JPH024143B2 - - Google Patents
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- JPH024143B2 JPH024143B2 JP57034301A JP3430182A JPH024143B2 JP H024143 B2 JPH024143 B2 JP H024143B2 JP 57034301 A JP57034301 A JP 57034301A JP 3430182 A JP3430182 A JP 3430182A JP H024143 B2 JPH024143 B2 JP H024143B2
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- Japan
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- aluminum
- zinc
- hybrid integrated
- integrated circuit
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルミニウムリード細線の超音波振
動固着性にすぐれた、亜鉛又は亜鉛及びニツケル
を介してメツキ積層されたアルミニウムと銅との
複合小片を積層した混成集積回路基板に関する。
動固着性にすぐれた、亜鉛又は亜鉛及びニツケル
を介してメツキ積層されたアルミニウムと銅との
複合小片を積層した混成集積回路基板に関する。
従来の混成集積回路に於ては、セラミツクス等
の絶縁基板上に抵抗体やトランジスターの如き回
路部品を付着したものであつた。斯る構造では、
熱放散が悪く、特に、大電流を流すように設計さ
れた抵抗体やトランジスターを組み込むことは損
傷の恐れがあり、不可能とされていた。しかし、
特公昭46−13234号公報などで金属板上に絶縁層
を設け導電路を導電塗料の焼成によつて形成させ
熱放散の問題は解決された。
の絶縁基板上に抵抗体やトランジスターの如き回
路部品を付着したものであつた。斯る構造では、
熱放散が悪く、特に、大電流を流すように設計さ
れた抵抗体やトランジスターを組み込むことは損
傷の恐れがあり、不可能とされていた。しかし、
特公昭46−13234号公報などで金属板上に絶縁層
を設け導電路を導電塗料の焼成によつて形成させ
熱放散の問題は解決された。
しかし、導電路が塗料の焼成によるので、幾ら
かの抵抗を有し、細い導電路で集積度を上げると
かなりの問題となつてくる。
かの抵抗を有し、細い導電路で集積度を上げると
かなりの問題となつてくる。
また、この導電路の抵抗を除去するため、金属
板上に絶縁層を介して銅箔を接着し導電路や電極
部分等を残し、エツチングすることで導電路及び
電極部を形成させる方法が、特開昭51−28662号
公報で開示されている。
板上に絶縁層を介して銅箔を接着し導電路や電極
部分等を残し、エツチングすることで導電路及び
電極部を形成させる方法が、特開昭51−28662号
公報で開示されている。
しかし、例えば、トランジスターを電極板上に
ハンダで固着し、トランジスターの所望の電極を
アルミニウム細線で取り出し、銅箔で構成される
リードに超音波振動法で直接固着することは不可
能である。
ハンダで固着し、トランジスターの所望の電極を
アルミニウム細線で取り出し、銅箔で構成される
リードに超音波振動法で直接固着することは不可
能である。
そこで、アルミニウムの如き超音波振動法で良
好な固着性を有する小片を導電性接着剤を介して
接着してもよいが、この方法では、導電性接着剤
の抵抗のバラツキや抵抗の経時変化は避けること
が出来ない等の欠点を有している。また、特開昭
51−28662号公報では、アルミニウムを銅箔に蒸
着する方法が開示されているが、蒸着アルミニウ
ムと被蒸着体銅との接着強度は極めて弱く、アル
ミニウム細線を超音波振動により固着した場合、
その固着の信頼性は良いとは云えないことが容易
に推定される。
好な固着性を有する小片を導電性接着剤を介して
接着してもよいが、この方法では、導電性接着剤
の抵抗のバラツキや抵抗の経時変化は避けること
が出来ない等の欠点を有している。また、特開昭
51−28662号公報では、アルミニウムを銅箔に蒸
着する方法が開示されているが、蒸着アルミニウ
ムと被蒸着体銅との接着強度は極めて弱く、アル
ミニウム細線を超音波振動により固着した場合、
その固着の信頼性は良いとは云えないことが容易
に推定される。
本発明は、かかる欠点を解決するため、鋭意研
究をかさねた結果、銅回路を有する混成集積回路
用基板上に、アルミニウムと銅との複合小片をハ
ンダで接合固着することにより、アルミニウムリ
ード細線の超音波振動固着性にすぐれ、電気的性
能のバラツキ、経時変化及び強度変化のない混成
集積回路基板を完成するに至つた。すなわち、本
発明は、銅箔により導電路および電極を形成した
混成集積回路用基板上のアルミニウムリード細線
の固着結線する部分にアルミニウムに亜鉛及び銅
を順にメツキした複合小片又はアルミニウムに亜
鉛、ニツケル及び銅を順にメツキした複合小片を
ハンダで接合固着してなることを特徴とする混成
集積回路用基板である。
究をかさねた結果、銅回路を有する混成集積回路
用基板上に、アルミニウムと銅との複合小片をハ
ンダで接合固着することにより、アルミニウムリ
ード細線の超音波振動固着性にすぐれ、電気的性
能のバラツキ、経時変化及び強度変化のない混成
集積回路基板を完成するに至つた。すなわち、本
発明は、銅箔により導電路および電極を形成した
混成集積回路用基板上のアルミニウムリード細線
の固着結線する部分にアルミニウムに亜鉛及び銅
を順にメツキした複合小片又はアルミニウムに亜
鉛、ニツケル及び銅を順にメツキした複合小片を
ハンダで接合固着してなることを特徴とする混成
集積回路用基板である。
以下図面により本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
大電流を流す様に設計された混成集積回路で
は、基板1は良熱伝導性金属である。高熱伝導絶
縁層9は、基板1が金属である場合、高熱伝導性
接着剤であり、これを介して銅箔2が接着されて
いる。
は、基板1は良熱伝導性金属である。高熱伝導絶
縁層9は、基板1が金属である場合、高熱伝導性
接着剤であり、これを介して銅箔2が接着されて
いる。
この銅箔2は、所定の導電路や電極部等を残し
てエツチング除去する。次に、銅箔2の所定の位
置にヒートシンク6及びトランジスタ8等塔載部
品がハンダ3で固着される。さらに、本発明の亜
鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ積層され
たアルミニウムと銅の複合小片10が、アルミニ
ウムリード細線7の固着部分にハンダ3で固着さ
れる。
てエツチング除去する。次に、銅箔2の所定の位
置にヒートシンク6及びトランジスタ8等塔載部
品がハンダ3で固着される。さらに、本発明の亜
鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ積層され
たアルミニウムと銅の複合小片10が、アルミニ
ウムリード細線7の固着部分にハンダ3で固着さ
れる。
本発明の特徴は、亜鉛又は亜鉛及びニツケルを
介してメツキ積層されたアルミニウムと銅の複合
金属小片の銅面部が銅箔4で構成されているた
め、リード部にハンダ3にて直接接合固着するこ
とにあり、また、直接ハンダ3で固着されるた
め、極めて強固で抵抗等の電気的性質にまつたく
問題がなく、当然経時変化を受けることもない。
また、亜鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ
積層されたアルミニウムと銅との複合小片10の
金属間は、クラツド法もしくは複合メツキ法、す
なわち、アルミニウムに亜鉛メツキし銅メツキし
たのも、アルミニウムに亜鉛、ニツケル、銅を順
次メツキすることにより、強固に一体化している
ため、何ら問題はない。更に、アルミニウムリー
ド細線7は、超音波振動法で本発明のアルミニウ
ムリード部5に固着結線すると、同一材料の固着
結線であるため、極めて強固な固着が得られるも
のである。
介してメツキ積層されたアルミニウムと銅の複合
金属小片の銅面部が銅箔4で構成されているた
め、リード部にハンダ3にて直接接合固着するこ
とにあり、また、直接ハンダ3で固着されるた
め、極めて強固で抵抗等の電気的性質にまつたく
問題がなく、当然経時変化を受けることもない。
また、亜鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ
積層されたアルミニウムと銅との複合小片10の
金属間は、クラツド法もしくは複合メツキ法、す
なわち、アルミニウムに亜鉛メツキし銅メツキし
たのも、アルミニウムに亜鉛、ニツケル、銅を順
次メツキすることにより、強固に一体化している
ため、何ら問題はない。更に、アルミニウムリー
ド細線7は、超音波振動法で本発明のアルミニウ
ムリード部5に固着結線すると、同一材料の固着
結線であるため、極めて強固な固着が得られるも
のである。
従つて、本発明によれば、塔載部品と同様に亜
鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ積層され
たアルミニウムと銅との複合小片をハンダ付けす
ることも可能であり、作業性も向上し、回路部品
の固着も最良となる。特に、超音波振動法による
アルミニウムリード細線の固着結線も強固であ
り、信頼性が著るしく向上するのである。
鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ積層され
たアルミニウムと銅との複合小片をハンダ付けす
ることも可能であり、作業性も向上し、回路部品
の固着も最良となる。特に、超音波振動法による
アルミニウムリード細線の固着結線も強固であ
り、信頼性が著るしく向上するのである。
図面は、本発明による混成集積回路のアルミニ
ウムワイヤーボンデング部分の断面である。 1……基板、2……銅箔、3……ハンダ、4…
…銅箔、5……アルミニウムリード部、6……ヒ
ートシンク、7……アルミニウム細線、8……ト
ランジスタ、9……高熱伝導絶縁層、10……亜
鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ積層され
たアルミニウムと銅との複合小片。
ウムワイヤーボンデング部分の断面である。 1……基板、2……銅箔、3……ハンダ、4…
…銅箔、5……アルミニウムリード部、6……ヒ
ートシンク、7……アルミニウム細線、8……ト
ランジスタ、9……高熱伝導絶縁層、10……亜
鉛又は亜鉛及びニツケルを介してメツキ積層され
たアルミニウムと銅との複合小片。
Claims (1)
- 1 銅箔により導電路および電極を形成した混成
集積回路用基板上のアルミニウムリード細線の固
着結線する部分にアルミニウムに亜鉛及び銅を順
にメツキした複合小片又はアルミニウムに亜鉛、
ニツケル及び銅を順にメツキした複合小片をハン
ダで接合固着してなることを特徴とする混成集積
回路用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034301A JPS58151039A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 混成集積回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034301A JPS58151039A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 混成集積回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151039A JPS58151039A (ja) | 1983-09-08 |
| JPH024143B2 true JPH024143B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=12410326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57034301A Granted JPS58151039A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 混成集積回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151039A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2564487B2 (ja) * | 1987-06-02 | 1996-12-18 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板及びその混成集積回路 |
| JPH0513011Y2 (ja) * | 1987-08-13 | 1993-04-06 | ||
| US7786558B2 (en) * | 2005-10-20 | 2010-08-31 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component and methods to produce a semiconductor component |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396667A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Wire bonding method |
| JPS5852836A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | 複合集積回路 |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP57034301A patent/JPS58151039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58151039A (ja) | 1983-09-08 |
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