JP2017182912A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光部を被覆する膜を有する発光装置において、隔壁で発生した劣化因子に起因して有機層が劣化しないようにする。【解決手段】絶縁層１５０は、発光部１４０を画定している。隔壁１６０は、絶縁層１５０上で第１方向に延伸している。隔壁１６０は、無機材料からなる。被覆層２００は、発光部１４０を覆っている。隔壁１６０は、第２電極１３０を分断している。被覆層２００は、隔壁１６０の両側に位置する第２電極１３０、並びに隔壁１６０の側面及び上面を連続して覆っている。【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年、有機層を有する発光装置が開発されている。このような発光装置は、例えばディスプレイに用いられることがある。この場合、発光装置は、基板及び基板上の複数の発光部を有している。各発光部は、第１電極、第２電極及び第１電極と第２電極の間の有機層を有している。より詳細には、発光装置は、第１方向に延伸する第１導電層、第１方向に直交する第２方向に延伸する第１有機層及び第１有機層上で第２方向に延伸する第２導電層を有している。第１導電層は、第２導電層と重なる部分を有する。第２導電層は、第１導電層と重なる部分を有する。第１有機層は、第１導電層の上記した部分と第２導電層の上記した部分の間の部分を有する。第１導電層の上記した部分は発光部の第１電極として機能する。第２導電層の上記した部分は発光部の第２電極として機能する。第１導電層の上記した部分は発光部の有機層として機能する。

発光装置は、隔壁を有することがある。隔壁は、第１導電層と直交する方向に延伸している。特許文献１に記載されているように、隔壁は、第１部分及び第１部分上の第２部分を有することがある。隔壁の延伸方向に垂直な断面において、第２部分の幅は、第１部分の幅よりも広い。この場合、基板上、第１導電層上及び隔壁上に有機層を堆積すると、隔壁によって有機層が分断される。このようにして、２つの有機層が隔壁を挟んで互いに対向するようになる。さらに、基板上、第１導電層上、有機層上及び隔壁上に導電層を堆積すると、隔壁によって導電層が分断される。このようにして、２つの第２導電層が隔壁を挟んで互いに対向するようになる。

特許文献１では、隔壁の第１部分及び第２部分を次のように形成している。まず、基板上に、第１マスク膜（例えばレジスト膜）を形成する。第１マスク膜は溝を有する。次いで、基板上及び第１マスク膜上に絶縁層を堆積する。絶縁層の一部は、第１マスク膜の溝に埋め込まれる。絶縁層のこの一部は、隔壁の第１部分となる。絶縁層の他の一部は、第１マスク膜の溝上及び第１マスク膜の上面上に位置する。次いで、絶縁層上に第２マスク膜（例えばレジスト膜）を形成する。第２マスク膜は、第１マスク膜の溝の上方に位置する。第２マスク膜の幅は第１マスク膜の溝の幅よりも広い。次いで、第２マスク膜を用いて絶縁層をエッチングする。これにより、第１マスク膜の溝（隔壁の第１部分）上に隔壁の第２部分が形成される。次いで、第１マスク膜及び第２マスク膜を除去する。

特開２００３−２４９３６９号公報

本発明者が検討したところ、隔壁が有機材料（例えば、ノボラック樹脂）からなる場合、隔壁に光（特に紫外線を含む光）が照射すると、有機層を劣化（例えば酸化）させる因子（以下、劣化させる物質と記載）が発生し得ることが判明した。中空構造の封止構造を採用した場合、この劣化因子は中空部分に拡散するため、問題は生じにくい。これに対して膜を用いて発光部を被覆する場合、隔壁で発生した劣化因子は、絶縁膜を介して有機層に到達する可能性が高くなり、発光部を構成する有機層を劣化させることがある。この場合、発光部の発光領域が狭くなってしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、発光部を被覆する膜を有する発光装置において、隔壁で発生した劣化因子に起因して有機層が劣化しないようにすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
基板と、
前記基板上に形成され、各々が第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を有する複数の発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記絶縁層上で第１方向に延伸し、無機材料からなる隔壁と、
前記発光部を覆う被覆層と、
を備え、
前記隔壁は前記第２電極を分断しており、
前記被覆層は、前記隔壁の両側に位置する前記第２電極、並びに前記隔壁の側面及び上面を連続して覆っている発光装置である。

実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図１から被覆層を取り除いた図である。 図２から第２導電層、隔壁及び絶縁層を取り除いた図である。 図２のＡ−Ａ断面図である。 図２のＢ−Ｂ断面図である。 図２のＣ−Ｃ断面図である。 図２のＤ−Ｄ断面図である。 図１〜図７に示した発光装置の製造方法を説明するための図である。 図１〜図７に示した発光装置の製造方法を説明するための図である。 図４の第１の変形例である。 図４の第２の変形例である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１から被覆層２００を取り除いた図である。図３は、図２から第２導電層１３０ａ、隔壁１６０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図４は、図２のＡ−Ａ断面図である。図５は、図２のＢ−Ｂ断面図である。図６は、図２のＣ−Ｃ断面図である。図７は、図２のＤ−Ｄ断面図である。

図２に示すように、発光装置１０は、基板１００、隔壁１６０及び複数の発光部１４０を備えている。図２に示すように、隔壁１６０は、第１方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。図４及び図５に示すように、複数の発光部１４０は、基板１００上にある。各発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有する。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間にある。第１方向に交わる（具体的には、第１方向に直交する）第２方向（図中Ｙ方向）に互いに隣接する発光部１４０は、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。図４、図６及び図７に示すように、隔壁１６０は、第１無機絶縁層１６２（第１部分）及び第２無機絶縁層１６４（第２部分）を含んでいる。第２無機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２上にある。第１方向（図１〜３においてＸ方向）に垂直な断面において、第２無機絶縁層１６４の幅は、第１無機絶縁層１６２の幅よりも広い。この際、第２無機絶縁層１６４の上面はマスクとなり、第２電極１３０は分断される。このため第２電極をパターニングするマスクが必要なくなる。第１無機絶縁層１６２は、第２無機絶縁層１６４よりも高いエッチングレートで加工可能である。以下、詳細に説明する。

図１〜図７に示す例において、発光装置１０は、ディスプレイである。発光装置１０は、基板１００、導電層１７０、導電層１８０、絶縁層１５０、有機層１２０ａ、第２導電層１３０ａ、隔壁１６０及び被覆層２００を有している。

図４〜図７に示すように、基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にあり、基板１００の裏面である。図１〜図３に示す例では、第１面１０２の形状は、矩形である。ただし、第１面１０２の形状は、例えば矩形以外の多角形であってもよい。

発光装置１０は、ボトムエミッション及びトップエミッションのいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッションである場合、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第２面１０４から出射される。この場合、基板１００は、透光性の材料（例えばガラス又は樹脂）からなる。これに対して、発光装置１０がトップエミッションである場合、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第１面１０２の上方から出射される。この場合、基板１００は、上記した透光性の材料からなってもよいし、又は透光性を有しない材料からなってもよい。

基板１００は、可撓性を有していてもよいし、又は可撓性を有していなくてもよい。基板１００が可撓性を有する場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００が可撓性を有し、かつガラスを含む場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が可撓性を有し、かつ樹脂を含む場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）又はポリイミドを含む。なお、基板１００の第１面１０２（好ましくは、第１面１０２及び第２面１０４の双方）は、無機バリア膜（例えばＳｉＮ_ｘ又はＳｉＯＮ）により覆われていてもよい。この場合、基板１００が水蒸気透過率の高い材料（例えば樹脂）を含んでいても、水蒸気が基板１００の第１面１０２よりも上に達することが抑制される。

図１〜図３に示すように、複数の導電層１７０は、基板１００の第１面１０２上にある。複数の導電層１７０は、複数の導電層１７０ａ及び複数の導電層１７０ｂを含んでいる。各導電層１７０ａは、第１導電層１１０ａ及び第１配線１１４を含む。第１導電層１１０ａは、導電層１７０ａの一部である。第１配線１１４は、導電層１７０ａの他の一部である。第１導電層１１０ａと第１配線１１４は、互いに接続している。各導電層１７０ｂは、第２配線１３４を含む。

第１配線１１４の一端には、第１端子１１２が位置している。第１端子１１２には、電位が与えられる。これにより、第１端子１１２の電位は、第１配線１１４を介して第１導電層１１０ａ（第１電極１１０）に与えられる。第２配線１３４の一端には、第２端子１３２が位置している。第２端子１３２には、電位が与えられる。これにより、第２端子１３２の電位は、第２配線１３４を介して第２導電層１３０ａ（第２電極１３０）に与えられる。

各導電層１７０の上面上には、導電層１８０がある。導電層１８０の電気抵抗は、導電層１７０の電気抵抗よりも低い。これにより、第１端子１１２と第１電極１１０の間の電圧降下及び第２端子１３２と第２電極１３０の間の電圧降下を抑制することができる。導電層１８０は、発光部１４０と重ならないように位置している。このため、導電層１８０は、透光性を有する必要がない。具体的には、導電層１８０は、例えばＡｌ又はＡｇからなる。その他の例として、導電層１８０は、例えば第１導電層１１０ａの上面上のＭｏ合金層、Ｍｏ合金層上のＡｌ合金層及びＡｌ合金層上のＭｏ合金層を含んでいてもよい。

図３に示すように、複数の第１導電層１１０ａは、第１方向（図中、Ｘ方向）に並んでいる。各第１導電層１１０ａは、第１方向に交わる（具体的には、第１方向に直交する）第２方向（図中、Ｙ方向）に延伸している。

図４、図５及び図７に示すように、絶縁層１５０は、基板１００の第１面１０２上及び複数の第１導電層１１０ａ上にある。絶縁層１５０は、感光性樹脂（例えばポリイミド）を含んでいる。図２及び図３に示すように、絶縁層１５０は、複数の開口１５２を有する。複数の開口１５２は、第２方向（図中、Ｙ方向）に並ぶｍ個の行及び第１方向（図中、Ｘ方向）に並ぶｎ個の列を含むｍ×ｎの行列状（本図に示す例では、ｍ＝４、ｎ＝５）に並んでいる。各開口１５２の平面形状は、矩形である。図４及び図５に示すように、各開口１５２内では、第１導電層１１０ａの一部（第１電極１１０）と第２導電層１３０ａの一部（第２電極１３０）が互いに重なっている。これにより、開口１５２の縁によって囲まれた領域が発光部１４０として機能する。すなわち、絶縁層１５０は、発光部１４０を画定している。

なお、図４及び図５に示すように、発光部１４０の各辺は、開口１５２の内側面の下端によって画定されている。詳細には、図４に示すように、第１方向（図１〜図３において、Ｘ方向）に垂直な断面において、開口１５２は、第１内側面及び第２内側面を有している。第２内側面は、第１内側面の反対側にある。開口１５２の第１内側面は、第１内側面の上端が第１内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。開口１５２の第２内側面は、第２内側面の上端が第２内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。発光部１４０の第１辺は、開口１５２の第１内側面の下端によって画定されている。発光部１４０の第２辺は、開口１５２の第２内側面の下端によって画定されている。同様にして、図５に示すように、第２方向（図１〜図３において、Ｙ方向）に垂直な断面において、開口１５２は、第３内側面及び第４内側面を有している。第４内側面は、第３内側面の反対側にある。開口１５２の第３内側面は、第３内側面の上端が第３内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。開口１５２の第４内側面は、第４内側面の上端が第４内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。発光部１４０の第３辺は、開口１５２の第３内側面の下端によって画定されている。発光部１４０の縁の第４辺は、開口１５２の第４内側面の下端によって画定されている。

絶縁層１５０は、開口１５４を有する。図６に示すように、第２導電層１３０ａは、開口１５４を介して第２配線１３４に接続している。

図４、図６及び図７に示すように、隔壁１６０は、絶縁層１５０上にある。隔壁１６０は、無機材料からなる。具体的には、隔壁１６０は、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４を含んでいる。図２に示すように、複数の隔壁１６０が第２方向（図中、Ｙ方向）に並んでいる。各隔壁１６０は、第１方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。図４及び図６に示すように、第１方向（図１〜図４のＸ方向）に垂直な断面において、第２無機絶縁層１６４の幅は、第１無機絶縁層１６２の幅よりも広い。

第１無機絶縁層１６２は、第２無機絶縁層１６４よりも高いエッチングレートで加工可能である。詳細を後述するように、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４は、例えば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物からなる。

第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４は、同一の化合物からなっていてもよい。この場合においても、第１無機絶縁層１６２は、第２無機絶縁層１６４よりも高いエッチングレートで加工可能である。例えば、第１無機絶縁層１６２の密度は、第２無機絶縁層１６４の密度よりも低くなっている。なお、第１無機絶縁層１６２の密度及び第２無機絶縁層１６４の密度は、例えば、隔壁１６０の高さ方向に垂直な断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）又はＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察することにより算出することができる。

図４〜図６に示すように、有機層１２０ａは、基板１００の第１面１０２上、複数の第１導電層１１０ａ上及び絶縁層１５０上にある。図４に示すように、複数の有機層１２０ａが第２方向（図１〜図３のＹ方向）に並んでいる。互いに隣接する有機層１２０ａは、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。言い換えると、隔壁１６０は、互いに隣接する有機層１２０（有機層１２０ａ）を分断している。図４及び図５に示すように、有機層１２０ａの一部は、第１導電層１１０ａの一部（第１電極１１０）と重なっている。有機層１２０ａのこの一部は、発光部１４０の有機層１２０として機能する。

なお、図４及び図６に示す例では、有機層１２０ａは、隔壁１６０とは接していない。

図４及び図７に示すように、隔壁１６０の上面上には、有機層１２０ｂがある。有機層１２０ｂに含まれる材料は、有機層１２０ａに含まれる材料と同一である。有機層１２０ａ及び有機層１２０ｂは、基板１００の第１面１０２上及び隔壁１６０上に有機層を堆積することにより形成される。この場合、有機層は、隔壁１６０によって有機層１２０ａと有機層１２０ｂに分離される。

有機層１２０ａは、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を有している。有機層１２０ａ全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。正孔注入層内及び正孔輸送層内では、正孔が移動する。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層の厚さは、正孔注入層の厚さよりも薄い。正孔輸送層の厚さは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層では、電子と正孔が再結合する。これにより、発光層からは、光が発せられる。発光層からの光の色は、例えば赤、緑又は青である。電子輸送層では、電子が輸送される。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、アルカリ金属化合物（例えばＬｉＦ）、金属酸化物（例えば酸化アルミニウム）又は金属錯体（例えばリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ））からなる。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方はなくてもよい。電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。

正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、例えば塗布プロセスにより形成される。具体的には、例えば正孔注入層、正孔輸送層及び発光層は、塗布プロセスにより形成され。電子輸送層及び電子注入層は、蒸着により形成される。

図４〜図５に示すように、第２導電層１３０ａは、有機層１２０ａ上にある。図２に示すように、複数の第２導電層１３０ａが第２方向（図中、Ｙ方向）に並んでいる。各第２導電層１３０ａは、第１方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。互いに隣接する第２導電層１３０ａは、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。図４及び図５に示すように、第２導電層１３０ａの一部は、第１導電層１１０ａの一部（第１電極１１０）と重なっている。第２導電層１３０ａのこの一部は、発光部１４０の第２電極１３０として機能する。

図４、図６及び図７に示すように、隔壁１６０の上面上には、導電層１３０ｂがある。導電層１３０ｂに含まれる材料は、第２導電層１３０ａに含まれる材料と同一である。第２導電層１３０ａ及び導電層１３０ｂは、基板１００の第１面１０２上及び隔壁１６０上に導電層を堆積することにより形成される。この場合、導電層は、隔壁１６０によって第２導電層１３０ａと導電層１３０ｂに分離される。

発光装置１０がボトムエミッションである場合、第１導電層１１０ａは、透光性を有する導電層である。この場合、第２導電層１３０ａは、透光性を有する必要はない。これに対して、発光装置１０がトップエミッションである場合、第２導電層１３０ａは、透光性を有する導電層である。この場合、第１導電層１１０ａは、透光性を有する必要はない。

第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａが透光性を有する導電層である場合、第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａは、例えば金属酸化物を含み、より具体的には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を含んでいる。

第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａが透光性を有しない導電層である場合、第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金を含んでいる。

図４〜図７に示すように、被覆層２００は、絶縁層１５０、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０を覆っている。これにより、被覆層２００は、絶縁層１５０、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０を封止している。より具体的には、本図に示す例では、被覆層２００は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成されている。これにより、被覆層２００は、絶縁層１５０、発光部１４０並びに隔壁１６０の側面及び上面を連続して覆っている。被覆層２００は、例えば絶縁材料、より具体的には例えば金属酸化物を含んでいる。被覆層２００は、例えば酸化チタン層及び酸化アルミニウム層を含んでいる。この場合、酸化アルミニウム層は、酸化チタン層上又は酸化チタン層下にある。被覆層２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。

なお、被覆層２００は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタにより形成してもよい。この場合、被覆層２００は、例えばＳｉＯ_２層又はＳｉＮ層を含んでいる。この場合、被覆層２００の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

被覆層２００は、樹脂層により覆われていてもよい。樹脂層は、被覆層２００を保護するために設けられている。樹脂層は、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含んでいる。

図８及び図９は、図１〜図７に示した発光装置１０の製造方法を説明するための図であり、図４に対応する。図８及び図９を用いて、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の第１面１０２上に導電層を形成し、この導電層をパターニングする。これにより、複数の導電層１７０（第１導電層１１０ａ、第１配線１１４及び第２配線１３４）が形成される。次いで、各導電層１７０の上面上に導電層１８０を形成する。

次いで、基板１００の第１面１０２上及び複数の導電層１７０上に絶縁層１５０を形成する。次いで、絶縁層１５０に複数の開口１５２及び複数の開口１５４を形成する。

次いで、図８に示すように、基板１００上及び絶縁層１５０上に第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４を形成する。次いで、第２無機絶縁層１６４上にマスク膜２１０（例えばレジスト膜）を形成する。

次いで、図９に示すように、マスク膜２１０を用いて第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４をエッチングする。第１無機絶縁層１６２のエッチングレートは、第２無機絶縁層１６４のエッチングレートよりも高い。このため、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２の幅が第２無機絶縁層１６４の幅よりも狭くなるようにエッチングされる。次いで、マスク膜２１０を除去する。

第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４は、例えばフッ化水素酸を用いたウェットエッチングによりエッチングされる。フッ化水素酸を用いる場合、第１例として、第１無機絶縁層１６２は、シリコン酸化物からなり、第２無機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２とは異なる酸素含有量を有するシリコン酸化物からなる。この場合、酸素含有量によって、第１無機絶縁層１６２のエッチングレートは、第２無機絶縁層１６４のエッチングレートよりも高くなる。第２例として、第１無機絶縁層１６２は、シリコン窒化物からなり、第２無機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２とは異なる窒素含有量を有するシリコン酸化物からなる。この場合、窒素含有量によって、第１無機絶縁層１６２のエッチングレートは、第２無機絶縁層１６４のエッチングレートよりも高くなる。第３例として、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４の一方は、シリコン酸化物からなり、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４の他方は、シリコン窒化物からなる。この場合、無機絶縁層の種類（シリコン酸化物又はシリコン窒化物）によって、第１無機絶縁層１６２のエッチングレートは、第２無機絶縁層１６４のエッチングレートよりも高くなる。

次いで、絶縁層１５０上及び複数の隔壁１６０上に有機層を形成する。これにより、有機層は、隔壁１６０によって有機層１２０ａ及び有機層１２０ｂに分離される。

次いで、絶縁層１５０上及び複数の隔壁１６０上に導電層を形成する。これにより、導電層は、隔壁１６０によって第２導電層１３０ａ及び導電層１３０ｂに分離される。

次いで、基板１００の第１面１０２上、絶縁層１５０上及び複数の隔壁１６０上に被覆層２００をＡＬＤにより形成する。これにより、絶縁層１５０、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０は、被覆層２００によって封止される。

以上、本実施形態によれば、隔壁１６０は、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４を含んでいる。第１無機絶縁層１６２は、第２無機絶縁層１６４よりも高いエッチングレートで加工可能である。このため、隔壁１６０を形成する際、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２の幅が第２無機絶縁層１６４の幅よりも狭くなるようにエッチングされる。これにより、第２無機絶縁層１６４の幅は、第１無機絶縁層１６２の幅よりも広くなる。

有機材料（例えばノボラック樹脂）からなる隔壁１６０に光が照射されると、隔壁１６０から有機層１２０ａを劣化させる因子が発生する可能性がある。さらに隔壁１６０の側面及び上面が封止機能を持つ被覆層２００に覆われている場合、劣化させる因子は隔壁１６０の側面及び上面から拡散することができなくなる。このため、有機材料からなる絶縁層１５０を介して有機層１２０ａに伝搬し、発光部を構成する有機層１２０ａを劣化させることがある。この場合、発光部の発光領域が狭くなってしまう。

これに対して本実施形態に係る発光装置１０において、隔壁１６０は無機材料からなっている。このため、隔壁１６０に光が照射されたとしても、隔壁１６０から有機層１２０ａを劣化させる因子の発生を抑制することができる。即ち、隔壁１６０の側面及び上面が覆われている場合でも隔壁１６０から有機層１２０ａの劣化因子の伝達を抑制できる。この結果、発光部の発光領域が狭くなってしまうことを抑制することができる。即ち、発光装置１０の寿命は長くなる。

図１０は、図４の第１の変形例である。本図に示すように、有機層１２０ａは、隔壁１６０（第１無機絶縁層１６２）に接していてもよい。本図に示す例では、有機層１２０ａは、隔壁１６０（第１無機絶縁層１６２）の側面に接している。本発明者が検討したところ、隔壁１６０が有機材料（例えばノボラック樹脂）からなる場合に有機層１２０ａが隔壁１６０に接すると、有機層１２０ａを劣化させる物質が隔壁１６０から有機層１２０ａに伝搬し、発光部１４０まで到達する可能性があることが明らかとなった。本発明者がさらに検討したところ、隔壁１６０が無機材料からなる場合は、光（特に紫外線を含む光）を照射しても劣化させる物質が発生しないため、劣化させる物質が有機層１２０ａに伝搬し、発光部１４０まで到達することが抑制することができる。このため、本図に示す例では、有機層１２０ａが隔壁１６０（第１無機絶縁層１６２）に接していても、有機層１２０ａが劣化することを抑制することができる。即ち、発光部１４０の発光領域が狭くなることを抑制することができる。

図１１は、図４の第２の変形例である。本図に示す例では、隔壁１６０は、単層の絶縁層（第１絶縁層）からなる。第１方向（図１〜図３においてＸ方向）に垂直な断面において、隔壁１６０は、第１側面及び第１側面とは反対側の第２側面を有している。隔壁１６０の第１側面は、第１側面の上端が第１側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。隔壁１６０の第２側面は、第２側面の上端が第２側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。隔壁１６０のエッチングレートプロファイルにおいて、隔壁１６０のエッチングレートは、隔壁１６０の上面から隔壁１６０の下面に向かうにつれて連続的に増加している。このため、隔壁１６０を図８及び図９に示したように形成した場合、隔壁１６０の幅は、隔壁１６０の上面から隔壁１６０の下面に向かうにつれて連続的に減少するようになる。言い換えると、隔壁１６０の第１部分（例えば、隔壁１６０の下面の周辺）の幅は、隔壁１６０の第２部分（例えば、隔壁１６０の上面の周辺）の幅よりも狭くなる。

隔壁１６０は、隔壁１６０を構成する無機絶縁層をスパッタにより堆積することで形成することができる。この場合、スパッタの堆積条件を連続的に変化させる。これにより、堆積された無機絶縁層のエッチングレートプロファイルにおいて、無機絶縁層のエッチングレートは、無機絶縁層の上面から無機絶縁層の下面に向かうにつれて連続的に増加するようになる。例えば、無機絶縁層の密度プロファイルにおいて、無機絶縁層の密度は、無機絶縁層の上面から無機絶縁層の下面に向かうにつれて連続的に減少するようになっている。この無機絶縁層をエッチングすることにより、本図の隔壁１６０が形成される。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１１０ａ 第１導電層
１１２ 第１端子
１１４ 第１配線
１２０ 有機層
１２０ａ 有機層
１２０ｂ 有機層
１３０ 第２電極
１３０ａ 第２導電層
１３０ｂ 導電層
１３２ 第２端子
１３４ 第２配線
１４０ 発光部
１５０ 絶縁層
１５２ 開口
１５４ 開口
１６０ 隔壁
１６２ 第１無機絶縁層
１６４ 第２無機絶縁層
１７０ 導電層
１７０ａ 導電層
１７０ｂ 導電層
１８０ 導電層
２００ 被覆層
２１０ マスク膜

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、各々が第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を有する複数の発光部と、
   前記発光部を画定する絶縁層と、
   前記絶縁層上で第１方向に延伸し、無機材料からなる隔壁と、
   前記発光部を覆う被覆層と、
   を備え、
   前記隔壁は前記第２電極を分断しており、
   前記被覆層は、前記隔壁の両側に位置する前記第２電極、並びに前記隔壁の側面及び上面を連続して覆っている発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記隔壁は、第１部分及び前記第１部分上にあって前記第１方向に垂直な断面において前記第１部分の幅よりも広い幅を有する第２部分を含む発光装置。
3. 請求項２に記載の発光装置において、
   前記第１部分は、前記第２部分よりも高いエッチングレートで加工可能である発光装置。
4. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記隔壁は、
   前記第１方向に垂直な断面において、第１側面及び前記第１側面とは反対側の第２側面を有し、
   前記第１側面は、前記第１側面の上端が前記第１側面の下端よりも外側に位置するように傾いており、
   前記第２側面は、前記第２側面の上端が前記第２側面の下端よりも外側に位置するように傾いている発光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記第１方向に並ぶ複数の第１導電層と、
   前記基板上及び前記複数の第１導電層上で前記第１方向に直交する第２方向に並ぶ複数の第２導電層と、
   を備え、
   前記第１導電層は、前記第２導電層と重なる部分を含み、
   前記第２導電層は、前記第１導電層と重なる部分を含み、
   前記第１電極は、前記第１導電層の前記部分であり、
   前記第２電極は、前記第２導電層の前記部分であり、
   複数の前記隔壁が前記第２方向に並び、
   互いに隣接する前記第２導電層は、前記隔壁を挟んで互いに対向している発光装置。
6. 請求項１〜５に記載の発光装置において、
   前記被覆層は、酸化チタン層及び酸化アルミニウム層を含む発光装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記隔壁は前記有機層を分断しており、前記有機層は、前記隔壁の少なくとも一方の側面に接している発光装置。
8. 請求項３に記載の発光装置において、
   前記第１部分及び前記第２部分は、同一の化合物からなり、
   前記第１部分の密度は、前記第２部分の密度よりも低い発光装置。

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