JP2012133171A - 光導波路の製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に形成したアンダークラッド層1の上面に、コア2とアライメントマークとをフォトリソグラフィ法により突出形成し、そのアライメントマークを目印として位置決めされる成形型を用いてオーバークラッド層を形成する光導波路の製法において、上記アライメントマークの形成に、フォトマスク20として、アライメントマーク形成用の開口パターン23が、開口部23aと、この開口部23aの周囲の、開口率が10%を上回り80%を下回る範囲内に設定された透光量減少領域23bとからなるものを用い、アライメントマークの周側面を傾斜面に形成する。
【選択図】図1
Description
成分A(固形エポキシ樹脂):芳香環骨格を含むエポキシ樹脂(三菱化学社製、エピコート1002)70重量部。
成分B(固形エポキシ樹脂):脂環骨格を含むエポキシ樹脂(ダイセル化学工業社製、EHPE3150)30重量部。
成分C(光酸発生剤):トリアリールスルホチニウム塩の50%プロピオンカーボネイト溶液(サンアプロ社製、CPI−200K)2重量部。
これら成分A〜Cを乳酸エチル(武蔵野化学研究所社製)55重量部に撹拌溶解(温度80℃、撹拌250rpm×3時間)させ、アンダークラッド層の形成材料(感光性樹脂組成物)を調製した。
成分D:O−クレゾールノボラックグリシジルエーテル(新日鐡化学社製、YDCN−700−10)100重量部。
この成分Dと上記成分C1重量部とを乳酸エチル(武蔵野化学研究所社製)60重量部に撹拌溶解(温度80℃、撹拌250rpm×3時間)させ、コアの形成材料(感光性樹脂組成物)を調製した。
〔アンダークラッド層の形成〕
SUS304箔(東洋製箔社製、厚み20μm)の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をスピンコーター(ミカサ社製、1X−DX2)を用いて塗布した後、130℃×10分間の乾燥処理を行い、感光性樹脂層を形成した。ついで、露光機(ミカサ社製、MA−60F)および超高圧水銀灯(ウシオ電機社製、USH−250D)を用いて、上記感光性樹脂層に対し、紫外線(波長365nm)を照射し、積算光量2000mJ/cm2 の露光を行った。つづいて、130℃×10分間の加熱処理を行い、アンダークラッド層を形成した〔図1(a)参照〕。
コアおよびアライメントマークのパターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクを準備した。アライメントマーク形成用の開口パターンは、直径0.6mmの円形の開口部と、この開口部の周囲の、外径0.8mmの円環状の透光量減少領域とからなるものとした。上記透光量減少領域は、3μm×3μmの四角形状の微小開口部を7μmピッチで多数形成することにより、開口率を15%に設定した〔図2(a),(b)参照〕。
つぎに、上記アンダークラッド層の上面に、上記コアの形成材料を上記スピンコーターを用いて塗布した後、130℃×5分間の乾燥処理を行い、感光性樹脂層を形成した〔図1(b)参照〕。ついで、上記フォトマスクを介して、上記露光機および上記超高圧水銀灯を用いて、紫外線(波長365nm)を照射し、積算光量4000mJ/cm2 の露光を行った〔図1(c)参照〕。つづいて、130℃×15分間の加熱処理を行った。その後、γ−ブチロラクトン(三菱化学社製)の現像液に3分間浸して現像(ディップ現像)することにより、未露光部分を溶解除去した後、120℃×10分間の加熱処理を行い、上記アンダークラッド層の上面に、コアおよびアライメントマークを形成した〔図3(a)参照〕。
上記実施例1において、フォトマスクとして、アライメントマーク形成用の開口パターンの透光量減少領域に形成する多数の四角形状の微小開口部を、7μm×7μmの大きさで、11μmピッチで形成することにより、その透光量減少領域の開口率を40%に設定したものを用いた。それ以外は上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層の上面に、コアおよびアライメントマークを形成した。
上記実施例1において、フォトマスクとして、アライメントマーク形成用の開口パターンの透光量減少領域に形成する多数の四角形状の微小開口部を、10μm×10μmの大きさで、13μmピッチで形成することにより、その透光量減少領域の開口率を60%に設定したものを用いた。それ以外は上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層の上面に、コアおよびアライメントマークを形成した。
上記実施例1において、フォトマスクとして、アライメントマーク形成用の開口パターンの透光量減少領域に形成する多数の四角形状の微小開口部を、3μm×3μmの大きさで、9μmピッチで形成することにより、その透光量減少領域の開口率を10%に設定したものを用いた。それ以外は上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層の上面に、コアおよびアライメントマークを形成した。
上記実施例1において、フォトマスクとして、アライメントマーク形成用の開口パターンの透光量減少領域に形成する多数の四角形状の微小開口部を、10μm×10μmの大きさで、12μmピッチで形成することにより、その透光量減少領域の開口率を80%に設定したものを用いた。それ以外は上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層の上面に、コアおよびアライメントマークを形成した。
上記実施例1〜3および比較例1,2のアライメントマークを、CCDカメラ(シャープマニュファクチャリングシステム社製、IV−S210X)により自動認識させた。このとき、CCDカメラ画像は、グレースケールとし、アライメントマークの検出は、直径0.6mmの円サーチで行った。その結果、1秒以内に自動認識できたものを○、5秒経過しても自動認識できなかったものを×と評価し、下記の表1に示した。
2 コア
10 基板
20 フォトマスク
23 開口パターン
23a 開口部
23b 透光量減少領域
Claims (3)
- アンダークラッド層の上面に、コアとアライメントマークとをフォトリソグラフィ法により突出形成し、そのアライメントマークを目印としてオーバークラッド層形成用の成形型を位置決めしオーバークラッド層を形成する工程を備えた光導波路の製法であって、上記フォトリソグラフィ法に用いるフォトマスクとして、アライメントマーク形成用の開口パターンが、開口部と、この開口部の周囲の、開口率が10%を上回り80%を下回る範囲内に設定された透光量減少領域とからなるものを用い、上記透光量減少領域を透過する照射線の減少に起因して、アライメントマークの周側面を傾斜面に形成し、認識装置によるアライメントマークの認識性を高めることを特徴とする光導波路の製法。
- 上記透光量減少領域が、多数の微小開口部が所定間隔をあけて形成されてなる領域となっている請求項1記載の光導波路の製法。
- 周側面が傾斜面に形成されている上記アライメントマークが、円錐台状または角錐台状のものである請求項1または2記載の光導波路の製法。
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