JP2024527770A - 電解槽用固体電解質セラミックスを含む耐衝撃性隔壁 - Google Patents

Abstract

本発明は、第１の態様では、電解槽Ｅ内での使用に適した仕切壁Ｗに関する。仕切壁Ｗは、端要素ＲＲと分離要素ＲＴとを形成する枠要素Ｒを備えている。枠要素Ｒは、２つの対向する部分Ｒ１およびＲ２を備え、それらの間には少なくとも２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックＦＡおよびＦＢが配置される。分離要素ＲＴは、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックの間に位置し、これらを互いに分離する。本発明の特徴は、２つの部分Ｒ１およびＲ２が、少なくとも１つの固定要素ＢＲにより端要素ＲＲに、かつ少なくとも１つの固定要素ＢＴにより分離要素ＲＴに、互いに固定されている点である。仕切壁Ｗが一体型の固体電解質を含んでいる従来技術による場合と比較して、この配置は、第一に、個々のセラミックが、例えば収縮または膨張による温度変動に反応するために利用の自由度がより高いため、より柔軟である。これにより、セラミックの機械的応力に対する安定性が向上する。同時に、部分Ｒ１およびＲ２が、端要素ＲＲおよび分離要素ＲＴの両方において、少なくとも１つの固定要素ＢＲまたはＢＴにより互いに固定されていることで、部分Ｒ１とＲ２の間の少なくとも２つの固体電解質セラミックの配置の機械的安定性が向上する。第２の態様では、本発明は、仕切壁Ｗによって隣接する室から区切られた陰極室ＫＫを含む電解槽Ｅに関する。隣接する室とは、電解槽Ｅの陽極室ＫＡまたは中間室ＫＭである。第３の態様では、本発明は、本発明の第２の態様による電解槽Ｅ内でアルカリ金属アルコキシド溶液を製造する方法に関する。【選択図】図２

Description

本発明は、第１の態様では、電解槽Ｅ内での使用に適した仕切壁Ｗに関する。仕切壁Ｗは、端要素Ｒ_Ｒと分離要素Ｒ_Ｔとを形成する枠要素Ｒを含んでいる。枠要素Ｒは、２つの対向する部分Ｒ_１およびＲ_２を備え、それらの間には、少なくとも２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体セラミックＦ_ＡおよびＦ_Ｂが配置されている。分離要素Ｒ_Ｔは、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックの間に位置し、これらを互いに分離する。
本発明の特徴は、２つの部分Ｒ_１およびＲ_２が、少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒにより端要素Ｒ_Ｒに、かつ少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔにより分離要素Ｒ_Ｔに、互いに固定されている点である。

仕切壁Ｗが一体型の固体電解質を含んでいる従来技術による場合と比較して、この配置は、第一に、個々のセラミックが、例えば収縮または膨張による温度変動に反応するために利用の自由度がより高いため、より柔軟である。これにより、セラミックの機械的応力に対する安定性が向上する。同時に、部分Ｒ_１およびＲ_２が、端要素Ｒ_Ｒおよび分離要素Ｒ_Ｔの両方において、少なくとも１つの固定要素Ｂ_ＲまたはＢ_Ｔにより互いに固定されていることで、部分Ｒ_１とＲ_２の間の少なくとも２つの固体電解質セラミックの配置の機械的安定性が向上する。

第２の態様では、本発明は、仕切壁Ｗによって隣接する室から区切られた陰極室Ｋ_Ｋを含む電解槽Ｅに関する。隣接する室とは、電解槽Ｅの陽極室Ｋ_Ａまたは中間室Ｋ_Ｍである。

第３の態様では、本発明は、本発明の第２の態様による電解槽Ｅ内でアルカリ金属アルコキシド溶液を製造する方法に関する。

１．本発明の背景
アルカリ金属アルコキシド溶液の電気化学的製造は、重要な工業プロセスであり、例えば、ドイツ特許出願公開第１０３６０７５８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２２６０２２号明細書および国際公開第２００５／０５９２０５号パンフレットに記載されている。これらのプロセスの原理は、アルカリ金属塩、例えば塩化ナトリウムまたはＮａＯＨの溶液が陽極室に存在し、かつ問題のアルコールまたはアルカリ金属アルコキシドの濃度が低い問題のアルコール溶液、例えばナトリウムメトキシドまたはナトリウムエトキシドが陰極室に存在する電解槽に反映されている。陰極室と陽極室は、使用されるアルカリ金属イオンを伝導するセラミック、例えばＮａＳＩＣＯＮ、またはカリウムもしくはリチウムの類似物によって分離されている。電流を流すと、アルカリ金属の塩化物塩を使用した場合、陽極で塩素が生成され、陰極で水素およびアルコキシドイオンが生成される。アルカリ金属イオンが、それに対して選択的なセラミックを介して、中間室から陰極室に移動することで、電荷のバランスが保たれる。中間室と陽極室との間の電荷バランスは、陽イオン交換膜が使用される場合は陽イオンの移動、または陰イオン交換膜が使用される場合は陰イオンの移動、または非特異的拡散バリアが使用される場合は両タイプのイオンの移動により生じる。これにより、陰極室内のアルカリ金属アルコキシドの濃度が上昇し、陽極液中のナトリウムイオンの濃度が低下する。

ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質は、他の化合物の電気化学的製造にも使用される。

国際公開第２０１４／００８４１０号パンフレットには、チタン元素または希土類を製造するための電解プロセスが記載されている。この方法の基本は、塩化チタンをＴｉＯ_２と対応する酸とから生成し、これをナトリウムアルコキシドと反応させ、チタンアルコキシドおよびＮａＣｌを得て、最終的にチタン元素とナトリウムアルコキシドに電気分解することである。

国際公開第２００７／０８２０９２号パンフレットおよび国際公開第２００９／０５９３１５号パンフレットは、バイオディーゼルの製造方法が記載されている。その方法では、ＮａＳＩＣＯＮを用いて電解的に生成されたアルコキシドの助けを借りて、まずトリグリセリドを対応するアルカリ金属トリグリセリドに転化し、第２工程で電解的に生成されたプロトンと反応させ、グリセロールとそれぞれのアルカリ金属水酸化物を得る。

しかし、これらの固体電解質セラミックには通常、いくつかの欠点がある。電解槽の稼働中、槽内の温度変動が避けられず、その結果、固体電解質セラミックが膨張または収縮する。これらのセラミックは脆いため、これは、セラミックの破損につながる可能性がある。

この問題は、電解操作において避けられない、起動と停止のプロセスを絶えず繰り返す場合に特に発生する。加熱および冷却の際、膨張と収縮の段階があり、それにより、電解槽内でセラミックが前後に移動する。セラミック内での力の分配は制御されないため、これらの移動は、セラミックの破損を引き起こす可能性がある。

これにより完全性が失われ、塩水のアルコールへの漏出、あるいはその逆につながる可能性がある。その結果、電解生成物であるアルコキシド溶液は薄まってしまう。加えて、電解槽自体も完全性を失い、漏れが発生する可能性がある。

したがって、本発明の目的は、これらの欠点を持たない電解槽を提供することである。

この技術分野における従来の電解槽のさらなる欠点は、固体電解質が水性酸に対して長期安定性を持たないという事実から生じている。これは、陽極室での電解の際、（例えば、不均一化または酸素形成によりハロゲンを生成する場合の）酸化プロセスの結果として、ｐＨが低下するという点で問題がある。これらの酸性条件は、このプロセスを工業規模で使用することができなくなる程までに、ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質を攻撃する。この問題に対処するために、従来技術にはさまざまなアプローチが記載されている。

例えば、従来技術には、三室槽が提案されている。これらは、例えば米国特許第６，２２１，２２５号明細書など、電気透析の分野で知られている。

例えば、国際公開第２０１２／０４８０３２号パンフレットおよび米国特許出願公開第２０１０／００４４２４２号明細書には、そのような三室槽内で次亜塩素酸ナトリウムおよび類似の塩素化合物を生成するための電気化学的プロセスが記載されている。槽の陰極室と中間室は、陽イオン透過性の固体電解質、例えばＮａＳＩＣＯＮによって分離されている。これを酸性陽極液から保護するために、中間室には、例えば、陰極室の溶液が供給される。米国特許出願公開第２０１０／００４４２４２号明細書の図６には、次亜塩素酸ナトリウムを得るために、室の外側で、中間室の溶液を陽極室の溶液と混合し得ることも記載されている。

このような槽は、アルカリ金属アルコキシドの生成または精製に関する従来技術でも提案されている。

例えば、米国特許第５，３８９，２１１号明細書には、三室槽を使用する、アルコキシド溶液の精製方法が記載されている。その方法では、陽イオン選択性固体電解質または非イオン性仕切壁により、室が互いに区切られている。中間室は、陰極室からの精製アルコキシドまたは水酸化物溶液が、陽極室からの汚染溶液と混ざるのを防ぐために、緩衝室として使用される。

ドイツ特許出願公開第４２３３１９１号明細書には、多室槽内および複数槽のスタック内での、塩およびアルコキシドからのアルコキシドの電解的回収が記載されている。

国際公開第２００８／０７６３２７号パンフレットには、アルカリ金属アルコキシドの製造方法が記載されている。これは、三室槽を使用し、その中間室には、アルカリ金属アルコキシドが充填されている（例えば、国際公開第２００８／０７６３２７号パンフレットの段落［０００８］および［００６７］を参照）。これにより、中間室と陰極室とを分離する固体電解質が、電解の過程でより酸性を増す陽極室中の溶液から保護される。同様の構成が国際公開第２００９／０７３０６２号パンフレットに記載されている。しかしながら、この構成には、緩衝液として消費され、かつ絶えず汚染されるアルカリ金属アルコキシド溶液が、所望の生成物であるという欠点がある。国際公開第２００８／０７６３２７号パンフレットに記載された方法のさらなる欠点は、陰極室におけるアルコキシドの生成が、２つの膜または固体電解質を通るアルカリ金属イオンの拡散速度に左右される点である。これにより、今度はアルコキシドの生成が遅くなる。

さらなる問題は、三室槽の幾何学的形状に起因する。このような室の中間室は、拡散バリアによって陽極室から分離され、イオン伝導性セラミックによって陰極室から分離されている。電解の際、これにより、ｐＨ勾配とデッドボリュームが不可避的に発生する。これは、イオン伝導性セラミックを破損させ、その結果、電解に必要な電圧が増え、および／またはセラミックの破損につながる可能性がある。

この効果は、電解室全体で生じるが、中間室はイオン伝導性セラミックにより境界されているため、中間室ではｐＨの低下が特に重要である。通常、ガスは陽極と陰極で生成され、これらの室内で少なくともある程度混合される。対照的に、中間室ではそのような混合が起こらず、その中でｐＨ勾配が生じる。この望ましくない効果は、一般に塩水が電解槽を通って比較的ゆっくりとポンプで送られるという事実により助長される。

ドイツ特許出願公開第１０３６０７５８号明細書 米国特許出願公開第２００６／０２２６０２２号明細書 国際公開第２００５／０５９２０５号パンフレット 国際公開第２０１４／００８４１０号パンフレット 国際公開第２００７／０８２０９２号パンフレット 国際公開第２００９／０５９３１５号パンフレット 米国特許第６，２２１，２２５号明細書 国際公開第２０１２／０４８０３２号パンフレット 米国特許出願公開第２０１０／００４４２４２号明細書 米国特許第５，３８９，２１１号明細書 ドイツ特許出願公開第４２３３１９１号明細書 国際公開第２００８／０７６３２７号パンフレット 国際公開第２００９／０７３０６２号パンフレット

したがって、本発明のさらなる目的は、電解によるアルカリ金属アルコキシドの改良された製造方法と、そのような方法に特に適した電解槽とを提供することであった。これらは、前述の欠点を持たず、特に、ｐＨ勾配が発生する前の固体電解質の保護を改善し、従来技術と比較して反応物質の使用をより節約することを確保するものである。

２．発明の簡単な説明
本発明によって対処される課題は、本発明の第１の態様による仕切壁Ｗによって解決される。 仕切壁Ｗ＜１６＞は、表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する一方の側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞と、側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞と反対の側である、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を有する側Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞とを備えている。

仕切壁Ｗ＜１６＞は、２つの対向する部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞から構成され、それらの間には少なくとも２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞が配置されている枠要素Ｒ＜２＞も含んでいる。
同時に、Ｒ_１＜２０１＞は、表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞から直接接触可能であり、Ｒ_２＜２０２＞は、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞から直接接触可能である。
枠要素Ｒ＜２＞は、枠要素Ｒ_Ｒ＜２０＞および分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞を形成し、枠要素Ｒ_Ｒ＜２０＞は、表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞およびＯ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を境界し、好ましくは完全に取り囲み、かつ枠要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックの間に位置し、それらを互いに分離し、仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞および表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞の両方から直接接触可能である。
仕切壁Ｗ＜１６＞は、Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞が、端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞において少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞によって互いに固定されており、かつＲ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞が、分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞において少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞によって互いに固定されていることを特徴とする。

第２の態様では、本発明は、
‐少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞と、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞と、陽極電極Ｅ_Ａ＜１１３＞を備える内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞とを有する少なくとも１つの陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞、
‐少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＫ＜１２０＞と、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＫ＜１２１＞と、陰極電極Ｅ_Ｋ＜１２３＞を備える内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞とを有する少なくとも１つの陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞、
‐必要に応じて、少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＭ＜１３０＞と、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＭ＜１３１＞と、内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞とを有する少なくとも１つの介装中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞
を含む電解槽Ｅ＜１＞であり、
Ｉ_ＫＡ＜１１２＞とＩ_ＫＭ＜１３２＞は、拡散バリアＤ＜１４＞によって互いに区切られ、Ａ_ＫＭ＜１３１＞は、接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞によって入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞に接続され、接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞を経由してＩ_ＫＭ＜１３２＞からＩ_ＫＡ＜１１２＞へ液体を送ることができ、
電解槽Ｅ＜１＞が中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えていない場合、Ｉ_ＫＡ＜１１２＞とＩ_ＫＫ＜１２２＞は、本発明の第１の態様による仕切壁Ｗ＜１６＞によって互いに区切られ、
電解槽Ｅ＜１＞が少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えている場合、Ｉ_ＫＫ＜１２２＞とＩ_ＫＭ＜１３２＞は、本発明の第１の態様による仕切壁Ｗ＜１６＞によって互いに区切られ、
仕切壁Ｗ＜１６＞、特に分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞に含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を介してＳ_ＫＫ＜１６６＞側の内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞に直接接触し、かつ
電解槽Ｅ＜１＞が中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えていない場合、仕切壁Ｗ＜１６＞、特に分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞に含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を介してＳ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞側の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞に直接接触し、
電解槽Ｅ＜１＞が少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えている場合、仕切壁Ｗ＜１６＞、特に分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を介してＳ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞側の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞に直接接触している、電解槽Ｅ＜１＞に関する。

第３の態様では、本発明は、
アルカリ金属アルコキシドＸＯＲのアルコールＲＯＨ溶液Ｌ_１を生成する方法であり、
Ｘはアルカリ金属陽イオン、Ｒは炭素数１～４のアルキル基であり、
（α）アルコールＲＯＨを含む溶液Ｌ_２をＫ_Ｋに通す工程（α１）、陽イオンとしてＸを含む塩Ｓの中性またはアルカリ性水溶液Ｌ_３をＫ_Ａに通す工程、Ｅ_ＡとＥ_Ｋの間に電圧を印加する工程（α３）を同時に進行させ、かつそれらを、中間室Ｋ_Ｍを備えない本発明の第２の態様による電解槽Ｅ内で実施するか、または
（β）アルコールＲＯＨを含む溶液Ｌ_２をＫ_Ｋに通す工程（β１）、陽イオンとしてＸを含む塩Ｓの中性またはアルカリ性水溶液Ｌ_３をＫ_Ｍに通し、次にＶ_ＡＭに通し、次にＫ_Ａに通す工程（β２）、Ｅ_ＡとＥ_Ｋの間に電圧を印加する工程（β３）を同時に進行させ、中間室Ｋ_Ｍを備える本発明の第２の態様による電解槽Ｅ内で実施し、
これにより、出口Ａ_ＫＫにおいて、Ｌ_２＜２２＞よりもＸＯＲ濃度が高い溶液Ｌ_１が得られ、かつ
出口Ａ_ＫＡにおいて、Ｌ_３よりもＳ濃度が低い水溶液Ｌ_４が得られる、方法に関する。

３．図面
３．１ 図１Ａおよび図１Ｂ
図１Ａは、発明性のない電解槽Ｅを示す。これは、陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞と陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞を備えている。

陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞は、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞内の陰極電極Ｅ_Ｋ＜１２３＞と、入口Ｚ_ＫＫ＜１２０＞と、出口Ａ_ＫＫ＜１２１＞とを備えている。
陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞は、内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞内の陽極電極Ｅ_Ａ＜１１３＞と、入口Ｚ_ＫＫ＜１１０＞と、出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞とを備えている。

２つの室は、二室槽Ｅの外壁＜８０＞によって境界されている。内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞も、ナトリウムイオンを選択的に透過するＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞のシートからなる仕切壁によって、内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞から仕切られている。ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞は、二室漕Ｅの深さおよび高さの全体にわたって延びている。仕切壁は、２つの側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞およびＳ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞を有し、その表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞およびＯ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞は、それぞれの内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞またはＩ_ＫＡ＜１１２＞と接触している。

ｐＨ１０．５の塩化ナトリウム水溶液Ｌ_３＜２３＞が、重力方向と逆に、入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞を経由して内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞に導入される。

ナトリウムメトキシドのメタノール溶液Ｌ_２＜２２＞が、入口Ｚ_ＫＫ＜１２０＞を経由して内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞に送られる。

同時に、陰極電極Ｅ_Ｋ＜１２３＞と陽極電極Ｅ_Ａ＜１１３＞との間に電圧が印加される。これにより、電解質Ｌ_２＜２２＞中のメタノールが還元され、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞内にメトキシドとＨ_２が生じる（ＣＨ_３ＯＨ＋ｅ^－→ＣＨ_３Ｏ^－＋１／２Ｈ_２）。同時に、ナトリウムイオンが、内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞から ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ｋ＜１８＞を通って、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞に拡散する。全体として、これにより、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞内のナトリウムメトキシド濃度が上昇し、Ｌ_２＜２２＞と比較してナトリウムメトキシド濃度が高いナトリウムメトキシドのメタノール溶液Ｌ_１＜２１＞が得られる。

内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞では、塩素イオンの酸化が起こり、塩素分子が生成される（Ｃｌ^－→１／２Ｃｌ_２＋ｅ^－）。出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞では、ＮａＣｌの含有量がＬ_３＜２３＞と比較して低減された水溶液Ｌ_４＜２４＞が得られる。水中の塩素ガス（Ｃｌ_２）は、Ｃｌ_２＋Ｈ_２Ｏ→ＨＯＣｌ＋ＨＣｌの反応に従って、次亜塩素酸と塩酸を生成し、さらに水分子と酸性反応を起こす。酸性は、ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞に損傷を与える。

図１Ｂは、別の発明性のない電解槽Ｅを示す。この三室槽Ｅは、陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞と、陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞と、介装中間室Ｋ_Ｍとを備えている。
陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞は、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞内の陰極電極Ｅ_Ｋ＜１２３＞と、入口Ｚ_ＫＫ＜１２０＞と、出口Ａ_ＫＫ＜１２１＞とを備えている。
陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞は、内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞内の陽極電極Ｅ_Ａ＜１１３＞と、入口Ｚ_ＫＫ＜１１０＞と、出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞とを備えている。
中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞は、内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞と、入口Ｚ_ＫＭ＜１３０＞と、出口Ａ_ＫＭ＜１３１＞とを備えている。

内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞は、接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞を介して内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞に接続されている。

三室は、３室槽Ｅの外壁＜８０＞によって境界されている。中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞も、ナトリウムイオンを選択的に透過するＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞のシートからなる仕切壁によって、陰極室Ｋ_Ｋ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１２２＞から仕切られている。ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞は、三室槽Ｅの深さおよび高さの全体にわたって延びている。仕切壁は、２つの側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞およびＳ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞を有し、その表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞およびＯ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞は、それぞれの内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞またはＩ_ＫＭ＜１３２＞と接触している。

中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞は、さらに、拡散バリアＤ＜１４＞によって、陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞から同様に仕切られている。ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞および拡散バリアＤ＜１４＞は、三室槽Ｅの深さおよび高さの全体にわたって延びている。拡散バリアＤ＜１４＞は、陽イオン交換膜（スルホン化ＰＴＦＥ）である。

図１Ｂによる実施形態では、接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞は、電解槽Ｅの外側に、特にチューブまたはホースにより形成され、その材料はゴム、金属およびプラスチックから選択され得る。接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞は、三室槽の仕切壁Ｗ_Ａ＜８０＞の外側で、中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞から陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞へ液体をガイドすることができる。接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞は、中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の底部で電解槽Ｅの外壁Ｗ_Ａ＜８０＞を貫通する出口Ａ_ＫＭ＜１３１＞を、陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞の底部で電解槽Ｅの外壁Ｗ_Ａ＜８０＞を貫通する入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞に接続している。

ｐＨ１０．５の塩化ナトリウム水溶液Ｌ_３＜２３＞が、重力方向に、入口Ｚ_ＫＭ＜１３０＞を経由して中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞に導入される。中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞からの出口Ａ_ＫＭ＜１３１＞と、陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞への入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞との間に形成された接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞は、中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞を、陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞に接続する。塩化ナトリウム溶液Ｌ_３＜２３＞は、この接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞を通って、内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞から内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞に送られる。ナトリウムメトキシドのメタノール溶液Ｌ_２＜２２＞は、入口Ｚ_ＫＫ＜１２０＞を経由して内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞に送られる。

同時に、陰極電極Ｅ_Ｋ＜１２３＞と陽極電極Ｅ_Ａ＜１１３＞との間に電圧が印加される。これにより、電解質Ｌ_２＜２２＞中のメタノールが還元され、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞内にメトキシドとＨ_２が生じる（ＣＨ_３ＯＨ＋ｅ^－→ＣＨ_３Ｏ^－＋１／２Ｈ_２）。同時に、ナトリウムイオンが、中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞から、ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞を通って、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞に拡散する。全体として、これにより、内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞内のナトリウムメトキシド濃度が上昇し、Ｌ_２＜２２＞と比較してナトリウムメトキシド濃度が高いナトリウムメトキシドのメタノール溶液Ｌ_１＜２１＞が得られる。

内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞では、塩素イオンの酸化が起こり、塩素分子が生成される（Ｃｌ^－→１／２Ｃｌ_２＋ｅ^－）。出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞では、ＮａＣｌの含有量がＬ_３＜２３＞と比較して低減された水溶液Ｌ_４＜２４＞が得られる。水中の塩素ガス（Ｃｌ_２）は、Ｃｌ_２＋Ｈ_２Ｏ→ＨＯＣｌ＋ＨＣｌの反応に従って、次亜塩素酸と塩酸を形成し、さらに水分子と酸性反応を起こす。酸性は、ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質Ｆ_Ａ＜１８＞を損傷するが、三室槽内の配置により陽極室 Ｋ_Ａ＜１１＞に限定され、電解槽Ｅ内のＮａＳＩＣＯＮ固体電解質ＦＫ＜１８＞から遠ざけられる。これにより、電解槽Ｅの寿命が大幅に延びる。

３．２ 図２Ａおよび図２Ｂ
図２Ａは、本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞を示す。表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞は、図面の平面にあり、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を有する側Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞は、図２Ａでは見えないが、図面の平面の裏側にある。

仕切壁Ｗ＜１６＞は、枠要素Ｒ＜２＞の間に配置された２つのＮａＳＩＣＯＮ固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞を備えている。枠要素Ｒ＜２＞は、２つの部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞を備え、それらの間にセラミックＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞が配置されている。枠要素Ｒ＜２＞は、端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞および分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞を形成する。分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞の間にあり、これらを互いに分離している。分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、図２Ａおよび図２Ｂにおいて影付きで示される枠要素Ｒ＜２＞の一部である。端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞は、図２Ａおよび図２Ｂにおいて影無しで示される枠要素Ｒ＜２＞の一部である。端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域にある２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、８つの固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞によって互いに固定され、分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域にある２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、１つの固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞によって互いに固定されている。描かれた図は、図３Ａ～図３Ｃで詳細に説明されている仕切壁Ｗ＜１６＞の断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞およびＱ_ＲＴ＜１６６＞を示している。Ｑ_ＲＲ＜１６５＞およびＱ_ＲＴ＜１６６＞は、２つの固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞のうちの１つの領域において、表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞に対して直角に仕切壁Ｗと交差している。

図２Ｂは、本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞の別の実施形態を示す。これは、仕切壁Ｗ＜１６＞が４つのＮａＳＩＣＯＮ固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞、Ｆ_Ｄ＜２９＞を有し、Ｆ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞、Ｆ_Ｄ＜２９＞が枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞の間に配置されている点を除いて、図２に示す実施形態に対応している。分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、十字形状である。端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域内にある２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、１２個の固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞によって互いに固定され、分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域内にある２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、３個の固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞によって互いに固定されている。表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞は、図面の平面にあり、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を有する側Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞は、図２Ｂでは見えないが、図面の平面の裏側にある。

３．３ 図３Ａ～図３Ｃ
図３Ａ～図３Ｃはそれぞれ、連続点線より上側で、仕切壁Ｗ＜１６＞の端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域における、図２Ａおよび図２Ｂに示される断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞の詳細図を示す。図３Ａおよび図３Ｂはまた、連続点線の下側で、仕切壁Ｗ＜１６＞の分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域における、図２Ａおよび図２Ｂに示される断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞の詳細図を示す。表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞は、図３Ａの右側にある。表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を有する側Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞は、図３Ａの左側にある。

図３Ａでは、固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞は、断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞において、枠要素を形成する２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞とＲ_２＜２０２＞の間に配置されている。これらは、点線で示すように、一体形状で、または互いに独立して存在してよい。好ましくは、それらは互いに分離されている。それらは、固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞としてのネジによって互いに固定され、その間に固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞がクランプされている。２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞と、固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞との間には、シールＤｉ＜４０＞が設けられることが好ましい。

断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞では、分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞を構成する２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ２＜２０２＞の間に、２つの固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞が配置されている。それらは、固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞としてのネジによって互いに固定され、その間に固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞がクランプされ、好ましくはシールＤｉ＜４０＞を備えている。

図３Ｂは、２つの断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞およびＱ_ＲＴ＜１６６＞それぞれのさらなる実施形態を示す。これは、２つの固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞およびＢ_Ｔ＜９２＞がフックＢ_Ｈ＜９３＞により形成される点を除いて、図３Ａに示す実施形態に対応している。これらのフックは、各枠部分Ｒ_１＜２０１＞またはＲ_２＜２０２＞と一緒になった（本明細書で示すような）一体形状であってもよく、またはそれらに接合されていてもよい。それらは互いに係合し、２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞を互いに固定することができる。

図３Ｃは、断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞のさらなる実施形態を示す。これは、端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞が丸い角を形成する点を除いて、図３Ａに示す実施形態に対応している。

３．４ 図４Ａおよび図４Ｂ
図４Ａおよび図４Ｂはそれぞれ、本発明の第２の態様による電解槽Ｅ＜１＞を示す。これらはそれぞれ、仕切壁Ｗ＜１６＞が陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞の内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞を、陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞から分離している点を除いて、図１Ａに示す電解槽に対応している。仕切壁は、図２Ａまたは図２Ｂに示されている仕切壁である。

この場合、図４Ａによる実施形態では、固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞およびＢ_Ｔ＜９２＞としてネジが使用されている。仕切壁Ｗ＜１６＞の端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域の断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞と、仕切壁Ｗ＜１６＞の分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域の断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞とは、いずれの場合も、図３Ａで説明されている通りである。

図４Ｂによる実施形態では、相互に係合するフックＢ_Ｈ＜９３＞が、固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞およびＢ_Ｔ＜９２＞として使用されている。仕切壁Ｗ＜１６＞の端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域の断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞と、仕切壁Ｗ＜１６＞の分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域の断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞とは、いずれの場合も、図３Ｂで説明されている通りである。

３．５ 図５Ａおよび図５Ｂ
図５Ａは、本発明の第２の態様による電解槽Ｅ１を示す。これは、仕切壁Ｗ＜１６＞が陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞の内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞を、中間室Ｋ_Ｍ＜１３の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞から分離している点を除いて、図１Ｂに示す電解槽に対応している。仕切壁Ｗ＜１６＞は、図２Ａまたは図２Ｂに示されている仕切壁である。この場合、図４Ａによる実施形態では、ねじが固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞およびＢ_Ｔ＜９２＞として使用されている。仕切壁Ｗ＜１６＞の端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域の断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞と、仕切壁Ｗの分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域の断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞とは、いずれの場合も、図３Ａで説明されている通りである。

図５Ｂは、本発明の第２の態様による電解槽Ｅ１を示す。これは、図５Ａに示す電解槽Ｅ＜１＞に対応しているが、次の２つの相違点がある。
相違点１
中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞の内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞から陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞の内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞への接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞は、電解槽Ｅ＜１＞の外側に形成されておらず、むしろ、拡散バリアＤ＜１４＞の穿孔を通って内側に形成されている。この穿孔は、拡散バリアＤ＜１４＞内に形成されてもよく、または拡散バリアＤ＜１４＞の製造始めから拡散バリアＤ＜１４＞内にすでに存在していてもよい（例えば、濾過布または金属ウィーブのような織物の場合）。
相違点２
図５Ｂによる実施形態では、相互に係合するフックＢ_Ｈ＜９３＞が固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞およびＢ_Ｔ＜９２＞として使用されている。仕切壁Ｗ＜１６＞の端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域の断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞と、仕切壁Ｗ＜１６＞の分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域の断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞とは、いずれの場合も、図３Ｂで説明されている通りである。

分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、図６Ａおよび図６Ｂにおいて影付きで示される枠要素Ｒ＜２＞の一部である。

３．６ 図６Ａおよび図６Ｂ
図６Ａは、本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞のさらなる実施形態を、（左側に）表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞の上面図で示す。そして、矢印の方向に見た曲線状クランプの詳細を示す側面図である。

これは、４つのＮａＳＩＣＯＮ固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞およびＦ_Ｄ＜２９＞で構成され、それらは、枠要素Ｒ＜２＞の両半分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞の間に配置されている。枠要素Ｒ＜２＞は、端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞と分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞とを形成する。分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、十字形状であり、ＮａＳＩＣＯＮ固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞およびＦ_Ｄ＜２９＞の間に位置し、これらを互いに分離している。分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、図６Ａおよび図６Ｂにおいて影付きで示される枠要素Ｒ＜２＞の一部である。端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞は、図６Ａおよび図６Ｂにおいて影無しで示される枠要素Ｒ＜２＞の一部である。端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域にある２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞によって互いに固定されている。そして、分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域にある２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞によって互いに固定されている。それらは、必要に応じて、ヒンジ＜５０＞により互いに接続されてもよい。いずれの場合も、シールＤｉ＜４０＞としてのゴムリングが、各固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞およびＦ_Ｄ＜２９＞と、２つの枠部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞と、の間に設けられることが好ましい。シールＤｉ＜４０＞として機能するリングは、図６Ａの左側の正面図において点線の輪郭線で示されている。

図６Ｂは、本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞のさらなる実施形態を示す。これは、９個のＮａＳＩＣＯＮ固体電解質セラミックＦ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞、Ｆ_Ｄ＜２９＞、Ｆ_Ｅ＜３０＞、Ｆ_Ｆ＜３１＞、Ｆ_Ｇ＜３２＞、Ｆ_Ｈ＜３３＞、Ｆ_Ｉ＜３４＞を含む点を除いて、図６Ａ記載の実施形態に対応している。さらに、枠要素Ｒ＜２＞は、それぞれが穴＜６１＞を備えた４つの膨らみ＜６０＞（「ウサギ耳」）をさらに有し、これにより、仕切壁を、適切な設計で例えば陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞に固定することができる。

４．発明の詳細な説明
４．１ 仕切壁Ｗ
本発明は、第１の態様において、仕切壁Ｗに関する。これは、電解槽、特に電解槽Ｅの仕切壁として特に適している。

したがって、一態様では、本発明は、仕切壁Ｗを備える電解槽、特に仕切壁Ｗを備える電解槽Ｅにも関する。

仕切壁Ｗは、分離要素Ｒ_Ｔによって互いに分離された、少なくとも２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックス（「アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックス」を以下「ＡＳＣ」と略記する）Ｆ_ＡおよびＦ_Ｂを備えている。

仕切壁Ｗは、互いに対向する２つの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫを備え、これは、側Ｓ_Ａ／ＭＫが側Ｓ_ＫＫの反対側であることを意味する（その逆も同様）。２つの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫは特に、互いに全く平行な平面を有している。
それ以外は、仕切壁Ｗの幾何学的形状は、さらなる制約を受けず、特にその仕切壁Ｗが使用される電解槽Ｅの断面に適合させることができる。例えば、直方体形状で長方形の断面を有してもよく、または円錐または円柱形状で円形の断面を有してもよい。
必要に応じて、仕切壁Ｗは、丸い角または膨らみを備えた直方体の形状でもよく、その膨らみには穴が設けられていてもよい。仕切壁Ｗは、仕切壁Ｗを電解槽に固定することができるか、あるいは仕切壁Ｗの２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２を互いに固定することができる膨らみ（「ウサギ耳」）を有している。

仕切壁Ｗの側Ｓ_ＫＫは、面Ｏ_ＫＫを有し、仕切壁Ｗの側Ｓ_Ａ／ＭＫは面Ｏ_Ａ／ＭＫを有する。

仕切壁Ｗは、枠要素Ｒを含んでいる。これは、２つの対向する部分、好ましくは二つ割りのＲ_１およびＲ_２で構成され、その間には、少なくとも２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体セラミックＦ_ＡおよびＦ_Ｂが配置されている。Ｒ_１は、面Ｏ_ＫＫから直接接触可能であり、Ｒ_２は、面Ｏ_Ａ／ＭＫから直接接触可能である。

枠要素Ｒは、枠要素Ｒ_Ｒおよび分離要素Ｒ_Ｔを形成し、枠要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫを境界し、好ましくは完全に取り囲んでいる。そして、枠要素Ｒ_Ｔは、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスの間に位置し、これらを互いに分離している。したがって、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、面Ｏ_ＫＫおよび面Ｏ_Ａ／ＭＫの両方から直接接触可能である。

特徴「仕切壁」は、仕切壁Ｗが液密であることを意味する。これは、ＡＳＣと枠要素Ｒとが隙間なく隣接していることを意味する。したがって、枠要素Ｒと仕切壁に含まれるＡＳＣとの間に隙間は存在せず、隙間を通って水溶液、アルコール溶液、アルコールまたは水がＳ_ＫＫ側からＳ_Ａ／ＭＫ側に、またはその逆に流れることはない。

仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスと各部分Ｒ_１またはＲ_２とが直接接触可能な面を介して対向する側が二対以上ある場合、本明細書の文脈においてＳ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫとして表される一対の対向する側は、最大の表面積Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫを含む対であることが好ましい。二対の対向する側に含まれる表面積が同じである場合、当業者であれば、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫを有するＳ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫとして１つの対を選択することができる。

仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスと各部分Ｒ_１またはＲ_２とが直接接触可能な面を介して対向する側が二対以上存在する仕切壁Ｗのうち、対向する側のそれぞれの対に含まれる表面積が異なる仕切壁Ｗが好ましい。この場合、本明細書の文脈においてＳ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫと呼ばれる対向する側の対は、最大表面積のＯ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫを含むものである。

本発明の第１の態様による仕切壁Ｗには、仕切壁Ｗが２つ以上のＡＳＣ、例えば４個、９個または１２個のＡＳＣを備える実施形態も含まれる。

仕切壁Ｗでは、仕切壁Ｗに含まれるすべてのＡＳＣは、枠要素Ｒの分離要素Ｒ_Ｔによって互いに分離されており、これは、ＡＳＣが別のＡＳＣに直接隣接しないこと、すなわち、間に枠要素Ｒが存在しないことを意味する。

仕切壁Ｗは、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣが、表面Ｏ_ＫＫおよび表面Ｏ_Ａ／ＭＫの両方から直接接触可能であることをさらに特徴とする。

仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣに関して「直接接触可能」とは、表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫの一部が、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣの表面により形成されていることを意味し、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣが、２つの表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫから直接アクセス可能であることを意味する。そのため、例えば、水溶液、アルコール溶液、アルコールまたは水により、２つの表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫにおいてそれらを濡らすことができる。

仕切壁Ｗ内のＡＳＣの配置に関してこれが意味するのは、仕切壁Ｗに含まれる各ＡＳＣについて、側Ｓ_ＫＫの表面Ｏ_ＫＫから、それぞれのＡＳＣを完全に通過して、側Ｓ_Ａ／ＭＫの表面Ｏ_Ａ／ＭＫに至るルートが存在するということである。

２つの枠要素Ｒ_１およびＲ_２は、表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫから直接接触可能である。

仕切壁Ｗに含まれる枠部分Ｒ_１に関して「直接接触可能」とは、表面Ｏ_ＫＫの一部が、枠部分Ｒ_１の表面により形成されていることを意味し、枠部分Ｒ_１は表面Ｏ_ＫＫから直接アクセス可能であることを意味する。そのため、例えば、水溶液、アルコール溶液、アルコールまたは水により、表面Ｏ_ＫＫにおいてそれを濡らすことができる。

仕切壁Ｗに含まれる枠部分Ｒ_２に関して「直接接触可能」とは、表面Ｏ_Ａ／ＭＫの一部が、枠部分Ｒ_２の表面によって形成されており、枠部分Ｒ_２が表面Ｏ_Ａ／ＭＫから直接アクセス可能であることを意味する。そのため、例えば、水溶液、アルコール溶液、アルコールまたは水により、表面Ｏ_Ａ／ＭＫにおいてそれを濡らすことができる。

特に仕切壁Ｗ内の枠要素Ｒの配置に関してこれが意味するのは、側Ｓ_ＫＫの表面Ｏ_ＫＫから、Ｒ_１部分を通過し、次いでＲ_２部分を通過し（場合により、シールＤｉを通過し）、ＡＳＣは通過せずに、側Ｓ_Ａ／ＭＫの表面Ｏ_Ａ／ＭＫに至るルートが存在するということである。

本発明の第１の態様における仕切壁Ｗの好ましい実施形態では、表面Ｏ_ＫＫの５０％～９５％、より好ましくは６０％～９０％、さらにより好ましくは７０％～８５％が、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣにより形成され、表面Ｏ_ＫＫの残りの部分は、さらにより好ましくは、枠部分Ｒ_１により形成される。

本発明の第１の態様における仕切壁Ｗの好ましい実施形態では、表面Ｏ_Ａ／ＭＫの５０％～９５％、より好ましくは６０％～９０％、さらにより好ましくは７０％～８５％も、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣにより形成され、表面Ｏ_Ａ／ＭＫの残りの部分は、さらにより好ましくは、枠部分Ｒ_２により形成される。

好ましい実施形態では、仕切壁Ｗ、特に枠要素ＲとＡＳＣとの間の仕切壁Ｗは、シールＤｉ（例えば、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃに示す）を備えている。これにより、特に効率的な方法で、仕切壁Ｗが液密であることが確保される。 シールＤｉは、当業者により、各ＡＳＣまたは各枠要素Ｒについて選択され得る。

シールＤｉは、特に、エラストマー、接着剤、好ましくはエラストマーからなる群から選択される材料を含んでいる。

有用なエラストマーは、特に、ゴム、好ましくはエチレン－プロピレン－ジエンゴム（「ＥＰＤＭ」）、フルオロポリマーゴム（「ＦＰＭ」）、パーフルオロポリマーゴム（「ＦＦＰＭ」）、またはアクリロニトリル－ブタジエンゴム（「ＮＢＲ」）である。

シールＤｉは、２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２が互いに固定され、ＡＳＣが２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２の間に配置される際に、圧縮されるように選択されることが好ましい。これにより、仕切壁Ｗの完全性がさらに高まる。

好ましい実施形態では、仕切壁Ｗは、少なくとも４個のＡＳＣであるＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ、Ｆ_ＣおよびＦ_Ｄを備え、さらにより好ましくは、ちょうど４個のＡＳＣであるＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ、Ｆ_ＣおよびＦ_Ｄを備えている。

さらに好ましい実施形態では、仕切壁Ｗは、少なくとも９個のＡＳＣであるＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ、Ｆ_Ｃ、Ｆ_Ｄ、Ｆ_Ｅ、Ｆ_Ｆ、Ｆ_Ｇ、Ｆ_ＨおよびＦ_Ｉを備え、さらにより好ましくは、ちょうど９個のＡＳＣであるＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ、Ｆ_Ｃ、Ｆ_Ｄ、Ｆ_Ｅ、Ｆ_Ｆ、Ｆ_Ｇ、Ｆ_ＨおよびＦ_Ｉを備えている。

さらに好ましい実施形態では、仕切壁Ｗは、少なくとも１２個のＡＳＣであるＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ、Ｆ_Ｃ、Ｆ_Ｄ、Ｆ_Ｅ、Ｆ_Ｆ、Ｆ_Ｇ、Ｆ_Ｈ、Ｆ_Ｉ、Ｆ_Ｊ、Ｆ_ＫおよびＦ_Ｌを備え、さらにより好ましくは、ちょうど１２個のＡＳＣであるＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ、Ｆ_Ｃ、Ｆ_Ｄ、Ｆ_Ｅ、Ｆ_Ｆ、Ｆ_Ｇ、Ｆ_Ｈ、Ｆ_Ｉ、Ｆ_Ｊ、Ｆ_ＫおよびＦ_Ｌを備えている。

仕切壁Ｗ内で互いに並んだ少なくとも２個のＡＳＣの本発明の配置は、従来技術の電解槽内の従来の仕切壁と比較して、電解槽の作動中に温度変動が生じた場合に、ＡＳＣにさらなる拡散方向をもたらす。従来技術の電解槽では、仕切壁として機能するＮａＳＩＣＯＮシートは、電解槽の外壁または固体プラスチックフレームによって枠組みされている。この方法では、ＮａＳＩＣＯＮ内での膨張の際に発生する機械的応力を分散させることはできず、セラミックの破損につながる可能性がある。

対照的に、本発明の第１の態様における仕切壁Ｗ内の個々のＡＳＣは、分離要素Ｒ_Ｔに隣接している。表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫの端にあるＡＳＣの場合は、枠要素Ｒ_Ｒにも隣接している。これは有利な効果をもたらし、どちらもＡＳＣ の長期安定性を高める。
－各ＡＳＣは、さらに利用可能な自由度、すなわち、ＡＳＣが膨張可能な面積を有している。ｚ方向の拡張（すなわち、仕切壁Ｗの水平面に対して直角にセラミックシートの厚さを越える膨張）だけでなく、ｘおよび／またはｙ方向の膨張、すなわち、仕切壁Ｗの水平面内の水平および垂直方向の膨張も可能である。例えば固体シートとしてのＡＳＣが電解槽の断面に広がり、電解槽の固体壁に隣接する場合には、この膨張の方向は存在しないか、または少なくとも大幅に制限される。
－１個のＡＳＣのみを含む等しいサイズの仕切壁と比較して、複数の小さな ＡＳＣに分割すると、より小さなＡＳＣ内で発生する応力も絶対的に小さくなり、より迅速に消散できるため、ＡＳＣの破損につながる応力がそれほど早く蓄積できないという効果がある。

その結果、仕切壁Ｗ内の「分割された」ＡＳＣについては、１枚のシートを使用する場合と比較して、破損の傾向が明らかに減少する。

４．１．１ 枠要素Ｒ
枠要素Ｒは、２つの対向する部分Ｒ_１およびＲ_２を備え、その間には、仕切壁Ｗに含まれる２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体セラミックスＦ_ＡおよびＦ_Ｂが配置されている。この配置は、当業者によく知られたすべての方法で行うことができる。特定の実施形態では、２つの部分Ｒ_１およびＲ_２は、好ましくは枠要素Ｒ内でＡＳＣをさらに安定させるシールＤｉを使用して、それらの間にＡＳＣをクランプする。別の好ましい実施形態では、ＡＳＣは、２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２に接着されている。この目的に使用される接着剤ＫＩは、電解条件下で安定である、当業者によく知られているすべての接着剤であり得る。好ましいＫＩには、エポキシ樹脂、フェノール樹脂から選択される少なくとも１つの物質が含まれる。

仕切壁Ｗは、枠要素Ｒの２つの部分Ｒ_１およびＲ_２を開閉できるヒンジを備えていてもよい。

枠要素Ｒは、特に、プラスチック、ガラス、木材からなる群から選択される材料を含んでいる。より好ましくは、枠要素Ｒは、プラスチックを含んでいる。
さらにより好ましくは、そのプラスチックは、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニルからなる群から選択されるものである。

好ましい実施形態では、シールＤｉは、枠要素Ｒと、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣとの間に設けられる。これにより、仕切壁Ｗの液密性が向上する。

枠要素Ｒは、端要素Ｒ_Ｒおよび分離要素Ｒ_Ｔを形成する。

４．１．１．１ 分離要素Ｒ_Ｔ
分離要素Ｒ_Ｔは、少なくとも２つのＡＳＣの間に位置し、これらを互いに分離する枠要素Ｒの領域を指す。枠要素Ｒの領域としての分離要素Ｒ_Ｔは、２つの部分Ｒ_１およびＲ_２によって形成される。

枠要素Ｒによって形成される適切な分離要素Ｒ_Ｔは、それによってそれぞれのＡＳＣを互い分離して配置することができるすべての物体である。ＡＳＣは、電解槽Ｅ内で陰極室を隣接する中間室または陽極室から液密に仕切る仕切壁Ｗの機能を損なわないように、分離要素Ｒ_Ｔに隙間なく隣接している。

分離要素Ｒ_Ｔの形状は、特に仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣの数および形状に応じて、当業者によって選択されてよい。

例えば、仕切壁Ｗが２個または３個のＡＳＣを備える場合、これらは、分離要素Ｒ_ＴとしてＡＳＣ間に配置されたランドによってそれぞれ分離され得る（例えば、図２Ａを参照）。

仕切壁ＷがＡＳＣを４つ以上備える場合、これらは、十字形状（図２Ｂおよび図６Ａを参照）または格子形状（図６Ｂを参照）の分離要素Ｒ_Ｔによって分離され得る。

仕切壁Ｗが少なくとも４個のＡＳＣを備えることが好ましい。そして、三次元すべてをＡＳＣの熱膨張／収縮に完全に利用できるため、分離要素Ｒ_Ｔは十字形状または格子形状であることがさらに好ましい。

分離要素Ｒ_Ｔは特に、各ＡＳＣが分離要素内に嵌合またはクランプできるように形成されている。これは、仕切壁Ｗの製造において、対応する方法ですでに実施されていてもよい。

分離要素Ｒ_Ｔは、プラスチック、ガラスおよび木材からなる群から選択される材料を含むことが好ましい。より好ましくは、分離要素Ｒ_Ｔはプラスチックを含んでいる。
さらにより好ましくは、そのプラスチックは、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル（「ＰＶＣ」）からなる群から選択されるものである。ＰＶＣには、後塩素化ポリ塩化ビニル（「ＰＶＣ－Ｃ」）も含まれる。

４．１．１．２ 端要素Ｒ_Ｒ
枠要素Ｒは、分離要素Ｒ_Ｔを形成するだけでなく、端要素Ｒ_Ｒも形成する。枠要素Ｒの領としての端要素Ｒ_Ｒは、２つの部分Ｒ_１およびＲ_２によって形成される。 端要素Ｒ_Ｒ（分離要素Ｒ_Ｔとは異なる）は、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスの間に配置されていない枠要素Ｒの領域であり、すなわち、アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスを互いに分離するものではない。

端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫを少なくとも部分的に、好ましくは完全に境界する。これが意味するのは、より具体的には、端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫを少なくとも部分的に、好ましくは完全に取り囲んでいるということである。

端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫの一部である場合もあれば、そうでない場合もある。端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫの一部であることが好ましい。

端要素Ｒ_Ｒは、特に、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫから直接接触可能であるか、または直接接触可能ではない。

端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫから直接接触可能であることが好ましい。 この好ましい実施形態では、Ｒ_１の一部としての端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_ＫＫから直接接触可能であり、Ｒ_２の一部としての端要素Ｒ_Ｒは、面Ｏ_Ａ／ＭＫから直接接触可能である。

仕切壁Ｗに含まれる端要素Ｒ_Ｒに関して「直接接触可能ではない」とは、端要素Ｒ_Ｒが、専ら、仕切壁Ｗの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫではない側の表面の少なくとも一部として形成されることを意味する。より具体的には、この場合の端要素Ｒ_Ｒは、仕切壁Ｗの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫではない側の表面積の少なくとも１％、より好ましくは少なくとも２５％、より好ましくは少なくとも５０％、さらにより好ましくは１００％を形成する。

仕切壁Ｗに含まれる枠要素Ｒ_Ｒに関して「直接接触可能」とは、表面Ｏ_ＫＫの一部が枠要素Ｒ_Ｒの表面によって形成されていることを意味し、枠要素Ｒ_Ｒが表面Ｏ_ＫＫから直接アクセス可能であることを意味する。そのため、例えば水溶液、アルコール溶液、アルコールまたは水により、それを表面Ｏ_ＫＫで濡らすことができる。

仕切壁Ｗに含まれる枠要素Ｒ_Ｒに関して「直接接触可能」とは、表面Ｏ_Ａ／ＭＫの一部が枠要素Ｒ_Ｒの表面によって形成されていることでもあり、枠要素Ｒ_Ｒが直表面Ｏ_Ａ／ＭＫから直接アクセス可能であることを意味する。そのため、例えば、水溶液、アルコール溶液、アルコールまたは水により、それを表面Ｏ_Ａ／ＭＫで濡らすことができる。これが仕切壁Ｗ内の端要素Ｒ_Ｒの配置に関して意味するのは、側Ｓ_ＫＫの表面Ｏ_ＫＫから、端要素Ｒ_Ｒを完全に通って、側Ｓ_Ａ／ＭＫの表面Ｏ_Ａ／ＭＫに至るルートが存在することである。

これには、以下の実施形態が含まれる。
‐表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫの端の一部が端要素Ｒ_Ｒによって形成されている。
‐（図２Ａ、図２Ｂ、図６Ａ、図６Ｂに示すように）表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫの端は、端要素Ｒ_Ｒによって完全に形成されている。

端要素Ｒ_Ｒは、仕切壁Ｗの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫではない側の表面の少なくとも一部としてさらに形成され得る。より具体的には、端要素Ｒ_Ｒは、仕切壁Ｗの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫではない側の表面積の少なくとも１％、より好ましくは少なくとも２５％、より好ましくは少なくとも５０％、さらにより好ましくは１００％を形成する。

例えば、図２Ａおよび図２Ｂは、端要素Ｒ_Ｒが、仕切壁Ｗの側Ｓ_ＫＫおよびＳ_Ａ／ＭＫではない側の表面を完全に形成する実施形態を示している。

端要素Ｒ_Ｒは、プラスチック、ガラス、木材からなる群から選択される材料を含むことが好ましい。より好ましくは、端要素Ｒ_Ｒはプラスチックを含む。
さらにより好ましくは、そのプラスチックは、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル（「ＰＶＣ」）からなる群から選択されるものである。ＰＶＣには、後塩素化ポリ塩化ビニル（「ＰＶＣ－Ｃ」）も含まれる。

さらに好ましい実施形態では、端要素Ｒ_Ｒおよび分離要素Ｒ_Ｔは、同じ材料を含み、両方ともプラスチックを含むことがさらにより好ましく、そのプラスチックは、さらにより好ましくはポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ＰＶＣ-Ｃから選択される。

好ましい実施形態では、分離要素Ｒ_Ｔの少なくとも一部は、枠要素Ｒ_Ｒの少なくとも一部と一体に形成されている。これがより具体的に意味するのは、分離要素Ｒ_Ｔの少なくとも一部が端要素Ｒ_Ｒと合体しているということである。

端要素Ｒ_Ｒの実施形態は、電解槽Ｅの外壁の一部として機能するというさらなる利点を有する。仕切壁Ｗのこの部分は、各内部構造Ｉ_ＫＫ、Ｉ_ＫＡまたはＩ_ＫＭ内の溶液と接触しない。したがって、仕切壁Ｗのこの部分を固体電解質セラミックで形成するのは無駄である。さらに、外壁の間にクランプされているか、または外壁の一部を形成している仕切壁Ｗの部分は、脆い固体電解質セラミックでは耐えられないであろう力にさらされる。したがって、代わりに、耐破壊性の、より安価な材料が枠要素Ｒに選ばれる。

４．１．２ 固定要素Ｂ_ＲおよびＢ_Ｔ
本発明の第１の態様における仕切壁Ｗは、Ｒ_１およびＲ_２が端要素Ｒ_Ｒにおいて少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒによって互いに固定され、Ｒ_１およびＲ_２が分離要素Ｒ_Ｔにおいて少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔによって互いに固定されていることを特徴とする。

これに関連して、「端要素Ｒ_Ｒにおいて」とは、「端要素Ｒ_Ｒの領域において」の意味である。

これに関連して、「分離要素Ｒ_Ｔにおいて」とは、「分離要素Ｒ_Ｔの領域において」の意味である。

適切な固定要素Ｂ_ＲおよびＢ_Ｔは、２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２を互いに固定するための当業者によく知られたすべての手段である。

これらの固定要素Ｂ_ＲおよびＢ_Ｔは、特に、ヒンジ、クランプ、釘、ネジ、フックから選択され、好ましくはネジ、フックから選択され、、最も好ましくはフックである。

固定要素Ｂ_ＲおよびＢ_Ｔは、当業者によく知られた材料から作製され得る。
それらは、プラスチック、ガラス、木材からなる群から選択される材料を含むことが好ましい。プラスチックが特に好ましい。
さらにより好ましくは、そのプラスチックは、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ＰＶＣ-Ｃからなる群から選択されるものである。

さらにより好ましくは、少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒおよび少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔはそれぞれ、相互に係合するフックＢ_Ｈの形態である。互いに固定された状態で、これらのフックは、特に仕切壁Ｗをまたぐことになる。

この目的のために、Ｂ_Ｔとして、相互に対向する対のフックＢ_Ｈが、有利には、分離要素Ｒ_Ｔの領域において、２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２の相互に対面する側にそれぞれ形成され、これらは、枠部分Ｒ_１およびＲ_２の間のＡＳＣの配置に応じて、互いに、好ましくは可逆的に係合する。この実施形態では、枠要素Ｒ_Ｒが表面Ｏ_ＫＫおよびＯ_Ａ／ＭＫから直接接触可能でなければならないことが明らかである。

この目的のために、Ｂ_Ｒとして、相互に対向する対のフックＢ_Ｈが、有利には、端要素Ｒ_Ｒの領域において、２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２の相互に対面する側にそれぞれ形成され、これらは、枠部分Ｒ_１およびＲ_２の間のＡＳＣの配置に応じて、可逆的に互いに係合する。

「２つの枠部分Ｒ_１およびＲ_２の相互に対面する側」とは、Ｒ_１の場合には、その面が面Ｏ_ＫＫから直接接触可能ではない２つの枠部分の側を指し、Ｒ_２の場合には、その面が面Ｏ_Ａ／ＭＫから直接接触可能ではない２つの枠部分の側を指す。これらは、特に、仕切壁Ｗ内のＡＳＣおよび／またはシールＤｉと接する面Ｒ_１およびＲ_２である。

固定手段Ｂ_ＲおよびＢ_Ｔ、特にフックは、部品Ｒ_１およびＲ_２の少なくとも１つと一体形状であることが好ましい（図３Ｂ）。

別の好ましい実施形態では、少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒおよび少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔはそれぞれ、相互に係合するフックＢ_Ｈの形態である。

好ましい実施形態では、フックＢ_Ｈは、ＡＳＣが枠部分Ｒ_１およびＲ_２の間に配置される場合に係合し、そのため枠部分Ｒ_１およびＲ_２を互いに固定するように、分離要素Ｒ_Ｔの領域および端要素Ｒ_Ｒの領域において枠部分Ｒ_１およびＲ_２の両方に形成される。さらにより好ましくは、これは可逆的であり、フックＢ_Ｈは互いに取り外すことができることを意味する。これは、例えば、フックが相互に移動可能であるように設計されることにより達成することができる。

固定手段Ｂ_ＲおよびＢ_Ｔを端要素Ｒ_Ｒおよび分離要素Ｒ_Ｔの両方に取り付けることにより、驚くべきことだが、仕切壁Ｗの安定性が向上する。端要素Ｒ_Ｒの領域だけでなく分離要素Ｒ_Ｔの領域にも固定手段を使用することにより、外側の角だけでなく、枠要素Ｒの領域全体に圧縮力を導入することが可能となる。

４．１．３ アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックス（「ＡＳＣ」）
仕切壁Ｗに含まれる有用なアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックＦ_Ａ、Ｆ_Ｂ等は、それを通過させて陽イオン、特にアルカリ金属陽イオン、さらにより好ましくはナトリウム陽イオンをＳ_Ａ／ＭＫ側からＳ_ＫＫ側へ輸送することができるすべての固体電解質である。このような固体電解質は、当業者に知られており、例えば、ドイツ特許出願公開第１０ ２０１５ ０１３ １５５号明細書、国際公開第２０１２／０４８０３２号パンフレットの段落［００３５］、［００３９］、［００４０］、米国特許出願公開第２０１０／００４４２４２号明細書の段落［００４０］、［００４１］、ドイツ特許第１０３６０７５８号明細書の段落［０１４］～［０２５］に記載されている。これらは、ＮａＳＩＣＯＮ、ＬｉＳＩＣＯＮ、ＫＳＩＣＯＮの名前で市販されている。ナトリウムイオン伝導性固体電解質が好ましく、これがＮａＳＩＣＯＮ構造を有することがさらに好ましい。本発明に従って使用可能なＮａＳＩＣＯＮ構造は、例えば、Ｎ．Ａｎａｎｔｈａｒａｍｕｌｕ、Ｋ．Ｋｏｔｅｓｗａｒａ Ｒａｏ、Ｇ．Ｒａｍｂａｂｕ、Ｂ．Ｖｉｊａｙａ Ｋｕｍａｒ、Ｖｅｌｃｈｕｒｉ Ｒａｄｈａ、Ｍ．ＶｉｔｈａｌのＪ Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ２０１１、４６、２８２１～２８３７頁にも記載されている。

仕切壁Ｗの好ましい実施形態では、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体セラミックは、独立して、式Ｍ^Ｉ _{１＋２ｗ＋ｘ}-_ｙ＋ｚＭ^ＩＩ _ｗＭ^ＩＩＩ _ｘＺｒ^ＩＶ _２-_ｗ-_ｘ-_ｙＭ^Ｖ _ｙ（ＳｉＯ_４）_ｚ（ＰＯ_４）_３－ｚのＮａＳＩＣＯＮ構造を有する。
式中、Ｍ^Ｉは、Ｎａ^＋、Ｌｉ^＋から選択され、好ましくはＮａ＋である。
Ｍ^ＩＩは、二価の金属陽イオンであり、好ましくはＭｇ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｂａ^２＋、Ｃｏ^２＋、Ｎｉ^２＋から選択され、より好ましくはＣｏ^２＋、Ｎｉ^２＋から選択される。
Ｍ^ＩＩＩは、三価の金属陽イオンであり、好ましくはＡｌ^３＋、Ｇａ^３＋、Ｓｃ^３＋、Ｌａ^３＋、Ｙ^３＋、Ｇｄ^３＋、Ｓｍ^３＋、Ｌｕ^３＋、Ｆｅ^３＋、Ｃｒ^３＋から選択され、より好ましくはＳｃ^３＋、Ｌａ^３＋、Ｙ^３＋、Ｇｄ^３＋、Ｓｍ^３＋から選択され、特に好ましくはＳｃ^３＋、Ｙ^３＋、Ｌａ^３＋から選択される。
Ｍ^Ｖは、５価の金属陽イオンであり、好ましくはＶ^５＋、Ｎｂ^５＋、Ｔａ^５＋から選択される。

ローマ数字のＩ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖは、各金属陽イオンが存在する酸化数を示している。

ｗ、ｘ、ｙ、ｚは実数で、０≦ｘ＜２、０≦ｙ＜２、０≦ｗ＜２、０≦ｚ＜ ３であり、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、１＋２ｗ＋ｘ－ｙ＋ｚ≧０かつ２－ｗ－ｘ－ｙ ≧０となるように選択される。

本発明によれば、さらにより好ましくは、ＮａＳＩＣＯＮ構造は、式Ｎａ_{（１＋ｖ）}Ｚｒ_２Ｓｉ_ｖＰ_（３-_ｖ）Ｏ_１２の構造を有する。式中、ｖは、０≦ｖ≦３の実数である。最も好ましくは、ｖ＝２．４である。

本発明の第１の態様による仕切壁Ｗの好ましい実施形態では、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣは、同一の構造を有する。

４．１．４ 仕切壁Ｗの製造
仕切壁Ｗは、当業者に知られている方法により製造することができる。

例えば、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣが、必要に応じてシールを備える適切な鋳造型に挿入され、枠要素Ｒが液体プラスチックにより鋳造され、次いで固化させるために放置されてよい（射出成形法）。固化の過程で、これがＡＳＣを取り囲む。固定要素Ｂ_ＴおよびＢ_Ｒは、枠要素Ｒ上に適切な形状により１つの鋳造物として設けられてよい（そして、枠要素Ｒと一体形状となる）。この実施形態では、相互に係合するフックＢ_Ｈが固定手段として特に適している。

あるいは、枠要素Ｒ、または枠部品Ｒ_１およびＲ_２は、別々に鋳造される。固定要素Ｂ_ＴおよびＢ_Ｒは、枠要素Ｒ上に適切な形状により１つの鋳造物として設けられてよい（そして、枠要素Ｒと一体形状となる）。この実施形態では、相互に係合するフックＢ_Ｈが固定手段として特に適している。

あるいは、必要に応じてシールＤｉを備えるＡＳＣを、枠部品Ｒ_１およびＲ_２の間に配置することができ、次いで、固定要素Ｂ_ＴおよびＢ_Ｒを取り付けることができる。この目的に適した例は、枠部品Ｒ_１およびＲ_２の適切な切り欠きに打ち込まれ、これらを互いに固定するネジまたは釘である。

４．２ 電解槽Ｅ
本発明の第１の態様の仕切壁Ｗは、電解槽Ｅの仕切壁として適している。
したがって、第２の態様では、本発明は、
‐少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＡと、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＡと、陽極電極Ｅ_Ａを備える内部構造Ｉ_ＫＡとを有する少なくとも１つの陽極室Ｋ_Ａ、
‐少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＫと、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＫと、陰極電極Ｅ_Ｋを備える内部構造Ｉ_ＫＫとを有する少なくとも１つの陰極室Ｋ_Ｋ、および
‐必要に応じて、少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＭと、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＭと、内部構造Ｉ_ＫＭとを有する少なくとも１つの介装中間室Ｋ_Ｍ
を含む電解槽Ｅであり、
Ｉ_ＫＡとＩ_ＫＭは、拡散バリアＤによって互いに区切られ、Ａ_ＫＭは、接続Ｖ_ＡＭによって入口Ｚ_ＫＡに接続され、接続Ｖ_ＡＭを経由してＩ_ＫＭからＩ_ＫＡへ液体を送ることができ、
電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えていない場合、Ｉ_ＫＡとＩ_ＫＫは、本発明の第１の態様による仕切壁Ｗによって互いに区切られ、
電解槽Ｅが少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備えている場合、Ｉ_ＫＫとＩ_ＫＭは、本発明の第１の態様による仕切壁Ｗによって互いに区切られ、
仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックス、特に分離要素Ｒ_Ｔは、表面Ｏ_ＫＫを介してＳ_ＫＫ側の内部構造Ｉ_ＫＫに直接接触し、かつ
電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えていない場合、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックス、特に枠要素Ｒは、表面Ｏ_Ａ／ＭＫを介してＳ_Ａ／ＭＫ側の内部構造Ｉ_ＫＡに直接接触し、
電解槽Ｅが少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備えている場合、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックス、特に枠要素Ｒは、表面Ｏ_Ａ／ＭＫを介してＳ_Ａ／ＭＫ側の内部構造Ｉ_ＫＭに直接接触している、電解槽Ｅ
に関する。

本発明の第２の態様における電解槽Ｅは、少なくとも１つの陽極室Ｋ_Ａと、少なくとも１つの陰極室Ｋ_Ｋと、必要に応じて少なくとも１つの介装中間室Ｋ_Ｍとを備える。これには、２つ以上の陽極室Ｋ_Ａおよび／または陰極室Ｋ_Ｋおよび／または中間室Ｋ_Ｍを有する電解槽Ｅも含まれる。これらの室がモジュールの形で互いに連結しているこのような電解槽は、例えば、東ドイツ特許出願公開第２５８１４３号明細書および米国特許出願公開第２００６／０２２６０２２号明細書に記載されている。

本発明の第２の態様における電解槽Ｅは、好ましい実施形態では、陽極室Ｋ_Ａと、陰極室Ｋ_Ｋと、必要に応じて介装中間室Ｋ_Ｍとを備える。

電解槽Ｅは、通常、外壁Ｗ_Ａを有する。外壁Ｗ_Ａは、特に、鋼、好ましくはゴム引き鋼、プラスチック、特にＴｅｌｅｎｅ（登録商標）（熱硬化性ポリジシクロペンタジエン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＶＣ－Ｃ（後塩素化ポリ塩化ビニル）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）からなる群から選択される材料から作られる。Ｗ_Ａは、特に、入口と出口のために穴があけられていてよい。Ｗ_Ａ内には、少なくとも１つの陽極室Ｋ_Ａと、少なくとも１つの陰極室Ｋ_Ｋと、電解槽Ｅが１つの中間室Ｋ_Ｍを備える実施形態では少なくとも１つの介装中間室Ｋ_Ｍとがある。

４．２．１ 陰極室Ｋ_Ｋ
陰極室Ｋ_Ｋは、少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＫと、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＫと、陰極電極Ｅ_Ｋ備える内部構造Ｉ_ＫＫとを有する。

電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えていない場合、陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫは、本発明の第１の態様の仕切壁Ｗによって、陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡから区切られる。電解槽Ｅが少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備えている場合、陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫは、本発明の第１の態様の仕切壁Ｗによって、中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭから区切られる。

４．２．１．１ 陰極電極Ｅ_Ｋ
陰極室Ｋ_Ｋは、陰極電極Ｅ_Ｋを備える内部構造Ｉ_ＫＫを備えている。この種の有用な陰極電極Ｅ_Ｋは、本発明の第３の態様における本発明による方法の条件下で安定である、当業者によく知られたすべての電極である。これらは、特に、国際公開第２０１４／００８４１０号パンフレットの段落［０２５］またはドイツ特許出願公開第１０３６０７５８号明細書の段落［０３０］に記載されている。この電極Ｅ_Ｋは、メッシュウール、三次元マトリックス構造、および「ボール」からなる群から選択され得る。陰極電極Ｅ_Ｋは、特に、鋼、ニッケル、銅、白金、白金メッキ金属、パラジウム、炭素担持パラジウム、チタンからなる群から選択される材料を含む。好ましくは、Ｅ_Ｋはニッケルを含む。

中間室Ｋ_Ｍを備える、本発明の第２の態様による電解槽Ｅの実施形態では、中間室Ｋ_Ｍは、陽極室Ｋ_Ａと陰極室Ｋ_Ｋとの間にある。

４．２．１．２ 入口Ｚ_ＫＫおよび出口Ａ_ＫＫ
陰極室Ｋ_Ｋは、入口Ｚ_ＫＫおよび出口Ａ_ＫＫも含んでいる。これにより、陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫへの液体、例えば溶液Ｌ_２の添加と、その中に存在する液体、例えば溶液Ｌ_１の除去とが可能になる。入口Ｚ_ＫＫおよび出口Ａ_ＫＫは、液体が陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫを通って流れるときに、液体が陰極電極Ｅ_Ｋと接触するように、陰極室Ｋ_Ｋに取り付けられている。これは、アルカリ金属アルコキシドＸＯＲのアルコールＲＯＨ溶液である溶液Ｌ_２が陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫを通って送られる際、本発明の第３の態様における本発明による方法の実施において、出口Ａ_ＫＫで溶液Ｌ_１が得られるための前提条件である。

入口Ｚ_ＫＫおよび出口Ａ_ＫＫは、当業者に知られている方法、例えば、液体の導入および排出を簡素化する外壁穴および対応する接続部（バルブ）によって、電解槽Ｅに取り付けられてよい。

４．２．２ 陽極室Ｋ_Ａ
陽極室Ｋ_Ａは、少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＡと、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＡと、陽極電極Ｅ_Ａを備える内部構造Ｉ_ＫＡを有する。

電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えている場合、陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡは、拡散バリアＤによって中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭから区切られる。

電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えていない場合、陽極室Ｋの内部構造Ｉ_ＫＡは、仕切壁Ｗによって陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫから区切られる。

４．２．２．１ 陽極電極Ｅ_Ａ
陽極室Ｋ_Ａは、陽極電極Ｅ_Ａを備える内部構造Ｉ_ＫＡを備える。この種の有用な陽極電極Ｅ_Ａは、本発明の第３の態様における本発明による方法の条件下で安定である、当業者によく知られているすべての電極である。これらは、特に、国際公開第２０１４／００８４１０Ａ号パンフレットの段落［０２４］またはドイツ特許出願公開第１０３６０７５８号明細書の段落［０３１］に記載されている。この電極Ｅ_Ａは、１つの層から構成されていてもよく、またはそれぞれが穿孔もしくは膨張していてよい互いに平行な複数の平面層から構成されていてもよい。陽極電極Ｅ_Ａは、特に、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ニッケル、コバルト、タングステン酸ニッケル、チタン酸ニッケル、チタンまたはＫｏｖａｒ（登録商標）（各成分が鉄：５４質量％、ニッケル：２９質量％、コバルト：１７質量％であることが好ましい鉄・ニッケル・コバルト合金）などの担体上に担持された特に白金など貴金属からなる群から選択される材料を含む。さらに可能な陽極材料は、特に、ステンレス鋼、鉛、グラファイト、炭化タングステン、二ホウ化チタンである。好ましくは、陽極電極Ｅ_Ａは、酸化ルテニウム／酸化イリジウムでコーティングされたチタン陽極を含む（ＲｕＯ_２＋ＩｒＯ_２／Ｔｉ）。

４．２．２．２ 入口Ｚ_ＫＡおよび出口Ａ_ＫＡ
陽極室Ｋ_Ｋは、入口Ｚ_ＫＡおよび出口Ａ_ＫＡも含んでいる。これにより、陰極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡへの液体、例えば溶液Ｌ_３の添加と、その中に存在する液体、例えば溶液Ｌ_４の除去とが可能になる。入口Ｚ_ＫＡおよび出口Ａ_ＫＡは、液体が陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡを通って流れるときに、液体が陽極電極Ｅ_Ａと接触するように、陽極室Ｋ_Ａに取り付けられている。これは、塩Ｓの溶液Ｌ_３が陰極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡを通って送られるとき、本発明の第３の態様における本発明による方法の実施において、出口Ａ_ＫＡで溶液Ｌ_４が得られるための前提条件である。

入口Ｚ_ＫＡおよび出口Ａ_ＫＡは、当業者に知られている方法、例えば、液体の導入および排出を簡素化する外壁穴および対応する接続部（バルブ）によって、電解槽Ｅに取り付けられてよい。電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えている特定の実施形態では、入口Ｚ_ＫＡはまた、電解槽内に、例えば拡散バリアＤの穿孔の形で存在してもよい。

４．２．３ 任意選択の中間室Ｋ_Ｍ
本発明の第２の態様における電解槽Ｅは、中間室Ｋ_Ｍを有することが好ましい。 任意選択の中間室Ｋ_Ｍは、陰極室Ｋ_Ｋと陽極室Ｋ_Ａとの間に位置している。それは、少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＭと、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＭと、内部構造Ｉ_ＫＭとを備える。

電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えている場合、陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡは、拡散バリアＤによって中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭから区切られている。次いで、Ａ_ＫＭは、液体が接続Ｖ_ＡＭを通ってＩ_ＫＭからＩ_ＫＡへ誘導され得るように、接続Ｖ_ＡＭによって入口Ｚ_ＫＡにも接続されている。

４．２．３．１ 拡散バリアＤ
任意選択の中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭは、拡散バリアＤによって陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡから区切られ、仕切壁Ｗによって陰極室Ｋ_Ｋの内部構造Ｉ_ＫＫから区切られている。

拡散バリアＤに使用される材料は、本発明の第３の態様における本発明の方法の条件下で安定であり、陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡに存在する液体からのプロトンが、任意選択の中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭへ移動するのを防止または遅延させるすべての材料であり得る。

使用される拡散バリアＤは、特に、イオン非特異的な仕切壁または特定のイオンに対して透過性の膜である。拡散バリアＤは、イオン非特異的な仕切壁であることが好ましい。

非イオン特異的仕切壁の材料は、特に、布地、特に繊維生地または金属ウィーヴ、ガラス、特に焼結ガラスまたはガラスフリット、セラミック、特にセラミックフリット、膜ダイヤフラムからなる群から選択され、より好ましくは織物生地または金属ウィーヴであり、特に好ましくは織物生地である。織物生地は、プラスチック、より好ましくはＰＶＣ、ＰＶＣ-Ｃ、ポリビニルエーテル（「ＰＶＥ」）、ポリテトラフルオロエチレン（「ＰＴＦＥ」）から選択されるプラスチックを含むことが好ましい。

拡散バリアＤが「特定のイオンに対して透過性の膜」である場合、本発明に従ってこれが意味するのは、それぞれの膜が、他のイオンよりもそれを通過する特定のイオンの拡散を促進するということである。より具体的には、これが意味するのは、反対の電荷のイオンよりも、特定の電荷タイプのイオンの拡散を促進する膜である。さらにより好ましくは、特定のイオンに対して透過性の膜はまた、同じ電荷タイプの他のイオンよりも、ある電荷タイプの特定のイオンの拡散を促進する。

拡散バリアＤが「特定のイオンに対して透過性の膜」である場合、拡散バリアＤは、特に、陰イオン伝導性膜または陽イオン伝導性膜である。

本発明によれば、陰イオン伝導性膜は、陰イオンを選択的に伝導する膜、好ましくは特定の陰イオンを選択的に伝導する膜である。換言すれば、それらは、陽イオン、特にプロトンの拡散よりもアニオンの拡散を促進する。さらにより好ましくは、それらは、他の陰イオンの拡散よりも、特定の陰イオンの拡散をさらに促進する。

本発明によれば、陽イオン伝導性膜は、陽イオンを選択的に伝導する膜、好ましくは特定の陽イオンを選択的に伝導する膜である。換言すれば、それらは、陰イオンの拡散よりも陽イオンの拡散を促進する。さらにより好ましくは、それらは、他の陽イオンの拡散よりも特定の陽イオンの拡散をさらに促進し、より好ましくは、プロトンよりも、プロトンではない陽イオン、より好ましくはナトリウム陽イオンの拡散を促進する。

「他のイオンＹの拡散よりも特定のイオンＸの拡散を促進する」とは、より具体的には、当該膜の所定温度におけるＸ型イオンの拡散係数（単位：ｍ^２／秒） が、当該膜のＹ型イオンの拡散係数よりも１０倍、好ましくは１００倍、好ましくは１０００倍高いことを意味する。
拡散バリアＤが「特定のイオンに対して透過性の膜」である場合、それは、陰イオン伝導性膜であることが好ましい。なぜなら、これは、プロトンの陽極室Ｋ_Ａから中間室Ｋ_Ｍへの拡散を特に効果的に防止するためである。

使用される陰イオン伝導性膜は、特に、塩Ｓに含まれる陰イオンに対して選択的な膜である。そのような膜は、当業者に知られており、当業者によって使用されることができる。

塩Ｓは、Ｘのハロゲン化物、硫酸塩、亜硫酸塩、硝酸塩、炭酸水素塩または炭酸塩であることが好ましく、ハロゲン化物であることがさらに好ましい。
ハロゲン化物は、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物である。最も好ましいハロゲン化物は、塩化物である。

使用される陰イオン伝導性膜は、ハロゲン化物、好ましくは塩化物に対して選択的な膜であることが好ましい。

陰イオン伝導性膜は、例えば、Ｍ．Ａ．Ｈｉｃｋｎｅｒ、Ａ．Ｍ．Ｈｅｒｒｉｎｇ、Ｅ．Ｂ．Ｃｏｕｇｈｌｉｎによる高分子科学のジャーナル第Ｂ部：高分子物理学２０１３、５１、１７２７～１７３５頁、Ｃ．Ｇ．Ａｒｇｅｓ、Ｖ．Ｒａｍａｎｉ、Ｐ．Ｎ．Ｐｉｎｔａｕｒｏによる電気化学会インターフェース ２０１０、１９、３１～３５頁、国際公開第２００７／０４８７１２号パンフレット、およびＶｏｌｋｍａｒ Ｍ．Ｓｃｈｍｉｄｔによる電気化学工学：基礎、反応技術、プロセス最適化、第１版（２００３年１０月８日）の教科書第１８１頁に記載されている。

さらにより好ましくは、使用される陰イオン伝導性膜は、したがって、ポリエチレン、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリプロピレン、およびポリパーフルオロエチレンなどのフッ素化膜、好ましくはポリスチレンから特に選択される有機ポリマーである。これらは、－ＮＨ_３ ^＋、－ＮＲＨ_２ ^＋、－ＮＲ_３ ^＋、＝ＮＲ^＋、－ＰＲ_３ ^＋から選択される共有結合した官能基を有する。式中、Ｒは、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、または他の陽イオン性基である。それらは、好ましくは、－ＮＨ_３ ^＋、－ＮＲＨ_２ ^＋および－ＮＲ_３ ^＋から選択される、より好ましくは－ＮＨ_３ ^＋および－ＮＲ_３ ^＋から選択される、さらにより好ましくは－ＮＲ_３ ^＋である、共有結合した官能基を有する。

拡散バリアＤが陽イオン伝導性膜である場合、それは特に、塩Ｓに包まれる陽イオンに対して選択的な膜である。さらにより好ましくは、拡散バリアＤはアルカリ金属陽イオン伝導性膜であり、さらにより好ましくはカリウムおよび／またはナトリウムイオン伝導性膜であり、最も好ましくはナトリウムイオン伝導性膜である。

陽イオン伝導膜は、例えば、Ｖｏｌｋｍａｒ Ｍ．Ｓｃｈｍｉｄｔによる電気化学工学：基礎、反応技術、プロセス最適化、第１版（２００３年１０月８日）の教科書第１８１頁に記載されている。

さらにより好ましくは、使用される陽イオン伝導性膜は、したがって、ポリエチレン、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリプロピレン、およびポリパーフルオロエチレンなどのフッ素化膜、好ましくはポリスチレンおよびポリパーフルオロエチレンから特に選択される有機ポリマーである。これらは、（ドイツ特許出願公開第１０２０１００６２８０４号明細書、米国特許第４，８３１，１４６号明細書に記載の）－ＳＯ_３ ^－、－ＣＯＯ^－、－ＰＯ_３ ^２－および－ＰＯ_２Ｈ^－、好ましくは－ＳＯ_３ ^－から選択される共有結合した官能基を有する。

これは、例えば、スルホン化ポリパーフルオロエチレン（Ｎａｆｉｏｎ（登録商標）、ＣＡＳ番号：３１１７５－２０－９）であり得る。これらは、例えば、国際公開第２００８／０７６３２７号パンフレットの段落［０５８］、米国特許出願公開第２０１０／００４４２４２号明細書の段落［００４２］または米国特許出願公開第２０１６／０２０４４５９号明細書から当業者に知られており、Ｎａｆｉｏｎ（登録商標）、Ａｃｉｐｌｅｘ（登録商標）Ｆ、Ｆｌｅｍｉｏｎ（登録商標）、Ｎｅｏｓｅｐｔａ（登録商標）、Ｕｌｔｒｅｘ（登録商標）、ＰＣ－ＳＫ（登録商標）の商品名で市販されている。Ｎｅｏｓｅｐｔａ（登録商標）膜は、例えば、Ｓ．Ａ．Ｍａｒｅｅｖ、Ｄ．Ｙｕ．Ｂｕｔｙｌｓｋｉｉ、Ｎ．Ｄ．Ｐｉｓｍｅｎｓｋａｙａ、Ｃ．Ｌａｒｃｈｅｔ、Ｌ．Ｄａｍｍａｋ、Ｖ．Ｖ．Ｎｉｋｏｎｅｎｋｏによる膜科学のジャーナル２０１８、５６３、７６８～７７６頁に記載されている。

陽イオン伝導性膜が拡散バリアＤとして使用される場合、これは、例えば、スルホン酸基で官能化されたポリマー、特に下記の式Ｐ_{ＮＡＦＩＯＮ}のポリマーであり得る。式中、ｎおよびｍは、独立して、１～１０^６の整数、好ましくは１０～１０^５の整数、より好ましくは１０^２～１０^４の整数であり得る。

４．２．３．２ 入口Ｚ_ＫＭおよび出口Ａ_ＫＭ
任意選択の中間室Ｋ_Ｍには、入口Ｚ_ＫＭと出口Ａ_ＫＭも含まれる。これにより、中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭへの液体、例えば溶液Ｌ_３の添加と、その中に存在する液体、例えば溶液Ｌ_３の陽極室Ｋ_Ａへの移送とが可能となる。

入口Ｚ_ＫＭおよび出口Ａ_ＫＭは、当業者に知られている方法、例えば、液体の導入および排出を簡素化する外壁穴および対応する接続部（バルブ）によって、電解槽Ｅに取り付けられてよい。出口Ａ_ＫＭはまた、例えば拡散バリアＤの穿孔の形で、電解槽内に存在してよい。

４．２．３．３ 接続Ｖ_ＡＭ
本発明の第２の態様による電解槽Ｅでは、液体が接続Ｖ_ＡＭを通ってＩ_ＫＭからＩ_ＫＡに誘導されるように、出口Ａ_ＫＭが接続Ｖ_ＡＭによって入口Ｚ_ＫＡに接続されている。

接続Ｖ_ＡＭは、電解槽Ｅ内および／または電解槽Ｅの外側に形成されてよく、好ましくは電解槽内に形成される。

（１）接続Ｖ_ＡＭが電解槽Ｅ内に形成される場合、接続Ｖ_ＡＭは、拡散バリアＤの少なくとも１つの穿孔によって形成されることが好ましい。この実施形態は、特に、使用される拡散バリアＤが非イオン特異的仕切壁、特に金属ウィーヴまたは織物生地である場合に好ましい。これは拡散バリアＤとして機能し、ウィーヴの特性上、接続Ｖ_ＡＭとして機能する穿孔および隙間を最初から有している。

（２）以下に説明する実施形態は、特に、使用される拡散バリアＤが特定のイオンに対して透過性の膜である場合に好ましい。この実施形態では、接続Ｖ_ＡＭは、電解槽Ｅの外側に形成される。特に、外壁Ｗ_Ａを通る出口Ａ_ＫＭが、中間室の内部構造Ｉ_ＫＭから、好ましくは中間室Ｋ_Ｍの底部に形成され、入口Ｚ_ＫＭがより好ましくは中間室Ｋ_Ｍの上端にあり、かつ外壁Ｗ_Ａを通る入口Ｚ_ＫＡが、陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡから、好ましくは陽極室Ｋ_Ａの底部に形成されるという点で、接続Ｖ_ＡＭは、電解槽Ｅの外側で動作するＡ_ＫＭとＺ_ＫＡとの接続によって形成されることが好ましい。これらは、導管、例えばパイプまたはホース、好ましくはゴムおよびプラスチックから選択される材料を含むものによって接続されている。次いで、出口Ａ_ＫＡは、陽極室Ｋ_Ａの上端にあることがより好ましい。

「中間室Ｋ_Ｍの底部の出口Ａ_ＫＭ」とは、溶液Ｌ_３が重力方向に沿って中間室Ｋ_Ｍから出るように、出口Ａ_ＫＭが電解槽Ｅに取り付けられていることを意味する。

「陽極室Ｋ_Ａの底部にある入口Ｚ_ＫＡ」とは、溶液Ｌ_３が重力に逆らって陽極室Ｋ_Ａに入るように、入口Ｚ_ＫＡが電解槽Ｅに取り付けられていることを意味する。

「中間室Ｋ_Ｍの上端にある入口Ｚ_ＫＭ」とは、溶液Ｌ_３が重力方向に沿って中間室Ｋ_Ｍに入るように、入口Ｚ_ＫＭが電解槽Ｅに取り付けられていることを意味する。

「陽極室Ｋ_Ａの上端にある出口ＡＫ_Ａ」とは、溶液Ｌ_４が重力に逆らって陽極室Ｋ_Ａから出るように、出口Ａ_ＫＡが電解槽Ｅに取り付けられていることを意味する。

この実施形態は、出口Ａ_ＫＭが、中間室Ｋ_Ｍの底部の外壁Ｗ_Ａによって形成され、入口Ｚ_ＫＡが陽極室Ｋ_Ａの底部の外壁Ｗ_Ａによって形成される場合に特に有利であり、したがって好ましい。この配置により、陽極室Ｋ_Ａ内で生成されたガスを、それらをさらに分離するために、Ｌ_４を用いて特に簡単な方法で陽極室Ｋ_Ａから除去することが可能になる。

接続Ｖ_ＡＭが電解槽Ｅの外側に形成される場合、特に図５Ａに示すように、Ｚ_ＫＭおよびＡ_ＫＭは、特に、中間室Ｋ_Ｍの外壁Ｗ_Ａの両端に配置され（すなわち、例えば、電解槽の底部にＺ_ＫＭ、上端にＡ_ＫＭ、またはその逆）、かつＺ_ＫＡおよびＡ_ＫＡは、陽極室Ｋ_Ａの外壁Ｗ_Ａの両端に配置される（つまり、電解槽Ｅの底部にＺ_ＫＡ、上端にＡ_ＫＡ、またはその逆）。この幾何学的形状により、Ｌ_３は、必ず二室Ｋ_ＭおよびＫ_Ａを通って流れる。Ｚ_ＫＡおよびＺ_ＫＭを電解槽Ｅの同じ側に形成することが可能であり、その場合、Ａ_ＫＭおよびＡ_ＫＡも自動的に電解槽Ｅの同じ側に形成される。あるいは、Ｚ_ＫＡおよびＺ_ＫＭは、電解槽Ｅの反対側に形成されてよく、この場合、Ａ_ＫＭおよびＡ_ＫＡも自動的に電解槽Ｅの反対側に形成される。

（３）接続Ｖ_ＡＭが電解槽Ｅ内に形成される場合、これは、特に、電解槽Ｅの上端または底部、好ましくは図５Ｂに示される上端である電解槽Ｅの一方の側（「側Ａ」）が、入口Ｚ_ＫＭと出口Ａ_ＫＡを備え、拡散バリアＤがこの側（「側Ａ」） から電解槽Ｅに向かって延びているが、電解槽Ｅの側Ａと反対の側（「側Ｂ」）までは完全に達しておらず、側Ｂは、電解槽Ｅの底部または上端であり、同時に、三室槽Ｅの高さの５０％以上、好ましくは三室槽Ｅの高さの６０％～９９％、より好ましくは三室槽Ｅの高さの７０％～９５％、さらにより好ましくは三室槽Ｅの高さの８０％～９０％、さらにより好ましくは三室槽Ｅの高さの８５％を覆っていることにより、確保され得る。拡散バリアＤは、三室槽Ｅの側Ｂに触れていないため、拡散バリアＤと、三室槽Ｅの側Ｂの外壁Ｗ_Ａと、の間に隙間が生じる。この場合、隙間は接続Ｖ_ＡＭになる。この幾何学的形状により、Ｌ_３は必ず二室Ｋ_ＭおよびＫ_Ａを完全に通って流れる。

これらの実施形態により、塩水溶液Ｌ_３が陽極電極Ｅ_Ａと接触する前に、酸感受性固体電解質を通過して流れ、その結果、酸が形成されることが最も確実となる。

本発明によれば、「電解槽Ｅの底部」とは、溶液（例えば、図５ＡのＡ_ＫＭの場合にはＬ_３）が重力方向に沿って電解槽Ｅから出る電解槽Ｅの側、または溶液（例えば、図５Ａおよび図５ＢのＺ_ＫＫの場合にはＬ_２、図４Ａおよび図４ＢのＡ_ＫＡの場合にはＬ_３）が重力に逆らって電解槽Ｅに供給される電解槽Ｅの側である。
本発明によれば、「電解槽Ｅの上端」とは、溶液（例えば、図５Ａおよび図５ＢのＡ_ＫＡの場合にはＬ_４、Ａ_ＫＫの場合にはＬ_１）が重力に逆らって電解槽Ｅから出る電解槽Ｅの側、または溶液（例えば、図５Ａおよび図５ＢのＺ_ＫＭの場合にはＬ_３）が重力方向に沿って電解槽Ｅに供給される電解槽Ｅの側面である。

４．２．４ 電解槽Ｅにおける仕切壁Ｗの配置
仕切壁Ｗは、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスと、好ましくは枠要素Ｒとが、表面Ｏ_ＫＫを介して側Ｓ_ＫＫで内部構造Ｉ_ＫＫに直接接触するように、電解槽Ｅ内に配置されている。

これは、側Ｓ_ＫＫ側の内部構造Ｉ_ＫＫが溶液Ｌ_４で完全に満たされたときに、溶液Ｌ_４が、表面Ｏ_ＫＫを介して仕切壁Ｗに含まれるすべてのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックと、かつ好ましくは部分Ｒ_１を介して枠要素Ｒとも接触するように、仕切壁Ｗが電解槽Ｅ内に配置されていることを意味する。そのため、仕切壁Ｗに含まれるすべてのＡＳＣからのイオン（例えば、ナトリウム、リチウムなどのアルカリ金属イオン）が溶液Ｌ_４に入ることができる。

さらに、仕切壁Ｗは、電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えない実施形態では、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスと、好ましくは枠要素Ｒとが、表面Ｏ_Ａ／ＭＫを介して側Ｓ_Ａ／ＭＫで内部構造Ｉ_ＫＡと直接接触するように、電解槽Ｅ内に配置される。

これが意味するのは、以下の通りである。電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えない実施形態では、仕切壁Ｗは、陽極室Ｋ_Ａの内部構造Ｉ_ＫＡに隣接する。これらの実施形態では、仕切壁Ｗは、次のように電解槽Ｅ内に配置される：側面Ｓ_ＡＭ／Ｋの内部構造Ｉ_ＫＡが溶液Ｌ_３で完全に満たされると、溶液Ｌ_３が、表面Ｏ_Ａ／ＭＫを介して仕切壁Ｗに含まれるすべてのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックと、好ましくは部分Ｒ_２を介して枠要素Ｒとも接触し、それにより、溶液Ｌ_３からのイオン（例えば、ナトリウム、リチウムなどのアルカリ金属イオン）が、仕切壁Ｗに含まれるすべてのＡＳＣに入ることができる。

さらに、電解槽Ｅが少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備える場合、仕切壁Ｗは、仕切壁Ｗに含まれるアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスと、特に枠要素Ｒとが、表面Ｏ_Ａ／ＭＫを介して側Ｓ_Ａ／ＭＫの内部構造Ｉ_ＫＭと直接接触するように電解槽Ｅ中に配置される。

これが意味するのは、以下の通りである。電解槽Ｅが少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備える実施形態では、仕切壁Ｗは、中間室Ｋ_Ｍの内部構造Ｉ_ＫＭに隣接する。これらの実施形態では、仕切壁Ｗは、次のように電解槽Ｅ内に配置される：側面Ｓ_ＡＭ／Ｋの内部構造Ｉ_ＫＭが溶液Ｌ_３で完全に満たされると、溶液Ｌ_３が、表面Ｏ_Ａ／ＭＫを介して仕切壁Ｗに含まれるすべてのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックと、好ましくは部分Ｒ_２を介して枠要素Ｒとも接触し、それにより、溶液Ｌ_３からのイオン（例えば、ナトリウム、リチウムなどのアルカリ金属イオン）が、仕切壁Ｗに含まれるすべてのＡＳＣに入ることができる。

本発明の第２の態様における電解槽Ｅの好ましい実施形態では、ＡＳＣにより形成される表面Ｏ_ＫＫ部分の少なくとも５０％、特に少なくとも７０％、好ましくは少なくとも９０％、最も好ましくは１００％が内部構造Ｉ_ＫＫと接触している。

本発明の第２の態様における中間室を備えない電解槽Ｅの好ましい実施形態では、ＡＳＣにより形成される表面Ｏ_Ａ／ＭＫ部分の少なくとも５０％、特に少なくとも７０％、好ましくは少なくとも９０％、最も好ましくは１００％が内部構造Ｉ_ＫＡと接触している。

本発明の第２の態様における少なくとも１つの中間室を備えた電解槽Ｅの好ましい実施形態では、ＡＳＣにより形成される表面Ｏ_Ａ／ＭＫ部分の少なくとも５０％、特に少なくとも７０％、好ましくは少なくとも９０％、最も好ましくは１００％が内部構造Ｉ_ＫＭと接触している。

４．３ 本発明による方法
本発明は、第３の態様において、アルカリ金属アルコキシドＸＯＲのアルコールＲＯＨ溶液Ｌ_１の製造方法に関する。Ｘはアルカリ金属陽イオンであり、Ｒは炭素数１～４のアルキル基である。本発明の第３の態様による方法は、本発明の第２の態様の電解槽Ｅ内で実施される。

Ｘは、好ましくは、Ｌｉ^＋、Ｋ^＋、Ｎａ^＋からなる群、より好ましくはＫ^＋、Ｎａ^＋からなる群から選択される。最も好ましくは、Ｘ＝Ｎａ^＋である。

Ｒは、好ましくは、ｎ－プロピル、イソ－プロピル、エチルおよびメチルからなる群、より好ましくはエチルおよびメチルからなる群から選択される。Ｒは最も好ましくはメチルである。

４．３．１ 中間室Ｋ_Ｍを備えない電解槽Ｅ内での本発明による方法
電解槽Ｅが中間室Ｋ_Ｍを備えていない場合は、工程（α１）、工程（α２）、工程（α３）が同時に行われる。

４．３．１．１ 工程（α１）
工程（α１）では、アルコールＲＯＨ、好ましくはアルカリ金属アルコキシドＸＯＲとアルコールＲＯＨとを含む溶液Ｌ_２が、Ｋ_Ｋを通って送られる。

溶液Ｌ_２は水を含まないことが好ましい。本発明によれば、「水を含まない」とは、溶液Ｌ_２中のアルコールＲＯＨの重量を基準とした、溶液Ｌ_２中の水の重量（質量比）が１：１０以下、より好ましくは１：２０以下、さらにより好ましくは１：１００以下、さらにより好ましくは０．５：１００以下であることを意味する。

溶液Ｌ_２がＸＯＲを含む場合、溶液Ｌ_２中のＸＯＲの質量割合は、溶液Ｌ_２全体に対し、特に０重量％～３０重量％を超え、好ましくは５重量％～２０重量％、より好ましくは１０重量％～２０重量％である、より好ましくは１０重量％～１５重量％、最も好ましくは１３重量％～１４重量％、非常に最も好ましくは１３重量％である。

溶液Ｌ_２がＸＯＲを含む場合、溶液Ｌ_２中のアルコールＲＯＨに対するＸＯＲの質量比は、特に１：１００～１：５の範囲、より好ましくは１：２５～３：２０の範囲、さらにより好ましくは１：１２～１：８の範囲、さらに好ましくは１：１０である。

４．３．１．２ 工程（α２）
工程（α２）では、陽イオンとしてＸを含む塩Ｓの中性またはアルカリ性水溶液Ｌ_３が、Ｋ_Ａを通って送られる。

塩Ｓは、Ｘのハロゲン化物、硫酸塩、亜硫酸塩、硝酸塩、炭酸水素塩または炭酸塩であることが好ましく、ハロゲン化物であることがさらに好ましい。

ハロゲン化物は、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物である。最も好ましいハロゲン化物は、塩化物である。

水溶液Ｌ_３のｐＨは、７．０以上、好ましくは７～１２の範囲、より好ましくは８～１１の範囲、さらにより好ましくは１０～１１、最も好ましくは１０．５である。

溶液Ｌ_３中の塩Ｓの質量割合は、溶液Ｌ_３全体に対し、０重量％～２０重量％を超え、好ましくは１重量％～２０重量％、より好ましくは５重量％～２０重量％、さらにより好ましくは１０重量％～２０重量％、最も好ましくは２０重量％であることが好ましい。

４．３．１．３ 工程（α３）
次に、工程（α３）において、Ｅ_ＡとＥ_Ｋとの間に電圧が印加される。

これにより、充電源から陽極へ電流が移動し、イオンを介して陰極へ電荷が移動し、そして最終的には充電源に電流が戻ることになる。充電源は、当業者に知られており、典型的には、交流を直流に変換し、変圧器を介して特定の電圧を生成することできる整流器である。

これにより、次のような結果が生じる。
Ｌ_２よりもＸＯＲの濃度が高い溶液Ｌ_１が出口Ａ_ＫＫで得られる。
Ｌ_３よりもＳの濃度が高いＳの水溶液Ｌ_４が出口Ａ_ＫＡで得られる。

本発明の第３の態様による方法の工程（α３）では、特に、電流密度（＝陽極室Ｋ_Ａに存在する陽極液と接触する固体電解質の面積に対する、電解槽に供給される電流の比）が１０～８０００Ａ／ｍ_２の範囲、より好ましくは１００～２０００Ａ／ｍ^２の範囲、さらにより好ましくは３００～８００Ａ／ｍ^２の範囲、さらにより好ましくは４９４Ａ／ｍ^２となるような電流が流れるような電圧が印加される。これは、当業者であれば標準的な方法で測定することができる。陽極室Ｋ_Ａ内に存在する陽極液と接触する固体電解質の面積は、特に０．００００１～１０ｍ^２、好ましくは０．０００１～２．５ｍ^２、より好ましくは０．０００２～０．１５ｍ^２、さらにより好ましくは２．８３ｃｍ^２である。

本発明の第３の態様による方法の工程（α３）は、Ｌ_３とＬ_２の両方が、仕切壁Ｗに含まれるＡＳＣと接触し、特に枠要素Ｒとも接触するように、室Ｋ_Ａが少なくとも部分的にＬ_３で満たされ、Ｋ_Ｋが少なくとも部分的にＬ_２で満たされたときに実施されることは明らかであろう。

工程（α３）においてＥ_ＡとＥ_Ｋの間で電荷の移動が起こるという事実は、Ｋ_ＫとＫ_ＡにＬ_２とＬ_３がそれぞれ同時に負荷され、それらが回路が完成する程度に電極Ｅ_ＡおよびＥ_Ｋを覆うことを意味する。

これは、特に、Ｌ_３の液体流がＫ_Ａを通って絶え間なく送られ、Ｌ_２の液体流がＫ_Ｋを通って送られ、Ｌ_３の液体流が電極Ｅ_Ａを覆い、Ｌ_２の液体流が電極Ｅ_Ｋを少なくとも部分的に、好ましくは完全に覆う場合に当てはまる。

さらに好ましい実施形態では、本発明の第３の態様による方法は、連続的に実施される。すなわち、工程（α３）に従って電圧を印加しながら、工程（α１）および工程（α２）が連続的に実施される。

工程（α３）の実施後、溶液Ｌ_１が出口Ａ_ＫＫで得られ、Ｌ_１中のＸＯＲの濃度は、Ｌ_２中のＸＯＲの濃度よりも高い。Ｌ_２が既にＸＯＲを含んでいる場合、Ｌ_１中のＸＯＲの濃度は、Ｌ_２よりも、好ましくは１．０１～２．２倍、より好ましくは１．０４～１．８倍、さらにより好ましくは１．０７７～１．４倍、さらにより好ましくは１．０７７～１．０８倍、最も好ましくは１．０７７倍高く、Ｌ_１およびＬ_２中のＸＯＲの質量割合は、より好ましくは１０重量％～２０重量％、さらにより好ましくは１３重量％～１４重量％の範囲である。

Ｓ濃度がＬ_３よりも低い、Ｓの水溶液Ｌ_４が出口Ａ_ＫＡで得られる。

水溶液Ｌ_３中の陽イオンＸの濃度は、３．５～５モル／Ｌの範囲であることが好ましく、４モル／Ｌであることがより好ましい。水溶液Ｌ_４中の陽イオンＸの濃度は、それぞれの場合に使用する水溶液Ｌ_３の濃度よりも０．５モル／Ｌ低いことがより好ましい。

より具体的には、本発明の第３の態様による方法の工程（α１）～（α３）は、２０℃～７０℃、好ましくは３５℃～６５℃、より好ましくは３５℃～６０℃、さらに好ましくは３５℃～５０℃の温度、０．５バール～１．５バール、好ましくは０．９バール～１．１バール、より好ましくは１．０バールの圧力で行われる。

本発明による方法の第３の態様による工程（α１）～（α３）を行う過程で、通常、水素が陰極室Ｋ_Ｋ内で生成され、これは、出口Ａ_ＫＫから溶液Ｌ_１とともに槽から除去され得る。次いで、本発明の特定の実施形態では、水素と溶液Ｌ_１の混合物が、当業者に知られている方法によって分離され得る。使用されるアルカリ金属化合物がハロゲン化物、特に塩化物である場合、塩素または他のハロゲンガスが陽極室Ｋ_Ａ内で生成される可能性があり、これは出口Ａ_ＫＫから溶液Ｌ_４とともに槽から除去され得る。さらに、酸素および／または二酸化炭素が生成される可能性もあるが、これらも同様に除去され得る。次いで、本発明の特定の実施形態では、塩素、酸素および／またはＣＯ_２と溶液Ｌ_４との混合物が、当業者に知られている方法によって分離され得る。次いで、塩素、酸素および／またはＣＯ_２ガスを溶液Ｌ_４から分離した後、これらを当業者に知られている方法で分離することも同様に可能である。

４．３．２ 中間室Ｋ_Ｍを備えた電解槽Ｅ内での本発明による方法
電解槽Ｅが少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備える場合、同時に進行する工程（β１）、工程（β２）、工程（β３）が行われる。

電解槽Ｅは、少なくとも１つの中間室Ｋ_Ｍを備え、次いで、同時に進行する工程（β１）、工程（β２）、工程（β３）が行われることが好ましい。

４．３．２．１ 工程（β１）
工程（β１）では、アルコールＲＯＨを含む、好ましくはアルカリ金属アルコキシドＸＯＲとアルコールＲＯＨとを含む溶液Ｌ_２がＫ_Ｋを通って送られる。

溶液Ｌ_２は水を含まないことが好ましい。本発明によれば、「水を含まない」とは、溶液Ｌ_２中のアルコールＲＯＨの重量を基準とした溶液Ｌ_２中の水の重量（質量比）が１：１０以下、より好ましくは１：２０以下、さらにより好ましくは１：１００以下、さらにより好ましくは０．５：１００以下であることを意味する。

溶液Ｌ_２がＸＯＲを含む場合、溶液Ｌ_２中のＸＯＲの質量割合は、溶液Ｌ_２全体に対し、特に、０重量％～３０重量％を超え、好ましくは５重量％～２０重量％、より好ましくは１０重量％～２０重量％、より好ましくは１０重量％～１５重量％、最も好ましくは１３重量％～１４重量％、非常に最も好ましくは１３重量％である。

溶液Ｌ_２がＸＯＲを含む場合、溶液Ｌ_２中のアルコールＲＯＨに対するＸＯＲ質量比は、特に、１：１００～１：５の範囲、より好ましくは１：２５～３：２０の範囲、さらにより好ましくは１：１２～１：８の範囲、さらにより好ましくは１：１０である。

４．３．２．２ 工程（β２）
工程（β２）では、陽イオンとしてＸを含む塩Ｓの中性またはアルカリ性水溶液Ｌ_３が、Ｋ_Ｍを通り、次にＶ_ＡＭを経由し、次にＫ_Ａを通って送られる。

塩Ｓは、Ｘのハロゲン化物、硫酸塩、亜硫酸塩、硝酸塩、炭酸水素塩または炭酸塩であることが好ましく、ハロゲン化物であることがさらに好ましい。

ハロゲン化物は、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物である。最も好ましいハロゲン化物は塩化物である。

水溶液Ｌ_３のｐＨは、７．０以上、好ましくは７～１２の範囲、より好ましくは８～１１の範囲、さらにより好ましくは１０～１１、最も好ましくは１０．５である。

溶液Ｌ_３中の塩Ｓの質量割合は、溶液Ｌ_３全体に対し、０重量％～２０重量％を超え、好ましくは１重量％～２０重量％、より好ましくは５重量％～２０重量％、さらにより好ましくは１０重量％～２０重量％の範囲、最も好ましくは２０重量％であることが好ましい。

４．３．２．３ 工程（β３）
次に、工程（β３）では、Ｅ_ＡとＥ_Ｋとの間に電圧が印加される。

これにより、充電源から陽極へ電流が移動し、イオンを介して陰極へ電荷が移動し、そして最終的には充電源に電流が戻ることになる。充電源は、当業者に知られており、典型的には、交流を直流に変換し、変圧器を介して特定の電圧を生成することができる整流器である。

これにより、次のような結果が生じる。
Ｌ_２よりもＸＯＲの濃度が高い溶液Ｌ_１が出口Ａ_ＫＫで得られる。
Ｌ_３よりもＳの濃度が高いＳの水溶液Ｌ_４が出口Ａ_ＫＡで得られる。

本発明の第３の態様による方法の工程（β３）では、特に、電流密度（＝中間室Ｋ_Ｍに存在する陽極液と接触する固体電解質の面積に対する、電解槽に供給される電流の比）が１０～８０００Ａ／ｍ_２の範囲、より好ましくは１００～２０００Ａ／ｍ^２の範囲、さらにより好ましくは３００～８００Ａ／ｍ^２の範囲、さらにより好ましくは４９４Ａ／ｍ^２となるような電流が流れるような電圧が印加される。これは、当業者であれば標準的な方法で測定することができる。中間室Ｋ_Ｍ内に存在する陽極液と接触する固体電解質の面積は、特に０．００００１～１０ｍ^２、好ましくは０．０００１～２．５ｍ^２、より好ましくは０．０００２～０．１５ｍ^２、さらにより好ましくは２．８３ｃｍ^２である。

本発明の第３の態様による方法の工程（β３）は、Ｌ_３とＬ_２の両方が、仕切壁Ｗに含まれる固体電解質と接触し、特に枠要素Ｒとも接触するように、二室Ｋ_ＭおよびＫ_Ａが少なくとも部分的にＬ_３で満たされ、Ｋ_Ｋが少なくとも部分的にＬ_２で満たされたときに実施されることは明らかであろう。

工程（β３）においてＥ_ＡとＥ_Ｋの間で電荷の移動が起こるという事実は、Ｋ_Ｋ、Ｋ_ＭおよびＫ_ＡにＬ_２とＬ_３が同時に負荷され、回路が完成する程度にそれらが電極Ｅ_ＡおよびＥ_Ｋを覆うことを意味する。

これは、特に、Ｌ_３の液体流がＫ_Ｍ、Ｖ_ＡＭおよびＫ_Ａを通って絶え間なく送られ、Ｌ_２の液体流がＫ_Ｋを通り、Ｌ_３の液体流が電極Ｅ_Ａを覆い、Ｌ_２の液体流が電極Ｅ_Ｋを少なくとも部分的に、好ましくは完全に覆う場合に当てはまる。

さらに好ましい実施形態では、本発明の第３の態様による方法は、連続的に実施される。すなわち、工程（β３）に従って電圧を印加しながら、工程（β１）および工程（β２）が連続的に実施される。

工程（β３）の実施後、溶液Ｌ_１が出口Ａ_ＫＫで得られ、Ｌ_１中のＸＯＲの濃度は、Ｌ_２中のＸＯＲの濃度よりも高い。Ｌ_２が既にＸＯＲを含んでいる場合、Ｌ_１中のＸＯＲの濃度は、Ｌ_２よりも、好ましくは１．０１～２．２倍、より好ましくは１．０４～１．８倍、さらにより好ましくは１．０７７～１．４倍、さらにより好ましくは１．０７７～１．０８倍、最も好ましくは１．０７７倍高く、Ｌ_１およびＬ_２中のＸＯＲの質量割合は、より好ましくは１０重量％～２０重量％、さらにより好ましくは１３重量％～１４重量％の範囲である。

Ｓ濃度がＬ_３よりも低い、Ｓの水溶液Ｌ_４が出口Ａ_ＫＡで得られる。

水溶液Ｌ_３中の陽イオンＸの濃度は、３．５～５モル／Ｌの範囲であることが好ましく、４モル／Ｌであることがより好ましい。水溶液Ｌ_４中の陽イオンＸの濃度は、それぞれの場合に使用する水溶液Ｌ_３の濃度よりも０．５モル／Ｌ低いことがより好ましい。

より具体的には、本発明の第３の態様による方法の工程（β１）～（β３）は、２０℃～７０℃、好ましくは３５℃～６５℃、より好ましくは３５℃～６０℃、さらに好ましくは３５℃～５０℃の温度、０．５バール～１．５バール、好ましくは０．９バール～１．１バール、より好ましくは１．０バールの圧力で行われる。

本発明による方法の第３の態様による工程（β１）～（β３）を行う過程で、通常、水素が陰極室Ｋ_Ｋ内で生成され、これは、出口Ａ_ＫＫから溶液Ｌ_１とともに槽から除去され得る。次いで、本発明の特定の実施形態では、水素と溶液Ｌ_１の混合物が、当業者に知られている方法によって分離され得る。使用されるアルカリ金属化合物がハロゲン化物、特に塩化物である場合、塩素または他のハロゲンガスが陽極室Ｋ_Ａ内で生成される可能性があり、これは出口Ａ_ＫＫから溶液Ｌ_４とともに槽から除去され得る。さらに、酸素および／または二酸化炭素が生成される可能性もあるが、これらも同様に除去され得る。次いで、本発明の特定の実施形態では、塩素、酸素および／またはＣＯ_２と溶液Ｌ_４との混合物が、当業者に知られている方法によって分離され得る。次いで、塩素、酸素および／またはＣＯ_２ガスを溶液Ｌ_４から分離した後、これらを当業者に知られている方法で分離することも同様に可能である。

４．３．２．４ 工程（β１）～（β３）のさらなる利点
工程（β１）～工程（β３）を実施すると、従来技術に照らして予期されなかったさらなる驚くべき利点がもたらされる。本発明による方法の工程（β１）～工程（β３）は、従来技術のように、緩衝液として陽極空間からのアルコキシド溶液を犠牲にすることなく、酸に不安定な固体電解質を腐食から保護する。したがって、本発明による方法は、生成物溶液を中間室に使用し、全体の転化率を低下させる国際公開第２００８／０７６３２７号パンフレットに記載の方法よりも効率的である。

（Ａ）発明性のない電解槽Ｅを示す。（Ｂ）別の発明性のない電解槽Ｅを示す。 （Ａ）本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞を示す。（Ｂ）本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞の別の実施形態を示す。 （Ａ）連続点線より上側で、仕切壁Ｗ＜１６＞の端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞の領域における、図２Ａおよび図２Ｂに示される断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞の詳細図を示す。連続点線の下側で、仕切壁Ｗ＜１６＞の分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞の領域における、図２Ａおよび図２Ｂに示される断面Ｑ_ＲＴ＜１６６＞の詳細図を示す。（Ｂ）２つの断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞およびＱ_ＲＴ＜１６６＞それぞれのさらなる実施形態を示す。（Ｃ）断面Ｑ_ＲＲ＜１６５＞のさらなる実施形態を示す。 （Ａ）本発明の第２の態様による電解槽Ｅ＜１＞を示す。（Ｂ）本発明の第２の態様による電解槽Ｅ＜１＞を示す。 （Ａ）本発明の第２の態様による電解槽Ｅ１を示す。（Ｂ）本発明の第２の態様による電解槽Ｅ１を示す。 （Ａ）本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞のさらなる実施形態を、（左側に）表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞の上面図で示す。そして、矢印の方向に見た曲線状クランプの詳細を示す側面図である。（Ｂ）本発明の仕切壁Ｗ＜１６＞のさらなる実施形態を示す。

５．実験例
５．１ 比較例１
陽極室に２０重量％のＮａＣｌの（水）溶液を供給し、陰極室に１０重量％のメタノール性ＳＭ溶液を供給する陰極方法により、ナトリウムメトキシド（ＳＭ）を生成した。電解槽は、図１Ｂに示すものに対応する３室で構成した。中間室と陽極室の間の接続は、電解槽の底部に取り付けられたホースによって設けた。陽極室と中間室は、２．８３ｃｍ^２の陰イオン交換膜（Ｔｏｋｕｙａｍａ ＡＭＸ、ポリマー上にアンモニウム基）によって区切った。陰極室と中間室は、面積２．８３ｃｍ^２のＮａＳＩＣＯＮ型セラミックによって区切った。このセラミックは、式Ｎａ_３．４Ｚｒ_２．０Ｓｉ_２．４Ｐ_０．６Ｏ_１２の化学組成を有していた。
陽極液を、中間室を通って陽極室に移送した。陽極液の流量は１Ｌ／時間、陰極液の流量は９０ｍＬ／時間であり、０．１４Ａの電流を印加した。気温は３５℃であった。電解を５Ｖの定電圧で５００時間行った。
長期間にわたって中間室においてｐＨ勾配が発生することが観察された。これは、電解の過程でイオンが電極へ移動したことと、陽極でのさらなる反応によって生成されたプロトンが拡散したこととに起因する。このｐＨの局所的上昇は、固体電解質を攻撃し、特に、非常に長い期間作動する場合に固体電解質の腐食および破損を引き起こす可能性があるため、望ましくない。

さらに、電解槽が繰り返し起動および停止されると、加熱および冷却効果により、ＮａＳＩＣＯＮセラミックが膨張および収縮する。さらに、ＮａＳＩＣＯＮ膜が槽内で変位し得る。これは、セラミックの破損傾向が増大し、中間室から陰極室への電解液の漏洩につながり、電解生成物が水浸しになる可能性があるため、問題である。さらに、これにより槽の外壁に漏れ穴が生じ、電解液が外部に漏洩する可能性がある。

５．２ 比較例２
たった１つの陽極室とたった１つの陰極室とを備え、陽極室がＮａＳＩＣＯＮ型セラミックによって陰極室から区切られた２室槽（図１Ａ）で、比較例１を再現した。したがって、この電解槽には、中間室が含まれていなかった。そのため、比較例１と比較して、セラミックの腐食がさらに速く、これは、電圧曲線の急速な上昇をもたらした。開始電圧値が５Ｖ未満の場合、１００時間以内に２０Ｖ超に上昇した。

５．３ 実施例１
枠内に２つのＮａＳＩＣＯＮセラミックを含む仕切壁が挿入され、ネジで固定されている図５Ａによる電解槽を使用して、比較例１を再現した。

この配置により、膨張および収縮プロセスの度合いが減少し、これがセラミックの耐用年数に貢献した。そして、漏れが防止されるため、よりクリーンな生成物溶液が得られた。

５．４ 比較例３
図７Ａに示すように枠内に４個のＮａＳＩＣＯＮセラミックスを含む仕切壁が挿入され、フックで固定された、図５Ｂによる電解槽を使用して、比較例２
を再現した。ただし、相違点は、固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞（図５Ｂの断面＜１６６＞）が省かれた点である。

この配置により、膨張および収縮プロセスの度合いが減少し、これがセラミックの耐用年数に貢献した。そして、漏れが防止されるため、よりクリーンな生成物溶液が得られた。しかし、枠Ｒが分離要素Ｒ_Ｔの領域においてたわみやすいことが観察され、したがって、この領域での仕切壁Ｗの安定性は低い。

５．５ 実施例２
分離要素Ｒ_Ｔの領域に固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞（相互に係合するフック）を取り付け、比較例３を再現した。これにより、圧縮力が仕切壁の各側の表面全体に分散され、仕切壁の安定性が向上した。

５．６ 結果
電解サイクルの繰り返しによって生じる膨張および収縮プロセスにおいて、固体電解質セラミック内の張力が緩和されると、電解室の延命につながる。本発明の実施例１および実施例２による実施では、これらの影響が低減され、固体電解質の安定性が増加する。
さらに、比較例３と比較すると、分離要素Ｒ_Ｔの領域に固定要素Ｂ_Ｔを設けることにより、枠要素から仕切壁内のセラミックスに加えられる圧縮力が均一に分散され、仕切壁Ｗの安定性が増大する。
本発明による方法において、本発明による三室槽を使用すると、固体電解質の腐食も防止され、同時に、中間室のためにアルカリ金属アルコキシド生成物を犠牲にする必要がなく、電圧は一定に保たれる。２つの比較例１および比較例２の比較からすでに明らかなこれらの利点は、少なくとも１つの中間室を備える本発明による電解槽と、その中で行われる方法との驚くべき効果を明確に示している。

Claims (15)

1. 表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を有する一方の側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞と、前記側Ｓ_ＫＫ＜１６１＞と反対の側である、表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を有する側Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞と、を含み、
   ２つの対向する部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞から構成され、それらの間には少なくとも２つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞およびＦ_Ｂ＜１９＞が配置されている枠要素Ｒ＜２＞
   を含む仕切壁Ｗ＜１６＞であり、
   前記Ｒ_１＜２０１＞は、前記表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞から直接接触可能であり、
   前記Ｒ_２＜２０２＞は、前記表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞から直接接触可能であり、
   前記枠要素Ｒ＜２＞は、端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞および分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞を形成し、
   前記端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞は、前記表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞およびＯ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を少なくとも部分的に境界し、かつ
   前記分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、前記仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックの間に位置し、それらを互いに分離し、
   前記仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、前記表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞および前記表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞の両方から直接接触可能であり、
   前記Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、前記端要素Ｒ_Ｒ＜２０＞において少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞によって互いに固定されており、かつ
   前記Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞は、前記分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞において少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞によって互いに固定されている、仕切壁Ｗ＜１６＞。
2. 前記少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞および前記少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞は、前記部分Ｒ_１＜２０１＞およびＲ_２＜２０２＞の少なくとも１つと一体型の形状である、請求項１記載の仕切壁Ｗ＜１６＞。
3. 前記少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｒ＜９１＞および前記少なくとも１つの固定要素Ｂ_Ｔ＜９２＞は、それぞれ相互に係合するフックＢ_Ｈ＜９３＞の形状をしている、請求項１または請求項２記載の仕切壁Ｗ＜１６＞。
4. 少なくとも４つのアルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスＦ_Ａ＜１８＞、Ｆ_Ｂ＜１９＞、Ｆ_Ｃ＜２８＞およびＦ_Ｄ＜２９＞を含む、請求項１～請求項３のいずれか一項記載の仕切壁Ｗ＜１６＞。
5. 前記分離要素Ｒ_Ｔ＜１７＞は、十字形状または格子形状である、請求項４記載の仕切壁Ｗ＜１６＞。
6. 前記枠要素Ｒ＜２＞は、プラスチック、ガラス、木材からなる群から選択される材料を含む、請求項１～請求項５のいずれか一項記載の仕切壁Ｗ＜１６＞。
7. 前記仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、独立して
   式 Ｍ^Ｉ _{１＋２ｗ＋ｘ－ｙ＋ｚ}Ｍ^ＩＩ _ｗＭ^ＩＩＩ _ｘＺｒ^ＩＶ _{２－ｗ－ｘ－ｙ}Ｍ^Ｖ _ｙ（ＳｉＯ_４）_ｚ（ＰＯ_４）_３－ｚ
   （式中、Ｍ^Ｉは、Ｎａ^＋およびＬｉ^＋から選択され、
   Ｍ^ＩＩは、二価の金属陽イオンであり、
   Ｍ^ＩＩＩは、三価の金属陽イオンであり、
   Ｍ^Ｖは、５価の金属陽イオンであり、
   ローマ字指数Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖは、それぞれの前記金属陽イオンが存在する酸化数を示し、
   ｗ、ｘ、ｙ、ｚは実数で、０≦ｘ＜２、０≦ｙ＜２、０≦ｗ＜２、０≦ｚ＜３であり、
   ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、１＋２ｗ＋ｘ－ｙ＋ｚ≧０かつ２－ｗ－ｘ－ｙ≧０となるように選択される。）
   の構造を有する、請求項１～請求項６のいずれか一項記載の仕切壁Ｗ＜１６＞。
8. ‐少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞と、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞と、陽極電極Ｅ_Ａ＜１１３＞を備える内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞とを有する少なくとも１つの陽極室Ｋ_Ａ＜１１＞、
   ‐少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＫ＜１２０＞と、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＫ＜１２１＞と、陰極電極Ｅ_Ｋ＜１２３＞を備える内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞とを有する少なくとも１つの陰極室Ｋ_Ｋ＜１２＞、および
   ‐必要に応じて、少なくとも１つの入口Ｚ_ＫＭ＜１３０＞と、少なくとも１つの出口Ａ_ＫＭ＜１３１＞と、内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞とを有する少なくとも１つの介装中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞
   を含む電解槽Ｅ＜１＞であり、
   前記Ｉ_ＫＡ＜１１２＞と前記Ｉ_ＫＭ＜１３２＞は、拡散バリアＤ＜１４＞によって互いに区切られ、前記Ａ_ＫＭ＜１３１＞は、接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞によって前記入口Ｚ_ＫＡ＜１１０＞に接続され、前記接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞を経由して前記Ｉ_ＫＭ＜１３２＞から前記Ｉ_ＫＡ＜１１２＞へ液体を送ることができ、
   前記電解槽Ｅ＜１＞が前記中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えていない場合、前記Ｉ_ＫＡ＜１１２＞と前記Ｉ_ＫＫ＜１２２＞は、請求項１～請求項のいずれか一項記載の仕切壁Ｗ＜１６＞によって互いに区切られ、
   前記電解槽Ｅ＜１＞が少なくとも１つの前記中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えている場合、前記Ｉ_ＫＫ＜１２２＞と前記Ｉ_ＫＭ＜１３２＞は、請求項１～請求項のいずれか一項記載の仕切壁Ｗ＜１６＞によって互いに区切られ、
   前記仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、前記表面Ｏ_ＫＫ＜１６３＞を介して前記Ｓ_ＫＫ＜１６６＞側の前記内部構造Ｉ_ＫＫ＜１２２＞に直接接触し、かつ
   前記電解槽Ｅ＜１＞が前記中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えていない場合、前記仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、前記表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を介して前記Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞側の前記内部構造Ｉ_ＫＡ＜１１２＞に直接接触し、
   前記電解槽Ｅ＜１＞が少なくとも１つの前記中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えている場合、前記仕切壁Ｗ＜１６＞に含まれる前記アルカリ金属陽イオン伝導性固体電解質セラミックスは、前記表面Ｏ_Ａ／ＭＫ＜１６４＞を介して前記Ｓ_Ａ／ＭＫ＜１６２＞側の前記内部構造Ｉ_ＫＭ＜１３２＞に直接接触している、電解槽Ｅ＜１＞。
9. 前記中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えていない、請求項８記載の電解槽Ｅ＜１＞。
10. 少なくとも１つの前記中間室Ｋ_Ｍ＜１３＞を備えている、請求項８記載の電解槽Ｅ＜１＞。
11. 前記接続Ｖ_ＡＭ＜１５＞は、前記電解槽Ｅ＜１＞の内部に形成されている、請求項１０記載の電解槽Ｅ＜１＞。
12. アルカリ金属アルコキシドＸＯＲのアルコールＲＯＨ溶液Ｌ_１＜２１＞を生成する方法であり、
    前記Ｘはアルカリ金属陽イオン、前記Ｒは炭素数１～４のアルキル基であり、
    （α）前記アルコールＲＯＨを含む溶液Ｌ_２＜２２＞を前記Ｋ_Ｋ＜１２＞に通す工程（α１）、陽イオンとしてＸを含む塩Ｓの中性またはアルカリ性水溶液Ｌ_３＜２３＞を前記Ｋ_Ａ＜１１＞に通す工程、前記Ｅ_Ａ＜１１３＞と前記Ｅ_Ｋ＜１２３＞の間に電圧を印加する工程（α３）を同時に進行させ、かつそれらを請求項９記載の電解槽Ｅ１内で実施するか、または
    （β）前記アルコールＲＯＨを含む溶液Ｌ_２＜２２＞を前記Ｋ_Ｋ＜１２＞に通す工程（β１）、陽イオンとしてＸを含む塩Ｓの中性またはアルカリ性水溶液Ｌ_３＜２３＞を前記Ｋ_Ｍ＜１３＞に通し、次に前記Ｖ_ＡＭ＜１５＞に通し、次に前記Ｋ_Ａ＜１１＞に通す工程（β２）、前記Ｅ_Ａ＜１１３＞と前記Ｅ_Ｋ＜１２３＞の間に電圧を印加する工程（β３）を同時に進行させ、かつそれらを請求項１０または請求項１１記載の電解槽Ｅ１内で実施し、
    これにより、前記出口Ａ_ＫＫ＜１２１＞において、前記Ｌ_２＜２２＞よりもＸＯＲ濃度が高い前記溶液Ｌ_１＜２１＞が得られ、かつ
    前記出口Ａ_ＫＡ＜１１１＞において、前記Ｌ_３＜２３＞よりもＳ濃度が低い水溶液Ｌ_４＜２４＞が得られる、方法。
13. 前記Ｘは、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋からなる群から選択される、請求項１２記載の方法。
14. 前記Ｓは、Ｘのハロゲン化物、硫酸塩、亜硫酸塩、硝酸塩、炭酸水素塩または炭酸塩である、請求項１２または請求項１３記載の方法。
15. 前記Ｒは、メチルおよびエチルからなる群から選択される、請求項１２～請求項１４のいずれか一項記載の方法。
    

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