JP2519970B2

JP2519970B2 - Ｒｏｍ型光記録カ―ド用のマスクの作製方法、ｒｏｍ型光記録カ―ドの作製方法、それらの検査方法及びマスクの検査装置並びにｒｏｍ型光記録カ―ドの検査装置

Info

Publication number: JP2519970B2
Application number: JP63090953A
Authority: JP
Inventors: 洋一福島; 実藤田; 裕二柿沼
Original assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Current assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Priority date: 1988-04-13
Filing date: 1988-04-13
Publication date: 1996-07-31
Anticipated expiration: 2011-07-31
Also published as: JPH01263956A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は光記録媒体、特にROM型光記録カードを製
造する場合に使用するマスクの製造方法等に関するもの
である。

近年、IDカードやキャッシュカードやバンクカードと
して各種の情報を記録したカードが普及して来ている
が、この発明のマスクはその様なROM型光記録カードに
使用するものである。

［従来の技術］この種のカードには個人データや発行会社のデータ等
の各種の情報を記録する必要があり、初期の段階におい
ては、そのような情報を可視的な文字や記号で記録して
おり、また、後期の段階においては磁気を使用した電気
信号で記録しているが、偽造・改ざんの防止や情報量の
増加に対応する必要がある。

そのために、近年、レーザ技術を応用した光記録カー
ドが開発されて来ている。この光記録カードは光学反射
面を持つ情報記録媒体（光記録媒体）を備えるもので、
光学反射面にはデータピットを形成し、そのデータピッ
トの光学反射率の差によってレーザによりデータピット
を検出し、情報を読み取るように構成したものである。

ところで、光記録媒体ではデータを表現するデータピ
ットパターンと、そのデータの書込み、読み取り時にト
ラッキングを行うためのトラック案内溝や、各トラック
の各々のセクターの位置、使用状況等を示すアドレス部
分を示すプリフォーマッティングパターンが必要であ
り、これらのプリフォーマッティングパターン及びデー
タピットパターンは、光記録媒体に予め書込み及び消去
不可能な形で形成されている。

光記録媒体のデータの読み出し手段の一つとして、反
射光の強度を比較することによって行う方法がある。そ
して、それに適した光記録媒体を製造する技術の一つと
して、写真蝕刻技術を応用しプリフォーマッティングパ
ターン及びデータピットパターンをマスクに加工してお
き、プリフォーマッティングパターン及びデータピット
パターンを反射性金属等のパターンにして反射率の高低
を形成する方法がある。マスクの種類としては基準とな
るマザーマスクから実際の光記録媒体を工場で生産する
場合に使用するワーキングマスクまで各種のマスクがあ
るが、それらのマスクを製作する場合に採用されている
従来のホトマスク作製工程は第17図に示すとおりであ
る。

すなわち、光記録媒体の仕様を記載した仕様書111に
基づいてアートワーク112により原版を作成し、その原
版を縮小カメラ113により縮小してエマルジョンタイプ
若しくはハードタイプのレチクル（中間マスク）114を
作成する。

このレチクル（中間マスク）114をフォトリピータ115
によりレチクル（中間マスク）114に描かれた10倍から
５倍原図を1/10或いは1/5に縮小しながら殖版してマス
タマスク120を作成する。このマスタマスク120をプリン
トしてワーキングマスク116を得る。

或いは、仕様書111に基づいてCAD入力117を行って磁
気テープ118を作成し、これを入力媒体としてパターン
ジェネレータ121により高解像力乾板（HRP）上に自動的
に可変矩形を高速かつ高精度に露光することにより、レ
チクル114を作成し、以下前述の工程を経てワーキング
マスク116を得る。

また磁気テープ118を入力媒体として電子ビーム露光
装置122によりマスタマスク115を作成し、以下前述の工
程を経てワーキングマスク116を得る。

［発明が解決しようとする課題］ ROM型光記録媒体は蓄えるべき情報の内容が異なれば
それぞれに対応する必要がある。従って、ROM型光記録
媒体を製造する場合にはカード仕様（各種類のカードに
対応したソフト）ごとに個々のピットパターンをもつも
のを製造する必要があり、従来はカード仕様（各種類の
カードに対応したソフト）ごとに高価なマザーマスクを
作成していたため、ROM型光記録媒体のマザーマスクは
高価なものになっている。また、従来、このROM型光記
録媒体のマスクを製造する場合は、露光手段として電子
ビームまたはパターンジェネレータ等を使用している
が、情報量が多い場合には、データ処理時間や露光時間
が長くなり、またマザーマスクの検査工程にも多大の時
間を必要としマスクの価格を高価にする一因となってい
る。更にアートワークによる方法は作業が極めて煩雑で
ある。

この発明は上記の如き事情に鑑みてなされたものであ
って、書込み可能型光記録カード用の読取り書込み装置
によってデータを処理することができ、かつ安価である
ROM型光記録媒体を製造する場合に適したマスクを製造
する方法を提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］このために、第１の発明のROM型光記録カード用ワー
キングマスクの作製方法は、データ入りROM型光記録カ
ード用のワーキングマスクの作製方法であって、プリフ
ォーマッティングパターンをもつマザーマスクを作成す
るマザーマスク作製工程と、前記プリフォーマッティン
グパターンを転写してあるマスタマスク基材に前記プリ
フォーマッティングパターンから制御記号を得てレーザ
照射によりデータピットパターンを形成してマスタマス
クを作製するマスタマスク作製工程と、前記マスタマス
クから前記プリフォーマッティングパターンと前記デー
タピットパターンを転写したワーキングマスクを作製す
るワーキングマスク作製工程とを含むことを特徴として
いる。

また、第２の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマザーマスク
の作製方法であって、ハードマスクブランクスに電子ビ
ーム用レジストをコーティングするレジストコーティン
グ工程と、次に前記電子ビーム用レジストにプリフォー
マッティングパターンの形状に従って電子ビームを照射
する露光工程と、次に前記電子ビーム用レジストを現像
する現像工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエ
ッチングするエッチング工程と、次に前記ハードマスク
ブランクスから前記電子ビーム用レジストを除去するリ
ムーブ工程とを含むことを特徴としている。

また、第３の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマザーマスク
の作製方法であって、ハードマスクブランクスにフォト
レジストをコーティングするレジストコーティング工程
と、次に前記フォトレジストにプリフォーマッティング
パターンの形状に従って光を照射する露光工程と、次に
前記フォトレジストを現像する現像工程と、次に前記ハ
ードマスクブランクスをエッチングするエッチング工程
と、次に前記ハードマスクブランクスから前記フォトレ
ジストを除去するリムーブ工程とを含むことを特徴とし
ている。

また、第４の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマザーマスク
の作製方法であって、一方で高解像度写真乾板にプリフ
ォーマッティングパターンの形状に従って光を照射する
露光工程と、次に前記高解像度写真乾板を現像・定着し
てエマルジョンマスクを作成する現像工程と、を含み、
他方で、ハードマスクブランクスにフォトレジストをコ
ーティングするレジストコーティング工程と、次に前記
フォトレジストに前記エマルジョンマスクを密着して露
光する露光工程と、次に前記フォトレジストを現像する
現像工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエッチ
ングするエッチング工程と、次に前記ハードマスクブラ
ンクスから前記フォトレジストを除去するリムーブ工程
とを含むことを特徴としている。

また、第５の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマスタマスク
の作製方法であって、基材上に金属膜が形成してあるマ
スタマスクブランクスの前記金属膜上にフォトレジスト
をコーティングするレジストコーティング工程と、プリ
フォーマッティングパターンを持つマザーマスクを前記
フォトレジスト上に重ねて露光する露光工程と、前記フ
ォトレジストを現像する現像工程、前記マスタマスクブ
ランクスの前記金属膜をエッチングするエッチング工程
と、前記金属膜から前記フォトレジストを除去するリム
ーブ工程とを含むことを特徴としている。

また、第６の発明のROM型光記録カード用データ入り
マスタマスクの作製方法は、ROM型光記録カード用のデ
ータピットパターン入りマスタマスクの作製方法であっ
て、表面にプリフォーマッティングパターンを転写して
あるマスタマスク基材の表面に光記録膜を形成する光記
録膜形成工程と、次にプリフォーマッティングパターン
に従ってレーザ照射により前記光記録膜をデータピット
パターンに対応して穿孔する書込み工程と、次に前記マ
スタマスク基材をエッチングするエッチング工程と、次
に前記マスタマスク基材から前記光記録膜を除去するリ
ムーブ工程とを含むことを特徴としている。

また、第７の発明の光記録カードの作製方法は、貼合
接着したカード表基材とカード裏基材との間にデータピ
ットパターンを形成してある光記録カードの作製方法で
あって、プリフォーマッティングパターンをもつマザー
マスクを作成するマザーマスク作製工程と、前記プリフ
ォーマッティングパターンを転写してあるマスタマスク
基材に前記プリフォーマッティングパターンから制御信
号を得てレーザ照射によりデータピットパターンを形成
してマスタマスクを作製するマスタマスク作製工程と、
前記マスタマスクから前記プリフォーマッティングパタ
ーンと前記データピットパターンを転写したワーキング
マスクを作製するワーキングマスク作製工程とを含むRO
M型光記録カード用ワーキングマスクの作製方法によっ
て作製した前記ワーキングマスクの前記データピットパ
ターンをエッチングまたはリフトオフにより転写して前
記データピットパターンを形成することを特徴としてい
る。

また、第８の発明の光記録カードの作製方法は、貼合
接着したカード表基材とカード裏基材との間にデータピ
ットパターンとホログラムパターンを少なくとも相互の
一部分を重畳させて形成してある光記録カードの作製方
法であって、プリフォーマッティングパターンをもつマ
ザーマスクを作成するマザーマスク作製工程と、前記プ
リフォーマッティングパターンを転写してあるマスタマ
スク基材に前記プリフォーマッティングパターンから制
御記号を得てレーザ照射によりデータピットパターンを
形成してマスタマスクを作製するマスタマスク作製工程
と、前記マスタマスクから前記プリフォーマッティング
パターンと前記データピットパターンを転写したワーキ
ングマスクを作製するワーキングマスク作製工程とを含
むROM型光記録カード用ワーキングマスクの作製方法に
よって作製した前記ワーキングマスクの制御データピッ
トパターンをエッチングまたはリフトオフにより転写し
て前記データピットパターンを形成することを特徴とし
ている。

また、第９の発明のマスクの検査方法は、少なくとも
書き込み可能型光記録カードと同じプリフォーマッティ
ングパターンとデータピットパターンを持ったマスクの
検査方法であって、前記プリフォーマッティングパター
ンから得られる制御信号により、書き込み可能型光記録
カードの読み取り書き込み装置を制御して、前記マスク
の前記データピットパターンを読み取り、読み取った前
記データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデ
ータ情報をコンピュータにより比較することを特徴とし
ている。

また、第10の発明のマスクの検査装置は、少なくとも
書き込み可能型光記録カードと同じプリフォーマッティ
ングパターンとデータピットパターンを持ったマスクの
検査装置であって、前記プリフォーマッティングパター
ンから得られる制御信号により、書き込み可能型光記録
カードの読み取り書き込み装置を制御して、前記マスク
の前記データピットパターンを読み取り、読み取った前
記データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデ
ータ情報をコンピュータにより比較することを特徴とし
ている。

また第11の発明のROM型光記録カードの検査方法は、
少なくとも書き込み可能型光記録カードと同じプリフォ
ーマッティングパターンとデータピットパターンを持っ
たROM型光記録カードの検査方法であって、前記プリフ
ォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記ROM型光記録カードの前記データピ
ットパターン読み取り、読み取った前記データピットパ
ターンとカード仕様に基づいたROMデータ情報をコンピ
ュータにより比較することを特徴としている。

また第12の発明のROM型光記録カードの検査装置は、
少なくとも書き込み可能型光記録カードと同じプリフォ
ーマッティングパターンとデータピットパターンを持っ
たROM型光記録カードの検査装置であって、前記プリフ
ォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記ROM型光記録カードの前記データピ
ットパターンを読み取り、読み取った前記データピット
パターンとカード使用に基づいたROMデータ情報をコン
ピュータにより比較することを特徴としている。

［作用］この発明ではマザーマスクにはプリフォーマッティン
グパターンが形成される。プリフォーマッティングパタ
ーンは電子ブーム照射による描画とエッチングにより、
またはパターンジャネレータによるハードマスクブラン
クスへの描画とエッチングまたはパターンジェネレータ
によるエマルジョンマスクブランクスへの描画とハード
マスクブランクスへの露光及びエッチングによって形成
される。マスタマスクはマザーマスクからプリフォーマ
ッティングパターンが転写されているマスタマスク基材
に、そのプリフォーマッティングパターンから制御信号
を得て情報データのデータピットパターンを書込んで作
製される。

ワーキングマスクはマスタマスクからプリフォーマッ
ティングパターン及び情報データピットパターンを写真
蝕刻によって複製して作成する。光記録カードの光記録
媒体はワーキングマスクからプリフォーマッティングパ
ターン及びデータピットパターンを写真蝕刻によって複
製して作成する。マザーマスク、マスタマスク基材、マ
スタマスク、ワーキングマスク及び光記録カード用の光
記録媒体のそれぞれの作製過程においては、必要に応じ
て検査装置にて検査が加えられるが、この検査は、少な
くとも書き込み可能型光記録カードと同じプリフォーマ
ッティングパターンとデータピットパターンを持ったマ
スク及びROM型光記録カードの検査を、そのプリフォー
マッティングパターンから得られる制御信号により書き
込んだデータピットパターンの情報を読み取り、読み取
った情報とカード仕様（各種類のカードに対応したソフ
ト）に基づいたROM情報データ（外部記憶装置にMTにま
たはFD等の状態で記憶されているデータ）を読み出して
コンピュータ上でビットバイビットで比較し、マスク及
びROM型光記録カードの検査を行う。

［実施例］ ROM型光記録媒体を量産する場合には、実際にはワー
クに対して使用されるマスクはワーキングマスクであ
る。

そこで第１にまずワーキングマスクの製造方法を第１
図について説明する。

まず、書込み可能型光記録型式のプリフォーマッティ
ングパターンをハードマスク化したマザーマスクを作成
する（マザーマスク作製工程（第１図（ａ）））。プリ
フォーマッティングパターンは案内ガイドやトラックナ
ンバーピット等の制御パターン等からなっている。

次にマザーマスクのプリフォーマッティングパターン
をガラス等の基板の上に高反射性膜を形成してあるマス
クブランクスの前記高反射性膜にエッチング等により転
写してマスタマスク基材を作製する（マスタマスク基材
作製工程（第１図（ｂ）））。

次に前記プリフォーマッティングパターンを転写して
あるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティングパ
ターンにより制御信号を得てトラッキング、フォーカシ
ングを行いながらエンコードした情報データをレーザ照
射によりデータピットパターンとして描画する（描画工
程（第１図（ｃ）））。

次にマスタマスク基材を現像エッチング等によりデー
タをパターン化してマスタマスクを作製する（マスタマ
スク作製工程（第１図（ｄ）））。

次に検査装置にて前記プリフォーマッティングパター
ンにより制御信号を得てトラッキング、フォーカシング
を行い、検査装置により書き込んだデータピットパター
ンの情報を（検出）読み取り、読み取った情報とROM情
報データとをビットバイビットで比較し書き込まれたデ
ータピットパターンの検査を行う。

次に前記マスタマスクから前記プリフォーマッティン
グパターンと前記データピットパターンを転写したワー
キングマスクを作製する（ワーキングマスク作製工程
（第１図（ｅ）））。

ワーキングマスクは光記録カードの作製に使用する
（第１図（ｆ））。

それぞれの工程の最後の段階においては、必要に応じ
て検査工程（ｇ）〜（ｌ）が付加される。検査工程
（ｇ）〜（ｌ）では検査装置にてプリフォーマッティン
グパターンにより制御信号等を得てトラッキング、フォ
ーカシングを行い、検査装置により書き込んだデータピ
ットパターンの情報を（検出）読み取り、読み取った情
報とROM情報データとをビットバイビットで比較し書き
込まれたデータピットパターンの検査を行う。

第２にマザーマスクの製作方法を第２図について説明
する。

まずハードマスクブランクス９を用意する。ハードマ
スクブランクスとしてはガラス等の基板11の上に低反射
クローム等の遮光膜12を形成した低反射クロムマスクブ
ランクス、例えばアルバック成膜株式会社製LUCOAT PFL
−5009（ｓ）Ｌを用いる（第２図（ａ）））。

この他、ハードマスク用ガラス材質としてはソーダラ
イムブルー（青板ガラス）、ソーダライムホワイト
（白板ガラス）、低膨脹ガラス、合成石英、が使用可能
であり、膜の材質としては、Crの単層膜、Cr/CrXOyの２
層膜、CrXOy/Cr/CrXOyの３層膜が使用可能である。

電子ビーム用レジスト13をコーティングする（第２図
（ｂ））。具体例としては、東京応化工業株式会社 OE
BRシリーズポジレジストOEBR−1030を3000rpmで90sec
スピンコートし、170℃で30minプリベークする。膜厚は
約0.3μｍとなる。

電子ビーム用レジスト13にはポジ型とネガ型があり、
ポジ型としてはメタクリル樹脂、ポリオレフィンスルフ
ォンと等、ネガ型としてはエポキシ高分子、シリコン樹
脂等がある。

次に電子ビームを照射する（第２図（ｃ））。具体例
としては、電子ビーム露光装置パーキンエルマー社
メービスIII等を用いる（メービスシリーズ）。電子ビ
ームの描画データの入力はCADによる人的手段が一般的
である。また電子ビーム露光装置を直接動作させるよう
にフォーマットにデータを書込んだ磁気テープを作製
し、それによって入力してもよい。ここで入力するデー
タは光記録カード上の案内ガイドやデータトラックナン
バー等のプリフォーマットデータである。

次に電子ビーム用レジスト13を現像する（第２図
（ｄ））。具体例としては、東京応化工業株式会社 OE
BR−1030専用現像液 OEBR−1030DEを25℃に保持し、15min現像する。

次にクロム膜をエッチングする（第２図（ｅ））。具
体例としては、エッチング液、硝酸第２セリウムアンモ
ン240g、過塩素酸（70％）60cc、純水1000ccに50sec浸
漬してエッチングする。

製品としては長瀬産業株式会社クロムエッチャント
Ｋがある。

最後にレジストを剥離する（第２図（ｆ））。具体例
としては東京応化工業株式会社剥離液502に100℃、10
min浸漬してレジストをリムーブした後、アセトンとメ
タノールを1:1の容量比に混ぜた溶媒でリンスする。

こうしてプリフォーマッティングパターン14及び案内
ガイドを有するマザーマスク２が完成する（第２図
（ｇ））。

第３に他のマザーマスクの作製方法を第３図について
説明する。

まずハードマスクブランクス９を用意する（第３図
（ａ））。ハードマスクブランクスの例としては低反射
クロムマスクブランクス（アルバック成膜株式会社製
LUCOAT PFL−5009（Ｓ）Ｌ）を用いる。

次にフォトレジスト23をスピンコートする（第３図
（ｂ））。フォトレジストの例としてはヘキスト社のポ
ジ型フォトレジストAZ1350/SFを3000rpmで60secスピン
コートしレジスト膜を形成する。85℃で20分間プリベー
クを行い、冷却すると、膜厚は約0.5μｍになる。

次にパターンジェネレータにより水銀灯の光24でフォ
トレジストを所望のプリフォーマットパターン通りに露
光する（第３図（ｃ））。

パターンジェネレータにはNSK社のLZ−340を用い、18
0mJ/cm²の条件で1shotづつ矩形を露光する。

プリフォーマットパターンのデータの入力はCADシス
テム等により行い、データの内容は案内ガイドやデータ
・ナンバー等の制御用のデータが主である。

次にフォトレジスト23を現像する（第３図（ｄ）。フ
ォトレジストAZ 1350/SFの現像にはAZ 312MIFディベロ
ッパーを純水で1:1の容量比に希釈したものが用いられ
る。約30秒間浸漬した後に、純水で水洗を行う。

次にハードマスクブランクス９のクロム膜25をエッチ
ングする（第３図（ｅ））。エッチング液は長瀬産業株
式会社のクロムエチャントＫが使用できる。約50秒間の
浸漬でクロムがエッチングされる。その後、純水で水洗
する。

次にフォトレジスト23を剥離する（第３図（ｆ））。
フォトレジストAZ 1350/SFにはAZ・シンナーを用いるこ
とができる。約５分間AZ・シンナーに浸漬してレジスト
を溶解した後、別に用意したAZ・シンナーでリンスし、
乾燥させる。

こうして、マザーマスク２が完成する。

第４に他のマザーマスクの作製方法を第４図について
説明する。

まず高解像度写真乾板26を用意する。例としてはコニ
カ HRP UT を用いる（第４図（ａ））。

次に写真乾板26を光24で露光する（第４図（ｂ））。
写真乾板26の露光機にはNSK社LZ−340を用い、100kVの
キセノンフラッシュにより矩形パターンを露光する。プ
リフォーマットパターンデータに従い1shotづつ露光す
る。

次に写真乾板を現像、定着してエマルジョンマスク27
を作製する（第４図（ｃ））。

現像液：コニカHRP現像液CDH−100 1:4純水希釈現像時間:20℃で５分間水洗：流水 17℃ 30秒定着液：コニカHRP定着液CFL−Ｘ定着時間:20℃で３分間水洗：流水 17℃ 10分間上記の条件で現像・定着を行った後、水切り風乾を十
分に行う。

次に低反射クロムマスクブランクス９にフォトレジス
ト23の層を形成する（第４図（ｄ））。低反射クロムマ
スクブランクスにはアルバック成膜株式会社製 LUCOAT
PFL−5009（Ｓ）Ｌを用いる。

フォトレジストにはシプレイ社マイクロポジット（登
録商標）S1400−17を用いて3000rpmで30秒間の条件でス
ピンコートし、90℃で15分間プリベークすると、約0.5
μｍの膜厚になる。

次にエマルジョンマスク27を密着させて、水銀灯の光
を10mJ/cm²露光する（第４図（ｅ））。

次にフォトレジスト23を現像する（第４図（ｆ））。
現像液にはジプレイ社マイクロポジット社（登録商標）
ディベロパーMF−312を純水で1:1の容量比に希釈したも
のを用い、30秒間浸漬すると現像できる。その後、純水
で水洗をする。

次にハードマスクブランクス９のクロム膜25をエッチ
ングする（第４図（ｇ））。エッチング液は長瀬産業株
式会社のクロムエッチャントＫを用い、約50秒浸漬する
とクロムがエッチングされ、パターンが形成される。エ
ッチング終了後、水洗を十分行い、水切りする。

次にフォトレジスタ23を剥離する（第４図（ｈ））。
剥離液には東京応化工業株式会社ストリッパー10お80℃
に加熱し、60秒間浸漬し、純水で良く洗浄した後、乾燥
する。

こうしてマザーマスク２を得る。

第５図にマスタマスク基材の作製方法を第５図につい
て説明する。

まず、表面の清浄なガラス板21を用意する（第５図
（ａ））。ガラス板としてはハードマスクブランクスに
用いられる青板、白板、低膨脹、合成石英、ガラス等を
用いる。表面平坦度についてはパターン精度等を参考に
して選択する。厚さとしては0.09″または0.05″等が良
い。

次にAl、Cr、Ni、Co、Ag、Au、Cu、Ti等の高反射性で
かつ遮光性のある金属16をスパッタリングする（第５図
（ｂ））。膜厚は700Å程度にすると近赤外域で、反射
率はAlが90％以上、Crでは50〜60％程度になる。

スパッタリング装置は初め１×10^-5Torrまで減圧し、
Arガスを導入し、１×10^-3Torrにした。マグネトロンス
パッタにより、10Å/secの蒸着レートで製膜を行う。以
上の第５図（ａ）、（ｂ）で示した工程は高反射性でか
つ遮光性のある金属がCrを用いる場合には、市販のクロ
ムハードマスクブランクスで代替することもできる。

以下説明は高反射性でかつ遮光性のある金属16の膜厚
が700ÅのCrである場合（Cr反射膜16である場合）につ
いて進める。

次にフォトレジスト23をコーティングする（第５図
（ｃ））。例えば、シプレイ社マイクロポジット（登
録商標）ポジレジストS1400−17を3000rpmで60secスピ
ンコートし、90℃で15分間乾燥させると約0.5μｍのレ
ジスト膜が得られる。

次に予め準備しておいた書込み可能型光記録カード用
プリフォーマットパターンが作製してあるマスク17を密
着し、高圧水銀灯の光を4mJ/cm²露光する（第５図
（ｄ））。

次にレジスト23を現像する（第５図（ｅ））。

例えば、シプレイ社マイクロポジット（登録商標）ポ
ジレジストS1400−17にはシプレイ社マイクロポジット
（登録商標）MF−312を純水で容量比1:1に希釈した現像
液に約30秒浸漬すると現像できる。

次にCr反射膜16をエッチングする（第５図（ｆ））。
エッチング液としては長瀬産業株式会社クロムエッチ
ャントＫを用いる。エッチャントを20℃に保持し、60秒
程度浸漬するとクロム膜がエッチングされ、マザーマス
クのプリフォーマットパターンの転写が行われる。

Al膜の場合のエッチャントは H₃PO₄＋CH₃COOH＋HNO₃＋H₂O（容量比16:2:1:1）を用い
ることができる。

最後にレジスト膜を剥離する（第５図（ｇ））。東京
応化工業株式会社剥離液−502を100℃に加熱し、5min
浸漬するとレジストが剥離する。その後、アセトンとメ
タノール（容量比で1:1）の溶媒に浸してリンスを行
う。

こうしてプリフォーマッティングパターンをもつマス
タマスク基材20が完成する。

第６にデータ入りのマスタマスクの作製方法を第６図
について説明する。

まず、プリフォーマッティングパターンが形成してあ
るマスタマスク基材20を用意する（第６図（ａ））。こ
れは予めマスタマスク基材作製の工程（第５図）を経た
ものである。以下はマスクにおける高反射性でかつ遮光
性のある金属からなる反射膜がCrであるとして（Cr反射
膜16の場合）説明を進める。

次にCr反射膜16の上に染料と樹脂とからなる光記録膜
31を形成する（第６図（ｂ））。染料は次過程のレーザ
光を良く吸収するものを用いる必要がある。樹脂はエッ
チング工程の酸に耐えるものがよい。これには通常の染
料と樹脂からなる光記録膜のバインダーが利用できる。
染料と樹脂の配合比は染料１に対して、樹脂１以上が酸
に対する耐性が良好である。

例えば、半導体レーザ830nmにおける吸収の大きい染
料日本化薬株式会社 IR−8201部、太平化学製品株式
会社ニトロセルロースH1/8 ３部、シクロヘキサンノ
ン75部、1,2−ジクロルエタン75部を混合した染料液を
用いる。これを1000rpmで60secスピンコートすると膜厚
が約2600Åになる。波長830nmの光に対しクロム膜の絶
体反射率が52％であると染料膜面（光記録膜31）側から
見たクロム部とガラス部の反射率はそれぞれ17％と５％
になる。このとき、光記録膜31とクロム膜により光の干
渉を生じるので光記録膜31の膜厚を樹脂の種類、染料の
種類、樹脂と染料の割合、反射膜の材質に応じて適当に
選択しないと、染料膜面側から見たクロム部とガラス部
で読取り、書込み光でのコントラストがとれなくなるこ
とがある。

次にマスタマスク基材20に形成してあるプリフォーマ
ッティングパターンを利用して、オートトラッキング、
オートフォーカシング等を行いながら書込み可能型光記
録カードのソフトウェアを用いてエンコードしデータピ
ットの書込みを行う（第６図（ｃ））。

前記の染料膜の場合５μｍのスポットに830nmの半導
体レーザ光を集光すると、例えば8mWで20μsecのエネル
ギーを照射することにより行うことができる。

書込んだデータピット32をエッチングする（第６図
（ｄ））。

前工程において書込んだピット部はクロム膜が露出し
ており、他の部分は染料膜に覆われている。従ってエッ
チング液に浸漬すれば染料膜をレジスト膜に代用し、エ
ッチングを行える。

クロムマスクの場合のエッチャントは前掲の硝酸第２
セリウムアンモニウム240g、過塩素酸（70％）60cc、純
水（20±１℃）1000ccに90秒間浸漬してエッチングす
る。

アルミマスクの場合はエッチャントとして、燐酸800c
c、硝酸50cc、酢酸100cc、純水50ccを用いることができ
る。

残った光記録膜をリムーブする（第６図（ｅ））。す
なわち、光記録膜として用いる染料膜を溶剤により除去
する。

実施例の場合、アセトンに浸漬すれば10秒程度で溶解
する。その後、別のアセトンでリンスを行い表面を洗浄
にする。

これによってデータピット32及びプリフォーマッティ
ングパターン14を有するデータ入りのマスタマスク33が
完成する（第６図（ｆ））。

なお必要に応じてエッチング、リムーブ後に出来上っ
た入力済みのマスタマスク33を検査する（第６図
（ｇ））。

［効果］この発明のマスクの作製方法において、制御ピット、
情報ピット、案内ガイド等のパターンとデータの読み出
し、書込みの論理構造を書込み可能型光記録カードと同
一にすれば、書込み可能型光記録カード用のリーダー・
ライターをカード検査装置、マスク検査装置として利用
することができるので、カード作製工程及びマスク作製
工程における検査が、別の検査機器を必要とすることな
しに容易に行える。また、書込み可能型光記録カード用
のリーダー・ライターのシステムをデータ描画器として
利用することができる。また、書込み可能型光記録カー
ド用のリーダー・ライターをROM型光記録カード用のリ
ーダーとして利用することができる。この様なことから
データ入りマザーマスクの製造コストを安価にすること
ができ、データ入りマザーマスクの製造工程が簡便にな
り、ひいては光記録カードの多品種小ロット生産の要請
に適合することができる。このように、この発明のマス
クにおいては、ROM型光記録媒体のプリフォーマットパ
ターン及びデータピットパターンの形、大きさ、配列、
論理構造等が書込み可能型光記録カードと共通であるの
で、このマスクを使用して製造されたROM型光記録媒体
は書込み可能型光記録カード用読取り装置で読取ること
ができる。しかも、書込み可能型光記録型式のプリフォ
ーマッティングパターンを利用してROM型光記録媒体カ
ード等の情報入りマスクを簡単かつ安価に作製すること
ができる。しかも製品のロットごとには任意情報データ
入りマスタマスクを作製すればよく、高価なマザーマス
クを製品のロットごとには作製する必要が無いので、光
記録媒体（カード等）を安価に作製することが出来る。
なお、図示はしないが検査装置は、書き込み可能型光記
録カードの書き込み読み取り装置と検査及びROM情報の
書き込み制御装置としてパーソナルコンピュータ及びそ
の外部記憶装置との組み合せにより構成されている。

［他の実施例］次にこの発明のワーキングマスク５を使用して製造し
た光記録媒体をもつカードの製造方法について説明す
る。

第７図、第８図、第９図及び第10図において、41は光
記録カードであり、光記録カード41は２枚のカード基材
すなわちカード表基材42及びカード裏基材43の間におい
て光記録部45を設けている。カード表基材42はポリカー
ボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシのよう
な透明で平滑性の高い樹脂で構成され、またカード裏基
材43は塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレンテ
レフタレートのような樹脂材料で構成されている。

この光記録部45を形成するのにこの発明のワーキング
マスク５が使用される。

次に各種の光記録カードの製造方法について説明す
る。

まず、カード表基材に直接金属反射膜で情報パターン
を作成し、光記録カード41aを作成する場合の作成方法
を第11図に示す。

（１）まず、第11図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する（第11図
（ａ））。

（２）次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が５μｍ程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する（第11図（ｂ））。

（３）次に、カード表基材42の内面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布
してアンカー層47を形成する（第11図（ｃ））。

（４）次に、カード表基材42の光記録部45に対応する部
分に、真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空
度２×10^-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜
厚になるように形成する（第11図（ｄ））。

（５）次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット（登
録商標）S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90℃,1
5分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する（第1
1図（ｅ））。

（６）次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク５をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm²で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する（第11図（ｆ））。

（７）次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 １部を純水１部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる（第11図（ｇ））。

（８）次に、燐酸 16部酢酸 2部硝酸 1部純水 1部を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる（第11図（ｈ））。

（９）次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上のために100mj/cm²で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を１部用意し純水３部で希釈した溶液に
カード表基材42を１〜２秒浸漬し、光記録パターン層51
bを剥離し、直ちに純水にて水洗いを充分行い、乾燥さ
せる（第11図（ｉ））。

（10）次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚５μｍになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm²で10分間熱プレスを行い接着する（第11
図（ｊ））。

（11）次に、通常のカード形状にカッティングを行う
（第11図（ｋ））。

（12）こうして光記録カード41aが完成する（第11図
（ｌ））。

次に、カード表基材にホログラムパターンをスタンピ
ング等により設けた後に直接金属反射膜で情報パターン
を作成し、光記録カード41bを作成する場合の作成方法
を第12図に示す。

（１）まず、第12図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する（第12図
（ａ））。

（２）次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が５μｍ程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する（第12図（ｂ））。

（３）カード表基材42の光記録部形成領域に対応する部
分にホログラムパターン53の形成されている金型をあて
250℃、10Kg/cm²で１分間熱プレスを行いホログラムパ
ターン53をカード表基材42の内面側に形成する（第12図
（ｃ））。

（４）次に、カード表基材42のホログラムパターン53の
上に、真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空
度２×10^-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜
厚になるように形成する（第12図（ｄ））。

（５）次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット（登
録商標）S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗布を得た後、90℃,1
5分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する（第1
2図（ｅ））。

（６）次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク５をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm²で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する（第12図（ｆ））。

（７）次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 １部を純水１部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる（第12図（ｇ））。

（８）次に、燐酸 16部酢酸 2部硝酸 1部純水 1部を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる（第12図（ｈ））。

（９）次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上のために100mJ/cm²で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を１部用意し純水３部で希釈した溶液に
カード表基材42を１〜２秒浸漬し、レジスト層51を剥離
し、直ちに純水にて水洗いを充分行い、乾燥させる（第
12図（ｉ））。

（10）次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚５μｍになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm²で10分間熱プレスを行い接着する（第12
図（ｊ））。

（11）次に、通常のカード形状にカッティングを行う
（第12図（ｋ））。

（12）こうして光記録カード41bが完成する（第12図
（ｌ））。

なお、ホログラムパターンの作成方法としては、この
他にも2P法（ホトポリマー法）にて作成することも可能
である。

次に、カード表基材に紫外線及び赤外線に吸収のある
染料で情報パターンを作成した後に直接金属反射膜をパ
ターン化した情報記録層を設けた光記録カード41cを作
成する場合の作成方法を第13図に示す。

（１）まず、第13図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する（第13図
（ａ））。

（２）次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が５μｍ程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する（第13図（ｂ））。

（３）次に、カード表基材42の内面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布
してアンカー層47を形成する（第13図（ｃ））。

（４）次に、日本化薬株式会社の赤外線吸収染料 CY−20 １部東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキメ
ジウム S8−800 20部東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキ用
シンナー S718 ５部を、混合したインキでカード表基材42にシルクスクリー
ン印刷によりカード表基材42の光記録部45に対応する部
分に乾燥膜厚２μｍ程度の所望の光記録層54bを形成す
る（第13図（ｄ））。

（５）次に、カード表基材42の光記録層54bの上に、真
空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空度２×10
^-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜厚になる
ように形成する（第13図（ｅ））。

（６）次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット（登
録商標）S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90℃15
分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する（第13
図（ｆ））。

（７）次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク５をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm²で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する（第13図（ｇ））。

（８）次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 １部を純水１部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる（第13図（ｈ））。

（９）次に、燐酸 16部酢酸 2部硝酸 1部純水 1部を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる（第13図（ｉ））。

（10）次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上ために100mJ/cm²で再露光し、東京応化工業株式会
社の剥離液10を１部用意し純水３部で希釈した溶液にカ
ード表基材42を１〜２秒浸漬し、レジスト層51を剥離
し、直ちに純水にて水洗いを充分行い、乾燥させる（第
13図（ｊ））。

（11）次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚５μｍになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15kg/cm²で10分間熱プレスを行い接着する（第13
図（ｋ））。

（12）次に、通常のカード形状にカッティングを行う
（第13図（ｌ））。

（13）こうして光記録カード41cが完成する（第13図
（ｍ））。

次に、カード表基材に紫外線及び赤外線に吸収のある
染料で情報パターンを作成しホログラムパターンをスタ
ンピング等により設けた後、金属反射膜をパターン化し
た情報記録層を設けた光記録カード41dを作成する場合
の作成方法を第14図に示す。

（１）まず、第14図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する（第14図
（ａ））。

（２）次に、カード表基材42の表面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が５μｍ程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する（第14図（ｂ））。

（３）次に、日本化薬株式会社の赤外線吸収染料 CY−20 １部東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキメ
ジウム S8−800 20部東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキ用
シンナー S718 ５部を混合したインキでカード表基材42にシルクスクリーン
印刷により光記録部45に対応する部分に乾燥膜厚２μｍ
程度の所望の光記録層54bを形成する（第14図
（ｃ））。

（４）カード表基材42の光記録層54bの上にホログラム
パターン53の形成されている金型をあて250℃、10Kg/cm
²で１分間熱プレスを行いホログラムパターン53をカー
ド表基材42の内面側に形成する（第14図（ｄ））。

（５）次に、カード表基材42のホログラムパターン53の
上に、真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空
度２×10^-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜
厚になるように形成する（第14図（ｅ））。

（６）次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット（登
録商標）S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90℃15
分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する（第14
図（ｆ））。

（７）次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク５をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm²で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する（第14図（ｇ））。

（８）次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 １部を純水１部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる（第14図（ｈ））。

（９）次に、燐酸 16部酢酸 2部硝酸 1部純水 1部を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる（第14図（ｉ））。

（10）次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上のために100mJ/cm²で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を１部用意し純水３部で希釈した溶液に
カード表基材42を１〜２秒浸漬し、直ちに純水にて水洗
いを充分行い、乾燥させる（第14図（ｊ））。

（11）次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚５μｍになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm²で10分間熱プレスを行い接着する（第14
図（ｋ））。

（12）次に、通常のカード形状にカッティングを行う
（第14図（ｌ））。

（13）こうして光記録カード41dが完成する（第14図
（ｍ））。

次に、金属反射膜で情報パターンを作成した光記録テ
ープを挟み込んで光記録カード41eを作成する場合の作
成方法を第15図に示す。

（１）まず、第15図に示すように、厚さ50μｍのPETフ
ィルム55を用意する（第15図（ａ））。

（２）次に、PETフィルム55上に大日本インキ化学工業
株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロールコー
ト法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布して
アンカー層47を形成する（第15図（ｂ））。

（３）次に、PETフィルム55の情報記録部形成領域に、
真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空度２×1
0^-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜厚にな
るように形成する（第15図（ｃ））。

（４）次に、PETフィルム55のアルミニウム被膜48a上に
シプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット（登録
商標）S1400−17をロールコート法により塗布し30秒間
塗布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90
℃,15分間乾燥を行い、レジスト層51を形成する（第15
図（ｄ））。

（５）次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク５をPETフィルム55のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm²で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する（第15図（ｅ））。

（６）次に、PETフィルム55をシプレイ社の現像液MF−3
12 １部を純水１部で希釈した現像液にて30秒間現像
し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥させる（第15図
（ｆ））。

（７）次に、燐酸 16部酢酸 2部硝酸 1部純水 1部を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、PETフィル
ム55のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる（第15図（ｇ））。

（８）次に、PETフィルム55のフォトレジストの剥離性
向上のために100mJ/cm²で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を１部用意し純水３部で希釈した溶液に
PETフィルム55を１〜２秒浸漬し、直ちに純水にて水洗
いを充分行い、乾燥させる（第15図（ｈ））。

（９）次に、厚さ0.40mmのポリカーボネートの透明なカ
ード表基材42を用意する（第15図（ｉ））。

（10）次に、カード表基材42の表面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が10μｍ程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する（第15図（ｊ））。

（11）次に、カード表基材42の内面に予めウレタン系熱
可塑性接着剤からなる接着剤層52bを内面側に乾燥膜厚
５μｍになるようにロールコート法にて塗布する（第15
図（ｋ））。

（12）PETフィルム55とカード表基材42をアルミニウム
パターン48bを内側にして接着剤層52bで接着する（第15
図（ｌ））。

（13）次に、所望のデザインを施した、厚さ0.30mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚５μｍになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm²で10分間熱プレスを行い接着する（第15
図（ｍ））。

（14）次に、通常のカード形状にカッティングを行う
（第15図（ｎ））。

（15）こうして光記録カード41eが完成する（第15図
（ｏ））。

次に、金属反射膜で情報パターンを作成した光記録テ
ープを挟み込み、表基材は紫外線及び赤外線に吸収のあ
る染料で情報パターンを作成し光記録カード41fを作成
する場合の作成方法を第16図に示す。

（１）まず、第16図に示すように、厚さ50μｍのPETフ
ィルム55を用意する（第16図（ａ））。

（２）次に、PETフィルム55上に大日本インキ化学工業
株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロールコー
ト法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布して
アンカー層47を形成する（第16図（ｂ））。

（３）次に、PETフィルム55の情報記録部形成領域に、
真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空度２×1
0^-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜厚にな
るように形成する（第16図（ｃ））。

（４）次に、PTEフィルム55のアルミニウム被膜48a上に
シプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット（登録
商標）S1400−17をロールコート法により塗布し30秒間
塗布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90
℃,15分間乾燥を行い、レジスト層51を形成する（第16
図（ｄ））。

（５）次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク15をPETフィルム55のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm²で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する（第16図（ｅ））。

（６）次に、PETフィルム55をシプレイ社の現像液MF−3
12 １部を純水１部で希釈した現像液にて30秒間現像
し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥させる（第16図
（ｆ））。

（７）次に、燐酸 16部酢酸 2部硝酸 1部純水 1部を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、PETフィル
ム55のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層516をマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる（第16図（ｇ））。

（８）次に、PETフィルム55のフォトレジストの剥離性
向上ために100mJ/cm²で再露光し、東京応化工業株式会
社の剥離液10を１部用紙し純水３部で希釈した溶液にPE
Tフィルム55を１〜２秒浸漬し、直ちに純水にて水洗い
を充分行い、乾燥させる（第16図（ｈ））。

（９）次に、厚さ0.40mmのポリカーボネートの透明なカ
ード表基材42を用意する（第16図（ｉ））。

（10）次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が10μｍ程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する（第16図（ｊ））。

（11）次に、日本化薬株式会社の赤外線吸収染料 CY−20 １部東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキメ
ジウム S8−800 20部東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキ用
シンナー S718 ５部を、混合したインキでカード表基材42にシルクスクリー
ン印刷により光記録部45に対応する部分に乾燥膜厚２μ
ｍ程度の所望の光記録パターン層51bを形成する（第16
図（ｋ））。

（12）次に、カード表基材42の内面に予めウレタン系熱
可塑性接着剤からなる接着剤層52bを内面側に乾燥膜厚
５μｍになるようにロールコート法にて塗布する（第16
図（ｌ））。

（13）PETフィルム55とカード表基材42をアルミニウム
パターン48bを内側にして接着剤層52bで接着する（第16
図（ｍ））。

（14）次に、所望のデザインを施した、厚さ0.30mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚５μｍになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士の重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm²で10分間熱プレスを行い接着する（第16
図（ｎ））。

（15）次に、通常のカード形状にカッティングを行う
（第16図（ｏ））。

（16）こうして光記録カード41fが完成する（第16図
（ｐ））。

【図面の簡単な説明】

第１図はROM型光記録カード用マスクの作製過程を示す
工程説明図、第２図はマザーマスクの作製過程を示す工
程説明図、第３図はマザーマスクの他の作製過程を示す
工程説明図、第４図はマザーマスクの他の作成過程を示
す工程説明図、第５図はプリフォーマットマスタマスク
の作製過程を示す工程説明図、第６図はデータ入りマス
タマスクの作製過程を示す工程説明図、第７図は光記録
カードの斜視説明図、第８図は光記録カードの側面説明
図、第９図は光記録カードの平面説明図、第10図は第９
図におけるＡ−Ａ部断面図、第11図は光記録カードの作
製過程を示す工程説明図、第12図は他の光記録カードの
作製過程を示す工程説明図、第13図は他の光記録カード
の作製過程を示す工程説明図、第14図は他の光記録カー
ドの作製過程を示す工程説明図、第15図は他の光記録カ
ードの作製過程を示す工程説明図、第16図は他の光記録
カードの作製過程を示す工程説明図、第17図は光記録カ
ード用のデータ入りワーキングマスクの従来の作製過程
を示す工程説明図である。２…マザーマスク５…ワーキングマスク９…ハードマスクブランクス 11…基板 12…遮光膜 13…電子ビーム用レジスト 14…プリフォーマッティングピットパターン 21…ガラス板 23…フォトレジスト 24…光 25…クロム膜 31…光記録膜 32…データピット 33…データ入りマスタマスク 41,41a,41b,41c,41d,41e,41f…光記録カード 42…カード表基材 43…カード裏基材 45…光記録部 46…ハードコート層 47…アンカー層 48a…アルミニウム被膜 48b…アルミニウムパターン 51…レジスト層 51b…光記録パターン層 52…接着剤層 53…ホログラムパターン 54b…光記録層 55…PETフィルム

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】データ入りROM型光記録カード用のワーキ
ングマスクの作製方法であって、プリフォーマッティン
グパターンをもつマザーマスクを作成するマザーマスク
作製工程と、前記プリフォーマッティングパターンを転
写してあるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティ
ングパターンから制御記号を得てレーザ照射によりデー
タピットパターンを形成してマスタマスクを作製するマ
スタマスク作製工程と、前記マスタマスクから前記プリ
フォーマッティングパターンと前記データピットパター
ンを転写したワーキングマスクを作製するワーキングマ
スク作製工程とを含むことを特徴とするROM型光記録カ
ード用ワーキングマスクの作製方法
【請求項２】ROM型光記録カード用のマザーマスクの作
製方法であって、ハードマスクブランクスに電子ビーム
用レジストをコーティングするレジストコーティング工
程と、次に前記電子ビーム用レジストにプリフォーマッ
ティングパターンの形状に従って電子ビームを照射する
露光工程と、次に前記電子ビーム用レジストを現像する
現像工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエッチ
ングするエッチング工程と、次に前記ハードマスクブラ
ンクスから前記電子ビーム用レジストを除去するリムー
ブ工程とを含むことを特徴とするROM型光記録カード用
マザーマスクの作製方法
【請求項３】ROM型光記録カード用のマザーマスクの作
製方法であって、ハードマスクブランクスにフォトレジ
ストをコーティングするレジストコーティング工程と、
次に前記フォトレジストにプリフォーマッティングパタ
ーンの形状に従って光を照射する露光工程と、次に前記
フォトレジストを現像する現像工程と、次に前記ハード
マスクブランクスをエッチングするエッチング工程と、
次に前記ハードマスクブランクスから前記フォトレジス
トを除去するリムーブ工程とを含むことを特徴とするRO
M型光記録カード用マザーマスクの作製方法
【請求項４】ROM型光記録カード用のマザーマスクの作
製方法であって、一方で高解像度写真乾板にプリフォー
マッティングパターンの形状に従って光を照射する露光
工程と、次に前記高解像度写真乾板を現像・定着してエ
マルジョンマスクを作成する現像工程と、を含み、他方
で、ハードマスクブランクスにフォトレジストをコーテ
ィングするレジストコーティング工程と、次に前記フォ
トレジストに前記エマルジョンマスクを密着して露光す
る露光工程と、次に前記フォトレジストを現像する現像
工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエッチング
するエッチング工程と、次に前記ハードマスクブランク
スから前記フォトレジストを除去するリムーブ工程とを
含むことを特徴とするROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法
【請求項５】ROM型光記録カード用のマスタマスクの作
製方法であって、基材上に金属膜が形成してあるマスタ
マスクブランクスの前記金属膜上にフォトレジストをコ
ーティングするレジストコーティング工程と、プリフォ
ーマッティングパターンを持つマザーマスクを前記フォ
トレジスト上に重ねて露光する露光工程と、前記フォト
レジストを現像する現像工程、前記マスタマスクブラン
クスの前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
前記金属膜から前記フォトレジストを除去するリムーブ
工程とを含むことを特徴とするROM型光記録カード用マ
スタマスクの作製方法
【請求項６】ROM型光記録カード用のデータピットパタ
ーン入りマスタマスクの作製方法であって、表面にプリ
フォーマッティングパターンを転写してあるマスタマス
ク基材の表面に光記録膜を形成する光記録膜形成工程
と、次にプリフォーマッティングパターンに従ってレー
ザ照射により前記光記録膜をデータピットパターンに対
応して穿孔する書込み工程と、次に前記マスタマスク基
材をエッチングするエッチング工程と、次に前記マスタ
マスク基材から前記光記録膜を除去するリムーブ工程と
を含むことを特徴とするROM型光記録カード用データ入
りマスタマスクの作製方法
【請求項７】貼合接着したカード表基材とカード裏基材
との間にデータピットパターンを形成してある光記録カ
ードの作製方法であって、プリフォーマッティングパタ
ーンをもつマザーマスクを作成するマザーマスク作製工
程と、前記プリフォーマッティングパターンを転写して
あるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティングパ
ターンから制御記号を得てレーザ照射によりデータピッ
トパターンを形成してマスタマスクを作製するマスタマ
スク作製工程と、前記マスタマスクから前記プリフォー
マッティングパターンと前記データピットパターンを転
写したワーキングマスクを作製するワーキングマスク作
製工程とを含むROM型光記録カード用ワーキングマスク
の作製方法によって作製した前記ワーキングマスクの前
記データピットパターンをエッチングまたはリフトオフ
により転写して前記データピットパターンを形成するこ
とを特徴とする光記録カードの作製方法
【請求項８】貼合接着したカード表基材とカード裏基材
との間にデータピットパターンとホログラムパターンを
少なくとも相互の一部分を重畳させて形成してある光記
録カードの作製方法であって、プリフォーマッティング
パターンをもつマザーマスクを作成するマザーマスク作
製工程と、前記プリフォーマッティングパターンを転写
してあるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティン
グパターンから制御記号を得てレーザ照射によりデータ
ピットパターンを形成してマスタマスクを作製するマス
タマスク作製工程と、前記マスタマスクから前記プリフ
ォーマッティングパターンと前記データピットパターン
を転写したワーキングマスクを作製するワーキングマス
ク作製工程とを含むROM型光記録カード用ワーキングマ
スクの作製方法によって作製した前記ワーキングマスク
の前記データピットパターンをエッチングまたはリフト
オフにより転写して前記データピットパターンを形成す
ることを特徴とする光記録カードの作製方法
【請求項９】少なくとも書き込み可能型光記録カードと
同じプリフォーマッティングパターンとデータピットパ
ターンを持ったマスクの検査方法であって、前記プリフ
ォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記マスクの前記データピットパターン
を読み取り、読み取った前記データピットパターンとカ
ード仕様に基づいたROMデータ情報をコンピュータによ
り比較することを特徴とするマスクの検査方法
【請求項１０】少なくとも書き込み可能型光記録カード
と同じプリフォーマッティングパターンとデータピット
パターンを持ったマスクの検査装置であって、前記プリ
フォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記マスクの前記データピットパターン
を読み取り、読み取った前記データピットパターンとカ
ード仕様に基づいたROMデータ情報をコンピュータによ
り比較することを特徴とするマスクの検査装置
【請求項１１】前記マスクはROM型光記録カード用マザ
ーマスク、マスタマスク基材、マスタマスク及びワーキ
ングマスクであることを特徴とする請求項第９項記載の
マスク検査方法
【請求項１２】前記マスクはROM型光記録カード用マザ
ーマスク、マスタマスク基材、マスタマスク及びワーキ
ングマスクであることを特徴とする請求項第10項記載の
マスク検査装置
【請求項１３】少なくとも書き込み可能型光記録カード
と同じプリフォーマッティングパターンとデータピット
パターンを持ったROM型光記録カードの検査方法であっ
て、前記プリフォーマッティングパターンから得られる
制御信号により、書き込み可能型光記録カードの読み取
り書き込み装置を制御して、前記ROM型光記録カードの
前記データピットパターンを読み取り、読み取った前記
データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデー
タ情報をコンピュータにより比較することを特徴とする
ROM型光記録カードの検査方法
【請求項１４】少なくとも書き込み可能型光記録カード
と同じプリフォーマッティングパターンとデータピット
パターンを持ったROM型光記録カードの検査装置であっ
て、前記プリフォーマッティングパターンから得られる
制御信号により、書き込み可能型光記録カードの読み取
り書き込み装置を制御して、前記ROM型光記録カードの
前記データピットパターンを読み取り、読み取った前記
データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデー
タ情報をコンピュータにより比較することを特徴とする
ROM型光記録カードの検査装置