JP2012198894A - 同期データ処理システムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】伝搬遅延およびPVT条件の変化時に高信頼性のデータ転送を可能とするデータ処理システムを提供する。
【解決手段】同期データ処理システムはデータを格納するメモリモジュールと、メモリモジュールに接続されたメモリコントローラとを備える。メモリコントローラのクロックインバータは入力クロック信号を受信し反転クロック信号をメモリモジュールに提供する。反転クロック信号によってメモリモジュール到達前の第1の伝搬遅延がメモリクロック信号として与えられる。メモリモジュールに接続された書込データバッファは入力クロック信号に応答してメモリモジュールにデータを提供する。メモリモジュールに接続された非同期先入れ先出しバッファはメモリクロック信号をバッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答してメモリモジュールからデータを読み取る。
【選択図】図3
【解決手段】同期データ処理システムはデータを格納するメモリモジュールと、メモリモジュールに接続されたメモリコントローラとを備える。メモリコントローラのクロックインバータは入力クロック信号を受信し反転クロック信号をメモリモジュールに提供する。反転クロック信号によってメモリモジュール到達前の第1の伝搬遅延がメモリクロック信号として与えられる。メモリモジュールに接続された書込データバッファは入力クロック信号に応答してメモリモジュールにデータを提供する。メモリモジュールに接続された非同期先入れ先出しバッファはメモリクロック信号をバッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答してメモリモジュールからデータを読み取る。
【選択図】図3
Description
本発明は、一般にデータ処理システムに関する。より詳細には、本発明は、同期データ処理システムにおける高信頼性のデータ転送に関する。
マイクロコンピュータなどのデータ処理システムの動作速度が近年上昇するにつれ、そうしたシステムの性能を向上させるべく、マイクロプロセッサなどの周辺装置およびシンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(SDRAM)などのメモリデバイスの動作速度も上昇している。プロセッサおよび周辺装置を接続するバスの動作周波数も上昇している。しかしながら、周波数の上昇につれ、データ転送における伝搬遅延およびPVT(プロセス、電圧、および温度)変化の影響は大きくなる。
特許文献1には、データ処理システムにおけるクロック同期について記載されている。通常、同期データ処理システムでは、メモリコントローラなどの部品とメモリデバイスとの間で転送されるクロックとデータ信号との間には、位相差(またはスキュー)が存在する。このような位相スキューは、伝搬遅延や、PVT変動によってもたらされる。周波数の上昇につれ、位相スキューが増大することがあり、それによって、読取または書込動作時に誤ったデータサンプリングが生じ得る。
位相スキューを減少させる1つの方法は、データサンプリングを改良するために位相同期回路(フェーズ・ロック・ループ、すなわち、PLL)を採用することである。図1は、PLL回路12を有する従来のデータ処理システム10のブロック図である。データ処理システム10は、メモリコントローラ14およびメモリモジュール16を備える。このうち、メモリコントローラ14が、メモリコントローラ14とメモリモジュール16との間で転送されるクロックとデータ信号との間の位相スキューを補償するためのPLL回路12を備える。
動作時には、メモリコントローラ14は、クロック信号生成器(図示せず)から入力クロック信号(IP_CLK)18を受信する。この入力クロック信号18は、読取および書込データバッファ20,22に供給される。また、メモリコントローラ14は、メモリモジュール16に対するメモリクロック信号23を生成する。ここで、メモリコントローラ14とメモリモジュール16との間で送信されるデータ信号(IP_DATA,MEM_DATA)は、参照符号24,26によって概略的に表される。
示すように、メモリクロック信号(MEM_CLK)23は、メモリコントローラ14とメモリモジュール16との間で半分だけループして戻され(ループバック)、クロックイン信号(CLK_IN)またはループバック信号28がPLL回路12に供給されて、クロックアウト信号(CLK_OUT)30が生成される。このフィードバック機構によって、データサンプリングが改良される。こうして、メモリコントローラ14およびメモリモジュール16によって観測されるクロック信号は整合され、それによって、読取および書込動作時のデータ転送における1つの完全なサイクルが提供される。ループバック信号(CLK_IN)28を有するPLL回路12によってシステムのデータサンプリングが改良されるが、そうした改良は、メモリコントローラ14とメモリモジュール16との間の伝搬遅延が1クロックサイクル未満の場合にのみ機能するという点において制限されている。
図2は、図1のデータ処理システム10のデータ読取および書込サイクルのタイミング図である。示した実施形態では、メモリクロック信号およびループバック信号のサイクルは、参照符号50,52によって表される。メモリクロック信号およびループバック信号50,52の位相は整合されている。さらに、書込動作時にメモリコントローラ14によって発生されてメモリモジュール16によって受信されるデータ信号は、参照符号54,56によって表される。同様に、メモリモジュール16によって送信されてメモリコントローラ14によって読み取られるデータ信号は、参照符号58,60によってそれぞれ表される。
書込サイクルでは、データ(IP_DATA)54はクロック信号52(CLK_INに位相整合されているIP_CLK)の立ち上がりエッジにおいて書込データバッファ22から発生され、メモリモジュール16によってMEM_DATA56として受信される。読取サイクルでは、MEM_DATA58はメモリクロック信号(MEM_CLK)50の立ち上がりエッジにおいてメモリモジュール72から発生され、メモリコントローラ14によってIP_DATA60として読み取られる。
参照符号62,64によって示すように伝搬遅延が1クロックサイクル近傍またはそれ以上であるとき、PLL回路12が書込および読取サイクルにおける位相スキューを補償できないことが理解される。残念なことに、これによって誤ったデータサンプリングが生じる。
加えて、PLL回路は回路板上の有意な面積を占めるとともに、通常、所定の周波数帯域用に設計されているので、そうしたPLL回路の特性決定には時間が掛かり、上述のように、PVT条件が変化することによる影響を受けがちである。
したがって、伝搬遅延およびPVT条件が変化している場合に高信頼性のデータ転送を可能とするデータ処理システムの必要性が存在する。
一実施形態では、本発明によって、同期データ処理システムを提供する。この同期データ処理システムは、データを格納するためのメモリモジュールと、該メモリモジュールに接続されているメモリコントローラとを備える。メモリコントローラは、入力クロック信号を受信し、反転クロック信号をメモリモジュールに提供するためのクロックインバータを備える。この反転クロック信号によって、メモリモジュールに到達する前の第1の伝搬遅延がメモリクロック信号として与えられる。メモリモジュールには、書込データバッファが接続されている。書込データバッファは、入力クロック信号に応答してメモリモジュールにデータを提供する。メモリモジュールには、非同期先入れ先出し(ASYNC FIFO)バッファが接続されている。このASYNC FIFOバッファは、メモリクロック信号をASYNC FIFOバッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答して、メモリモジュールからデータを読み取る。
別の実施形態では、本発明によって、同期データ処理システムにおいてメモリモジュールとメモリコントローラとの間でデータを転送する方法を提供する。この方法は、入力クロック信号を受信するステップと、メモリモジュールに対するメモリクロック信号を生成するべく、反転入力クロック信号をメモリモジュールに送信するステップとを備える。メモリクロック信号は、メモリモジュールからメモリコントローラにフィードバックされ、
メモリコントローラとメモリモジュールとの間で転送されるクロック信号によって、メモリモジュールとメモリコントローラとの間で送信されるデータとほぼ同じ位相遅延が与えられる。
メモリコントローラとメモリモジュールとの間で転送されるクロック信号によって、メモリモジュールとメモリコントローラとの間で送信されるデータとほぼ同じ位相遅延が与えられる。
図3を参照すると、同期データ処理システムの一例の構成70が示されている。同期データ処理システム70は、データを格納するためのメモリモジュール72を備える。メモリコントローラ74は、メモリモジュール72に接続されている。示した実施形態では、メモリコントローラ74は、入力クロック信号(CLK_INT)78を受信し、反転クロック信号(CLK_OUT)80をメモリモジュール72へ送信するためのクロックインバータ76を備える。メモリコントローラ74がクロック生成器(図示せず)から入力クロック信号(CLK_INT)78を受信してもよい。
反転クロック信号(CLK_OUT)80によって、メモリモジュールに到達する前の第1の伝搬遅延がメモリクロック信号(MEM_CLK)82として与えられる。この一例の実施形態では、反転クロック信号(CLK_OUT)80は、データサンプリングのセットアップ時間およびホールド時間を増加させる。一例の実施形態では、反転クロック76は、メモリモジュール72に対するセットアップ時間およびホールド時間として約2分の1クロックサイクルを与えるので、書込動作時により良好なデータサンプリングウィンドウが提供される。
メモリコントローラ74は、メモリモジュール72に接続されている書込データバッファ84を備える。書込データバッファ84は、入力クロック信号(CLK_INT)78に応答してメモリモジュール72にデータを送信する。さらにまた、非同期先入れ先出し(ASYNC FIFO)バッファ86もメモリモジュール72に接続されている。ASYNC FIFOバッファ86は、
メモリクロック信号(MEM_CLK)82をASYNC FIFOバッファ86にフィードバックすることによって生成されるフィードバッククロック信号(CLK_IN)88に応答して、メモリモジュール72からデータを読み取る。この一例の実施形態では、メモリクロック(MEM_CLK)信号82は、ASYNC FIFO86がメモリモジュール72の近くにあるとき、ASYNC FIFO86に向けて送られる。
メモリクロック信号(MEM_CLK)82をASYNC FIFOバッファ86にフィードバックすることによって生成されるフィードバッククロック信号(CLK_IN)88に応答して、メモリモジュール72からデータを読み取る。この一例の実施形態では、メモリクロック(MEM_CLK)信号82は、ASYNC FIFO86がメモリモジュール72の近くにあるとき、ASYNC FIFO86に向けて送られる。
書込動作時には、データ(IPDATA)は、入力クロック信号(CLK_INT)78の立ち上がりエッジにおいてメモリコントローラ74の書込データバッファ84から発生される。このデータは遅延して伝搬し、MEM_DATAとしてメモリモジュール72によって受信される。当業者には認められるように、クロックおよびデータ信号はメモリモジュール72まで同一の距離を移動するので、書込データバッファ84からメモリモジュール72に送信されるデータの伝搬遅延は、第1の伝搬遅延とほぼ等しい。これによって、正確な書込データサンプリングが行えるといった利点が存在する。
同様に、読取動作時には、メモリクロック信号(MEM_CLK)82の立ち上がりエッジに対応して、データ(MEM_DATA)がメモリモジュール72から発生される。このデータは遅延して伝搬し、IP_DATAとしてメモリコントローラ74のASYNC FIFOバッファ86によって受信される。この場合にも、メモリモジュール72からASYNC FIFOバッファ86によって受信されるデータの伝播遅延は、ASYNC FIFOバッファ86に到達する前のメモリ信号(MEM_CLK)82によって与えられる第2の伝播遅延と、ほぼ等しい。なお、クロックおよびデータによってメモリモジュール72からASYNC FIFOバッファ86にループバックされるクロックと等しい遅延が与えられる。
また、同期データ処理システム70、ASYNC FIFOバッファ86に接続されている検出器90を備える。示した実施形態では、データはパケットの形式で転送され、各パケットはセキュアデジタル(SD)プロトコルなどフレームの開始部および終了部を有する。検出器90は、メモリモジュール72から届いたパケットデータにおいてフレームの開始部を検出する。
データサンプリングモジュール92は、フィードバッククロック信号(CLK_IN)88に応答してASYNC FIFOバッファ86からデータサンプリングを開始するべく、検出器90およびASYNC FIFOバッファ86に接続されている。データサンプリングが開始されると、ASYNC FIFOバッファ86は、入力クロック信号(CLK_INT)78に応答してデータサンプリングモジュール92にデータを提供する。検出器90およびデータサンプリングモジュール92がパケット化されたデータをサンプリングする動作については図6に関連して以下に記載する。
図4には、図3の同期データ処理システム70におけるデータ読取および書込サイクルの一例のタイミング図を示す。示した実施形態では、メモリコントローラ74によって受信される入力クロック信号(CLK_INT)は、参照符号100によって表される。さらに、クロックインバータ76によって送信される反転クロック信号(CLK_OUT)は、参照符号102によって表される。さらにまた、メモリクロック信号(MEM_CLK)およびフィードバック信号(CLK_IN)サイクルは参照符号106,108によってそれぞれ表される。
さらに、メモリコントローラ74によって発生され書込動作時にメモリモジュール72によって受信されるデータ信号(WDATA)は、参照符号110,112によってそれぞれ表される。同様に、メモリモジュール72によって送信され読取動作時にメモリコントローラ74によって読み取られるデータ信号(RDATA)は、参照符号114,116によってそれぞれ表される。
示したように、データ(IP_DATA)110は、入力クロック信号(CLK_INT)100の立ち上がりエッジ(これは反転クロック信号(CLK_OUT)サイクル102の立ち下がりエッジ(参照符号114によって表される))に相当する書込データバッファ84から発生される。示した実施形態では、例えば、参照符号116によって表されるように、反転クロック信号(CLK_OUT)102によって、メモリモジュール72に到達する前の約2分の1クロックサイクルの伝搬遅延がメモリクロック信号(MEM_CLK)104として与えられる。
読取動作時には、データ(MEM_DATA)114は、メモリクロック信号(MEM_CLK)106立ち上がりエッジ120に対応してメモリモジュール72から発生される。このデータは遅延して伝搬し、IP_DATA116としてメモリコントローラ74のASYNC FIFOバッファ86によって受信される。この場合にも、この例では、メモリモジュール72からASYNC FIFOバッファ86によって受信されるデータの伝播遅延は、約2分の1クロックサイクルであり、これは参照符号122によって表されているように、ASYNC FIFOバッファ86に到達する前のメモリ信号(MEM_CLK)82によって発生される伝播遅延と等しい。
図5には、同期データ処理システム130の別の一例の構成を示す。この一例の実施形態では、メモリコントローラ74とメモリモジュール72との間で転送されるデータは、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)に通常用いられる読取イネーブル信号または書込イネーブル信号などの有効化信号を含む。検出器90が、メモリモジュール72から受信されるデータの読取イネーブル(RD_EN)信号132などの有効化信号を検出する。
検出器90は、メモリモジュール72からASYNC FIFOバッファ86にフィードバックされるフィードバッククロック信号88および有効化信号132に応答して、データサンプリングモジュール92にASYNC FIFOバッファ86からのデータのサンプリングを開始させる。この構成における検出器90およびデータサンプリングモジュール92の動作については図7に関連して記載する。
図6は、本発明による図3の同期データ処理システム70を用いるパケット化されたデータをサンプリングする方法140を示すフローチャートである。ブロック142において、フィードバッククロック信号88の立ち上がりエッジ(posedge)においてASYNC FIFOバッファにデータが送り込まれる。さらに、入力クロック信号に応答してASYNC FIFOバッファからのデータが検出器に供給される(ブロック144)。この一例の実施形態では、ASYNC FIFOバッファが空でないときには必ず、データが検出器に転送される。
ブロック146において、検出器は、データの1から0への遷移をチェックすることによって、届いたパケット化データのフレームの開始部を検出する。フレームの開始部が検出される場合、ブロック148によって表されるように、トリガに従ってデータサンプリングモジュールはASYNC FIFOからのデータのサンプリングを開始する。あるいは、参照符号150によって表されるように、検出器はフレームの次の開始部を確認する。
図7は、本発明による図5の同期データ処理システムを用いる有効化信号によってデータをサンプリングする方法160を示すフローチャートである。ブロック162において、データと、読取イネーブル(RD_EN)信号などの有効化信号とが、メモリモジュールからのフィードバック信号の立ち上がりエッジ(posedge)においてASYNC FIFOバッファに送り込まれる。さらに、入力クロック信号に応答して、ASYNC FIFOバッファからデータおよび読取イネーブル有効化信号が検出器に供給される(ブロック164)。この一例の実施形態では、ASYNC FIFOが空でないときには、データおよび読取イネーブル有効化信号が検出器に転送される。
ブロック166において、検出器は、読取イネーブル有効化信号における1から0への遷移を検出する。読取イネーブル有効化信号が検出される場合、ブロック168によって表されるように、トリガに従ってデータサンプリングモジュールはASYNC FIFOからのデータのサンプリングを開始する。特定の実施形態では、データサンプリングはメモリアクセス時間の後に開始される。あるいは、参照符号170によって表されるように、検出器は次の読取イネーブル有効化信号を確認する。
本発明によって、上述のように、伝播遅延およびPVT条件にかかわらず、高信頼性のデータ転送が可能となる。上述のように、伝搬遅延およびPVT条件によって与えられる位相スキューを補償するデータ転送システムにおいて、メモリコントローラとメモリモジュールとの間で転送されるクロックとデータ信号との間に、確固たる関係が確立される。
この技術では、書込データサンプリングを行うべくメモリモジュールに反転クロック信号を供給するための反転クロックが用いられる。また、この技術では、フィードバック信号を生成するべくメモリモジュールからのメモリクロック信号を送るクロック信号分配モジュールが用いられ、このクロック信号分配モジュールは、読取データサンプリングのためのASYNC FIFOバッファとともに用いられる。
Claims (20)
- 同期データ処理システムであって、
データを格納するメモリモジュールと、
メモリモジュールに接続されているメモリコントローラとを備え、メモリコントローラは、
入力クロック信号を受信し、反転クロック信号をメモリモジュールに提供するクロックインバータであって、反転クロック信号によって、メモリモジュールに到達する前の第1の伝搬遅延がメモリクロック信号として与えられる、クロックインバータと、
メモリモジュールに接続されている書込データバッファであって、入力クロック信号に応答してメモリモジュールにデータを提供する、書込データバッファと、
メモリモジュールに接続されている非同期先入れ先出し(ASYNC FIFO)バッファであって、メモリクロック信号をASYNC FIFOバッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答してメモリモジュールからデータを読み取る、ASYNC FIFOバッファと、を備える、同期データ処理システム。 - 書込データバッファからメモリモジュールに送信されるデータの伝搬遅延は第1の伝搬遅延と等しい、請求項1に記載の同期データ処理システム。
- メモリクロック信号によって、ASYNC FIFOバッファに到達する前の第2の伝搬遅延が与えられ、第2の伝搬遅延はメモリモジュールからASYNC FIFOバッファによって受信されるデータの伝搬遅延と等しい、請求項1に記載の同期データ処理システム。
- ASYNC FIFOバッファに接続されており、メモリモジュールから届いたパケットデータを検出する検出器と、
データサンプリングモジュールであって、フィードバック信号に応答してASYNC FIFOバッファからのデータのサンプリングをデータサンプリングモジュールに開始させるべく、検出器およびASYNC FIFOバッファに接続されている、データサンプリングモジュールと、をさらに備える、請求項1に記載の同期データ処理システム。 - ASYNC FIFOバッファは入力信号に応答してデータサンプリングモジュールにデータを提供する、請求項4に記載の同期データ処理システム。
- 検出器はメモリモジュールから受信されるデータの有効化信号を検出する、請求項4に記載の同期データ処理システム。
- 有効化信号は読取イネーブル信号を含む、請求項6に記載の同期データ処理システム。
- 検出器は、メモリモジュールからフィードバックされるフィードバック信号および有効化信号に応答してASYNC FIFOバッファからのデータのサンプリングをデータサンプリングモジュールに開始させる、請求項6に記載の同期データ処理システム。
- 反転クロック信号は、データサンプリングのセットアップ時間およびホールド時間を増加させる、請求項1に記載の同期データ処理システム。
- メモリコントローラがクロック生成器から入力クロック信号を受信する、請求項1に記載の同期データ処理システム。
- 同期データ処理システムのメモリモジュールとともに用いられるメモリコントローラにおいて、
入力クロック信号を受信し、反転クロック信号をメモリモジュールに提供するためのクロックインバータであって、反転クロック信号によって、メモリモジュールに到達する前の第1の伝搬遅延がメモリクロック信号として与えられる、クロックインバータと、
クロック信号分配モジュールであって、メモリモジュールからメモリコントローラに向けてメモリクロック信号を送ることによってフィードバック信号を生成し、それによってメモリコントローラとメモリモジュールとの間で転送されるそれらのクロック信号がメモリモジュールとメモリコントローラとの間で送信されるデータと同じ位相遅延を有する、クロック信号分配モジュールと、を備える、メモリコントローラ。 - メモリモジュールとメモリコントローラとの間で転送されるクロック信号およびデータの位相遅延は、伝搬遅延およびプロセス電圧温度(PVT)変化による、請求項11に記載のメモリコントローラ。
- メモリモジュールに接続されている書込データバッファであって、入力クロック信号に応答してメモリモジュールにデータを提供する書込データバッファ、をさらに備える請求項11に記載のメモリコントローラ。
- 書込データバッファからメモリモジュールに送信されるデータの伝搬遅延は第1の伝搬遅延と等しい、請求項13に記載のメモリコントローラ。
- メモリモジュールに接続されている非同期先入れ先出し(ASYNC FIFO)バッファであって、メモリクロック信号をASYNC FIFOバッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答してメモリモジュールからデータを読み取る、ASYNC FIFOバッファ、をさらに備える請求項11に記載のメモリコントローラ。
- ASYNC FIFO バッファは入力クロック信号に応答してサンプリング用のデータを提供する、請求項15に記載のメモリコントローラ。
- 同期データ処理システムにおいてメモリモジュールとメモリコントローラとの間でデータを転送する方法であって、
入力クロック信号を受信するステップと、
メモリモジュールに対するメモリクロック信号を生成するべく、反転入力クロック信号をメモリモジュールに送信するステップと、
メモリモジュールからメモリコントローラにメモリクロック信号をフィードバックすることによってフィードバック信号を生成する工程であって、メモリコントローラとメモリモジュールとの間で転送されるクロック信号によってメモリモジュールとメモリコントローラとの間で送信されるデータと同じ位相遅延が与えられるステップと、を備える方法。 - 入力クロック信号に応答してメモリコントローラの書込データバッファからメモリモジュールにデータを送信するステップと、
メモリクロック信号を非同期先入れ先出し(ASYNC FIFO)バッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答して、メモリモジュールからメモリコントローラのASYNC FIFOバッファにデータを送信するステップと、をさらに備える請求項17に記載の方法。 - フィードバック信号に応答してメモリモジュールから受信されるデータのサンプリングを開始するステップと、
入力クロック信号に応答してASYNC FIFOバッファからデータサンプリングモジュールにデータを提供するステップと、をさらに備える請求項18に記載の方法。 - メモリコントローラとメモリモジュールとの間で転送されるそれらのクロック信号およびデータによって、伝搬遅延およびプロセス電圧温度(PVT)変化によって生じる位相遅延と等しい位相遅延が与えられる、請求項18に記載のデータを処理する方法。
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