JP2012124494A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (9)

1. ゲート電極と、
   ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記半導体膜上の第１の窒化シリコン膜と、
   前記第１の窒化シリコン膜上の平坦化膜と、
   前記平坦化膜上の第２の窒化シリコン膜と、
   前記第２の窒化シリコン膜上の電極と、を有し、
   前記電極は、前記第１の窒化シリコン膜に設けられた第１開口部、前記平坦化膜に設けられた第２開口部、及び前記第２の窒化シリコン膜に設けられた第３開口部を介して、前記半導体膜に電気的に接続され、
   前記第２の窒化シリコン膜は、前記平坦化膜の前記第２開口部の側面を覆い、
   前記第１の窒化シリコン膜は、前記平坦化膜の前記第２開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記半導体膜上の第１の窒化シリコン膜と、
   前記第１の窒化シリコン膜上の有機樹脂膜と、
   前記有機樹脂膜上の第２の窒化シリコン膜と、
   前記第２の窒化シリコン膜上の電極と、を有し、
   前記電極は、前記第１の窒化シリコン膜に設けられた第１開口部、前記有機樹脂膜に設けられた第２開口部、及び前記第２の窒化シリコン膜に設けられた第３開口部を介して、前記半導体膜に電気的に接続され、
   前記第２の窒化シリコン膜は、前記有機樹脂膜の前記第２開口部の側面を覆い、
   前記第１の窒化シリコン膜は、前記有機樹脂膜の前記第２開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極と、
   ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記半導体膜上の第１の窒化シリコン膜と、
   前記第１の窒化シリコン膜上の無機絶縁膜と、
   前記無機絶縁膜上の第２の窒化シリコン膜と、
   前記第２の窒化シリコン膜上の電極と、を有し、
   前記電極は、前記第１の窒化シリコン膜に設けられた第１開口部、前記無機絶縁膜に設けられた第２開口部、及び前記第２の窒化シリコン膜に設けられた第３開口部を介して、前記半導体膜に電気的に接続され、
   前記第２の窒化シリコン膜は、前記無機絶縁膜の前記第２開口部の側面を覆い、
   前記第１の窒化シリコン膜は、前記無機絶縁膜の前記第２開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記無機絶縁膜は、平坦化された無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   ガラス基板と、前記ガラス基板上の下地膜とを有し、
   前記下地膜上に前記ゲート電極及び前記半導体膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜上に位置することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一の半導体装置を有することを特徴とする表示装置。
8. 請求項７に記載の表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
9. 請求項１乃至請求項６のいずれか一の半導体装置を表示部として有することを特徴とする携帯電話。