JPH02152243A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02152243A
JPH02152243A JP63306336A JP30633688A JPH02152243A JP H02152243 A JPH02152243 A JP H02152243A JP 63306336 A JP63306336 A JP 63306336A JP 30633688 A JP30633688 A JP 30633688A JP H02152243 A JPH02152243 A JP H02152243A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイオード等のように、一つの半導体チップ
に対して二本の外部端子を接続したいわゆる二端子型の
半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来におけるダイオード等のような二端子型半導体装置
は、第２０図乃至第２２図に示すように、一つの半導体
チップｌを、金属板に形成された二枚の外部端子２，３
における端子片２ａ、３ａの間に挿入したのち、該半導
体チップ１におけるＮ極１ａの下面に、一方の外部端子
２における端子片２ａを、半田等の金ＲＭＪろう材４に
て接合する一方、半導体チップ１におけるＰ極１ｂの上
面に、他方の外部端子３における端子片３ａを、同じく
半田等の金Ｂ１１ろう材５にて接合したのち、その全体
を合成樹脂のモールＦ部６により密封するように構成し
ていることは周知の通りである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来の二端子型半導体装置では、他方の外部端
子３における端子片３ａを、半導体チップ１よりも大き
い寸法にし、該端子片３ａを、半導体チップ１における
Ｐ極１ｂの上面に対して、半田等の金属製ろう材５にて
接合する構成にしている。
このため、半導体チップ１におけるＰ極１ｂの上面に対
して端子片３ａを、その間に供給したろう材６によって
接合する場合において、溶融したろう材５のうち余剰の
ろう材５ａが、前記端子片３ａの下面に沿ってＰ極１ｂ
の外側の部位まで広がったのち、半導体チップ１の外側
面に沿って垂れ下がる傾向を呈するものであるから、前
記の接合工程中において、熔融ろう材５のうち余剰のろ
う材５ａが、半導体チンプ１においてＰ極１ｂとＮ極１
ａとの接合周囲を被覆する保護膜ＩＣを越えて大きく垂
れ下がって、半導体チップｌにおけるＮ＋ｉｌａに接合
すると云う事態が発生するのであり、前記ろう材５の、
垂れ下がりによる不良品の発生率が高いのであった。
本発明は、この問題を解消した半導体装置を提供するも
のである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため請求項１は、半導体チップを、
金属板で形成された二枚の外部端子における端子片の間
に挿入し、該半導体チップにおける一方の極の下面に、
一方の外部端子における端子片を、半導体チップにおけ
る他方の掻の上面に、他方の外部端子における端子片を
、各々ろう材にて接合して成る半導体装置において、前
記他方の外部ｎｊ子における端子片に、半導体チップの
他方の極における上面のうち一部の上面を露出するよう
にした切欠部を設ける構成にした。
また、請求項２は、半導体チップを、金属板で形成され
た二枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該半導
体チップにおける一方の極の下面に、一方の外部端子に
おける端子片を、半導体チップにおける他方の極の上面
に、他方の外部端子における端子片を、各々ろう材にて
接合して成る半導体装置において、前記他方の外部端子
における端子片に、半導体チップの他方の極における上
面のうち一部の上面を露出するようにした抜き孔を設け
る構成にした。
更にまた、請求項３は、半導体チップを、金属板で形成
された二枚の外部端子における端子片の間に挿入し、該
半導体チップにおける一方の極の下面に、一方の外部端
子における端子片を、半導体チップにおける他方の極の
上面に、他方の外部端子における端子片を、各々ろう材
にて接合して成る半導体装置において、前記他方の外部
端子における端子片の幅寸法及び長さ寸法のうちいずれ
か一方又は両方を、半導体チップの他方の極における上
面の一部が露出するように短（又は狭くする構成にした
。
〔発明の作用・効果〕
前記請求項１のように構成すると、半導体チップにおけ
る他方の極の上面に対して、他方の外部端子における端
子片を、その間に供給した溶融ろう材によって接合する
に際して、前記溶融ろう材のうち余剰のものは、他方の
外部端子における端子片に設けた切欠部内の箇所に集ま
り、当該箇所に、表面張力によって盛り上がることにな
るから、余剰の溶融ろう材が、半導体チップの外側面に
向って大きく垂れ下がることを、確実に防止できて、ろ
う材の垂れ下がりによる不良品の発生率を低減できるの
である。
また、前記請求項２のように構成すると、熔融ろう材の
余剰のものは１．他方の外部端子における端子片に設け
た抜き孔内に集まり、当該抜き孔内に盛り上がることに
なって、余剰の溶融ろう材が、半導体チップの外側面に
向って大きく垂れ下がることを、確実に防止できるから
、ろう材の垂れ下がりによる不良品の発生率を低減でき
るのである。
更にまた、前記請求項３のように構成すると、溶融ろう
材の余剰のものは、半導体チップにおける他方の極の上
面のうち、他方の外部端子における端子片より露出する
部分に集まり、当該部分に、表面張力によって盛り上が
ることになるから、余剰のン容融ろう材が、半導体チッ
プの外側面に向って大きく垂れ下がることを、確実に防
止できて、ろう材の垂れ下がりによる不良品の発生率を
低減できるのである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図乃至第３図は、前記請求項１に対する第１の実施
例を示し、この図において符号１は、Ｎ極１ａと、Ｐ極
１ｂとを有する半導体チ・ノブを、符号２は、全屈板製
の一方の外部端子を、符号３は、同じく全屈板製の他方
の外部端子を各々示し、前記一方の外部端子２には、幅
寸法Ｓ１及び長さ寸法Ｌ１を、前記半導体チップ１にお
ける幅寸法Ｓ及び長さ寸法りよりも大きくした端子片２
ａが形成され、また、前記他方の外部端子３にも、幅寸
法Ｓ２及び長さ寸法Ｌ２を、前記半導体チ・ノブ１にお
ける幅寸法Ｓ及び長さ寸法りよりも大きくした端子片３
ａが形成されている。
前記半導体チップ１におけるＮ極１ａの下面に、前記一
方の外部端子２における端子片２ａを、半田等のろう材
４によって接合する。
τ方、前記半導体チップ１におけるＰ極１ｂの上面に、
前記他方の外部端子３における端子片３ａを、同じく半
田等のろう材４によって接合するに際して、前記他方の
外部端子３における端子片３ａに、長溝状の切欠部７を
設ける。
すると、半導体チップ１におけるＰ極１ｂの上面に対し
て、他方の外部端子３における端子片３ａを、その間に
供給した溶融ろう材５によって接合するに際して、前記
溶融ろう材５のうち余剰のろう材５ａは、他方の外部端
子３における端子片３ａに設けた切欠部７内の箇所に集
まり、当該箇所に、表面張力によって盛り上がることに
なるから、余剰の溶融ろう材５ａが、半導体チ・ノブ１
の外側面に向って大きく垂れ下がることを、確実に防止
できる。
この場合において、他方の外部端子３における端子片３
ａに対して設ける切欠部としては、前記実施例のように
長溝状にする場合に限らず、第４図に示すように、端子
片３ａのの隅部に対して設けた切欠部７ａにしたり、或
いは、第５図に示すように、Ｖ型の切欠部７ｂに形成す
る等、他の形状にしても良いのである。
次に、第６図及び第７図は、前記請求項２に対する第１
の実施例を示すものであり、この実施例は、半導体チッ
プ１におけるＰ極１ｂの上面に、前記他方の外部端子３
における端子片３ａを、半田等のろう材５によって接合
するに際して、前記他方の外部端子３における端子片３
ａに、円形の抜き孔８を設けた構成にする。
このように、他方の外部端子３における端子片３ａに抜
き孔８を設けると、熔融ろう材５のうち余剰のろう材５
ａは、前記抜き孔８内に集まり、当該抜き孔８内に盛り
上がることになるから、余剰の熔融ろう材５ａが、半導
体チップ１の外側面に向って大きく垂れ下がることを、
確実に防止できる。
この場合において、他方の外部端子３における端子片３
ａに対して設ける抜き孔としては、前記実施例のように
円形にする場合に限らず、第８図に示すように矩形の抜
き孔８ａ、第９図に示すように楕円形の抜き孔８ｂ又は
第１０図に示すように十字形の抜き孔８Ｃ等、適宜形状
の抜き孔に形成しても良く、また、第１１図に示すよう
に複数個の抜き孔８ｄに構成しても良いのである。
更に、第１２図及び第１３図は、前記請求項３に対する
第１の実施例を示すものであり、この実施例は、半導体
チップ１におけるＰ極１ｂの上面に、前記他方の外部端
子３における端子片３ａを、半田等のろう材５によって
接合するに際して、前記他方の外部端子３における端子
片３ａの長さ寸法Ｓ２を、半導体チップ１におけるＰ極
１ｂの上面の一部が露出するように短くする構成にする
。
このように、他方の外部端子３における端子片３ａの長
さ寸法Ｓ２を短くすることによって、半導体チップ１に
おけるＰ極１ｂの上面の一部が露出するようにすると、
溶融ろう材５の余剰のろう材５ａは、半導体チップ１に
おけるＰ極１ｂの上面のうち端子片３ａより露出する部
分に集まり、当該部分に、表面張力によって盛り上がる
ことになるから、余剰の溶融ろう材５ａが、半導体チッ
プ１の外側面に向って大きく垂れ下がることを、確実に
防止できる。
この場合において、半導体チップ１におけるＰ極１ｂの
上面の一部を、端子片３ａより露出するに際しては、前
記実施例のように、端子片３ａにおける長さ寸法Ｌ２を
短くすることに代えて、第１４図に示すように、端子片
３ａにおける幅寸法Ｓ２を狭くしたり、或いは、第１５
図に示すように、端子片３ａにおける長さ寸法Ｌ２を短
くすると共に、端子片３ａにおける幅寸法Ｓ２を狭くす
るように構成しても良いのである。
なお、これら第１２図〜第１５図に示す実施例において
、端子片３ａにおける長さ寸法Ｌ２を短くした場合には
、当該端子片３ａにおける先端面３　ｄｒに、第１６図
に示すように切欠部９を設けたり、又は、端子片３ａに
おける先端面３ａ′を、第１７図に示すように波型状に
構成することにより、また、端子片３ａにおける幅寸法
Ｓ２を狭くした場合には、当該端子片３ａにおける側端
面３ａ“に、第１８図に示すように切欠部ｌＯを設けた
り、又は、端子片３ａにおける側端面３ａ“を、第１９
図に示すように波型状に構成することにより、端子片３
ａに対するろう材５の接合面積の増大、延いては、端子
片３ａの半導体チップ１に対する接合力の増大を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は請求項１に対する実施例を示し、第１
図は縦断正面図、第２図は第１図の底面図、第３図は第
１図の平面図、第４図及び第５図は請求項１に対する他
の実施例を示す平面図、第６図は請求項２に対する実施
例を示す縦断正面図、第７図は第６図の平面図、第８図
、第９図、第１０図及び第１１図は請求項２に対する他
の実施例を示す平面図、第１２図は請求項３に対する実
施例をを示す縦断正面図、第１３図は第１２図の平面図
、第１４図、第１５図、第１６図、第１７図。 第１８図及び第１９図は請求項３に対する他の実施例を
示す平面図、第２０図は従来のダイオードの縦断正面図
、第２１図は第２０図の底面図、第２２図は第２０図の
平面図である。 ｌ・・・・半導体チップ、１ａ・・・・半導体チップに
おけるＮ極、１ｂ・・・・半導体チップにおけるＰＧＭ
、２・・・・一方の外部端子、２ａ・・・・一方の外部
端子における端子片、３・・・・他方の外部端子、３ａ
・・・・他方の外部端子における端子片、４，５・・・
・ろう材、６・・・・モールド部、７．７ａ、７ｂ・・
・・切欠部、８．８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ−・−抜き孔
、Ｌ２・・・・他方の外部端子における端子片の長さ寸
法、Ｓ２・・・・他方の外部端子における端子片の幅寸
法。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）、半導体チップを、金属板で形成された二枚の外
    部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チップに
    おける一方の極の下面に、一方の外部端子における端子
    片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、他方の
    外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合して成
    る半導体装置において、前記他方の外部端子における端
    子片に、半導体チップの他方の極における上面のうち一
    部の上面を露出するようにした切欠部を設けたことを特
    徴とする半導体装置。
  2. （２）、半導体チップを、金属板で形成された二枚の外
    部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チップに
    おける一方の極の下面に、一方の外部端子における端子
    片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、他方の
    外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合して成
    る半導体装置において、前記他方の外部端子における端
    子片に、半導体チップの他方の極における上面のうち一
    部の上面を露出するようにした抜き孔を設けたことを特
    徴とする半導体装置。
  3. （３）、半導体チップを、金属板で形成された二枚の外
    部端子における端子片の間に挿入し、該半導体チップに
    おける一方の極の下面に、一方の外部端子における端子
    片を、半導体チップにおける他方の極の上面に、他方の
    外部端子における端子片を、各々ろう材にて接合して成
    る半導体装置において、前記他方の外部端子における端
    子片の幅寸法及び長さ寸法のうちいずれか一方又は両方
    を、半導体チップの他方の極における上面の一部が露出
    するように短く又は狭くしたことを特徴とする半導体装
    置。
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