ程度の寸法を有する。

微小電子機械機構８は、例えば、一端が支持された梁状の振動部を備える加速度センサ構造（振動部を有するもの）を有するものであれば、外界の加速度の変化を振動部の機械的な振動を電気信号に変換し検知する機能を有する。

絶縁基板１は、微小電子機械機構８を封止するための蓋体として機能するとともに、配線導体２、接続パッド３、枠部材４および接続端子５を形成するための基体として機能する。この絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミックス材料や、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材等により形成される。絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムとガラス粉末等の原料粉末をシート上に成形して成るグリーンシートを積層し、焼成することにより形成される。

なお、絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体から成るものに限らず、用途や気密封止する電子部品１０の特性等に応じて適したものを選択することが好ましい。例えば、絶縁基板１は、後述するように枠部材４を介して基板７と機械的に接合されるので、基板７との接合の信頼性、つまり微小電子機械機構８の封止の気密性を高くするためには、ムライト質焼結体や、例えばガラス成分の種類や添加量を調整することにより熱膨張係数を基板７に近似させるようにした酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系等のガラスセラミックス焼結体等のような、基板７との熱膨張係数の差が小さい材料で形成することが好ましい。

また、絶縁基板１は、配線導体２により伝送される電気信号の遅延を防止するような場合には、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材、または、酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系や酸化リチウム系等のガラスセラミックス焼結体等のような比誘電率の小さい材料で形成することが好ましい。

また、絶縁基板１は、封止する微小電子機械機構８の発熱量が大きく、この熱の外部への放散性を良好とするような場合には、窒化アルミニウム質焼結体等のような熱伝導率の大きな材料で形成することが好ましい。

また、絶縁基板１の一方主面に、電子部品１０の微小電子機械機構８を内側に収めるような凹部１ａを形成しておいてもよい。凹部１ａ内に微小電子機械機構８の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構８を取り囲むための枠部材４の高さを低く抑えることができ、電子装置１６の低背化に有利なものとなる。

基板７は、微小電子機械機構８を、例えばその露出面（主面）に直接形成すること等により搭載する基体として機能し、絶縁基板１の一方主面に対向する主面（この例では下面）に微小電子機械機構８の搭載部を有している。

また、基板７は、主面に、微小電子機械機構８と電気的に接続された電極９を備えている。微小電子機械機構８が、基板７に搭載され、電極９と電気的に接続されて、電子部品１０が形成されている。

基板７は、例えば、単結晶や多結晶のシリコン基板等の半導体基板であり、電極９や、微小電子機械機構８と電極９とを電気的に接続する導体等は、アルミニウムや金、銅等の金属材料より形成されている。

絶縁基板１の一方主面（微小電子機械機構８を封止する側）からは、他方主面または側面に配線導体２が導出されている。

また、この絶縁基板１の一方主面には、配線導体２と接続された接続パッド３が形成されている。

これらの配線導体２および接続パッド３は、接続パッド３上に形成される接続端子５を介して電子部品１０の電極９と電気的に接続され、これを絶縁基板１の他方主面や側面に導出する機能を有する。

これらの配線導体２および接続パッド３は、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料により形成される。この形成の手段としては、メタライズ層形成手段やめっき層形成手段、蒸着膜形成手段等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、タングステンのメタライズ層から成る場合であれば、タングステンのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートに印刷してこれをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。

接続端子５は、錫−銀系、錫−銀−銅系等の半田、金−錫ろう等の低融点ろう材、銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材、導電性有機樹脂、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法による接合を可能とするような金属材料等により形成されている。

この接続端子５を電子部品１０の電極９に接合することにより、電子部品１０の電極９が、接続端子５、接続パッド３および配線導体２を介して、絶縁基板１の他方主面または側面に導出される。そして、この配線導体２の導出された端部を外部の電気回路に錫−鉛半田等を介して接合することにより、電子部品１０の電極９が外部の電気回路と電気的に接続される。

また、絶縁基板１の一方主面には、前記搭載部を取り囲むようにして枠部材４が接合されている。

枠部材４は、電子部品１０の微小電子機械機構８をその内側に気密封止するための側壁として機能する。

この枠部材４の主面（図１の例では上面）を電子部品１０を構成する基板７の主面（図１の例では下面）に接合させることにより、枠部材４の内側に微小電子機械機構８が気密封止され、電子装置１６が形成される。なお、この場合、基板７が底板となり、絶縁基板１が蓋体となる。

なお、この実施形態において、接続パッド３は封止材４の内側に位置し、微小電子機械機構８とともに気密封止されている。接続パッド３は、封止材４の内側に限らず、外側に位置していてもよい。

例えば、接続パッド３が、枠部材４の外側に配置されている場合、接続パッド３と微小電子機械機構８とは枠部材４によって隔たれた分の距離を離すことが可能となり、接続パッド３と微小電子機械機構８との間の電磁気的な結合は抑制される。そのため、例えば、微小電子機械機構８に駆動電圧を印加したとき、電極９と接続端子５において駆動電圧のオン・オフによって発生する電磁気的な結合の影響が微小電子機械機構８の動作に及ぶことを抑制することができる。

また、電極９と接続端子５に高周波信号を導通させる場合、微小電子機械機構８を駆動させるための磁界、電界のオン・オフがノイズとなって、電極９と接続端子５を導通する高周波信号の特性を劣化することも抑制することができる。

枠部材４は、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の鉄−ニッケル系合金、無酸素銅、アルミニウム、ステンレス鋼、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点材，銀−ゲルマニウム系等の高融点材等の金属材料や、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の無機系材料、あるいはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂系材料等により形成される。

また、枠部材４の主面を電子部品１０の基板７の主面に接合する方法としては、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点ろう材，銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材，導電性有機樹脂等の接合材を介して接合する方法、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法を用いることができる。また、直接枠部材４を溶融したりして、枠部材４自身を接合材としても機能させることにより接合してもよい。

そして、絶縁基板１中には、絶縁基板１の一部を介して互いに対向配置されるとともに、接続パッド３に電気的に接続された容量形成用電極１２と、容量形成用電極１２に電気的に接続された抵抗体１５が内蔵されている。

対向配置された容量形成用電極１２およびその間に介在する絶縁基板１の一部（絶縁層１３）によるコンデンサ（キャパシタ成分）、および抵抗体１５により発振回路（ＣＲ発振回路）が形成される。

この発振回路は、微小電子機械機構８で検知された電気信号を高い周波数の信号に載せて、電波として伝送させる機能を備える。すなわち、この発振回路により、例えばセンサである微小電子機械機構８がセンシングした信号に応じて、その信号を載せて空中を運ぶ役割をする高周波（搬送波）が作られ、アンテナ等の送信装置（図示せず）を介して外部に電波として伝送される。

本発明の電子部品封止用基板６によれば、この発振用の回路が絶縁基板１内に形成されているので、発振回路をチップ部品で構成した場合における接続端子電極や導電性接合材などが不要となる。そのため、伝送ロスを小さくすることができ、低消費電力化が可能になる。したがって、高精度な微小電子機械機構８の駆動性や、電子装置１６の応答精度の向上、駆動時間の長時間化が可能な電子部品封止用基板６および電子装置１６を得ることができる。

また、外部電気回路基板に必要であったチップ部品を搭載するスペースが不要となるので、より小型のモジュールが形成できるため、機器の小型化、低消費電力化に寄与する。また、不要となったスペースに別の回路や部品等を搭載することができるので高機能化、高密度化することも可能になる。

また、発振回路を絶縁基板１中に形成しているため、チップコンデンサやチップ抵抗部品の接続端子電極や、導電性接合材などの接続不連続部が存在しないため、電磁ノイズの発生を抑制することができるので、微小電子機械機構８や、他の回路基板への干渉を極力小さくすることができる。したがって、高精度な微小電子機械機構８の駆動性や、電子装置１６の応答精度の良い電子部品封止用基板６および電子装置１６を得ることができる。

なお、抵抗体１５と容量形成用電極１２との電気的な接続は、例えば、抵抗体１５と容量形成用電極１２との一部同士を直接接触させること等により行なわせることができる。

また、抵抗体１５は、配線導体２の一部（ビア導体等）を介して接続パッド３と電気的に接続させることができ、配線導体２および抵抗体１５を介して容量形成電極１２と接続パッド３とを電気的に接続させることができる。

この容量形成用電極１２は配線導体２および接続パッド３と同様の材料を用い、同様の手段により作製される。一対の容量形成用電極１２としての導体パターンは、たとえば四角形状、円形状などの形状のものが上下に重なっているものとなっている。この場合、一対の容量形成用電極１２は、いずれか一方のものについて、その外周縁が他方のものの外周縁よりも外側に位置するように設定しておいて、絶縁基板１となるグリーンシート等に積層位置のずれが生じた場合でも対向面積が一定に保たれるようにしてもよい。

また、容量形成用電極１２および絶縁層１３によって形成されるコンデンサのキャパシタンスは０．５ｐＦ〜５０ｎＦ程度がよい。０．５ｐＦよりも小さくなると、作製の際に公差の影響を受けやすくなる。５０ｎＦよりも大きくなると、小型化が困難になるとともに作製の際の難易度が上がるなどの観点から不利になる。

そして、絶縁層１３は上下面が容量形成用電極１２に挟まれて絶縁基板１の内部に配置されている。この絶縁層１３は、絶縁基板１と同じ材料からなっていてもよい。

一対の容量形成用電極１２の間に介在する絶縁層１３は、絶縁基板１の一部であり、例えば、絶縁基板１の他の部位を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料（誘電体材料）により形成されている。

また、抵抗体１５は、容量形成用電極１２と電気的に接続されている。抵抗体１５は、酸化ルテニウムや銀パラジウムなどにより形成される。この形成の手段としては、メタライズ層形成手段やめっき層形成手段、蒸着膜形成手段等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、メタライズ層から成る場合であれば、酸化ルテニウムのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートに印刷して、積層した後、これをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。

また、抵抗体１５は、電気抵抗が、１０Ω〜１００ｋΩ程度がよい。１０Ωより小さくなると、作製の際に公差の影響を受けやすくなる。１００ｋΩよりも大きくなると、小型化が困難になるとともに作製の際の難易度が上がるなどの観点から不利になる。

上述のように、この電子部品封止用基板６（電子装置１６）のうち配線導体２の導出部分を、半田ボール等の外部端子１１を介して外部の電気回路に接続することにより、微小電子機械機構８が外部電気回路と電気的に接続される。つまり、微小電子機械機構８で検知され、電気信号に変換された機械的な振動等の外部の情報が、上記容量形成用電極１２と抵抗体１５とにより構成される発振回路で搬送波とされ、この搬送波が外部電気回路に供給される。外部電気回路には、例えば、アンプ、フィルタ、アンテナ等が配設されており、搬送波に応じた電波が伝送される。

なお、図１に示すように、枠部材４が接合される絶縁基板１の主面（枠部材４が接合される部位）に、接続パッド３と同様の材料により導体層３ａを形成しておき、この導体層３ａから絶縁基板１の他方主面にかけて配線導体２の一部を導出させるようにしてもよい。この導体層３ａから導出された配線導体２の導出部分は、上述の外部端子１１等を介して外部電気回路の接地用端子等に接続することができる。この場合、接続端子５と電極９との接合、および枠部材４の主面と半導体基板７の主面との接合を一つの工程で確実かつ容易に行なうことを可能とするために、接続端子５の高さと枠部材４の高さとは同じ高さとしておいてもよい。

この電子部品封止用基板６および電子装置１６において、一対の容量形成用電極１２間に配置された絶縁層１３の比誘電率が、他の部位における絶縁基板１の比誘電率よりも高いことが好ましい。

この場合の実施の形態について、図１を基に説明する。この場合の実施形態においては、絶縁層１３の比誘電率が絶縁基板１の他の部位における比誘電率よりも高い点が異なり、他の部位については上述した実施形態の場合と同様である。

このように、絶縁基板１について、少なくとも一対の容量形成用電極１２の間に介在する部位、つまり絶縁層１３における比誘電率を、他の部位における比誘電率よりも高いものとすることにより、その比誘電率の差に応じて、容量形成用電極１２間に生じる静電容量を大きくすることができる。

一般的に、ＣＲ発振回路の発振周波数は、Ｃ値（静電容量）が大きくなると、発振周波数の帯域を広くすることができるため、大容量のコンデンサを有したＣＲ発振回路を絶縁基板１中に形成することにより、発振効率のよい発振回路を形成することができる。

よって、同じ面積でもより大容量のコンデンサを有したＣＲ発振回路を絶縁基板１中に内蔵することができるので、機器のより一層の小型化、低消費電力化に寄与する。

例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質で比誘電率を１０、絶縁層１３の比誘電率を１０にした場合、発振周波数の帯域は約１ｋＨｚであるのに対し、絶縁層１３の比誘電率を１０００にした場合には、帯域は、約３ｋＨｚと約３倍になるので、発振効率のよい発振回路を形成することができる。

比誘電率の高い絶縁層１３は、例えば、誘電体粉末と焼結助剤と有機樹脂バインダと有機溶剤とからなる誘電体層用ペーストを印刷形成して、絶縁基板１と同時焼成することにより作製される。誘電体粉末としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３の他に、ＳｒＴｉＯ_３，ＭｇＴｉＯ_３，ＢａＺｒＯ_３のようなペロブスカイト構造を有するもの等が挙げられる。

焼結助剤としては、例えばＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系，ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３系，ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ｍ１_２Ｏ系（但し、Ｍ１はＬｉ，ＮａまたはＫを示す），ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｍ２_２Ｏ系（但し、Ｍ２は上記と同じである），Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等のガラス、またはＣｕＯ等の金属酸化物が挙げられる。

誘電体層用ペーストに用いられる有機樹脂バインダおよび有機溶剤としては、絶縁基板１となるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）との同時焼成が可能であれば特に制限されるものではなく、例えばグリーンシートに配合される有機樹脂バインダ，有機溶剤と同様のものが使用可能である。

この場合、容量形成用電極１２は、ＣｕまたはＡｇの粉末を８５〜９９.５質量部、チタン酸バリウム結晶を析出する結晶化ガラスを０.５〜１５質量部含むとともに、有機樹脂バインダおよび有機溶剤を含んで成る電極ペーストを印刷形成して、グリーンシートと同時焼成することにより作製される。

チタン酸バリウム結晶を析出する結晶化ガラスの組成比は、焼成時に誘電体層１と電極層２との界面はがれを生じない、ＣｕまたはＡｇの粉末に対して最小の比率であることが好ましい。結晶化ガラスのガラス組成比がＣｕまたはＡｇの粉末に対して１５質量部を超える場合、焼成時に容量形成用電極１２のガラス成分が絶縁層１３へ多く流入して、絶縁層１３の特性を劣化させやすい傾向がある。他方、結晶化ガラスのガラス組成比が０.５質量部未満の場合、結晶化ガラスが少ないため、ＢａＴｉＯ３との濡れ性の良い部分が少なくなることにより、焼成時に絶縁層１３と容量形成用電極１２との界面はがれが生じやすい傾向がある。

ＣｕまたはＡｇの粉末は、絶縁基板１用の電極９として用いる場合には、同時焼成時の絶縁基板１の成分と絶縁層１３の成分との相互拡散を抑えるために、直径５μｍ以下の粒径の細かいものであることが好ましい。

結晶化ガラスは、その結晶化の際にＢａＯとＴｉＯ_２が結合してＢａＴｉＯ_３結晶を析出するものである。主相としてＢａＴｉＯ_３結晶を析出するため、結晶化ガラスが焼成時の拡散により絶縁層１３の内部に流入しても絶縁層１３の特性を劣化させることがない。

また、結晶化ガラスの容量形成用電極１２への添加により絶縁層１３と容量形成用電極１２との濡れ性が向上し、焼成時の界面はがれの発生を防ぐことが可能となる。

その場合の結晶化ガラスは、そのガラス組成比が、ＢａＯを５５.１〜５９.７質量％、ＴｉＯ_２を２４.０〜２６.０質量％、ＳｉＯ_２を７.７〜１１.３質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を６.６〜９.７質量％、ＳｒＯを０.７質量％以下、Ｎａ_２Ｏを０.５質量％以下、ＣａＯを０.４質量％以下含むものであり、各成分の合計が１００質量％となるように調整する。ＴｉＯ_２，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｒＯ，Ｎａ_２Ｏ，ＣａＯは、ガラス化のための網目形成酸化物、中間酸化物、網目修飾酸化物であるため、ガラス化するための最小の比率であることが好ましい。ＢａＯが５９.７質量％を超え、ＴｉＯ_２が２６.０質量％を超え、ＳｉＯ_２が７.７質量％を超え、Ａｌ_２Ｏ_３が６.６質量％未満の場合、この組成物をガラス化させることが困難となりやすい。また、ＢａＯが５５.１質量％未満、ＴｉＯ_２を２４.０質量％未満、ＳｉＯ_２が１１.３質量％未満、Ａｌ_２Ｏ_３が９.７質量％を超え、ＳｒＯが０.７質量％を超え、Ｎａ_２Ｏが０.５質量％を超え、ＣａＯが０.４質量％を超える場合、ＢａＯ，ＴｉＯ_２以外の成分の絶縁基板１内部への流入量が多くなり、絶縁基板１の特性を劣化させやすい傾向がある。

また、誘電率の高い結晶を析出させるガラスとして、ＢａＴｉＯ_３を析出するものの他に、ＮａＮｂ_２Ｏ_５を析出するものもあるが、電極ペースト中に含まれるガラスは、絶縁基板１の結晶相と同じ結晶相を析出するものが好ましい。すなわち、絶縁層１３の主成分がＢａＴｉＯ_３ならばＢａＴｉＯ_３を析出する結晶化ガラスを、絶縁層１３の主成分がＮａＮｂ_２Ｏ_５ならばＮａＮｂ_２Ｏ_５を析出する結晶化ガラスを電極ペースト用の添加物として使用することが好ましい。

そして、絶縁層１３の比誘電率は５０〜５０００程度が好ましく、比誘電率５０以下ではキャパシタ成分が大きくならず、比誘電率５０００以上では絶縁基板１との同時焼成が困難なものとなる。

また、抵抗体１５は、接続パッド３の直下の絶縁基板１の内部に配置されており、かつ容量形成用電極１２と接続パッド３との距離は、抵抗体１５と接続パッド３との距離よりも長いことが好ましい。なお、この容量形成用電極１２と接続パッド３との距離、および抵抗体１５と接続パッド３との距離とは、容量形成用電極１２と接続パッド３とを最短で結ぶ直線距離、および抵抗体１５と接続パッド３とを最短で結ぶ直線距離をいう。

抵抗体１５を接続パッド３の直下の絶縁基板１の内部に配置することにより、ＣＲ発振回路と接続パッド３との配線長をより短くすることができる。そのため、抵抗体１５と接続パッド３との間をより低抵抗で接続し、伝送ロスをさらに小さくすることができるので、一層の高精度駆動や応答精度の向上、低消費電力化による駆動時間の長期化を行なうことができる。

また同時に、容量形成用電極１２は、この接続パッド３の直下に配置されている抵抗体１５に比べて、接続パッド３との間の距離が長いため、接続パッド３と電極７等を介して電気的に接続される微小電子機械機構８との間の距離を離すことができる。

そのため、容量形成用電極１２により形成されるコンデンサから発生する発振ノイズが、微小電子機械機構８に与える干渉、特に、加速度センサの振動等の機械的な動作の阻害等の機械的な干渉を極力小さくすることができる。その結果、発振ノイズに起因して高精度駆動、応答精度の向上に支障が生じ、微小電子機械機構８の破壊や変形などが起こるのを防止することができる。

すなわち、この構成により、特に、機械的な作動をともなう微小電子機械機構８を備える電子部品１０について、センシング等の作動の信頼性を極めて高くして封止することができる。

容量形成用電極１２について、接続パッド３からの距離を、抵抗体１５と接続パッド３との間の距離よりも長くする場合、接続パッド３の直下の絶縁基板１の内部に位置する抵抗体１５から容量形成用電極１２にかけて、接続用の導体（図示せず）を配線導体２と同様の手段で形成すること等により、抵抗体１５と容量形成用電極１２とを電気的に接続させることができる。

容量形成用電極１２は、微小電子機械機構８の動作、特に振動等の機械的な動作に対する干渉を小さくする上では、微小電子機械機構８から離れるほど、つまり、他方主面側に近いほど、好ましい。一対の容量形成用電極１２のうち一つが、絶縁基板１の他方主面に露出して形成されていてもよい。

また、電子装置１６において、平面透視で微小電子機械機構８と重なる部位に、容量形成用電極８の非形成領域を設けるようにして、干渉をより効果的に抑制するようにしてもよい。

なお、酸化ルテニウムや銀パラジウムなどにより形成され、接続パッド３の直下の絶縁基板１の内部に配置される抵抗体１５は、例えば、上述したのと同様の手段により形成することができる。すなわち、メタライズ層形成手段やめっき層形成手段、蒸着膜形成手段等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、メタライズ層から成る場合であれば、酸化ルテニウムのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートに印刷して、積層した後、これをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。

このとき、酸化ルテニウムのペーストの印刷を、絶縁基板１となるグリーンシートのうち、接続パッド３の直下に位置する部位に行なうことにより、抵抗体１５を、接続パッド３の直下に配置することができる。

また、抵抗体１５は、接続パッド３もしくは接続パッド３に隣接する配線導体２が、他の接続パッド３もしくは配線導体２に比べて高抵抗とされることにより形成されていることが好ましい。

この場合、別途抵抗体１５を形成する場合に比べて、発振機能を備える電子部品封止用基板６および電子装置１６を、より一層小型に形成することができる。すなわち、抵抗体１５を別途パターンで設けるよりも、接続パッド３もしくは、配線導体２を抵抗体１５とすることにより、より短い距離でＣＲ発振回路を形成することができるため、より小型で高効率な発振回路が形成できる。

この場合、抵抗体１５は、接続パッド３もしくは接続パッド３に隣接する配線導体２を酸化ルテニウムや銀パラジウムなどで形成することにより形成される。

この形成の手段としては、メタライズ層形成手段やめっき層形成手段、蒸着膜形成手段等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、メタライズ層から成る場合であれば、絶縁基板１となるグリーンシートに、酸化ルテニウムのペーストを、所定の接続パッド３や、接続パッド３に隣接する配線導体２のパターンで印刷することにより形成される。

また、配線導体２がビア導体を含む場合であれば、上記グリーンシートに機械的な打ち抜き加工法等により貫通穴加工を行なったのち、貫通穴に酸化ルテニウムのペーストを充填して、積層した後、これをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。

これにより、抵抗体１５を別途パターンで設けるよりも、酸化ルテニウム等のペーストの印刷回数を減らすことができるので、電子部品封止用基板６および電子装置１６としての生産性を向上させることができる。

また、絶縁基板１は、容量形成用電極１２と、封止される微小電子機械機構（ＭＥＭＳ）８との間に介在するようにして、接地導体層１４が設けられていることが好ましい。

これにより、発振回路の容量形成用電極１２から発生する発振ノイズを、接地導体層１４でシールドすることができるため、発振ノイズに起因して高精度駆動、応答精度の向上に支障が生じ、微小電子機械機構領域の破壊や変形などが起こるのをより確実に防止することができる。

このような接地導体層１４は、配線導体２および接続パッド３と同様の材料を用い、同様の手段により作製される。

そして、電子装置１６は、基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が形成されて成る電子部品１０について、電極９を接続端子５に接合し、基板７の主面を枠部材４の主面に接合させることによって、枠部材４の内側に電子部品１０の微小電子機械機構８が気密封止されていることが好ましく、これにより、小型で信頼性の高い電子装置１６を得ることができる。

また、本発明の電子部品封止用基板６は、図２に実施の形態の他の例を断面図で示すように、接続パッド３および枠部材４を広面積の母基板の一方主面に縦横に配列形成した、いわゆる多数個取りの形態としておくことが好ましい。なお、図２において、図１と同じ部位には同じ符号を付してある。

このような多数個取りの形態としておくと、基板７の主面に微小電子機械機構８および、これに電気的に接続されたそれぞれの電極９の外部接続のための接続と微小電子機械機構８の封止とを同時に行なうことができるため、互いに接合された電子部品１０および電子部品封止用基板６から成る電子装置１６を、容易かつ確実に多数個製造することができ、生産性を優れたものとすることができる。

また、基板７の主面に、微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が多数個配列形成された、多数個取りの形態で製作される電子部品１０を一括して封止しておくと、基板７（および電子部品封止用基板６）にダイシング加工等の切断加工を施して、個々の電子部品１０（電子装置１６）に分割する際に、切断に伴って発生する切削粉等が微小電子機械機構８に付着してその作動を妨害する、という不具合の発生を効果的に防止することができる。

次に、このような電子装置１６の製造方法、特に、上記のように多数個取りの形態で製作する場合の製造方法について、図３（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。図３は本発明の電子装置１６の製造方法の実施の形態の一例をそれぞれ工程順に示した断面図であり、図３において図１と同じ部位には同じ符号を付してある。

まず、図３（ａ）に示すように、母基板１７の主面に、微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が形成されて成る電子部品領域１０ａを多数個、縦横に配列形成した多数個取り電子部品１０ｂを準備する。

母基板１７は、例えば単結晶や多結晶等のシリコン基板から成る。このシリコン基板の表面に酸化シリコン層を形成するとともに、フォトリソグラフィ等の微細配線加工技術を応用して、微小な振動体等の微小電子機械機構８および円形状パターン等の導体から成る電極９が形成された電子部品領域１０ａを多数個配列形成することにより多数個取り電子部品１０ｂが形成される。なお、この例においては、微小電子機械機構８と電極９とは、それぞれ母基板１７の主面に形成された微細配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。

次に、図３（ｂ）に示すように、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された母絶縁基板１８と、この母絶縁基板１８の一方主面に形成されるとともに配線導体２と電気的に接続された接続パッド３と、絶縁基板１の一方主面に接合された枠部材４と、主面に微小電子機械機構８を有するとともに枠部材４および接続パッド３に電気的に接続された接続端子５とから成る電子部品封止領域６ａを多数個、電子部品１０の電子部品領域１０ａに対応させて配列形成した電子部品封止用母基板６ｂとを準備する。

一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された母絶縁基板１８は、例えば、母絶縁基板１８が酸化アルミニウム質焼結体から成り、配線導体２がタングステンのメタライズ層から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム等の原料粉末を、有機樹脂、バインダとともに混練してスラリーを得て、このスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等によりシート状に成形して複数のグリーンシートを形成し、このグリーンシートの表面に、および必要に応じてグリーンシートに予め形成しておいた貫通孔内に、タングステンのメタライズペーストを印刷塗布、充填し、その後、これらのグリーンシートを積層して焼成することにより形成することができる。

なお、これらのグリーンシートのうち、一部のものに打ち抜き加工を施して四角形状等の開口部を形成しておき、これを一方主面側の最表層に配置し、または最表層から内部に向かって数層積層するようにして、焼成後の絶縁基板１の一方主面に、電子部品領域１０ａの配列に対応する凹部１ａが配列形成されるようにしておいてもよい。このように凹部１ａを形成しておくと、この凹部１ａの内側に微小電子機械機構８を収めることができるので、微小電子機械機構８を取り囲むための枠部材４の高さを低く抑えることができ、電子装置１６の低背化に有利なものとなる。

また、接続パッド３は、通常、配線導体２と同様の材料から成り、例えば、タングステンのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートのうち最表面に、配線導体２となる印刷されたタングステンペーストと接続されるようにして、かつ多数個が縦横に配列形成されるようにして、スクリーン印刷法等により印刷しておくことにより形成される。

また、枠部材４は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の鉄−ニッケル系合金、無酸素銅、アルミニウム、ステンレス鋼、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金から成る場合であれば、鉄−ニッケル−コバルト合金の金属板に圧延加工や金型による打ち抜き加工またはエッチング加工を行ない、枠状に成形することにより製作される。また、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点材，銀−ゲルマニウム系等の高融点材等の金属材料や、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の無機系材料、あるいはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂系材料等を塗布、印刷等により形成してもよい。

枠部材４と絶縁基板１との接合は、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点ろう材や銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材，導電性有機樹脂等の接合材を介して接合する方法、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法により行なうことができる。

接続端子５は、例えば、錫−銀系等の半田から成る場合であれば、この半田のボールを接続パッド３上に位置決めして加熱、溶融、接合させることにより形成される。

接続端子５の高さを枠部材４の高さと同じとする方法としては、例えば、接続端子５となる錫−銀半田を溶融させて接続パッド３上に取着形成する際に、その上面を枠部材４と同じ高さとなるようにしてセラミックス製の治具等で押さえておく等の方法を用いることができる。

なお、容量形成用電極１２と絶縁層１３は、図１もしくは図２と同じように形成される。

次に、図３（ｃ）に示すように、多数個取り電子部品１０ｂを電子部品封止用基板６ｂに対し各電子部品領域１０ａと各電子部品封止領域６ａとを対応させて重ね合わせ、電極９を接続端子５に接合するとともに、微小電子機械機構８の周囲の半導体基板７の主面を枠部材４の主面に接合して、微小電子機械機構８を枠部材４の内側に気密封止する。

ここで、電極９と接続端子５との接合は、例えば、接続端子５が錫−銀系半田から成る場合であれば、電極９上に接続端子５を位置合わせして載せ、これらを約２５０℃〜３００℃程度の温度のリフロー炉中で熱処理すること等により行なわれる。

また、微小電子機械機構８の周囲の基板７の主面と枠部材４の主面との接合は、例えば、この接合面に、接続端子５と同様の錫−銀系の半田を挟んでおき、上述の電極９と接続端子５との接合と同時にリフロー炉中で熱処理することにより行なうことができる。

この場合、接続端子５の高さを枠部材４の高さと同じとしていることから、電極９と接続端子５との接合と、枠部材４の主面と基板７の主面との接合を容易かつ確実に、同時に行なうことができる。

このように、本発明の電子装置１６の製造方法によれば、電子部品領域１０ａの電極９の外部導出のための接合と、微小電子機械機構８の気密封止のための接合とを同時に行なうことができるため、数時間程度を要する半田（ろう）付け等の接合の工程を、従来の製造方法に比べて、確実に少なくとも１工程減らすことができるので、電子装置１６の生産性を非常に高めることができる。

そして、図３（ｄ）に示すように、互いに接合された多数個取り電子部品１０ｂおよび電子部品封止用母基板６ｂを電子部品封止領域６ａ毎に分割して、電子部品封止領域６ａが分割された電子部品封止用基板６に電子部品領域１０ａが分割された電子部品１０が接合されて成る個々の電子装置１６を得る。

互いに接合された、それぞれ多数個取りの形態の電子部品１０ｂおよび電子部品封止用基板６ｂの接合体の切断は、この接合体に対して、ダイシング加工等の切断加工を施すことにより行なうことができる。

本発明の電子装置１６の製造方法においては、このダイシング加工等の切断加工の際に、各微小電子機械機構８は枠部材４の内側でこの枠部材４と基板７と絶縁基板１とにより気密封止されているので、基板７や絶縁基板１等の切断に伴って発生するシリコンやセラミックス等の切削粉等が微小電子機械機構８に付着することはなく、完成した電子装置１６において、微小電子機械機構８を確実に正常に作動させることができる。

このように、本発明の電子装置１６の製造方法によれば、従来のように、基板７の主面に多数個を縦横に配列形成した電子部品領域１０ａを切断する際に、その微小電子機械機構８をガラス板等で覆って保護するような工程を別途追加する必要はなく、この、保護のためだけという工程を確実に削除することができるので、電子装置１６の生産性を非常に高いものとすることができる。

また、このようにして製造された電子装置１６は、すでに気密封止されているとともに、その電極９が配線導体２を介して外部に導出された状態であるので、これを別途パッケージ内に実装するような工程を追加する必要はなく、配線導体２の導出された部分を外部の電気回路に半田ボール等の外部端子１１を介して接続するだけで、外部電気回路基板に実装して使用することができる。

また、この場合、配線導体２は、絶縁基体１の他方主面または側面に導出されているので、外部電気回路に表面実装の形態で接続することができ、高密度に実装することや、外部電気回路の基板を効果的に小型化することができ、実装の工程を非常に短く、かつ容易なものとすることができる。

さらに、分割して得られた電子装置１６は、絶縁基板１中に、この絶縁基板１の一部を介して互いに対向配置され、接続パッド３と電気的に接続された少なくとも一対の容量形成用電極１２と、容量形成用電極１２と電気的に接続されて絶縁基板１に形成された抵抗体１５とから成るＣＲ発振回路を形成したことから、微小電子機械機構８を形成した電子部品１０をこのＣＲ発振回路に接続することができ、製造された個々の電子装置１６は、発振の機能を備えたものとなっており、高精度駆動や応答精度の向上、駆動時間の長時間化が可能な微小電子機械機構８を形成した電子部品１０とすることができる。

したがって、本発明の電子装置１６の製造方法によれば、小型化および低消費電力化が容易で、かつ駆動の精度や応答精度に優れ、駆動の長寿命化が可能な電子装置１６を、生産性を良好として製造することが可能な製造方法を提供することができる。

なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば、種々の変形は可能である。

例えば、上述の実施の形態の例では一つの電子装置１６内に一つの微小電子機械機構８を気密封止したが、一つの電子装置１６内に複数の微小電子機械機構８を気密封止してもよい。

また、図１に示した例では、配線導体２は絶縁基板１の他方主面側に導出しているが、これを、側面に導出したり、側面および他方主面の両方に導出したりしてもよい。また、この導出された部分の外部電気回路への電気的な接続は、外部端子として半田ボールを介して行なうものに限らず、リード端子や導電性接着剤等を介して行なってもよい。

本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の電子装置の製造方法の実施の形態の一例をそれぞれ工程順に示した断面図である。 従来の電子部品封止用基板およびそれを用いて成る電子装置の一例を示す断面図である。

符号の説明

１：絶縁基板
２：配線導体
３：接続パッド
４：枠部材
５：接続端子
６：電子部品封止用基板
６ａ：電子部品封止領域
６ｂ：電子部品封止用母基板
７：基板
８：微小電子機械機構
９：電極
１０：電子部品
１０ａ：電子部品領域
１０ｂ：電子部品
１２：容量形成用電極
１３：絶縁層
１４：接地導体層
１５：抵抗体
１６：電子装置
１７：母基板
１８：母絶縁基板

Claims (7)

1. 一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成されるとともに前記配線導体に電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に接合された枠部材と、主面に微小電子機械機構の搭載部を有するとともに前記枠部材の内側に前記微小電子機械機構が気密封止されるように前記主面が前記枠部材に接合された基板と、該基板の前記主面に形成されるとともに前記微小電子機械機構および前記接続パッドに電気的に接続された電極とを具備する電子部品封止用基板において、前記絶縁基板中に、該絶縁基板の一部を介して互いに対向配置されるとともに前記接続パッドに電気的に接続された少なくとも一対の容量形成用電極と、該容量形成用電極に電気的に接続された抵抗体とを備えたことを特徴とする電子部品封止用基板。
2. 前記絶縁基板は、前記少なくとも一対の容量形成用電極の間に介在する部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも高いことを特徴とする請求項１記載の電子部品封止用基板。
3. 前記抵抗体は、前記接続パッドの直下の前記絶縁基板の内部に配置されており、かつ前記容量形成用電極と前記接続パッドとの距離は、前記抵抗体と前記接続パッドとの距離よりも長いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品封止用基板。
4. 前記抵抗体は、前記接続パッドもしくは前記接続パッドに隣接する前記配線導体が、他の前記接続パッドもしくは前記配線導体に比べて高抵抗とされることにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品封止用基板。
5. 前記絶縁基板は、前記容量形成用電極と、前記封止される微小電子機械機構との間に介在するようにして、接地導体層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品封止用基板。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子部品封止用基板の前記搭載部に微小電子機械機構を搭載して、前記基板と前記電極と前記微小電子機械機構とから成る電子部品を形成し、該電子部品を前記枠部材に接合して前記微小電子機械機構を前記枠体の内側で気密封止するとともに、前記微小電子機械機構を前記電極を介して前記容量形成用電極および前記抵抗体に電気的に接続したことを特徴とする電子装置。
7. 請求項６記載の電子装置の製造方法であって、母基板に前記微小電子機械機構および前記電極が形成されて成る電子部品領域を多数個縦横に配列形成した多数個取り電子部品を準備する工程と、母絶縁基板に前記配線導体、前記接続パッド、前記枠部材、前記容量形成用電極、および前記抵抗体が形成されて成る電子部品封止領域を多数個前記電子部品の前記電子部品領域に対応させて配列形成した電子部品封止用母基板を準備する工程と、前記多数個取り電子部品における前記電極を前記接続パッドに電気的に接続するとともに、それぞれの前記微小電子機械機構の周囲の前記母基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合して前記微小電子機械機構を前記枠部材の内側に気密封止する工程と、互いに接合された前記多数個取り電子部品および前記電子部品封止用母基板を前記電子部品封止領域毎に分割して、前記電子部品封止領域に前記電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を得る工程と
   を具備することを特徴とする電子装置の製造方法。

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