JP2008155200A - 吐出方法、吐出装置、液晶パネルの製造方法、液晶パネル製造装置、回路基板の配線パターン形成方法及び回路基板の配線パターン形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】マザーガラス基板から離れた待機位置からマザーガラス基板に移動してマザーガラス基板の各セルへの液滴の配置するとき、マザーガラス基板の各セルに供給される液滴の量を一様にする吐出方法、吐出装置、液晶パネルの製造方法、液晶パネル製造装置、回路基板の配線パターン形成方法及び回路基板の配線パターン形成装置を提供する。
【解決手段】液滴吐出ヘッド２０が待機位置からマザーガラス基板ＭＳへ移動してマザーガラス基板ＭＳの各セルに加熱された液晶の液滴を吐出する前に、待機位置で該液滴吐出ヘッド２０の周辺温度を、該マザーガラス基板ＭＳの各セルの液滴を吐出している時の吐出ヘッド２０の周辺温度と同じ第２の目標温度にして待機させた。
【選択図】図１

Description

本発明は、吐出方法、吐出装置、液晶パネルの製造方法、液晶パネル製造装置、回路基板の配線パターン形成方法及び回路基板の配線パターン形成装置に関する。

従来の注入法に代わって、液滴吐出装置を使用して液晶材料の液滴を吐出させて貼り合わせ前のガラス基板上のシール材の枠内に充填することが知られている。
この種の液滴吐出装置には、ステージに載置したマザーカラス基板と、マザーガラス基板上にマトリクス状に区画形成された各セル内に液晶を液滴として吐出する液滴吐出ヘッドと、マザーガラス基板（ステージ）と液滴吐出ヘッドを２次元的に相対移動させる機構を備えている。そして、液滴吐出ヘッドから吐出させた液晶の液滴を、各セルの四角枠状に形成されたシール部材内に、所定に量だけ配置させる。このとき、各セルに配置される液晶の液滴の量は、全て同じである必要がある。そして、マザーガラス基板と対向基板を貼り合わせた後、セル毎に切断して複数の液晶パネルが製造される。

ところで、液晶は常温において粘度が高く、粘度が高い状態で液滴吐出ヘッドから吐出すると、吐出重量が安定せず、各セルに配置される液晶の液滴の量が均一にならない。また、目詰まりの原因にもなる。そのため、液滴吐出装置では、液晶を加熱手段で加熱し粘度を下げた状態にして液晶を液滴にして吐出させるようにしている（特許文献１）。特許文献１では、液滴吐出ヘッドに加熱手段を設け、その加熱手段を制御手段で制御し常に、液晶が所定の温度になるようにしている。
特開２００３−１９７９０号 公報

このように、液晶を加熱手段にて制御していても、吐出ヘッドをマザーガラス基板から離れた待機位置からマザーガラス基板まで移動させて、マザーガラス基板の各セルに対して液滴の配置を開始するとき、各セルに供給される液滴の量は、初期段階に供給されるセルの方が減少傾向にあった。

これは、吐出ヘッドが待機位置で待機している時は、その待機位置での周辺の温度を検出し該周辺の温度をフィードバックして温度制御が行われる。従って、吐出ヘッドが待機位置で待機している時間が長いほど、周辺の温度変化の小さいことから、フィードバック量も小さくなり安定した温度制御が行われる。

しかしながら、マザーガラス基板から離れた待機位置からマザーガラス基板に移動して各セルへの液滴の吐出を開始するとき、待機位置での雰囲気とマザーガラス基板上での雰囲気は相違する。この雰囲気の違い及び移動によって、液滴吐出ヘッドの温度は、温度が下がる。そして、今まで、待機位置におけるその周辺と吐出ヘッドとの間での熱収支が安定して行われていたのが、マザーガラス基板上に移動することによって、その周辺と吐出ヘッドとの間での熱収支が急激に大きく変動する。やがて、吐出ヘッドがマザーガラス基板上に長くいることで、周辺と吐出ヘッドとの間の熱収支が安定し、フィードバック量も小さくなり安定した温度制御が行われる。このように、熱収支の急激な変動のある初期段階に液晶の粘性が大きく変動することから、各セルに供給される液滴の量は、初期段階に供給されるセルの方が減少する。

また、吐出ヘッドのノズルプレートは、非常に薄い金属板で形成され、熱の放熱が高いので、吐出ヘッドにある液晶は熱を奪われることから、各セルに供給される液滴の量は、その初期段階に供給されるセルの方がさらに減少する傾向にあった。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板から離れた待機位置から基板まで移動させて該基板に液滴の配置するとき、基板に供給される液滴の量を一様にすることができる吐出方法、吐出装置、液晶パネルの製造方法、液晶パネル製造装置、回路基板の配線パターン形成方法及び回路基板の配線パターン形成装置を提供することにある。

本発明の吐出方法は、吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出方法であって、前記吐出手段が待機位置から前記基板へ移動して前記基板に前記液状体を吐出する前に、前記待機位置で前記吐出手段の周辺温度を、前記基板に前記液状体を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じにして待機する。

本発明の吐出方法によれば、待機位置から基板に移動したとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、基板上に供給される液状体の量を、初期段階から基板に対して一様に供給することができる。

本発明の吐出装置は、吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出装置であって、前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、前記待機ステージに設けられ、前記待機ステージの周辺の温度を、前記吐出手段が前記基板に前記液状体を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じ温度に調整する温度制御手段とを備えた。

本発明の吐出装置によれば、吐出手段を待機位置から基板に移動させたとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、基板上に供給される液状体の量を、初期段階から基板に対して一様に供給することができる。

本発明の吐出装置は、吐出手段から液状体を吐出する吐出装置であって、前記吐出手段を介して前記吐出手段に収容された液状体の温度を検出する第１温度検出手段と、前記第１温度検出手段の検出信号に基づいて、前記液状体の温度を第１の目標温度に制御する第１の温度制御手段と、前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、前記待機ステージの周辺の温度を検出する第２温度検出手段と、前記第２温度検出手段の検出信号に基づいて、前記待機ステージの周辺の温度を第２の目標温度に調整する第２の温度制御手段とを備えた。

本発明の吐出装置によれば、第２の温度制御手段が第２温度検出手段の検出信号に基づいて、待機ステージの周辺の温度を第２の目標温度に調整する。従って、例えば、第２の目標温度を、基板に液状体を吐出している時の吐出手段の周辺温度とすれば、第１の温度制御手段は、待機位置にある吐出手段に対して、該吐出手段が基板に液状体を吐出しているときと同じ条件の制御となる。つまり、待機位置から基板に移動したとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第１の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく液状体の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において液状体の加熱温度が大きく変動することによる吐出量の変動を防止する。

この吐出装置において、前記第２の目標温度は、前記基板に液状体が吐出されている時の前記吐出手段の周辺温度であり、予め求められたものである。
この吐出装置によれば、第１の温度制御手段は、待機位置にある吐出手段に対して、該
吐出手段が基板に液状体を吐出しているときと同じ条件の制御となることから、待機位置から基板に移動したとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第１の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく液状体の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において液状体の加熱温度が大きく変動することによる吐出量の変動を防止する。

この吐出装置において、前記第２の目標温度は、前記基板に前記液状体が吐出されている時の前記基板の基板温度であり、予め求められたものである。
この吐出装置によれば、第１の温度制御手段は、待機位置にある吐出手段に対して、該吐出手段が基板に液状体を吐出しているときの基板温度と同じ条件の制御となることから、待機位置から基板に移動したとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第１の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく液状態の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において液状体の加熱温度が大きく変動することによる吐出量の変動を防止する。

本発明の吐出装置は、吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出装置であって、前記基板を載置し、該基板を前記吐出手段との間で相対移動させる搬送ステージと、前記搬送ステージに設けられ、前記基板を第３の目標温度に加熱する第３の温度制御手段と、前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、前記待機ステージに設けられ、前記待機ステージの周辺の温度を、前記吐出手段が前記基板に前記液状体を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じ第４の目標温度に調整する第４の温度制御手段とを備えた。

本発明の吐出装置によれば、第４の温度制御手段が、待機ステージの周辺の温度を第４の目標温度に調整する。従って、例えば、第４の目標温度を、基板に液状体を吐出している時の吐出手段の周辺温度とすれば、吐出手段を待機位置から基板に移動させたとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第３の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく基板の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において基板温度が大きく変動することに伴う吐出手段内の液状体の温度変動よる吐出量の変動を防止する。

この吐出装置において、前記第４の目標温度は、前記基板に液状体が吐出されている時の前記吐出手段の周辺温度であり、予め求められたものである。
この吐出装置によれば、吐出手段を待機位置から基板に移動させたとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第３の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく基板の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において液状体の温度変動が小さく抑えられることによる吐出量の変動を防止する。

この吐出装置において、前記第４の目標温度は、前記基板に前記液状体が吐出されている時の前記基板の基板温度であり、予め求められたものである。
この吐出装置によれば、吐出手段を待機位置から基板に移動させたとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第３の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく基板温度の変動も小さく抑えられる。その結果、初期段階において液状体の温度変動が小さく抑えられ吐出量の変動を防止する。

本発明の液晶パネルの製造方法は、液晶を吐出手段にて吐出し、基板に前記液晶を予め定めた量だけ配置する液晶パネルの製造方法であって、前記吐出手段が待機位置から前記基板へ移動して前記基板に前記液晶を吐出する前に、前記待機位置で前記吐出手段の周辺温度を、前記基板に前記液晶を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じにして
待機する。

本発明の液晶パネルの製造方法によれば、待機位置から基板に移動したとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、基板に液晶の供給の初期段階において、液晶の加熱制御量が大きく変動するのを未然に抑制でき、初期段階において液晶の加熱温度が大きく変動することによる吐出量の変動を防止する。

本発明の液晶パネル製造装置は、液晶を吐出手段にて吐出し、基板に前記液晶を予め定めた量だけ配置する液晶パネル製造装置であって、前記吐出手段を介して前記吐出手段に収容された液晶の温度を検出する第１温度検出手段と、前記第１温度検出手段の検出信号に基づいて、前記液晶の温度を第１の目標温度に制御する第１の温度制御手段と、前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、前記待機ステージの周辺の温度を検出する第２温度検出手段と、前記第２温度検出手段の検出信号に基づいて、前記待機ステージの周辺の温度を第２の目標温度に調整する第２の温度制御手段とを備えた。

本発明の液晶パネル製造装置によれば、第２の温度制御手段が第２温度検出手段の検出信号に基づいて待機ステージの周辺の温度を第２の目標温度に調整する。従って、例えば、第２の目標温度を、基板に液晶を吐出している時の吐出手段の周辺温度とすれば、第１の温度制御手段は、待機位置にある吐出手段に対して、該吐出手段が基板に液晶を吐出しているときと同じ条件の制御となる。つまり、待機位置から基板に移動したとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第１の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく液晶の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において液晶の加熱温度が大きく変動することによる吐出量の変動を防止する。

本発明の回路基板の配線パターン形成方法は、金属インクを吐出手段にて吐出し、基板の表面に前記金属インクにて配線パターンを描画する回路基板の配線パターン形成方法であって、前記吐出手段が待機位置から前記基板へ移動して前記基板に前記金属インクを吐出する前に、前記待機位置で前記吐出手段の周辺温度を、前記基板に前記金属インクを吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じにして待機する。

本発明の回路基板の配線パターン形成方法によれば、吐出手段を待機位置から基板に移動させたとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、基板に金属インクを供給する初期段階において、基板の加熱制御量が大きく変動するのを未然に抑制でき、初期段階において吐出手段内にある金属インクの温度変動を抑えことによる吐出量の変動を防止する。

本発明の回路基板の配線パターン形成装置は、金属インクを吐出手段にて吐出し、基板の表面に前記金属インクにて配線パターンを描画する回路基板の配線パターン形成装置であって、前記基板を載置し、該基板を前記吐出手段との間で相対移動させる搬送ステージと、前記搬送ステージに設けられ、前記基板を第３の目標温度に加熱する第３の温度制御手段と、前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、前記待機ステージに設けられ、前記待機ステージの周辺の温度を、前記吐出手段が前記基板に前記金属インクを吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じ第４の目標温度に調整する第４の温度制御手段とを備えた。

本発明の回路基板の配線パターン形成装置によれば、第４の温度制御手段が待機ステージの周辺の温度を第４の目標温度に調整する。従って、例えば、基板に金属インクを吐出
している時の吐出手段の周辺温度を、第４の目標温度とすれば、吐出手段を待機位置から基板に移動させたとき、その前後で、吐出手段と該吐出手段の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。従って、第３の温度制御手段の制御量は低く抑えられ、それに基づく液晶の温度変動も低く抑えられる。その結果、初期段階において吐出手段内にある金属インクの温度変動を抑え吐出量の変動を防止する。

（第１実施形態）
以下、本発明を具体化したマザーガラス基板上に区画形成された各セル内に液晶を配置する液滴吐出装置について説明する。

図１は、液滴吐出装置１０を説明するための全体斜視図を示す。図１において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を有している。基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形成されている。案内溝１２の上方には、案内溝１２に沿って主走査方向（Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向）に移動するステージ１３が備えられている。ステージ１３の上面には、載置部１４が形成されて、基板としてのマザーガラス基板ＭＳが載置される。

載置部１４は、載置された状態のマザーガラス基板ＭＳをステージ１３に対して位置決め固定して、マザーガラス基板ＭＳをＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送する。マザーガラス基板ＭＳは、対向基板との貼り合わせ前の液晶パネル（セルＳ）を複数枚切出し可能とした１枚の大判のガラス基板である。本実施形態では、説明を簡単にするために、図２に示すように、１枚のマザーガラス基板ＭＳはマトリクス状に７×９の液晶パネル（セルＳ）を有する場合について説明する。

つまり、図２に示すように、１枚のマザーガラス基板ＭＳは、セルＳを形成する領域（以下、「描画領域」という）Ｚがマトリクス状に区画形成されるとともに、各描画領域Ｚ以外にはセルＳを形成しないセル非形成領域（以下、「非描画領域」という）が形成されている。各描画領域Ｚはシール部材に囲まれて四角形状を成している。

以下、説明の便宜上、マザーガラス基板ＭＳの縦方向をＹ矢印方向とし、マザーガラス基板ＭＳの横方向をＸ矢印方向と定義する。
基台１１には、主走査方向と直交する副走査方向（Ｘ矢印方向及び反Ｘ矢印方向）に跨ぐ門型のガイド部材１５が架設されている。ガイド部材１５の上側には、Ｘ矢印方向に延びるタンク１６が配設され、そのタンク１６には液晶Ｆ（図４参照）が収納されている。

そのタンク１６に収容された液状体としての液晶Ｆは、該タンク１６に接続された供給チューブＴ（図４参照）を介して液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２０に所定の圧力で供給されるようになっている。そして、吐出ヘッド２０に供給された液晶Ｆは、該吐出ヘッド２０から液滴Ｆｂ（図４参照）となってマザーガラス基板ＭＳに向かって吐出されるようになっている。

ガイド部材１５には、そのＸ矢印方向略全幅にわたって、Ｘ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール１８が形成されている。上下一対のガイドレール１８には、キャリッジ１９が取り付けられている。キャリッジ１９は、ガイドレール１８に案内されてＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動する。キャリッジ１９には、吐出手段としての液滴吐出ヘッド２０が搭載されている。

図３は、吐出ヘッド２０をマザーガラス基板ＭＳ側（下側）から見た図である。吐出ヘッド２０のノズルプレート２５は、そのノズル形成面２５ａに形成したノズルＮからなる
一対のノズル列ＮＬを備えている。一対のノズル列ＮＬでは、Ｘ矢印方向から見て、一方のノズル列ＮＬの各ノズルＮが、他方のノズル列ＮＬの各ノズルＮの間を補間する。すなわち、吐出ヘッド２０は、Ｘ矢印方向に、１インチ当りに１８０個×２＝３６０個のノズルＮを有する（最大解像度が３６０ｄｐｉである）。

図４は、吐出ヘッド２０の内部構成を説明するための要部断面図である。
図４において、吐出ヘッド２０の上側には、供給チューブＴが連結されている。供給チューブＴは、タンク１６の液晶Ｆを吐出ヘッド２０に供給する。

ノズルプレート２５の各ノズルＮの上側には、供給チューブＴに連通するキャビティ２６が形成されている。キャビティ２６は、供給チューブＴからの液晶Ｆを収容して、対応するノズルＮに液晶Ｆを供給する。キャビティ２６の上側には、上下方向に振動してキャビティ２６内の容積を拡大及び縮小する振動板２７が貼り付けられている。振動板２７の上側には、ノズルＮに対応する圧電素子ＰＺが配設されている。圧電素子ＰＺは、上下方向に収縮及び伸張して振動板２７を上下方向に振動させる。

上下方向に振動する振動板２７は、液晶Ｆを所定サイズの液滴Ｆｂにして対応するノズルＮから吐出させる。吐出された液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行して、直下を通過するマザーガラス基板ＭＳの吐出面ＭＳａに対して着弾するようになっている。つまり、吐出ヘッド２０の直下を主走査方向にマザーガラス基板ＭＳが移動するとき、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に、吐出ヘッド２０から液滴Ｆｂが吐出される。

また、吐出ヘッド２０のＹ矢印側の側面には、第１の温度制御手段を構成するラバーヒータＨが取着され、キャビティ２６に収容された液晶Ｆを予め定めた第１の目標温度に加熱する。ここで、第１の目標温度とは、吐出ヘッド２０が液滴Ｆｂとして吐出することができる粘性になる液晶Ｆの温度であって、本実施形態では、７０℃としている。吐出ヘッド２０の反Ｙ矢印側の側面には、第１温度検出手段としての第１温度検出センサＳＥ１が取着され、吐出ヘッド２０を介してキャビティ２６に収容された液晶Ｆの温度を検出するようになっている。

さらに、図１に示すように、ステージ１３の反Ｘ矢印方向側には、待機ステージ３０が設けられている。待機ステージ３０は、その上面３０ａが四角形状をなし、その直上位置に、吐出ヘッド２０が、対向配置されるようになっている。ここで、この吐出ヘッド２０がステージ１３の反Ｘ矢印方向側に設けた待機ステージ３０に位置する位置を待機位置という。図５に示すように、待機ステージ３０の上面３０ａには凹部は形成され、その凹部には第２の温度制御手段を構成するペルチェ素子ＰＴが上面３０ａと面一となるように配設されている。そして、本実施形態では、待機ステージ３０は、吐出ヘッド２０のノズルプレート２５（ノズル形成面２５ａ）と待機ステージ３０の上面３０ａ（ペルチェ素子ＰＴ）との間隔が、該ノズルプレート２５（ノズル形成面２５ａ）とステージ１３に載置されたマザーガラス基板ＭＳ（吐出面ＭＳａ）と同じ間隔となるように高さ調整がなされている。

ペルチェ素子ＰＴは、吐出ヘッド２０が待機位置にある時、待機ステージ３０の温度を調節して吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態を温度制御する。詳述すると、吐出ヘッド２０が、その直下を、マザーガラス基板ＭＳを通過させて、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態と同じ状態となる予め定めた温度（第２の目標温度）になるように温度制御するようになっている。なお、この第２の目標温度は、実験、試験又は計算等で求めたものである。

又、待機ステージ３０の上面３０ａには、第２温度検出手段としての第２温度検出センサＳＥ２がペルチェ素子ＰＴと同様に、設けられ、待機位置の周辺の温度、即ち、吐出ヘッド２０が待機位置に位置するときの該吐出ヘッド２０の周辺の温度を検出するようになっている。

次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図６に従って説明する。
図６において、第１の温度制御手段及び第２の温度制御手段を構成する制御装置５０は、ＣＰＵ５０Ａ、ＲＯＭ５０Ｂ、ＲＡＭ５０Ｃ等を有している。制御装置５０は、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ１３の搬送処理、キャリッジ１９の搬送処理、吐出ヘッド２０の液滴吐出処理を実行する。また、制御装置５０は、同様に、ラバーヒータＨの駆動制御、ペルチェ素子ＰＴの駆動制御などを実行する。

制御装置５０には、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置５１が接続されている。入出力装置５１は、液滴吐出装置１０が実行する各種処理の処理状況を表示する。入出力装置５１は、マザーガラス基板ＭＳ上に液滴Ｆｂでパターンを形成するためのビットマップデータＢＤを生成し、そのビットマップデータＢＤを制御装置５０に入力する。

ビットマップデータＢＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定したデータである。ビットマップデータＢＤは、吐出ヘッド２０（各ノズルＮ）の通過する描画平面（吐出面ＭＳａ）上の各位置に、液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、ビットマップデータＢＤは、吐出面ＭＳａに規定されたパターンの目標形成位置に液滴Ｆｂを吐出させるためのデータである。

そして、本実施形態のビットマップデータＢＤは、図２に示すように、マザーガラス基板ＭＳの全てのセルＳ（描画領域Ｚ）に対して予め定めた同じ量の液晶Ｆを供給するために、各セルＳに対して、セルＳ（描画領域Ｚ）内のどの位置に液滴Ｆｂを配置（着弾）させる、即ち、各セルＳ（描画領域Ｚ）内を液滴Ｆｂでパターンを形成（描画）するためのビットマップデータＢＤである。

制御装置５０には、Ｘ軸モータ駆動回路５２が接続されている。制御装置５０は、駆動制御信号をＸ軸モータ駆動回路５２に出力する。Ｘ軸モータ駆動回路５２は、制御装置５０からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ１９を移動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。制御装置５０には、Ｙ軸モータ駆動回路５３が接続されている。制御装置５０は、駆動制御信号をＹ軸モータ駆動回路５３に出力する。Ｙ軸モータ駆動回路５３は、制御装置５０からの駆動制御信号に応答して、ステージ１３を移動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。

制御装置５０には、ヘッド駆動回路５４が接続されている。制御装置５０は、所定の吐出周波数に同期させた吐出タイミング信号ＬＴａをヘッド駆動回路５４に出力する。制御装置５０は、各圧電素子ＰＺを駆動するための駆動電圧ＣＯＭａを吐出周波数に同期させてヘッド駆動回路５４に出力する。

制御装置５０は、ビットマップデータＢＤを利用して所定の周波数に同期したパターン形成用制御信号ＳＩａを生成し、パターン形成用制御信号ＳＩａをヘッド駆動回路５４にシリアル転送する。ヘッド駆動回路５４は、制御装置５０からのパターン形成用制御信号ＳＩａを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。ヘッド駆動回路５４は、制御装置５０からの吐出タイミング信号ＬＴａを受けるたびに、シリアル／パラレル変換したパターン形成用制御信号ＳＩａをラッチし、パターン形成用制御信号ＳＩａ
によって選択される圧電素子ＰＺにそれぞれ駆動電圧ＣＯＭａを供給する。

制御装置５０には、第１の温度制御手段を構成するラバーヒータ駆動回路５５が接続されている。制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路５５に駆動制御信号を出力する。ラバーヒータ駆動回路５５は、制御装置５０からの駆動制御信号に応答して、ラバーヒータＨを駆動制御する。そして、吐出ヘッド２０に取着したラバーヒータＨは、吐出ヘッド２０内の液晶Ｆを予め定めた目標温度にまで加熱する。即ち、ラバーヒータＨによって、吐出ヘッド２０に供給された液晶Ｆは、予め定めた目標温度（本実施形態では７０℃）に加熱されるようになっている。

制御装置５０には、第２の温度制御手段を構成するペルチェ素子駆動回路５６が接続されている。制御装置５０は、ペルチェ素子駆動回路５６に駆動制御信号を出力する。ペルチェ素子駆動回路５６は、制御装置５０からの駆動制御信号に応答して、ペルチェ素子ＰＴを駆動制御する。そして、待機ステージ３０に設けたペルチェ素子ＰＴは、待機位置にある吐出ヘッド２０が、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態（第２の目標温度）と同じ状態となるように、温度制御するようになっている。つまり、制御装置５０は、吐出ヘッド２０の周辺の温度が第２の目標温度となるように、ペルチェ素子ＰＴを駆動制御する。

制御装置５０には、第１温度検出センサＳＥ１が接続されている。制御装置５０は、第１温度検出センサＳＥ１からの検出信号を入力して、その時々の吐出ヘッド２０内の液晶Ｆの温度を求めるようになっている。制御装置５０は、求めた液晶Ｆの温度と前記予め設定した第１の目標温度と比較し、液晶Ｆの温度が第１の目標温度になるように、ラバーヒータ駆動回路５５を介してラバーヒータＨを駆動制御するようになっている。

制御装置５０には、第２温度検出センサＳＥ２が接続されている。制御装置５０は、第２温度検出センサＳＥ２からの検出信号を入力して、その時々の待機ステージ３０の周辺の温度（待機位置にいる吐出ヘッド２０の周辺の温度）を求めるようになっている。制御装置５０は、求めた周辺の温度と前記予め設定した第２の目標温度と比較し、周辺の温度が第２の目標温度になるように、ペルチェ素子駆動回路５６を介してペルチェ素子ＰＴを駆動制御するようになっている。

次に、上記液滴吐出装置１０を利用してマザーガラス基板ＭＳの各セルＳに、予め定めた量の液晶Ｆを供給する方法について説明する。
いま、図１に示すように、吐出ヘッド２０は、ステージ１３から離間した反Ｘ矢印方向の待機位置で待機している。この待機状態において、制御装置５０は、第１温度検出センサＳＥ１からの検出信号を入力し、吐出ヘッド２０内の液晶Ｆが第１の目標温度（７０℃）になるように、ラバーヒータ駆動回路５５を介してラバーヒータＨを駆動して、加熱制御している。また、制御装置５０は、第２温度検出センサＳＥ２からの検出信号を入力し、待機ステージ３０の周辺が第２の目標温度になるように、ペルチェ素子駆動回路５６を介してペルチェ素子ＰＴを駆動して、待機ステージ３０の周辺の温度を制御している。

従って、待機位置にある吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態は、吐出ヘッド２０が、その直下を、マザーガラス基板ＭＳを通過させて、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態と同じ状態（第２の目標温度）になるように温度制御される。

その結果、待機状態において、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支は、マザーガラス基板ＭＳを通過させて、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して液滴Ｆ
ｂを吐出している時の、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支と同じとなっている。言い換えると、ラバーヒータ駆動回路５５は、待機位置においても、マザーガラス基板ＭＳを通過させて、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して液滴Ｆｂを吐出している時と同じ、出力（電力）でラバーヒータＨを第１の目標温度になるように加熱制御している。

また、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに液滴Ｆｂによるパターンを形成するためのビットマップデータＢＤが入出力装置５１から制御装置５０に入力されている。従って、制御装置５０は、入出力装置５１からのビットマップデータＢＤを格納している。

やがて、マザーガラス基板ＭＳがステージ１３に載置される。このとき、マザーガラス基板ＭＳは、ステージ１３の載置部１４上の反Ｙ矢印方向側に配置され、入出力装置５１から、制御装置５０へ作業開始の指令信号が出力される。

制御装置５０は、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介してＸ軸モータＭＸを駆動して吐出ヘッド２０を待機位置からＸ矢印方向に移動させる。そして、吐出ヘッド２０が、マザーガラス基板ＭＳの最も反Ｘ矢印方向側にある各セルＳ（描画領域Ｚ）がその直下をＹ矢印方向に通過する位置まで移動すると、制御装置５０は、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介してＸ軸モータＭＸを停止させるとともに、Ｙ軸モータ駆動回路５３を介してＹ軸モータＭＹを駆動して、マザーガラス基板ＭＳをＹ矢印方向移動させる。

マザーガラス基板ＭＳをＹ矢印方向に移動させると、制御装置５０は、ビットマップデータＢＤに基づいてパターン形成用制御信号ＳＩａを生成して、パターン形成用制御信号ＳＩａと駆動電圧ＣＯＭａをヘッド駆動回路５４に出力する。すなわち、制御装置５０は、ヘッド駆動回路５４を介して各圧電素子ＰＺを駆動制御し、各セルＳ内に液晶Ｆを供給するための着弾位置が吐出ヘッド２０の直下を通過するたびに、選択されたノズルＮから液滴Ｆｂを吐出させる。

そして、待機位置において、待機ステージ３０（吐出ヘッド２０）の周辺は、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態と同じ状態（第２の目標温度）になるように温度制御されている。従って、待機位置からこのＹ矢印方向にステージ１３（マザーガラス基板ＭＳ）を移動させる時、その前後で、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支バランスは崩れない。その結果、制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路５５に対する制御量は小さく抑えられ、ラバーヒータ駆動回路５５は小さな出力（電力）でラバーヒータＨを加熱制御する。そのため、吐出開始時点で、既に液晶Ｆは吐出ヘッド２０内で、第１の目標温度に安定制御されることから、最初に液滴Ｆｂを吐出するセルＳから、安定した低粘度の液晶Ｆの液滴Ｆｂが吐出される。その結果、各セルＳに供給される液滴Ｆｂの量を、初期の段階に供給されるセルＳから一様に供給することができる。

マザーガラス基板ＭＳの最も反Ｘ矢印方向側にある各セルＳ（描画領域Ｚ）への液晶Ｆ（液滴Ｆｂ）の供給が終了すると、制御装置５０は、Ｙ軸モータ駆動回路５３を介してＹ軸モータＭＹを停止させるとともに、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介してＸ軸モータＭＸを駆動して吐出ヘッド２０を、マザーガラス基板ＭＳの次の反Ｘ矢印方向側にある各セルＳ（描画領域Ｚ）が、その直下を反Ｙ矢印方向に通過する位置まで、移動（フィード）させる。

吐出ヘッド２０がフィードされると、制御装置５０は、Ｙ軸モータ駆動回路５３を介してＹ軸モータＭＹを駆動して、ステージ１３を反Ｙ矢印方向に移動（スキャン）させる。ステージ１３の反Ｙ矢印方向に移動を開始させると、制御装置５０は、ビットマップデー
タＢＤに基づいてパターン形成用制御信号ＳＩａを生成して、パターン形成用制御信号ＳＩａと駆動電圧ＣＯＭａをヘッド駆動回路５４に出力する。すなわち、制御装置５０は、ヘッド駆動回路５４を介して各圧電素子ＰＺを駆動制御し、各セルＳ内に液晶Ｆを供給するための着弾位置が吐出ヘッド２０の直下を通過するたびに、選択されたノズルＮから液滴Ｆｂを吐出させる。

以後、同様な動作を繰り返して、マザーガラス基板ＭＳの全てのセルＳに全て同じ量の液晶Ｆを供給して、一つのマザーガラス基板ＭＳに対する各セルＳへの液晶Ｆの供給が完了する。そして、吐出ヘッド２０は待機位置に移動し、次の新たなマザーガラス基板ＭＳがステージ１３にセットされるのを待つ。

このとき、前記と同様に、制御装置５０は、第２温度検出センサＳＥ２からの検出信号を入力し、待機ステージ３０の周辺が第２の目標温度になるように、ペルチェ素子駆動回路５６を介してペルチェ素子ＰＴを駆動して、待機ステージ３０の周辺の温度を制御している。

次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、液滴吐出ヘッド２０が待機位置から前記マザーガラス基板ＭＳへ移動してマザーガラス基板ＭＳの各セルＳに加熱された液晶Ｆの液滴Ｆｂを吐出する前に、待機位置で該液滴吐出ヘッド２０の周辺温度を、該マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに液滴Ｆｂを吐出している時の吐出ヘッド２０の周辺温度と同じ第２の目標温度にして待機させた。従って、待機位置からマザーガラス基板ＭＳに移動したとき、その前後で、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。その結果、各セルＳに液滴Ｆｂの供給の初期段階において、液滴吐出ヘッド２０を加熱するラバーヒータＨの加熱制御量が大きく変動するのを未然に抑制でき、初期段階において液晶Ｆの加熱温度が大きく変動することによる吐出量の変動を防止することができる。

（２）上記実施形態によれば、待機位置で液滴吐出ヘッド２０の周辺温度を、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳの液滴を吐出している時の吐出ヘッド２０の周辺温度と同じ第２の目標温度にして待機させたので、直ちに、マザーガラス基板の各セルＳに対して同じ量の液晶Ｆが供給できる。従って、生産性を上げることができる。

（３）上記実施形態によれば、待機ステージ３０（吐出ヘッド２０）の周辺温度の調整をペルチェ素子ＰＴで行った。従って、１つのペルチェ素子ＰＴで待機ステージ３０の周辺の温度を上昇又は下降させて第２の目標温度に調整することができる。

（４）上記実施形態によれば、第２の目標温度を、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態と同じ状態の温度とした。従って、マザーガラス基板ＭＳに液滴を吐出させているときと非常に近い条件を待機位置で作りだすことができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、ＬＴＣＣ多層基板（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics多層基板）に半導体チップを実装してな
る回路モジュールであって、そのＬＴＣＣ多層基板を構成する複数の低温焼成基板（グリーンシート）に配線パターンを形成する液滴吐出装置に具体化したものである。

まず、ＬＴＣＣ多層基板に半導体チップを実装してなる回路モジュールについて説明する。図７は、回路モジュール１の断面図を示し、回路モジュール１は、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、そのＬＴＣＣ多層基板２の上側に、ワイヤーボンディング接続された半導体チップ３とを有している。

ＬＴＣＣ多層基板２は、シート状に形成された複数の低温焼成基板４の積層体である。各低温焼成基板４は、それぞれガラスセラミック系材料（例えば、ホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミック成分の混合物）の焼結体（多孔質性基板）であって、その厚みが数百μｍで形成されている。

そして、低温焼成基板４は、その焼結前のものをグリーンシート４Ｇ（図８参照）という。グリーンシート４Ｇは、ガラスセラミック系材料の粉末と分散媒をバインダー、整泡剤などとともに混合してスラリーを作成しこれを板状にした後に乾燥したものである。

各低温焼成基板４には、抵抗素子、容量素子、コイル素子などの各種の回路素子５と、各回路素子５を電気的に接続する内部配線６と、スタックビア構造、サーマルビア構造を呈する所定の孔径を有した複数のビアホール７と、該ビアホール７に充填されたビア配線８と、がそれぞれ回路設計に基づいて適宜形成されている。

各低温焼成基板４上の各内部配線６は、それぞれ銀や銀合金などの金属微粒子の焼結体であって、図８に示す液滴吐出装置６０を利用した配線パターン形成方法によって形成される。

図８は、液滴吐出装置６０を説明する全体斜視図である。尚、本実施形態では、説明の便宜上、第１実施形態の液滴吐出装置１０と構成を同じにするところは、符号を同じにしてその詳細を省略し、異なる構成部分について詳細に説明する。

図８において、ステージ１３の上面には、載置部１４が形成されて、焼成前の基板としての低温焼成基板４（グリーンシート４Ｇ）が載置される。載置部１４は、載置された状態のグリーンシート４Ｇをステージ１３に対して位置決め固定して、グリーンシート４ＧをＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送する。前記ステージ１３の上面には、第３の温度制御手段を構成するラバーヒータＨ１が配設されている。載置部１４に載置されたグリーンシート４Ｇは、その上面全体が第３の温度制御手段を構成するラバーヒータＨ１にて所定の温度（第３の目標温度）に加熱されるようになっている。

ガイド部材１５の上側に配設されたインクタンク１６は、液状体としての金属インクＭＦ（図９参照）を貯留し、貯留する金属インクＭＦを吐出ヘッド２０に所定の圧力で供給する。そして、吐出ヘッド２０に供給された金属インクＭＦは、吐出ヘッド２０から液滴Ｆｂ（図９参照）となってグリーンシート４Ｇに向かって吐出されるようになっている。

金属インクＭＦは、機能材料としての金属微粒子、例えば粒径が数ｎｍの機能材料としての金属微粒子を溶媒に分散させた分散系金属インクを用いることができる。
金属インクＭＦに使用する金属微粒子としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びニッケル（Ｎｉ）などの材料の他、これらの酸化物、並びに超電導体の微粒子などが用いられる。金属微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと吐出ヘッド２０の吐出ノズルＮに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと金属微粒子に対する分散剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の金属微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば水系溶媒のほか、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロ
ナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、1，３−プロパンジオールなどのポリオール類、ポリエチレングリコール、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、乳酸エチルなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

グリーンシート４Ｇに着弾した金属インクＭＦは、グリーンシート４Ｇが加熱されていることから溶媒あるいは分散媒の蒸発は促進される。そして、グリーンシート４Ｇに着弾した金属インクＭＦは、乾燥とともにその表面の外縁から増粘し、つまり、中央部に比べて外周部における固形分（粒子）濃度が速く飽和濃度に達することから表面の外縁から増粘していく。外縁の増粘した金属インクＭＦは、グリーンシート４Ｇの面方向に沿う自身の濡れ広がりを停止する（ピニングする）。ピニングされた状態の金属インクＭＦは、グリーンシート４Ｇに固定され重ね打ちされても、グリーンシート４Ｇに固定状態になっており、液滴Ｆｂの外径が変化しなくなっているため、次の液滴Ｆｂに引き寄せられることはない。

そして、本実施形態の吐出ヘッド２０は、図９に示すように、第１実施形態の吐出ヘッド２０に取着するラバーヒータＨ及び第１温度検出センサＳＥ１を設けていない。
図８に示すように、ステージ１３の反Ｘ矢印方向側に設けた待機ステージ３０の上面３０ａには凹部は形成され、その凹部には第４の温度制御手段を構成するペルチェ素子ＰＴが上面３０ａと面一となるように配設されている。そして、本実施形態では、待機ステージ３０は、吐出ヘッド２０のノズルプレート２５と待機ステージ３０の上面３０ａ（ペルチェ素子ＰＴ）との間隔が、該ノズルプレート２５とステージ１３に載置されたグリーンシート４Ｇと同じ間隔となるように高さ調整がなされている。

ペルチェ素子ＰＴは、吐出ヘッド２０が待機位置にある時、待機ステージ３０の温度を調節して吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態を温度制御する。詳述すると、吐出ヘッド２０が、その直下を、ラバーヒータＨ１にて第３の目標温度に加熱されたグリーンシート４Ｇを通過させて、該グリーンシート４Ｇに対して液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態と同じ状態となる予め定めた温度（第４の目標温度）になるように温度制御するようになっている。なお、この第４の目標温度は、実験、試験又は計算等で求めたものである。

次に、上記のように構成した液滴吐出装置６０の電気的構成を図１０に従って説明する。
図１０において、液滴吐出装置６０は第３の温度制御手段及び第４の温度制御手段を構成する制御装置７０を備え、その制御装置７０は、ＣＰＵ７０Ａ、ＲＯＭ７０Ｂ、ＲＡＭ７０Ｃなどを有している。制御装置７０は、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ１３の搬送処理、キャリッジ１９の搬送処理、吐出ヘッド２０の液滴吐出処理、ラバーヒータＨ１の加熱処理、ペルチェ素子ＰＴの駆動処理などを実行する。

制御装置７０には、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置７１が接続さ
れている。入出力装置７１は、液滴吐出装置６０が実行する各種処理の処理状況を表示する。入出力装置７１は、内部配線６を形成するためのビットマップデータＢＤを生成し、そのビットマップデータＢＤを制御装置７０に入力する。

ビットマップデータＢＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定したデータである。ビットマップデータＢＤは、吐出ヘッド２０（各ノズルＮ）の通過する描画平面（吐出面４Ｇａ）上の各位置に、配線用の液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、ビットマップデータＢＤは、吐出面４Ｇａに規定された内部配線６の目標形成位置に配線用の液滴Ｆｂを吐出させるためのデータである。

制御装置７０には、Ｘ軸モータ駆動回路７２が接続されている。制御装置７０は、駆動制御信号をＸ軸モータ駆動回路７２に出力する。Ｘ軸モータ駆動回路７２は、制御装置７０からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ１９を移動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。制御装置７０には、Ｙ軸モータ駆動回路７３が接続されている。制御装置７０は、駆動制御信号をＹ軸モータ駆動回路７３に出力する。Ｙ軸モータ駆動回路７３は、制御装置７０からの駆動制御信号に応答して、ステージ１３を移動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。

制御装置７０には、ヘッド駆動回路７４が接続されている。制御装置７０は、所定の吐出周波数に同期させた吐出タイミング信号ＬＴをヘッド駆動回路７４に出力する。制御装置７０は、各圧電素子ＰＺを駆動するための駆動電圧ＣＯＭを吐出周波数に同期させてヘッド駆動回路７４に出力する。

制御装置７０は、ビットマップデータＢＤを利用して所定の周波数に同期したパターン形成用制御信号ＳＩを生成し、パターン形成用制御信号ＳＩをヘッド駆動回路７４にシリアル転送する。ヘッド駆動回路７４は、制御装置７０からのパターン形成用制御信号ＳＩを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。ヘッド駆動回路７４は、制御装置７０からの吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに、シリアル／パラレル変換したパターン形成用制御信号ＳＩをラッチし、パターン形成用制御信号ＳＩによって選択される圧電素子ＰＺにそれぞれ駆動電圧ＣＯＭを供給する。

制御装置７０には、第３の温度制御手段を構成するラバーヒータ駆動回路７５が接続されている。制御装置７０は、駆動制御信号をラバーヒータ駆動回路７５に出力する。ラバーヒータ駆動回路７５は、制御装置７０からの駆動制御信号に応答して、ラバーヒータＨ１を駆動してステージ１３に載置したグリーンシート４Ｇを予め定めた第３の目標温度になるように加熱制御する。

本実施形態では、第３の目標温度は、グリーンシート４Ｇの温度（吐出面４Ｇａの温度）が、吐出ヘッド２０から吐出される時の金属インクＭＦの温度以上かつ金属インクＭＦに含まれる液体組成の沸点未満（液体組成中の最も沸点の低い温度未満）の温度をいう。

従って、制御装置７０は、ラバーヒータ駆動回路７５を介して、グリーンシート４Ｇを第３の目標温度に制御して、着弾した液滴Ｆｂを突沸させることなく速やかに加熱し乾燥する。

制御装置７０には、第４の温度制御手段を構成するペルチェ素子駆動回路７６が接続されている。制御装置７０は、ペルチェ素子駆動回路７６に駆動制御信号を出力する。ペルチェ素子駆動回路７６は、制御装置７０からの駆動制御信号に応答して、ペルチェ素子ＰＴを駆動制御する。そして、待機ステージ３０に設けたペルチェ素子ＰＴは、待機位置に
ある吐出ヘッド２０が、第３の目標温度に加熱制御されているグリーンシート４Ｇに対して液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態（第４の目標温度）と同じ状態となるように、温度制御するようになっている。つまり、制御装置７０は、待機位置にある吐出ヘッド２０について、その吐出ヘッド２０の周辺の温度が第４の目標温度となるように、ペルチェ素子ＰＴを駆動制御する。

その結果、待機状態において、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支は、グリーンシート４Ｇを搬送させて、グリーンシート４Ｇに対して液滴Ｆｂを吐出している時の、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支と同じとなっている。

このとき、ラバーヒータ駆動回路７５は、吐出ヘッド２０が待機位置にあっても、グリーンシート４Ｇを通過させて、グリーンシート４Ｇに対して液滴Ｆｂを吐出している時と同じ、出力（電力）でラバーヒータＨを第３の目標温度になるように加熱制御している。

次に、上記液滴吐出装置６０を利用したグリーンシート４Ｇの配線パターンの形成方法について説明する。
図８に示すように、吐出面４Ｇａが上側になるようにグリーンシート４Ｇをステージ１３に載置する。このとき、ステージ１３は、グリーンシート４Ｇをキャリッジ１９の反Ｙ矢印方向に配置する。このグリーンシート４Ｇは、ビアホール７が形成され、そのビアホール７にビア配線８がなされていて、その吐出面４Ｇａに内部配線６を形成するものとする。

この状態から、液滴Ｆｂによる内部配線６の配線パターンを形成するためのビットマップデータＢＤが入出力装置７１から制御装置７０に入力される。制御装置７０は、入出力装置７１からの内部配線６を形成するためのビットマップデータＢＤを格納する。このとき、制御装置７０は、ラバーヒータ駆動回路７５を介してステージ１３に設けたラバーヒータＨ１を駆動しステージ１３に載置されたグリーンシート４Ｇ全体が一様に第３の目標温度になるように加熱制御している。

さらに、制御装置７０は、ペルチェ素子駆動回路７６を介してペルチェ素子ＰＴを駆動し、待機位置にある吐出ヘッド２０の周辺の温度が第４の目標温度となるように制御する。その結果、待機状態において、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支は、グリーンシート４Ｇを通過させて、グリーンシート４Ｇに対して液滴Ｆｂを吐出している時の、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支と同じとなっている。

次いで、制御装置７０は、吐出ヘッド２０がグリーンシート４Ｇの所定の直上位置をＸ矢印方向に通過するように、Ｙ軸モータ駆動回路７３を介してＹ軸モータＭＹを駆動してステージ１３を搬送する。そして、制御装置７０は、Ｘ軸モータ駆動回路７２を介してＸ軸モータＭＸを駆動して吐出ヘッド２０の走査（往動）を開始させる。

制御装置７０は、吐出ヘッド２０の走査（往動）を開始させると、ビットマップデータＢＤに基づいてパターン形成用制御信号ＳＩを生成して、パターン形成用制御信号ＳＩと駆動電圧ＣＯＭをヘッド駆動回路７４に出力する。すなわち、制御装置７０は、ヘッド駆動回路７４を介して各圧電素子ＰＺを駆動制御し、内部配線６を形成するための着弾位置に吐出ヘッド２０が位置するたびに、選択されたノズルＮから液滴Ｆｂを吐出させる。

そして、待機位置において、待機ステージ３０（吐出ヘッド２０）の周辺は、グリーンシート４Ｇに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度状態と同じ状態（第４の目標温度）になるように温度制御されている。従って、吐出ヘッド２０を待機位置からステージ１３（グリーンシート４Ｇ）に移動さ
せる時、その前後で、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支バランスは崩れない。その結果、制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路７５に対する制御量は小さく抑えられ、ラバーヒータ駆動回路７５は小さな出力（電力）でラバーヒータＨ１を加熱制御する。そのため、吐出開始時点で、既に吐出ヘッド２０内の金属インクＭＦは、グリーンシート４Ｇに液滴Ｆｂを吐出している時と同じ温度状態に制御されることから、最初に吐出される液滴Ｆｂから、安定した低粘度の金属インクＭＦの液滴Ｆｂが吐出される。その結果、グリーンシート４Ｇに供給される液滴Ｆｂの量を、最初から一様に供給することができる。

そして、グリーンシート４Ｇに着弾した液滴Ｆｂは、グリーンシート４Ｇが第３の目標温度に加熱されているため、乾燥が開始され速やかに乾燥されていく。その結果、吐出ヘッド２０をＸ矢印方向に移動させて、内部配線６を形成するための着弾位置に順次着弾する液滴Ｆｂは、その着弾位置から偏移することなく乾燥されるため、内部配線６のための配線用パターンが形成される。

しかも、グリーンシート４Ｇを加熱するとともに通気性基板のグリーンシート４Ｇを使用したので、着弾した液滴Ｆｂは速やかに乾燥し固定状態に入るため、次に着弾させる液滴Ｆｂの吐出タイミングを短くすることができ、内部配線６のための配線用パターンを短時間で形成することができる。さらに、グリーンシート４Ｇの加熱温度（第３の目標温度）は、液滴Ｆｂの沸点未満の温度に制御されているので、着弾した液滴Ｆｂが突沸して配線用パターンの形成が不能となることはない。

吐出ヘッド２０が、グリーンシート４Ｇの端から端までの走査を完了すると、次に、制御装置７０は、内部配線６を形成するためのグリーンシート４Ｇ上の新たな位置に液滴Ｆｂを吐出させるべく、Ｙ軸モータ駆動回路７３を介してＹ軸モータＭＹを駆動してステージ１３をＹ方向に所定の量だけ搬送させた後、吐出ヘッド２０を反Ｘ矢印方向に走査（復動）させる。

吐出ヘッド２０の走査（復動）を開始させると、制御装置７０は、前記と同様にビットマップデータＢＤに基づいてヘッド駆動回路７４を介して各圧電素子ＰＺを駆動制御し、内部配線６を形成するための着弾位置に吐出ヘッド２０が位置するたびに、選択されたノズルＮから液滴Ｆｂを吐出させる。この場合にも、前記と同様に、先にグリーンシート４Ｇに着弾した液滴Ｆｂは、直ちに乾燥が開始され速やかに乾燥されていく。

以後、吐出ヘッド２０を、Ｘ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に往復動させるとともに、ステージ１３をＹ矢印方向に搬送させ、吐出ヘッド２０の往復動中に液滴ＦｂをビットマップデータＢＤに基づくタイミングで吐出させる動作を繰り返す。これによって、グリーンシート４Ｇ上には、着弾した液滴Ｆｂによる内部配線６の配線用パターンが描画される。

一つのグリーンシート４Ｇに内部配線６の配線用パターンが描画されると、制御装置７０は、キャリッジ１９（Ｘ軸モータＭＸ）を制御して吐出ヘッド２０を待機位置まで案内され一時停止させる。吐出ヘッド２０が待機位置で停止すると、制御装置７０は、待機位置にある吐出ヘッド２０の周辺の温度が第４の目標温度となるようにペルチェ素子ＰＴを駆動制御する。これによって、ペルチェ素子ＰＴが吐出ヘッド２０の周辺の温度が第４の目標温度となるように、次の新たなグリーンシート４Ｇの配線用パターンの描画に備える。

従って、吐出ヘッド２０は、一つのグリーンシート４Ｇについて配線用パターンの描画が完了する毎に、一時待機位置に待機し同様にペルチェ素子ＰＴにて温度調整される。
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。

（１）上記実施形態によれば、液滴吐出ヘッド２０を待機位置からグリーンシート４Ｇへ移動させ、第３の目標温度に加熱されたグリーンシート４Ｇに金属インクＭＦの液滴Ｆｂを吐出する前に、待機位置での該液滴吐出ヘッド２０の周辺温度を、温度制御手段（ペルチェ素子ＰＴ）にて、該グリーンシート４Ｇに液滴Ｆｂを吐出している時の吐出ヘッド２０の周辺温度と同じ第４の目標温度にして該液滴吐出ヘッド２０を待機位置で待機させた。

従って、吐出ヘッド２０を待機位置からグリーンシート４Ｇに移動したとき、その前後で、吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺との熱収支バランスは大きく崩れない。その結果、液滴Ｆｂの供給の初期段階において、グリーンシート４Ｇを加熱するラバーヒータＨ１の加熱制御量が大きく変動するのを未然に抑制でき、初期段階においてグリーンシート４Ｇの温度変動を小さくでき、それに伴う吐出ヘッド２０内の金属インクＭＦの温度の変動することによる吐出量の変動を防止することができる。

（２）上記実施形態によれば、吐出ヘッド２０から吐出される時の金属インクＭＦの温度以上にグリーンシート４Ｇを加熱したので、着弾した液滴Ｆｂは速やかに加熱され乾燥されることから、次に着弾させる液滴Ｆｂの吐出タイミングを短くすることができ、配線用パターンを短時間で形成することができる。

（３）上記実施形態によれば、グリーンシート４Ｇの加熱温度は、液滴Ｆｂの沸点未満の温度に制御されているので、着弾した液滴Ｆｂが突沸することはない。従って、高密度・高精細な配線用パターンを形成することができる。

尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第１実施形態では、第２の温度制御手段をペルチェ素子ＰＴで実施したが、ラバーヒータ等その他の第２の温度制御手段で実施してもよい。

・上記第第２実施形態では、第４の温度制御手段をペルチェ素子ＰＴで実施したが、ラバーヒータ等その他の第４の温度制御手段で実施してもよい。
・上記第１実施形態では、第２の目標温度を、マザーガラス基板ＭＳの各セルＳに対して順番に液滴Ｆｂを吐出している時の、該吐出ヘッド２０と該吐出ヘッド２０の周辺の温度とした。これを、ステージ１３に載置したマザーガラス基板ＭＳの基板温度であってもよい。

・上記第１の実施形態では、第１の温度制御手段としてラバーヒータＨで液晶Ｆを加熱制御したが、例えば、ペルチェ素子の発熱部等、その他第１の温度制御手段を使用して実施してもよい。

・上記第２の実施形態では、第３の温度制御手段としてラバーヒータＨ１でグリーンシート４Ｇを加熱制御したが、例えば、ペルチェ素子の発熱部等、その他第２の温度制御手段を使用して実施してもよい。

・上記第１実施形態では、第１の目標温度を７０℃としたが、これに限定されるものではなく、要は、第１の目標温度は液晶Ｆの粘性が吐出ヘッド２０から吐出できる粘性になる温度であればよい。

・上記第２実施形態において、待機ステージ３０の周辺温度を検出する温度検出センサを設け、その検出した周辺温度に基づいて周辺温度が第４の目標温度になるようにフィードバック制御にてペルチェ素子ＰＴを駆動して実施してもよい。

・上記第２実施形態において、グリーンシート４Ｇの加熱温度を検出する温度検出センサを設け、その検出した加熱温度に基づいてグリーンシート４Ｇの加熱温度をフィードバック制御して実施してもよい。

・上記第１及び第２実施形態では、吐出ヘッド２０を停止させた状態で、ステージ１３（マザーガラス基板ＭＳ又はグリーンシート４Ｇ）を移動させて、吐出ヘッド２０から液滴Ｆｂを吐出させるようにした。これを、ステージ１３（マザーガラス基板ＭＳ又はグリーンシート４Ｇ）が停止させた状態で、吐出ヘッド２０を移動させて、その吐出ヘッド２０から液滴Ｆｂを吐出させるようにしてもよい。

・上記第１実施形態では、液状体を液晶Ｆとし、シール材に囲まれた領域Ｚに配置する液晶Ｆについて具体化したが、これに限定されるものではなく、液状体を、例えば、レジストの形成、層間膜の形成、又は、配線層の形成するための液状体とし、これら液状体を吐出ヘッド２０によって吐出させてパターンを形成するようにした吐出方法及び吐出装置に応用してもよい。このレジストの形成、層間膜の形成、配線層の形成する場合、液晶表示装置以外の、例えば有機ＥＬ表示装置等その他の基板に応用してもよいことは勿論である。

・上記第１及び第２実施形態では、液滴吐出手段を、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２０に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。

第１実施形態の液滴吐出装置の全体斜視図。 同じくマザーガラス基板を説明するための平面図。 同じく液滴吐出ヘッドをマザーガラス基板側から見た下面図。 同じく液滴吐出ヘッドの要部側断面図。 同じく液滴吐出ヘッドと待機ステージとの位置関係を示す図。 同じく液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。 第２実施形態の回路モジュールを説明するための側断面図。 同じく液滴吐出装置の全体斜視図。 同じく液滴吐出ヘッドの要部側断面図。 同じく液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。

符号の説明

１…回路モジュール、２…ＬＴＣＣ多層基板、４…低温焼成基板、４Ｇ…グリーンシート、１０，６０…液滴吐出装置、１３…ステージ、２０…液滴吐出ヘッド、３０…待機ステージ、５０，７０…制御装置、Ｆ…液晶、Ｆｂ…液滴、ＭＦ…金属インク、ＭＳ…マザーガラス基板、ＰＴ…ペルチェ素子、ＰＺ…圧電素子、Ｈ，Ｈ１…ラバーヒータ、Ｓ…セル、ＳＥ１…第１温度検出センサ、ＳＥ２…第２温度検出センサ。

Claims (12)

1. 吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出方法であって、
   前記吐出手段が待機位置から前記基板へ移動して前記基板に前記液状体を吐出する前に、前記待機位置で前記吐出手段の周辺温度を、前記基板に前記液状体を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じにして待機することを特徴とする吐出方法。
2. 吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出装置であって、
   前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、
   前記待機ステージに設けられ、前記待機ステージの周辺の温度を、前記吐出手段が前記基板に前記液状体を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じ温度に調整する温度制御手段と、
   を備えたことを特徴とする吐出装置。
3. 吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出装置であって、
   前記吐出手段を介して前記吐出手段に収容された液状体の温度を検出する第１温度検出手段と、
   前記第１温度検出手段の検出信号に基づいて、前記液状体の温度を第１の目標温度に制御する第１の温度制御手段と、
   前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、
   前記待機ステージの周辺の温度を検出する第２温度検出手段と、
   前記第２温度検出手段の検出信号に基づいて、前記待機ステージの周辺の温度を第２の目標温度に調整する第２の温度制御手段と、
   を備えたことを特徴とする吐出装置。
4. 請求項３に記載の吐出装置において、
   前記第２の目標温度は、前記基板に液状体が吐出されている時の前記吐出手段の周辺温度であり、予め求められたものであることを特徴とする吐出装置。
5. 請求項３に記載の吐出装置において、
   前記第２の目標温度は、前記基板に前記液状体が吐出されている時の前記基板の基板温度であり、予め求められたものであることを特徴とする吐出装置。
6. 吐出手段から液状体を基板上に吐出する吐出装置であって、
   前記基板を載置し、該基板を前記吐出手段との間で相対移動させる搬送ステージと、
   前記搬送ステージに設けられ、前記基板を第３の目標温度に加熱する第３の温度制御手段と、
   前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、
   前記待機ステージに設けられ、前記待機ステージの周辺の温度を、前記吐出手段が前記基板に前記液状体を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じ第４の目標温度に調整する第４の温度制御手段と、
   を備えたことを特徴とする吐出装置。
7. 請求項６に記載の吐出装置において、
   前記第４の目標温度は、前記基板に液状体が吐出されている時の前記吐出手段の周辺温度であり、予め求められたものであることを特徴とする吐出装置。
8. 請求項６に記載の吐出装置において、
   前記第４の目標温度は、前記基板に前記液状体が吐出されている時の前記基板の基板温度であり、予め求められたものであることを特徴とする吐出装置。
9. 液晶を吐出手段にて吐出し、基板に前記液晶を予め定めた量だけ配置する液晶パネルの製造方法であって、
   前記吐出手段が待機位置から前記基板へ移動して前記基板に前記液晶を吐出する前に、前記待機位置で前記吐出手段の周辺温度を、前記基板に前記液晶を吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じにして待機することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
10. 液晶を吐出手段にて吐出し、基板に前記液晶を予め定めた量だけ配置する液晶パネル製造装置であって、
    前記吐出手段を介して前記吐出手段に収容された液晶の温度を検出する第１温度検出手段と、
    前記第１温度検出手段の検出信号に基づいて、前記液晶の温度を第１の目標温度に制御する第１の温度制御手段と、
    前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、
    前記待機ステージの周辺の温度を検出する第２温度検出手段と、
    前記第２温度検出手段の検出信号に基づいて、前記待機ステージの周辺の温度を第２の目標温度に調整する第２の温度制御手段と、
    を備えたことを特徴とする液晶パネル製造装置。
11. 金属インクを吐出手段にて吐出し、基板の表面に前記金属インクにて配線パターンを描画する回路基板の配線パターン形成方法であって、
    前記吐出手段が待機位置から前記基板へ移動して前記基板に前記金属インクを吐出する前に、前記待機位置で前記吐出手段の周辺温度を、前記基板に前記金属インクを吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じにして待機することを特徴とする回路基板の配線パターン形成方法。
12. 金属インクを吐出手段にて吐出し、基板の表面に前記金属インクにて配線パターンを描画する回路基板の配線パターン形成装置であって、
    前記基板を載置し、該基板を前記吐出手段との間で相対移動させる搬送ステージと、
    前記搬送ステージに設けられ、前記基板を第３の目標温度に加熱する第３の温度制御手段と、
    前記吐出手段が待機する待機位置の下方に配置された待機ステージと、
    前記待機ステージに設けられ、前記待機ステージの周辺の温度を、前記吐出手段が前記基板に前記金属インクを吐出している時の前記吐出手段の周辺温度と略同じ第４の目標温度に調整する第４の温度制御手段と、
    を備えたことを特徴とする回路基板の配線パターン形成装置。

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