JP2510708B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非発光性のダイオード等のように、一つの
非発光性半導体チップに対して二本の外部端子を接続し
たいわゆる二端子型の半導体装置に関するものである。
非発光性半導体チップに対して二本の外部端子を接続し
たいわゆる二端子型の半導体装置に関するものである。
従来における非発光性のダイオード等のような二端子
型半導体装置は、第20図乃至第22図に示すように、一つ
の非発光性半導体チップ１を、金属板に形成された二枚
の外部端子2,3における端子片2a,3aの間に挿入したの
ち、該半導体チップ１におけるＮ極1aの下面に、一方の
外部端子２における端子片2aを、半田等の金属製ろう材
４にて接合する一方、半導体チップ１におけるＰ極1bの
上面に、他方の外部端子３における端子片3aを、同じく
半田等の金属製ろう材５にて接合したのち、その全体を
合成樹脂のモールド部６により密封するように構成して
いることは周知の通りである。
型半導体装置は、第20図乃至第22図に示すように、一つ
の非発光性半導体チップ１を、金属板に形成された二枚
の外部端子2,3における端子片2a,3aの間に挿入したの
ち、該半導体チップ１におけるＮ極1aの下面に、一方の
外部端子２における端子片2aを、半田等の金属製ろう材
４にて接合する一方、半導体チップ１におけるＰ極1bの
上面に、他方の外部端子３における端子片3aを、同じく
半田等の金属製ろう材５にて接合したのち、その全体を
合成樹脂のモールド部６により密封するように構成して
いることは周知の通りである。
しかし、従来の非発光性の二端子型半導体装置では、
他方の外部端子３における端子片3aを、半導体チップ１
よりも大きい寸法にし、該端子片3aを、半導体チップ１
におけるＰ極1bの上面に対して、半田等の金属製ろう材
５にて接合する構成にしている。
他方の外部端子３における端子片3aを、半導体チップ１
よりも大きい寸法にし、該端子片3aを、半導体チップ１
におけるＰ極1bの上面に対して、半田等の金属製ろう材
５にて接合する構成にしている。
このため、半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に対
して端子片3aを、その間に供給したろう材６によって接
合する場合において、溶融したろう材５のうち余剰のろ
う材5aが、前記端子片3aの下面に沿ってＰ極1bの外側の
部位まで広がったのち、半導体チップ１の外側面に沿っ
て垂れ下がる傾向を呈するものであるから、前記の接合
工程中において、溶融ろう材５のうち余剰のろう材5a
が、半導体チップ１においてＰ極1bとＮ極1aとの接合周
囲を被覆する保護膜1cを越えて大きく垂れ下がって、半
導体チップ１におけるＮ極1aに接合すると云う事態が発
生するのであり、前記ろう材５に垂れ下がりによる不良
品の発生率が高いのであった。
して端子片3aを、その間に供給したろう材６によって接
合する場合において、溶融したろう材５のうち余剰のろ
う材5aが、前記端子片3aの下面に沿ってＰ極1bの外側の
部位まで広がったのち、半導体チップ１の外側面に沿っ
て垂れ下がる傾向を呈するものであるから、前記の接合
工程中において、溶融ろう材５のうち余剰のろう材5a
が、半導体チップ１においてＰ極1bとＮ極1aとの接合周
囲を被覆する保護膜1cを越えて大きく垂れ下がって、半
導体チップ１におけるＮ極1aに接合すると云う事態が発
生するのであり、前記ろう材５に垂れ下がりによる不良
品の発生率が高いのであった。
本発明は、この問題を解消した非発光性半導体装置の
構造を提供するものである。
構造を提供するものである。
この目的を達成するため「請求項１」は、 「非発光性の半導体チップを、金属板で形成された二
枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チ
ップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子におけ
る端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、
他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合
して成る半導体装置において、前記他方の外部端子にお
ける端子片に、この端子片の半導体チップに対する接合
用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるための切欠部を
設ける。」 と言う構成にした。
枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チ
ップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子におけ
る端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、
他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合
して成る半導体装置において、前記他方の外部端子にお
ける端子片に、この端子片の半導体チップに対する接合
用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるための切欠部を
設ける。」 と言う構成にした。
また、「請求項２」は、 「非発光性の半導体チップを、金属板で形成された二
枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チ
ップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子におけ
る端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、
他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合
して成る半導体装置において、前記他方の外部端子にお
ける端子片に、この端子片の半導体チップに対する接合
用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるための抜き孔を
設ける。」 と言う構成にした。
枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チ
ップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子におけ
る端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、
他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合
して成る半導体装置において、前記他方の外部端子にお
ける端子片に、この端子片の半導体チップに対する接合
用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるための抜き孔を
設ける。」 と言う構成にした。
更にまた、「請求項３」は、 「非発光性の半導体チップを、金属板で形成された二
枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チ
ップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子におけ
る端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、
他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合
して成る半導体装置において、前記他方の外部端子にお
ける端子片の幅寸法及び長さ寸法のうちいずれか一方又
は両方を、この端子片の半導体チップに対する接合用ろ
う材を端子片の上面側に盛り上げるように、半導体チッ
プの他方の極における幅寸法及び長さ寸法のうちいずれ
か一方又は両方よりも小さくする。」 と言う構成にした。
枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チ
ップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子におけ
る端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、
他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合
して成る半導体装置において、前記他方の外部端子にお
ける端子片の幅寸法及び長さ寸法のうちいずれか一方又
は両方を、この端子片の半導体チップに対する接合用ろ
う材を端子片の上面側に盛り上げるように、半導体チッ
プの他方の極における幅寸法及び長さ寸法のうちいずれ
か一方又は両方よりも小さくする。」 と言う構成にした。
前記「請求項１」のように構成すると、半導体チップ
における他方の極の上面に対して、他方の外部端子にお
ける端子片を、その間に供給した溶融ろう材によって接
合するに際して、前記溶融ろう材の一部が、他方の外部
端子における端子片に設けた切欠部内の箇所に集まり、
この切欠部より端子片の上面側に盛り上がると言うよう
に、前記溶融ろう材のうち余剰のものを吸収することが
できるから、余剰の溶融ろう材が、半導体チップの外側
面に向って大きく垂れ下がることを、確実に防止でき、
ろう材の垂れ下がりによる不良品の発生率を低減できる
のである。
における他方の極の上面に対して、他方の外部端子にお
ける端子片を、その間に供給した溶融ろう材によって接
合するに際して、前記溶融ろう材の一部が、他方の外部
端子における端子片に設けた切欠部内の箇所に集まり、
この切欠部より端子片の上面側に盛り上がると言うよう
に、前記溶融ろう材のうち余剰のものを吸収することが
できるから、余剰の溶融ろう材が、半導体チップの外側
面に向って大きく垂れ下がることを、確実に防止でき、
ろう材の垂れ下がりによる不良品の発生率を低減できる
のである。
また、前記「請求項２」のように構成した場合にも、
溶融ろう材の一部が、他方の外部端子における端子片に
設けた抜き孔内に集まり、この抜き孔より端子片の上面
側に盛り上がると言うように、前記溶融ろう材のうち余
剰のものを吸収することができるから、余剰の溶融ろう
材が、半導体チップの外側面に向って大きく垂れ下がる
ことを、確実に防止でき、ろう材の垂れ下がりによる不
良品の発生率を低減できるのである。
溶融ろう材の一部が、他方の外部端子における端子片に
設けた抜き孔内に集まり、この抜き孔より端子片の上面
側に盛り上がると言うように、前記溶融ろう材のうち余
剰のものを吸収することができるから、余剰の溶融ろう
材が、半導体チップの外側面に向って大きく垂れ下がる
ことを、確実に防止でき、ろう材の垂れ下がりによる不
良品の発生率を低減できるのである。
更にまた、前記「請求項３」のように構成した場合に
も、溶融ろう材の一部が、他方の外部端子における端子
片の上面側に盛り上がると言うように、前記溶融ろう材
のうち余剰のものを吸収することができるから、余剰の
溶融ろう材が、半導体チップの外側面に向って大きく垂
れ下がることを、確実に防止でき、ろう材の垂れ下がり
による不良品の発生率を低減できるのである。
も、溶融ろう材の一部が、他方の外部端子における端子
片の上面側に盛り上がると言うように、前記溶融ろう材
のうち余剰のものを吸収することができるから、余剰の
溶融ろう材が、半導体チップの外側面に向って大きく垂
れ下がることを、確実に防止でき、ろう材の垂れ下がり
による不良品の発生率を低減できるのである。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図乃至第３図は、前記「請求項１」に対する第１
の実施例を示し、この図において符号１は、Ｎ極1aと、
Ｐ極1bとを有する非発光性の半導体チップを、符号２
は、金属板製の一方の外部端子を、符号３は、同じく金
属板製の他方の外部端子を各々示し、前記一方の外部端
子２には、幅寸法S1及び長さ寸法L1を、前記半導体チッ
プ１における幅寸法Ｓ及び長さ寸法Ｌよりも大きくした
端子片2aが形成され、また、前記他方の外部端子３に
も、幅寸法S2及び長さ寸法L2を、前記半導体チップ１に
おける幅寸法Ｓ及び長さ寸法Ｌよりも大きくした端子片
3aが形成されている。
の実施例を示し、この図において符号１は、Ｎ極1aと、
Ｐ極1bとを有する非発光性の半導体チップを、符号２
は、金属板製の一方の外部端子を、符号３は、同じく金
属板製の他方の外部端子を各々示し、前記一方の外部端
子２には、幅寸法S1及び長さ寸法L1を、前記半導体チッ
プ１における幅寸法Ｓ及び長さ寸法Ｌよりも大きくした
端子片2aが形成され、また、前記他方の外部端子３に
も、幅寸法S2及び長さ寸法L2を、前記半導体チップ１に
おける幅寸法Ｓ及び長さ寸法Ｌよりも大きくした端子片
3aが形成されている。
前記半導体チップ１におけるＮ極1aの下面に、前記一
方の外部端子２における端子片2aを、半田等のろう材４
によって接合する。
方の外部端子２における端子片2aを、半田等のろう材４
によって接合する。
一方、前記半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に、
前記他方の外部端子３における端子片3aの、同じく半田
等のろう材４によって接合するに際して、前記他方の外
部端子３における端子片3aに、長溝状の切欠部７を設け
る。
前記他方の外部端子３における端子片3aの、同じく半田
等のろう材４によって接合するに際して、前記他方の外
部端子３における端子片3aに、長溝状の切欠部７を設け
る。
すると、半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に対し
て、他方の外部端子３における端子片3aを、その間に供
給した溶融ろう材５によって接合するに際して、前記溶
融ろう材５のうち余剰のろう材5aは、他方の外部端子３
における端子片3aに設けた切欠部７内の箇所に集まり、
この切欠部より端子片3aの上面側に盛り上がると言うよ
うに、余剰の溶融ろう材5aを吸収することができるか
ら、この余剰の溶融ろう材5aが半導体チップ１の外側面
に向って大きく垂て下がることを、確実に防止できる。
て、他方の外部端子３における端子片3aを、その間に供
給した溶融ろう材５によって接合するに際して、前記溶
融ろう材５のうち余剰のろう材5aは、他方の外部端子３
における端子片3aに設けた切欠部７内の箇所に集まり、
この切欠部より端子片3aの上面側に盛り上がると言うよ
うに、余剰の溶融ろう材5aを吸収することができるか
ら、この余剰の溶融ろう材5aが半導体チップ１の外側面
に向って大きく垂て下がることを、確実に防止できる。
この場合において、他方の外部端子３における端子片
3aに対して設ける切欠部としては、前記実施例のように
長溝状にする場合に限らず、第４図に示すように、端子
片3aのの隅部に対して設けた切欠部7aにしたり、或い
は、第５図に示すように、Ｖ型の切欠部7bに形成する
等、他の形状にしても良いのである。
3aに対して設ける切欠部としては、前記実施例のように
長溝状にする場合に限らず、第４図に示すように、端子
片3aのの隅部に対して設けた切欠部7aにしたり、或い
は、第５図に示すように、Ｖ型の切欠部7bに形成する
等、他の形状にしても良いのである。
次に、第６図及び第７図は、前記「請求項２」に対す
る第１の実施例を示すものであり、この実施例は、前記
非発光性の半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に、前
記他方の外部端子３における端子片3aを、半田等のろう
材５によって接合するに際して、前記他方の外部端子３
における端子片3aに、円形の抜き孔８を設けた構成にす
る。
る第１の実施例を示すものであり、この実施例は、前記
非発光性の半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に、前
記他方の外部端子３における端子片3aを、半田等のろう
材５によって接合するに際して、前記他方の外部端子３
における端子片3aに、円形の抜き孔８を設けた構成にす
る。
このように、他方の外部端子３における端子片3aに抜
き孔８を設けると、溶融ろう材５のうち余剰のろう材5a
は、前記抜き孔８内に集まり、この抜き孔８より端子片
3aの上面側に盛り上がると言うように、余剰の溶融ろう
材5aを吸収することができるから、この余剰の溶融ろう
材5aが半導体チップ１の外側面に向って大きく垂れ下が
ることを、確実に防止できる。
き孔８を設けると、溶融ろう材５のうち余剰のろう材5a
は、前記抜き孔８内に集まり、この抜き孔８より端子片
3aの上面側に盛り上がると言うように、余剰の溶融ろう
材5aを吸収することができるから、この余剰の溶融ろう
材5aが半導体チップ１の外側面に向って大きく垂れ下が
ることを、確実に防止できる。
この場合において、他方の外部端子３における端子片
3aに対して設ける抜き孔としては、前記実施例のように
円形にする場合に限らず、第８図に示すように矩形の抜
き孔8a、第９図に示すように楕円形の抜き孔8b又は第10
図に示すように十字形の抜き孔8c等、適宜形状の抜き孔
に形成しても良く、また、第11図に示すように複数個の
抜き孔8dに構成しても良いのである。
3aに対して設ける抜き孔としては、前記実施例のように
円形にする場合に限らず、第８図に示すように矩形の抜
き孔8a、第９図に示すように楕円形の抜き孔8b又は第10
図に示すように十字形の抜き孔8c等、適宜形状の抜き孔
に形成しても良く、また、第11図に示すように複数個の
抜き孔8dに構成しても良いのである。
更に、第12図及び第13図は、前記「請求項３」に対す
る第１の実施例を示すものであり、この実施例は、前記
非発光性の半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に、前
記他方の外部端子３における端子片3aを、半田等のろう
材５によって接合するに際して、前記他方の外部端子３
における端子片3aの長さ寸法S2を、半導体チップ１の長
さよりも小さくする構成にする。
る第１の実施例を示すものであり、この実施例は、前記
非発光性の半導体チップ１におけるＰ極1bの上面に、前
記他方の外部端子３における端子片3aを、半田等のろう
材５によって接合するに際して、前記他方の外部端子３
における端子片3aの長さ寸法S2を、半導体チップ１の長
さよりも小さくする構成にする。
このように、他方の外部端子３における端子片3aの長
さ寸法S2を、半導体チップ１の長さよりも小さくする、
溶融ろう材５のうち余剰のろう材5aは、端子片3aは上面
側に盛り上がると言うように、余剰の溶融ろう材5aを余
剰の溶融ろう材5aを吸収することができるから、この余
剰の溶融ろう材5aが、半導体チップ１の外側面に向って
大きく垂れ下がることを、確実に防止できる。
さ寸法S2を、半導体チップ１の長さよりも小さくする、
溶融ろう材５のうち余剰のろう材5aは、端子片3aは上面
側に盛り上がると言うように、余剰の溶融ろう材5aを余
剰の溶融ろう材5aを吸収することができるから、この余
剰の溶融ろう材5aが、半導体チップ１の外側面に向って
大きく垂れ下がることを、確実に防止できる。
この実施例としては、前記第12図及び第13図のよう
に、端子片3aにおける長さ寸法L2を半導体チップ１の長
さよりも小さくすることに代えて、第14図に示すよう
に、端子片3aにおける幅寸法S2を半導体チップ１の幅寸
法よりも小さくしたり、或いは、第15図に示すように、
端子片3aにおける長さ寸法L2を半導体チップ１の長さよ
りも小さくすると共に、端子片3aにおける幅寸法S2を半
導体チップ１の幅寸法よりも小さくするように構成して
も良いのである。
に、端子片3aにおける長さ寸法L2を半導体チップ１の長
さよりも小さくすることに代えて、第14図に示すよう
に、端子片3aにおける幅寸法S2を半導体チップ１の幅寸
法よりも小さくしたり、或いは、第15図に示すように、
端子片3aにおける長さ寸法L2を半導体チップ１の長さよ
りも小さくすると共に、端子片3aにおける幅寸法S2を半
導体チップ１の幅寸法よりも小さくするように構成して
も良いのである。
なお、これら第12図〜第15図に示す実施例において、
端子片3aにおける長さ寸法L2を短くした場合には、当該
端子片3aにおける先端面3a′に、第16図に示すように切
欠部９を設けたり、又は、端子片3aにおける先端面3a′
を、第17図に示すように波型状に構成することにより、
また、端子片3aにおける幅寸法S2を狭くした場合には、
当該端子片3aにおける側端面3a″に、第18図に示すよう
に切欠部10を設けたり、又は、端子片3aにおける側端面
3a″を、第19図に示すように波型状に構成することによ
り、端子片3aに対するろう材５の接合面積の増大、延い
ては、端子片3aの半導体チップ１に対する接合力の増大
を図ることができる。
端子片3aにおける長さ寸法L2を短くした場合には、当該
端子片3aにおける先端面3a′に、第16図に示すように切
欠部９を設けたり、又は、端子片3aにおける先端面3a′
を、第17図に示すように波型状に構成することにより、
また、端子片3aにおける幅寸法S2を狭くした場合には、
当該端子片3aにおける側端面3a″に、第18図に示すよう
に切欠部10を設けたり、又は、端子片3aにおける側端面
3a″を、第19図に示すように波型状に構成することによ
り、端子片3aに対するろう材５の接合面積の増大、延い
ては、端子片3aの半導体チップ１に対する接合力の増大
を図ることができる。
第１図〜第３図は請求項１に対する実施例を示し、第１
図は縦断正面図、第２図は第１図の底面図、第３図は第
１図の平面図、第４図及び第５図は請求項１に対する他
の実施例を示す平面図、第６図は請求項２に対する実施
例を示す縦断正面図、第７図は第６図の平面図、第８
図，第９図，第10図及び第11図は請求項２に対する他の
実施例を示す平面図、第12図は請求項３に対する実施例
をを示す縦断正面図、第13図は第12図の平面図、第14
図，第15図，第16図，第17図，第18図及び第19図は請求
項３に対する他の実施例を示す平面図、第20図は従来の
ダイオードの縦断正面図、第21図は第20図の底面図、第
22図は第20図の平面図である。 １……半導体チップ、1a……半導体チップにおけるＮ
極、1b……半導体チップにおけるＰ極、２……一方の外
部端子、2a……一方の外部端子における端子片、３……
他方の外部端子、3a……他方の外部端子における端子
片、4,5……ろう材、６……モールド部、7,7a,7b……切
欠部、8,8a,8b,8c,8d……抜き孔、 L2……他方の外部端子における端子片の長さ寸法、S2…
…他方の外部端子における端子片の幅寸法。
図は縦断正面図、第２図は第１図の底面図、第３図は第
１図の平面図、第４図及び第５図は請求項１に対する他
の実施例を示す平面図、第６図は請求項２に対する実施
例を示す縦断正面図、第７図は第６図の平面図、第８
図，第９図，第10図及び第11図は請求項２に対する他の
実施例を示す平面図、第12図は請求項３に対する実施例
をを示す縦断正面図、第13図は第12図の平面図、第14
図，第15図，第16図，第17図，第18図及び第19図は請求
項３に対する他の実施例を示す平面図、第20図は従来の
ダイオードの縦断正面図、第21図は第20図の底面図、第
22図は第20図の平面図である。 １……半導体チップ、1a……半導体チップにおけるＮ
極、1b……半導体チップにおけるＰ極、２……一方の外
部端子、2a……一方の外部端子における端子片、３……
他方の外部端子、3a……他方の外部端子における端子
片、4,5……ろう材、６……モールド部、7,7a,7b……切
欠部、8,8a,8b,8c,8d……抜き孔、 L2……他方の外部端子における端子片の長さ寸法、S2…
…他方の外部端子における端子片の幅寸法。
Claims (3)
- 【請求項１】非発光性の半導体チップを、金属板で形成
された二枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該
半導体チップにおける一方の極の下面に、一方の外部端
子における端子片を、半導体チップにおける他方の極の
上面に、他方の外部端子における端子片を、各々ろう材
にて接合して成る半導体装置において、前記他方の外部
端子における端子片に、この端子片の半導体チップに対
する接合用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるための
切欠部を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】非発光性の半導体チップを、金属板で形成
された二枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該
半導体チップにおける一方の極の下面に、一方の外部端
子における端子片を、半導体チップにおける他方の極の
上面に、他方の外部端子における端子片を、各々ろう材
にて接合して成る半導体装置において、前記他方の外部
端子における端子片に、この端子片の半導体チップに対
する接合用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるための
抜き孔を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】非発光性の半導体チップを、金属板で形成
された二枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該
半導体チップにおける一方の極の下面に、一方の外部端
子における端子片を、半導体チップにおける他方の極の
上面に、他方の外部端子における端子片を、各々ろう材
にて接合して成る半導体装置において、前記他方の外部
端子における端子片の幅寸法及び長さ寸法のうちいずれ
か一方又は両方を、この端子片の半導体チップに対する
接合用ろう材を端子片の上面側に盛り上げるように、半
導体チップの他方の極における幅寸法及び長さ寸法のう
ちいずれか一方又は両方よりも小さくしたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306336A JP2510708B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306336A JP2510708B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152243A JPH02152243A (ja) | 1990-06-12 |
| JP2510708B2 true JP2510708B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=17955878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63306336A Expired - Fee Related JP2510708B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2510708B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5653974B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2015-01-14 | ローム株式会社 | パッケージ型二端子半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS58187156U (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-12 | 日本電気株式会社 | 集積回路容器 |
| JPS5939055A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59158336U (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6175553A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 電子部品 |
| JPS6159355U (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-21 | ||
| JPS61102794A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | 三菱電機株式会社 | 端子装置 |
| JPS61115343A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| JPS61177472U (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-05 | ||
| JPS6217176U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-02-02 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63306336A patent/JP2510708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02152243A (ja) | 1990-06-12 |
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