JP2500523B2 - 基板および基板の製造方法 - Google Patents

基板および基板の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハイブリッドＩ
Ｃ用の金属基板等、異種の導電金属を積層してなる所定
形状の導電層を絶縁層表面に備えた基板とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば金属板の上に、樹脂等
からなる絶縁層及び導電性の金属層を形成し、この金属
層をエッチングすることにより、絶縁層上に回路パター
ン等を構成する導電層を形成したハイブリッドＩＣ用の
金属基板が知られている。
【０００３】またこの種の基板では、導電層の電気伝導
性，熱伝導性，ワイヤーボンディング性等を向上するた
めに、導電層（即ち金属層）を異種の導電金属の積層体
を用いて形成することが考えられ、且つ実用化されてい
る（例えば特開昭５９−３３８９４号公報）。
【０００４】即ち、例えば図８（ａ）に示す如く、アル
ミニウム（Ａｌ）圧延箔に亜鉛（Ｚｎ）置換メッキを行
ない、その上に銅（Ｃｕ）を電気メッキ形成したＡｌ−
Ｚｎ−Ｃｕの積層体を用いて、絶縁層に導電層を形成す
ることにより、Ｃｕによって導電層の電気伝導性及び熱
伝導性を向上し、Ａｌによって導電層へのワイヤーボン
ディング性を向上することが考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記のように
導電層を異種の導電金属の積層体により形成した基板を
湿度を含む環境下にて長時間使用すると、表面に水膜が
形成され、導電層の各金属間に生ずる電位差により、各
金属の接合部分にて特定の金属がイオン化し、溶出して
しまうことが判明した。例えば図８に示したＡｌ−Ｚｎ
−Ｃｕの積層体からなる導電層の場合、（ａ）に示す如
き反応（Ｚｎのイオン化）が起こって、（ｂ）に示す如
くＡｌとＣｕとを接合しているＺｎが溶出し、導電層表
面のＡｌが剥がれ易くなってしまうといった問題がある
ことが判明した。
【０００６】尚この導電層の溶出現象は、接合した導電
金属のイオン化傾向の差が大きい程顕著で、また溶出す
る導電金属は、通常、イオン化傾向の大きい金属である
が、図８に示したＡｌ−Ｚｎ−Ｃｕの積層体からなる導
電層の場合には、ＺｎとＡｌとのイオン化傾向の差（Ｚ
ｎ−Ａｌ）に対して、ＣｕとＺｎとのイオン化傾向の差
（Ｃｕ−Ｚｎ）の方が大きく、しかもＡｌの表面は酸化
して強固なＡｌ2Ｏ3膜が形成されるため、イオン化傾向
の大きいＡｌは溶出せず、Ｚｎが溶出する。
【０００７】また金属の溶出長（図８に示すＬ）は、時
間の経過に伴い増加し、特に絶縁層が樹脂層（エポキシ
樹脂）である場合には、溶出長Ｌが大きくなることが判
明した。これは、樹脂中の遊離Ｃｌ- イオンが水膜を電
解水膜に変化させることによるものと考えられる。
【０００８】本発明はこうした問題に鑑みなされたもの
で、上記のように導電層を異種の導電金属の積層体によ
り形成した場合に生ずる導電層の溶出現象を防止可能な
基板とその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、上記目的を達成す
るためになされた請求項１に記載の発明は、基板と、該
基板の絶縁部表面に、第１の導電金属と該第１の導電金
属とは異なる種類の第３の導電金属とを、第１及び第３
の導電金属とは異なる種類であって両導電金属の接合体
となる第２の導電金属を挟んで積層してなる所定形状の
導電層を備えた基板において、少なくとも上記導電層の
上記絶縁部とは反対側表面の所定部分を露出させた状態
で、少なくとも該導電層の上記各導電金属の積層部分を
外部と遮断する保護層を設け、該保護層を、上記導電層
の上記絶縁部とは反対側に配置される導電金属とは異な
る材料にて形成してなることを特徴とする。また請求項
２に記載の発明は、請求項１に記載の基板を作製するの
に好適な基板の製造方法であって、基板の絶縁部表面に
異種の導電金属の積層体を積層すると共に、該積層体の
表面に所定形状の耐エッチング膜を積層し、次に所定の
エッチング剤により上記積層体の導電金属を順次エッチ
ングして上記絶縁部表面に上記耐エッチング膜の形状に
対応した導電層を形成すると共に、該導電層の各導電金
属の積層部分周縁に保護層を形成し、その後上記導電層
表面の耐エッチング膜を除去することを特徴とする。
【００１０】一方、請求項３に記載の発明は、基板と、
該基板の絶縁部表面に、第１の導電金属と該第１の導電
金属とは異なる種類の第３の導電金属とを、第１及び第
３の導電金属とは異なる種類であって両導電金属の接合
体となる第２の導電金属を挟んで積層してなる所定形状
の導電層を備えた基板において、上記第２の導電金属の
少なくとも上記第１及び第３の導電金属との接合部分
を、接合される導電金属を含む合金層としてなることを
特徴とする。また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載の基板を作製するのに好適な基板の製造方法であ
って、基板の絶縁部表面に異種の導電金属の積層体を積
層すると共に、該積層体の表面に所定形状の耐エッチン
グ膜を積層し、次に所定のエッチング剤により上記積層
体の導電金属を順次エッチングして上記絶縁部表面に上
記耐エッチング膜の形状に対応した導電層を形成し、そ
の後上記導電層表面の耐エッチング膜を除去すると共
に、該導電層が形成された基板を、該導電層の上記絶縁
部とは反対側表面の導電金属を実質的に変化させること
なく各導電金属の接合部分に合金層を形成可能な所定温
度で加熱して、該導電層の各導電金属の接合部分に合金
層を形成することを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１に記載の基板においては、基板の絶縁
部表面に設けられる所定形状の導電層が、第１の導電金
属と第３の導電金属とを第２の導電金属を挟んで積層す
ることにより形成され、しかもこの導電層の各導電金属
の積層部分は、保護層によって外部と遮断されている。
また、この保護層は、導電層の絶縁部とは反対側に配置
される導電金属とは異なる材料からなり、しかも導電層
の絶縁部とは反対側表面の所定部分を露出させるように
形成されている。このため、導電層の各導電金属の積層
部分において、導電金属がイオン化して溶出するのを防
止できる。また、導電層の絶縁部とは反対側表面（つま
り導電層の表面）の少なくとも一部は、保護層により覆
われることなく、外部に露出しているので、この表面層
を形成する導電金属にアルミニウム等を使用すれば、こ
の部分にワイヤ等を直接ボンディングすることができ、
そのボンディング性を低下させることもない。
【００１２】ここで上記保護層を各導電金属の積層部分
周縁に設けるのは、導電金属がイオン化して溶出するの
が導電層の各導電金属の積層部分に局部電流が流れるこ
とに起因しており、各導電金属の積層部分周縁を外部と
遮断しておけば導電金属がイオン化して溶出するのを防
止できるためである。従って保護層としては、導電層の
各導電金属の積層部分を外部と遮断できればよいため、
導電層の側面全体に形成しても問題はなく、またその材
質は、金属であっても、樹脂であってもよい。
【００１３】また請求項２に記載の基板の製造方法で
は、基板の絶縁部表面に積層された導電金属の積層体の
表面に耐エッチング膜を積層して、積層体の導電金属を
エッチングすることにより導電層を形成すると共に、そ
の導電層の各導電金属の積層部分周縁に保護層を形成
し、最後に耐エッチング膜を除去する。即ち耐エッチン
グ膜を除去する前に保護層を形成する。このため保護層
形成時には、耐エッチング膜が導電層表面を保護してい
る状態となり、保護層を導電層の表面に形成してしまう
ことはない。従って、導電層の各導電金属の積層部分を
保護層にて外部から遮断し、しかも導電層の表面側を外
部に露出させた請求項１に記載の基板を容易に作製する
ことができる。
【００１４】一方、請求項３に記載の基板においては、
絶縁部の表面に設けられる所定形状の導電層が、第１の
導電金属と第３の導電金属とを第２の導電金属を挟んで
積層することにより形成され、しかも、第２の導電金属
の少なくとも第１及び第３の導電金属との接合部分が、
その接合される導電金属を含む合金層として形成されて
いる。このため、その合金層により、導電層の各導電金
属の積層部分において、導電金属がイオン化して溶出す
るのを抑制できる。
【００１５】尚この理由の一つは、上記のように接合さ
れる導電金属間に合金層を介在させれば、各導電金属は
合金層と接合されることとなり、導電金属を直接接合し
た場合に比べて、接合される導電金属のイオン化傾向の
差が少なくなるためであり、またもう一つの理由は、異
種金属の合金は導電金属単体よりも安定して溶出し難い
ためである。
【００１６】即ち、接合された２種の導電金属の内、イ
オン化により溶出するのは、通常、イオン化傾向が大き
い導電金属であり、またその溶出長は、導電金属のイオ
ン化傾向の差が大きい程大きくなるが、上記のように導
電金属間に合金層を形成すれば、接合される導電金属の
イオン化傾向の差を小さくすることができ、また合金層
は溶出し難いため、第３発明の基板により、導電層にお
ける導電金属のイオン化による溶出を抑制できるのであ
る。
【００１７】また請求項４に記載の基板の製造方法にお
いては、エッチングにより絶縁部表面上に導電層を形成
した後、エッチングに利用した導電層表面の耐エッチン
グ膜を除去すると共に、その導電層が形成された基板
を、導電層の絶縁部とは反対側表面の導電金属を実質的
に変化させることなく各導電金属の接合部分に合金層を
形成可能な所定温度で加熱して、導電層の各導電金属の
接合部分に合金層を形成する。つまり導電層形成後の基
板を所定温度で加熱することにより、導電層を構成する
各導電金属の接合部分を相互拡散させて、その接合部分
に合金層を形成する。このため、導電層の各導電金属の
積層部分において導電金属が溶出するのを抑制するため
の合金層を簡単に形成できる。またこの合金層を形成す
るための加熱温度は、導電層の絶縁部とは反対側表面の
導電金属を実質的に変化させることのない所定温度に設
定されることから、加熱によって導電層の表面が合金層
に変化することは殆どない。従って、導電層の表面を形
成する導電金属にアルミニウム等を使用した場合に、加
熱によってその表面のワイヤ等のボンディング性が低下
することもない。
【００１８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面と共に説明す
る。まず図２はパワートランジスタ等が実装された実施
例のパワーＩＣ用の金属基板１の外観を表す斜視図であ
る。
【００１９】図に示すように本実施例の金属基板１は、
Ａｌ基板３に絶縁樹脂層５を積層してなる基板本体７
と、基板本体７の絶縁樹脂層５上に積層されて回路パタ
ーンを形成する導電層９と、同じく絶縁樹脂層５上に積
層されて、パワートランジスタ，小信号増幅用トランジ
スタ等の各種回路部品１１をヒートスプレッダ１３を介
して夫々載置するための載置部１５とから構成されてい
る。載置部１５に載置された各種回路部品１１の端子と
他の導電層９とは、Ａｌワイヤ１７を介して接続されて
おり、これによって電気回路が形成されている。
【００２０】ここで載置部１５は、電気伝導性及び熱伝
導性の高いＣｕ箔を絶縁樹脂層５に積層することにより
形成されており、図１に示す如く、その上に半田付けに
よりヒートスプレッダ１３及び回路部品１１が積層され
ている。
【００２１】また次に導電層９は、電気伝導性及び熱伝
導性の高いＣｕ層２１、Ａｌワイヤ１７を容易にボンデ
ィングできるＡｌ層２３、及びこれらを接合するための
Ｚｎ層２５を積層した積層体からなっており、Ｃｕ層２
１を絶縁樹脂層５側にして絶縁樹脂層５上に積層されて
いる。またこの導電層９の側面には、Ｃｕ層２１、Ａｌ
層２３及びＺｎ層２５の積層部分を外部から保護するニ
ッケル（Ｎｉ）からなる保護層２７が設けられている。
【００２２】以下、絶縁樹脂層５上への導電層９の形成
手順（換言すれば本実施例の金属基板１の製造方法）に
ついて、図３に示す（ａ）〜（ｇ）に沿って説明する。
まず図３（ａ）に示す如く、厚さ４０μｍのＡｌ圧延箔
にＺｎ置換メッキ（１００オングストローム程度）を行
ない、Ｃｕを電気メッキ形成（厚さ８５μｍ）すること
により作製されたＣｕ−Ｚｎ−Ａｌの各層２１〜２５か
らなる金属箔２９を、Ｃｕ層２１を下にして基板本体７
の絶縁樹脂層５上に積層した後、図３（ｂ）に示す如
く、この積層した金属箔２９の上（即ちＡｌ層２３上）
に、予め設定された回路パターン形状に対応した耐エッ
チング膜としてのレジスト３０をスクリーン印刷する。
【００２３】レジスト３０のスクリーン印刷が終了する
と、今度は図３（ｃ）及び（ｄ）に示す如く、所定のエ
ッチング剤により金属箔２９をエッチングして、レジス
ト３０の形状に対応した導電層９を形成する。
【００２４】尚本実施例では、まず図３（ｃ）に示す如
く、苛性ソーダ（１００ｇ／ｌ）と硝酸ソーダ（２ｇ／
ｌ）との混合溶液をエッチング剤として、５０℃，３分
の条件にて金属箔２９のＡｌ層２３をエッチングし、次
に図３（ｄ）に示す如く、過硫酸アンモニウム（１５０
ｇ／ｌ）の溶液をエッチング剤として、５０℃，２分の
条件にて金属箔２９のＺｎ層２５及びＣｕ層２１をエッ
チングする、といった手順で金属箔２９のエッチングを
行った。
【００２５】このように金属箔２９のエッチングにより
導電層９が形成されると、今度は図３（ｅ）に示す如
く、その形成された導電層９の側面をＮｉメッキ（無電
解メッキ）することにより保護層２７を形成し、その後
図３（ｆ）に示す如く導電層９上のレジスト３０を除去
して金属基板１を完成する。
【００２６】尚図３（ｅ）において保護層２７を形成す
るためにＮｉメッキを行なう際には、導電層９の上面に
レジスト３０が残っているため、以下の手順でＮｉメッ
キを行うことにより、導電層９の側面に簡単に保護層２
７を形成できる。
【００２７】即ち、まず弱酸性溶液（商品名ＯＰＣクリ
ーン６５：奥野製薬工業社製）を用いて、室温，約１分
間の条件にて導電層９側面を脱脂し、次に酸化物除去液
（硫酸１０％の水溶液）を用いて、室温，約３０秒間の
条件にて導電層９側面の酸化物を除去する。次に導電層
９の側面にＮｉメッキ層を形成するために、Ｚｎ置換用
溶液（商品名サブスターＺＮ−２：奥野製薬工業社製）
を用いて、室温，約４０秒間の条件にてＺｎ置換メッキ
を施し、その後Ｎｉメッキ液（商品名トップニコロンＲ
Ｄ−ＭとＲＤ−１との建浴液：奥野製薬工業社製）を用
いて、８８℃，約３５分間の条件にてＮｉメッキ層を形
成する。この結果導電層９の側面に、厚さ５μｍの保護
層２７を形成できた。尚本実施例では、耐湿性向上のた
めに、重クロム酸ソーダを用いて、４５℃，１５分間の
条件にてクロメート処理を施した。
【００２８】以上説明したように、本実施例の金属基板
１においては、導電層９がＣｕ−Ｚｎ−Ａｌの積層体か
らなり、しかもその側面にはＮｉメッキにより保護層２
７が形成されている。このため導電層９の電気伝導性，
熱伝導性，ワイヤボンディング性を確保することができ
る他、長時間の使用によってＺｎが溶出するのを防止で
きる。尚保護層２７による導電層９のＺｎの溶出防止効
果は、以下の耐久試験により確認できた。
【００２９】即ち、保護層２７による導電層９のＺｎの
溶出防止効果を確認するために、図３に示した製造工程
で保護層２７を有する金属基板を作製すると共に、図３
に示した製造工程の内、保護層２７の形成工程（ｅ）を
省いた従来の製造工程にて保護層２７を備えていない従
来の金属基板を作製し、プレッシャークッカー試験によ
り各金属基板の耐久試験を行った。この結果、保護層２
７を備えていない従来の金属基板においては、図４に示
す如く、温度８５℃，湿度８５％の環境下においても、
また温度１２１℃，湿度８５の環境下においても、Ｚｎ
の溶出が起こり、しかも温度が高い程、Ｚｎの溶出長Ｌ
が大きくなったが、保護層２７を備えた金属基板におい
ては、何れの環境下でもＺｎの溶出がないことが確認で
きた。
【００３０】尚この耐久試験には、１インチ角の基板本
体に、幅１ｍｍ，長さ１５ｍｍの導電層を積層した金属
基板を使用した。また導電層を構成する各層の厚さは上
記実施例と全く同様である。
【００３１】一方本実施例では、図３（ｄ）にてＺｎ層
２５及びＣｕ層２１のエッチングを行った後、図３
（ｅ）にてＮｉメッキ（無電解メッキ）を行うことによ
って、保護層２７を形成するようにしている。このた
め、保護層２７を備えていない従来の基板の作製工程
に、Ｎｉメッキ工程を追加するだけで、金属基板１を簡
単に作製することができる。また図３（ｄ）にてＺｎ層
２５及びＣｕ層２１のエッチングを行った際に、Ｚｎ層
２５及びＣｕ層２１の幅がサイドエッチングによってＡ
ｌ層２３の幅より小さくなり、導電層９がきのこ状にな
ることがあるが、本実施例では保護層２７をＮｉメッキ
（無電解メッキ）により形成しているため、図５に示す
如く、そのきのこ状の傘下部分にも保護層２７を形成す
ることができ、Ｚｎの溶出を極めて良好に防止すること
ができる。つまり従来の基板では、エッチングによって
導電層９がきのこ状に形成されてしまうと、そのきのこ
状の傘下部分に水膜が形成され易くなるため、Ｚｎの溶
出が助長されるといった問題があるが、本実施例ではＮ
ｉメッキによりその傘下部分にも保護層２７を形成でき
るので、こうした問題も解決することができる。
【００３２】尚図３（ｄ）にてＺｎ層２５及びＣｕ層２
１のエッチングを行った後、再度図３（ｃ）にてＡｌ層
２３のエッチングを行い、きのこ状に形成された図６
（ａ）に示す如き導電層９の傘部を除去するようにすれ
ば、図６（ｂ）に示す如く傘部の存在しない導電層９を
形成することができる。
【００３３】ここで上記実施例では、保護層２７をＮｉ
メッキにより形成したが、保護層２７をＣｕ、Ａｕ等の
メッキにより形成しても上記実施例と同様の効果を得る
ことができる。また保護層２７は、こうしたメッキ以外
によって形成してもよい。例えば図３（ｅ）にて、導電
層９の側面に、耐湿性を有し粘度の低いポリマー（ポリ
イミド，エポキシ等）をスピンコートにより形成し、そ
の後レジストを除去するようにしても、上記実施例と同
様の効果を得ることができる。またこの他、例えば導電
層を形成するためのエッチング剤を選択することによ
り、エッチングと同時に保護層を形成することも考えら
れる。
【００３４】以上、導電層９の側面に保護層２７を設け
ることによって導電層９におけるＺｎの溶出現象を防止
するようにした実施例について説明したが、既述したよ
うに導電層９における導電金属の溶出現象を防止するに
は、上記実施例のように必ずしも導電層９の側面に保護
層２７を設ける必要はなく、図７に示す如く、導電層９
のＣｕ層２１とＡｌ層２３との間にＣｕ／Ｚｎ／Ａｌの
合金層３５を形成するようにしてもよい。
【００３５】この場合、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌの積層体にお
ける各層間のイオン化傾向の差に対して、合金層３５と
Ｃｕ層２１及び合金層とＡｌ層２３のイオン化傾向の差
が小さくなり、また合金層３５はＺｎ層２５に比べて溶
出し難くなるため、各層の接合部分での金属の溶出現象
を抑制することができる。
【００３６】またこの場合、図３（ｄ）にてＺｎ層２５
及びＣｕ層２１のエッチングを行った後、３５０℃で１
５〜３０分間基板を加熱すれば、Ｚｎ層２５の部分にて
ＺｎとＣｕとＡｌとが相互拡散してＣｕ／Ｚｎ／Ａｌの
合金層３５が形成されるため、図７の金属基板１を作製
するには、従来の基板の作製工程に、加熱工程を追加す
るだけでよく、製造工程を大幅に変更する必要はない。
尚、絶縁樹脂層５がエポキシ樹脂である場合、この加熱
工程を空気中で行なうと、エポキシ樹脂が酸素と反応し
て絶縁樹脂層５が変色するので、例えば窒素ガス中で加
熱処理を行うことが望ましい。
【００３７】以上本発明が適用された実施例の金属基板
として、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌの積層体からなる導電層９を
備えた金属基板について説明したが、例えば導電層がこ
れ以外の導電金属の積層体であっても、本発明を適用し
て導電金属の溶出を防止（又は抑制）することができ
る。
【００３８】即ち、従来より、熱膨張率の低いＦｅ／Ｎ
ｉ合金と電気伝導度及び熱伝導度の高いＣｕとを積層し
て導電層を形成した基板や、熱膨張率の低いＦｅ／Ｎｉ
合金とＡｌワイヤのボンディング性の高いＡｌとを積層
して導電層を形成した基板等が知られているが、こうし
た基板においても、本発明を適用して、導電層側面に保
護層を設けか、又は導電層の各金属間にその合金層を形
成することにより、導電層における金属の溶出現象を防
止（或は抑制）することができる。
【００３９】また上記実施例では、Ａｌ基板３に絶縁樹
脂層５を積層した金属基板について説明したが、単に絶
縁基板上に導電層を形成した基板であっても本発明を適
用できることは勿論である。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の
基板においては、導電層における各導電金属の接合部分
を外部から遮断する保護層を設けているため、導電金属
が溶出するのを防止できる。また、導電層の表面の所定
部分は外部に露出されることから、この表面の導電金属
部分に直接ワイヤ等をボンディングでき、そのボンディ
ング性を低下させることもない。また請求項３に記載の
基板においては、導電層において第１の導電金属と第３
の導電金属とを接合する第２の導電金属の、少なくとも
第１及び第３の導電金属との接合部分が、その接合され
る導電金属を含む合金層として形成されているため、こ
の合金層によって、導電層の各導電金属の積層部分にお
いて導電金属がイオン化して溶出するのを抑制できる。
従って、請求項１に記載の基板及び請求項３に記載の基
板の何れにおいても、従来の基板に比べて耐久性を向上
することができ、ハイブリッドＩＣ用の金属基板等、各
種電気回路基板として最適な基板となる。
【００４１】また次に第２に記載の製造方法によれば、
積層体の導電金属のエッチングを行なうことによって導
電層を形成すると共に、導電層の各導電金属の積層部分
周縁に保護層を形成し、最後にエッチングに使用した耐
エッチング膜を除去するようにしているため、導電層表
面に保護層が形成されることはなく、従来の基板製造工
程に保護層の形成工程を追加するだけで請求項１に記載
の基板を簡単に製造することができる。また請求項４に
記載の製造方法によれば、加熱によって導電金属の溶出
防止効果を得るための合金層を形成するため、従来の基
板製造工程に合金層を形成するための加熱工程を追加す
るだけで、請求項３に記載の基板を簡単に製造すること
ができる。また、加熱によって導電層の表面が合金層に
変化することは殆どないので、合金層を形成することに
より、導電層表面のワイヤ等のボンディング性を低下さ
せることもない。 このため請求項２及び請求項４に記載
の基板の製造方法によれば、請求項１及び請求項３に記
載の基板を、夫々、容易に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 導電部に保護層を設けた実施例の金属基板の
断面構造を表す断面図である。
【図２】 パワートランジスタ等が実装された実施例の
金属基板の外観を表す斜視図である。
【図３】 実施例の金属基板の製造工程を説明する説明
図である。
【図４】 従来の金属基板の耐久試験結果を表す線図で
ある。
【図５】 導電部がきのこ状に形成された実施例の金属
基板の断面構造を表す断面図である。
【図６】 導電部がきのこ状に形成された場合の製造工
程の変更例を説明する説明図である。
【図７】 導電部に合金層を形成した実施例の金属基板
の断面構造を表す断面図である。
【図８】 従来の基板における導電金属の溶出現象を説
明する説明図である。
【符号の説明】
１…金属基板 ３…Ａｌ基板 ５…絶縁樹脂層
７…基板本体 ９…導電層 １１…回路部品 １３…ヒートスプレ
ッダ １５…載置部 １７…Ａｌワイヤ ２１…Ｃｕ層 ２３…Ａｌ層
２５…Ｚｎ層 ２７…保護層 ２９…金属箔 ３０…レジスト
３５…合金層

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、該基板の絶縁部表面に、第１の
    導電金属と該第１の導電金属とは異なる種類の第３の導
    電金属とを、第１及び第３の導電金属とは異なる種類で
    あって両導電金属の接合体となる第２の導電金属を挟ん
    で積層してなる所定形状の導電層を備えた基板におい
    て、少なくとも上記導電層の上記絶縁部とは反対側表面の所
    定部分を露出させた状態で、少なくとも該導電層の上記
    各導電金属の積層部分を外部と遮断する保護層を設け、 該保護層を、上記導電層の上記絶縁部とは反対側に配置
    される導電金属とは異なる材料にて形成してなること を
    特徴とする基板。
  2. 【請求項２】 基板の絶縁部表面に異種の導電金属の積
    層体を積層すると共に、該積層体の表面に所定形状の耐
    エッチング膜を積層し、 次に所定のエッチング剤により上記積層体の導電金属を
    順次エッチングして上記絶縁部表面に上記耐エッチング
    膜の形状に対応した導電層を形成すると共に、該導電層
    の各導電金属の積層部分周縁に保護層を形成し、 その後上記導電層表面の耐エッチング膜を除去すること
    を特徴とする基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 基板と、該基板の絶縁部表面に、第１の
    導電金属と該第１の導電金属とは異なる種類の第３の導
    電金属とを、第１及び第３の導電金属とは異なる種類で
    あって両導電金属の接合体となる第２の導電金属を挟ん
    で積層してなる所定形状の導電層を備えた基板におい
    て、上記第２の導電金属の少なくとも上記第１及び第３の導
    電金属との接合部分を、接合される導電金属を含む合金
    層としてなること を特徴とする基板。
  4. 【請求項４】 基板の絶縁部表面に異種の導電金属の積
    層体を積層すると共に、該積層体の表面に所定形状の耐
    エッチング膜を積層し、 次に所定のエッチング剤により上記積層体の導電金属を
    順次エッチングして上記絶縁部表面に上記耐エッチング
    膜の形状に対応した導電層を形成し、 その後上記導電層表面の耐エッチング膜を除去すると共
    に、該導電層が形成された基板を、該導電層の上記絶縁
    部とは反対側表面の導電金属を実質的に変化さ せること
    なく各導電金属の接合部分に合金層を形成可能な所定温
    度で加熱して、該導電層の各導電金属の接合部分に合金
    層を形成することを特徴とする基板の製造方法。
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