JP2013246169A5

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Publication number: JP2013246169A5
Application number: JP2013108467A
Authority: JP
Filing date: 2013-05-23
Publication date: 2016-06-30
Anticipated expiration: 2033-05-23

Claims

排気ガスサンプリングシステム（１０）の複数のゾーンを有し、該ゾーンは、サンプリング導管（１２）と、充填回路（３８）と、読取り回路（５０）とを備え、
ゾーンの少なくとも１つに凝縮が生じることを防止すべく、最小希釈比を予測するようにプログラムされたコントローラ（５８）を更に有し、該コントローラは、予測された最小希釈比に等しいか、これより大きい、選択された最小希釈比で、排気ガスのサンプルをメイクアップガスで希釈するように試験手順を実行すべくプログラムされていることを特徴とする排気ガスサンプリングシステム。
前記排気ガスサンプリングシステムのゾーンが、少なくとも１つのサンプルバッグ（４８）を有し、コントローラは、少なくとも１つのサンプルバッグ内の凝縮および少なくとも１つの他の排気ガスサンプリングシステムのゾーン内の凝縮を防止すべく最小希釈比を予測するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１記載の排気ガスサンプリングシステム。
前記選択された最小希釈比は、予測された最小希釈比の最大値に等しいか、これより大きいことを特徴とする請求項２記載の排気ガスサンプリングシステム。
前記コントローラは、排気ガスサンプリングシステムの各ゾーン内の凝縮を防止すべく、最小希釈比を予測するようにプログラムされていることを特徴とする請求項３記載の排気ガスサンプリングシステム。
前記選択された最小希釈比は、１：１と１０：１との間の範囲内にあることを特徴とする請求項４記載の排気ガスサンプリングシステム。
前記コントローラに連結されたポンプを更に有し、コントローラは、ポンプ（４２）が、選択された最小希釈比に従って一定量のメイクアップガスをサンプリング導管内に吸引する命令を出すようにプログラムされていることを特徴とする請求項１記載の排気ガスサンプリングシステム。
充填回路（３８）、読取り回路（５０）、サンプリング導管（１２）および少なくとも１つのサンプルバッグ（４８）の各々内の凝縮を防止すべく、コントローラにより最小希釈比を予測する段階と、
試験手順中に、排気ガスを、予測された最小希釈比の最大値に等しいか、これより大きい比でメイクアップガスにより希釈する段階とを有することを特徴とする排気ガスサンプルを希釈する方法。
充填回路内の凝縮を防止する最小希釈比ＤＲ_{ｆｉｌｌ−ｍｉｎ}は次式により予測され、

ここで、Ｗ_{ｅｘ−ｍａｘ}は、試験手順中の排気ガス中の最大期待水濃度、Ｗ_{ｆｉｌｌ−ｓａｔ}は、試験手順中に充填回路と関連させるべき期待飽和水濃度、およびＷ_ｍは、試験手順中のメイクアップガス中の期待水濃度であることを特徴とする請求項７記載の方法。
読取り回路内の凝縮を防止するための最小希釈比ＤＲ_{ｒｅａｄ−ｍｉｎ}は次式により予測され、

ここで、Ｗ_{ｅｘ−ａｖｅ}は、試験手順中の排気ガス中の平均期待水濃度、およびＷ_{ｒｅａｄ−ｓａｔ}は、試験手順中に読取り回路と関連させるべき期待飽和水濃度、およびＷ_ｍは、試験手順中のメイクアップガス中の期待水濃度であることを特徴とする請求項７記載の方法。
少なくとも１つのサンプルバッグ内の予測最小希釈比ＤＲ_{ｂａｇ−ｍｉｎ}は次式に従って予測され、

ここで、Ｗ_{ｅｘ−ａｖｅ}は、試験手順中の排気ガス中の平均期待水濃度、Ｗ_{ｂａｇ−ｓａｔ}は試験手順中に少なくとも１つのサンプルバッグと関連させるべき期待飽和水濃度、およびＷ_ｍは、試験手順中のメイクアップガス中の期待水濃度であることを特徴とする請求項７記載の方法。
サンプリング導管内の凝縮を防止するための最小希釈比ＤＲ_{ｓａｍｐ−ｃｏｎｄ−ｍｉｎ}は、次式に従って予測され、

ここで、Ｗ_{ｅｘ−ｍａｘ}は、試験手順中の排気ガス中の最大期待水濃度、Ｗ_{ｓａｍｐ−ｃｏｎｄ−ｓａｔ}は、試験手順中にサンプリング導管と関連させるべき期待飽和水濃度、およびＷ_ｍは、試験手順中のメイクアップガス中の期待水濃度であることを特徴とする請求項７記載の方法。
前記排気ガスは、充填回路内の凝縮を防止するための最小希釈比ＤＲ _{ｆｉｌｌ−ｍｉｎ} 、読取り回路内の凝縮を防止するための最小希釈比ＤＲ _{ｒｅａｄ−ｍｉｎ} 、少なくとも１つのサンプルバッグ内の凝縮を防止するための最小希釈比ＤＲ _{ｂａｇ−ｍiｎ} 、およびサンプリング導管内の凝縮を防止するための最小希釈比ＤＲ _{ｓａｍｐ−ｃｏｎｄ−ｍｉｎ} に基づいて決定される、次式で示す最小希釈比ＤＲ_{ＣＶＳ−ＭＩＮ}、すなわち、

でメイクアップガスにより希釈されることを特徴とする請求項７記載の方法。
前記ＤＲ_{ＣＶＳ−ＭＩＮ}は、１：１と１０：１との間の範囲内にあることを特徴とする請求項１２記載の方法。
前記排気ガスは、サンプリング導管内でメイクアップガスにより希釈される、または前記排気ガスは、サンプリング導管の下流側の位置で、小型希釈器（６２）によりメイクアップガスで希釈されることを特徴とする請求項７記載の方法。
試験手順中に、少なくとも１つのサンプルバッグ内の水濃度の積分値に基づいて、少なくとも１つのサンプルバッグ内に凝縮が生じるか否かを決定する段階を更に有することを特徴とする請求項７記載の方法。