JP2017001348A - 帯電防止構造体、その製造方法及び帯電防止防汚構造体 - Google Patents
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工程(2):工程(1)より後に実施される、コート層を加熱して、コート層中の分散媒を除去する。
工程(3):工程(2)より後に実施される、コート層を加熱し、コート層中の原料を反応させて、表面層を形成する。
まず、本発明の第1の実施形態に係る帯電防止構造体について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施形態で引用する図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。図1(A)は、本発明の第1の実施形態に係る帯電防止構造体を示す模式的な断面図であり、また、図1(B)は、図1(A)に示した帯電防止構造体の上面側から見た導電層における導電性針状粒子の配置を示す説明図である。なお、図1(B)においては、場合によって導電層に含まれる導電性針状粒子以外の表面層の構成材の記載が省略されている。
d[nm]≦380[nm]/n1・・・(1)
(式(1)中、dは導電層の厚み、n1は導電性針状粒子の屈折率を示す。)に示す関係を満足することが好適である。
10≦B[nm]/A[nm]≦100・・・(2)
A[nm]<380[nm]/n1・・・(3)
(式(2)及び式(3)中、Aは導電性針状粒子の短径、Bは導電性針状粒子の長径、n1は導電性針状粒子の屈折率を示す。)に示す関係を満足することが好適である。
10[nm]≦D[nm]≦400[nm]/n2・・・(4)
(式(4)中、Dは微細多孔質構造体の表面開口部の平均直径、n2は表面層の構成材(但し、導電性針状粒子を除く。)の屈折率を示す。)に示す関係を満足することが好適である。
40[nm]≦d[nm]≦380[nm]/n1・・・(5)
(式(5)中、dは上記導電層の厚み、n1は上記導電性針状粒子の屈折率を示す。)に示す関係を満足することが好適である。
10[nm]≦D[nm]≦200[nm]・・・(6)
(式(6)中、Dは微細多孔質構造体の表面開口部の平均直径を示す。)に示す関係を満足することが好適であり、式(6)の上限は、150[nm]以下であることがより好適であり、100[nm]以下であることがさらに好適であり、50[nm]以下であることが特に好適である。
次に、本発明の第2の実施形態に係る帯電防止構造体の製造方法について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明の帯電防止構造体は、本発明の帯電防止構造体の製造方法により得られたものである必要はないが、本発明の帯電防止構造体の製造方法によって帯電防止構造体を製造することにより、容易に作製することができる。また、上記の実施形態において説明したものと同等のものについては、それらと同一の符号を付して説明を省略する。図2は、本発明の第2の実施形態に係る帯電防止構造体の製造方法を示すフロー図である。
次に、本発明の第3の実施形態に係る帯電防止防汚構造体について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、上記の実施形態において説明したものと同等のものについては、それらと同一の符号を付して説明を省略する。図3は、本発明の第3の実施形態に係る帯電防止防汚構造体を示す模式的な断面図である。
次に、本発明の第4の実施形態に係る自動車部品について詳細に説明する。
本実施形態の自動車部品は、本発明の帯電防止構造体又は帯電防止防汚構造体を有するものである。
まず、水0.93gと、トリエチレングリコール1.5gと、イソプロパノール0.78gとを均一に混合し、得られた混合物に32N硫酸0.3gを添加して、溶液A1を調製した。また、エチルシリケート(コルコート株式会社製、エチルシリケート40)8.04gと、イソプロパノール0.78gとを均一に混合して、溶液B1を調製した。
実施例1で得られた溶液C1に導電性針状粒子(組成:アンチモンドープ酸化スズ、長径B/短径A:500nm/20nm、屈折率n1:2.1、比重G1:6.6)をエチルシリケートが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が8質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
実施例1で得られた溶液C1に導電性針状粒子(組成:アンチモンドープ酸化スズ、長径B/短径A:200nm/20nm、屈折率n1:2.1、比重G1:6.6)をエチルシリケートが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が5質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
実施例1で得られた溶液C1に導電性針状粒子(組成:アンチモンドープ酸化スズ、長径B/短径A:200nm/10nm、屈折率n1:2.1、比重G1:6.6)をエチルシリケートが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が9質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
まず、水0.8gと、トリエチレングリコール1.5gと、イソプロパノール0.78gとを均一に混合し、32N硫酸0.3gを添加して、溶液A5を調製した。また、テトラエトキシシラン8.0gと、イソプロパノール0.78gとを均一に混合して、溶液B5を調製した。
実施例5で得られた溶液C5に導電性針状粒子(組成:アンチモンドープ酸化スズ、長径B/短径A:200nm/10nm、屈折率n1:2.1、比重G1:6.6)をテトラエトキシシランが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が6質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
まず、水0.4gと、トリエチレングリコール1.5gと、イソプロパノール0.78gとを均一に混合し、32N硫酸0.3gを添加して、溶液A7を調製した。また、テトラエトキシシラン8.0gと、イソプロパノール0.78gとを均一に混合して、溶液B7を調製した。
実施例7で得られた溶液C7に導電性針状粒子(組成:アンチモンドープ酸化スズ、長径B/短径A:2000nm/20nm、屈折率n1:2.1、比重G1:6.6)をテトラエトキシシランが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が3質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
実施例7で得られた溶液C7に導電性針状粒子(組成:アンチモンドープ酸化スズ、長径B/短径A:200nm/20nm、屈折率n1:2.1、比重G1:6.6)をテトラエトキシシランが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が3質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
まず、テトラエトキシシラン3.75gと、塩酸(pH2)1.15gとを混合して、溶液A10を調製した。また、メチルトリエトキシシラン9.62gと、塩酸(pH2)2.06gとを混合して、溶液B10を調製した。
実施例7で得られた溶液C7に導電性針状粒子(組成:導電性樹脂ファイバー(東レ株式会社製SCIMAを粉砕し、長径B/短径A:200000nm/5000nmとなるように調整したものである。)、屈折率n1:1.6、比重G1:1.1)をテトラエトキシシランが重合反応した後の表面層における導電性針状粒子の含有量が90質量%となるように添加して、本例で用いる塗工液を調製した。しかる後、得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。
実施例1で得られた溶液C1を本例で用いる塗工液とした。得られた塗工液を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の帯電防止構造体を得た。各例の仕様の一部を表1に示す。なお、表1中の「表面粗さ」は、原子間力顕微鏡により計測した。また、「蒸発減量」は、シャーレに広げて120℃で24時間加熱して計測し、算出した。
また、各例の帯電防止構造体に対して、各表面層を表1に示す表面処理剤に24時間浸漬し、150℃で1時間乾燥した。さらにこの操作を3回繰り返して、各例の表面処理した帯電防止構造体を得た。
上記各例の表面処理した帯電防止構造体に対して、各表面層に表1に示すフッ素含有液体を塗布し、表面の余剰分のオイルを拭き取って、各例の帯電防止防汚構造体を得た。
上記各例の帯電防止防汚構造体を用いて、以下の性能を評価した。
上記各例の帯電防止防汚構造体について、抵抗率計(株式会社三菱化学アナリテック製、ハイレスターUX MCP−HT800)を用いて、表面抵抗率を計測して、帯電防止性を評価した。得られた結果を表2に示す。表2中、帯電防止性における「◎」は表面抵抗率が1010Ω/□以下であることを示し、「○」は表面抵抗率が1010Ωを超え1012Ω/□以下であることを示し、「×」は表面抵抗率が1012Ω/□を超えることを示す。
上記各例の帯電防止防汚構造体について、ヘイズメーター(株式会社村上色彩技術研究所製)を用いて、ヘイズを計測して、透明性を評価した。得られた結果を表2に示す。表2中、透明性における「◎」はヘイズHが0.5%以下であることを示し、「○」はヘイズHが0.5%より大きく1%以下であることを示し、「△」はヘイズHが1%より大きく30%以下であることを示し、「×」はヘイズHが30%より大きいことを示す。
上記各例の帯電防止防汚構造体について、キャンバス布で1000往復摺動した後において、水滴滑落性の評価と同様の操作により転落角を計測して、耐久性を評価した。得られた結果を表2に示す。表2中、耐久性における「◎」は転落角が10°以下であることを示し、「○」は転落角が10°より大きく20°以下であることを示し、「△」は転落角が20°より大きく40°以下であることを示し、「×」は転落角が40°より大きいことを示す。
上記各例の帯電防止防汚構造体について、水20μLを滴下し、転落角を計測して、水滴滑落性を評価した。得られた結果を表2に示す。表2中、水滴滑落性における「◎」は転落角が10°以下であることを示し、「○」は転落角が10°より大きく15°以下であることを示し、「△」は転落角が15°より大きく30°以下であることを示し、「×」は転落角が30°より大きいことを示す。
10 帯電防止構造体
11 表面層
11A 構成材(導電性針状粒子を除く。)
12 導電層
12A 導電性針状粒子
13 基材
20 塗工液
21 コート層
21A 構成材の原料(表面処理剤及び導電性針状粒子を除く。)
30 フッ素含有液体
Claims (13)
- 微細凹凸構造体及び微細多孔質構造体の少なくとも一方により形成される表面層を備え、
上記表面層が、導電性針状粒子を含有する導電層を有する
ことを特徴とする帯電防止構造体。 - 上記導電層が、上記表面層の最下層に配設されていることを特徴とする請求項1に記載の帯電防止構造体。
- 上記導電層が、下記の式(1)
d[nm]≦380[nm]/n1・・・(1)
(式(1)中、dは上記導電層の厚み、n1は上記導電性針状粒子の屈折率を示す。)に示す関係を満足することを特徴とする請求項1又は2に記載の帯電防止構造体。 - 上記導電性針状粒子が、透明無機化合物からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つの項に記載の帯電防止構造体。
- 上記導電性針状粒子が、下記の式(2)及び式(3)
10≦B[nm]/A[nm]≦100・・・(2)
A[nm]<380[nm]/n1・・・(3)
(式(2)及び式(3)中、Aは上記導電性針状粒子の短径、Bは上記導電性針状粒子の長径、n1は上記導電性針状粒子の屈折率を示す。)に示す関係を満足することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つの項に記載の帯電防止構造体。 - 上記表面層が、上記導電性針状粒子を1〜10質量%含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つの項に記載の帯電防止構造体。
- 上記表面層が、上記微細多孔質構造体により形成されており、
上記微細多孔質構造体が、下記の式(4)
10[nm]≦D[nm]≦400[nm]/n2・・・(4)
(式(4)中、Dは上記微細多孔質構造体の表面開口部の平均直径、n2は上記表面層の構成材(但し、上記導電性針状粒子を除く。)の屈折率を示す。)に示す関係を満足することを特徴とする請求項5又は6に記載の帯電防止構造体。 - 上記導電層が、下記の式(5)
40[nm]≦d[nm]≦380[nm]/n1・・・(5)
(式(5)中、dは上記導電層の厚み、n1は上記導電性針状粒子の屈折率を示す。)に示す関係を満足することを特徴とする請求項7に記載の帯電防止構造体。 - 上記表面層が、上記導電性針状粒子を5〜10質量%含有することを特徴とする請求項7又は8に記載の帯電防止構造体。
- 上記微細多孔質構造体が、下記の式(6)
10[nm]≦D[nm]≦200[nm]・・・(6)
(式(6)中、Dは上記微細多孔質構造体の表面開口部の平均直径を示す。)に示す関係を満足することを特徴とする請求項7〜9のいずれか1つの項に記載の帯電防止構造体。 - 請求項1〜10のいずれか1つの項に記載の帯電防止構造体と、
上記表面層に含浸されたフッ素含有液体と、を具備した
ことを特徴とする帯電防止防汚構造体。 - 微細凹凸構造体及び微細多孔質構造体の少なくとも一方により形成される表面層を備え、該表面層が、導電性針状粒子を含有する導電層を有する帯電防止構造体を製造する方法であって、下記の工程(1)〜(3)
(1):上記表面層の構成材の原料(但し、表面処理剤を除く。)と、該原料を分散させる分散液と、を含有し、上記導電性針状粒子の比重(G1)と、該原料のうち該導電性針状粒子以外のもの及び該分散液を含有する溶液の比重(G2)との比重差(G1−G2)を2以上とした塗工液により基材上にコート層を形成する工程、
(2):上記工程(1)より後に実施される、上記コート層を加熱して、該コート層中の上記分散媒を除去する工程、
(3):上記工程(2)より後に実施される、上記コート層を加熱し、該コート層中の上記原料を反応させて、上記表面層を形成する工程、を含む
ことを特徴とする帯電防止構造体の製造方法。 - (4):上記工程(1)より後に、かつ、上記工程(2)より前に実施される、上記コート層を静置して、該コート層中の上記導電性針状粒子を沈降させる工程、を含む
ことを特徴とする請求項12に記載の帯電防止構造体の製造方法。
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