JP2545701B2 - 導波路光デバイスの製造方法 - Google Patents
導波路光デバイスの製造方法Info
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- JP2545701B2 JP2545701B2 JP6198721A JP19872194A JP2545701B2 JP 2545701 B2 JP2545701 B2 JP 2545701B2 JP 6198721 A JP6198721 A JP 6198721A JP 19872194 A JP19872194 A JP 19872194A JP 2545701 B2 JP2545701 B2 JP 2545701B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、焦電効果を有する基板
に形成された光導波路を利用して構成される例えば光ス
イッチング素子等の導波路光デバイスの製造方法に関す
る。
に形成された光導波路を利用して構成される例えば光ス
イッチング素子等の導波路光デバイスの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】導波路光デバイスは、駆動電圧が低く、
高速動作が可能であって、しかも小型集積化を図る上で
も有望である。しかしながら、ＬｉＮｂＯ3 （リチウム
ナイオベイト）のような焦電効果すなわち自発分極を有
する結晶を基板に用いて、その基板にＴｉ（チタン）等
の拡散層を形成して導波路を構成したものにおいては、
温度変化によって、焦電効果に基づく電荷が基板表面に
発生し、その電荷分布が一様でないため、導波路光デバ
イスとしての動作特性（例えばスイッチング特性等）が
変動してしまうという問題があった。
高速動作が可能であって、しかも小型集積化を図る上で
も有望である。しかしながら、ＬｉＮｂＯ3 （リチウム
ナイオベイト）のような焦電効果すなわち自発分極を有
する結晶を基板に用いて、その基板にＴｉ（チタン）等
の拡散層を形成して導波路を構成したものにおいては、
温度変化によって、焦電効果に基づく電荷が基板表面に
発生し、その電荷分布が一様でないため、導波路光デバ
イスとしての動作特性（例えばスイッチング特性等）が
変動してしまうという問題があった。
【０００３】図４は従来の導波路光デバイス（ここには
一例として光スイッチング素子を示す）の斜視図であ
り、図５（ａ）はそのＡ−Ａ断面図である。この導波路
光デバイスは、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１にＴｉ
拡散層２を形成して光導波路とし、その上面に光導波路
よりも低屈折率の透明絶縁膜であるＳｉＯ2 からなるバ
ッファ層３を形成し、更にその上面に例えばＡｌ（アル
ミニウム）からなる複数の電極４を適当な間隔で適宜配
置したものである。このような構成からなる導波路光デ
バイスの温度を上げていくと、図５（ｂ）に示すよう
に、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 基板１はその焦電効果により分極
の状態が変化するので、この基板１の表面に生じた電荷
（図では＋電荷）に対応する逆電荷（図では−電荷）が
電極４の底面に外部から供給されることになる。する
と、基板１内には、電極４のない電極間部分から電極４
のある電極部分へ向けて図示の如く無用の電界５が発生
する。導波路光デバイスは、電極間に電界を印加するこ
とによりＴｉ拡散層２からなる光導波路の屈折率を変化
させて、例えば光路のスイッチング動作等を行うもので
あるから、昇温によって上記の無用の電界５が発生する
と、その電界に基づく無用な電気光学的効果により屈折
率が変化して、導波路光デバイスの動作点が変動してし
まい、その動作特性（例えばスイッチング特性）に大き
な悪影響を与えてしまう。
一例として光スイッチング素子を示す）の斜視図であ
り、図５（ａ）はそのＡ−Ａ断面図である。この導波路
光デバイスは、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１にＴｉ
拡散層２を形成して光導波路とし、その上面に光導波路
よりも低屈折率の透明絶縁膜であるＳｉＯ2 からなるバ
ッファ層３を形成し、更にその上面に例えばＡｌ（アル
ミニウム）からなる複数の電極４を適当な間隔で適宜配
置したものである。このような構成からなる導波路光デ
バイスの温度を上げていくと、図５（ｂ）に示すよう
に、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 基板１はその焦電効果により分極
の状態が変化するので、この基板１の表面に生じた電荷
（図では＋電荷）に対応する逆電荷（図では−電荷）が
電極４の底面に外部から供給されることになる。する
と、基板１内には、電極４のない電極間部分から電極４
のある電極部分へ向けて図示の如く無用の電界５が発生
する。導波路光デバイスは、電極間に電界を印加するこ
とによりＴｉ拡散層２からなる光導波路の屈折率を変化
させて、例えば光路のスイッチング動作等を行うもので
あるから、昇温によって上記の無用の電界５が発生する
と、その電界に基づく無用な電気光学的効果により屈折
率が変化して、導波路光デバイスの動作点が変動してし
まい、その動作特性（例えばスイッチング特性）に大き
な悪影響を与えてしまう。
【０００４】従って、従来はこの温度変化に伴う特性変
動を防止するため、光導波路の構成及び電極の構成等を
温度変化に鈍感な構成としている場合が多い。
動を防止するため、光導波路の構成及び電極の構成等を
温度変化に鈍感な構成としている場合が多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように温度変化に鈍感な構成としたのでは、素子構造が
限定される上に、温度変化による動作特性の変動を充分
には防止できないという問題があった。
ように温度変化に鈍感な構成としたのでは、素子構造が
限定される上に、温度変化による動作特性の変動を充分
には防止できないという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、焦電効果により基板表面
に発生する分極電荷が動作特性に悪影響を与えることを
充分に防止可能な導波路光デバイスの製造方法を提供す
ることにある。
に発生する分極電荷が動作特性に悪影響を与えることを
充分に防止可能な導波路光デバイスの製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、焦電効果を有する基板上に光導波路を作成した後、
該光導波路を含む基板上面に該光導波路よりも屈折率の
低い透明なバッファ層を作成し、しかる後に該バッファ
層上に複数の電極を作成し、更に、前記基板に生じる分
極による電荷に対応して逆電荷を供給できると共に電極
間の実質的な導通を阻止する抵抗値を有する膜体を、前
記電極上面から前記基板上面を全面覆う形でコーティン
グするようにしたものである。
は、焦電効果を有する基板上に光導波路を作成した後、
該光導波路を含む基板上面に該光導波路よりも屈折率の
低い透明なバッファ層を作成し、しかる後に該バッファ
層上に複数の電極を作成し、更に、前記基板に生じる分
極による電荷に対応して逆電荷を供給できると共に電極
間の実質的な導通を阻止する抵抗値を有する膜体を、前
記電極上面から前記基板上面を全面覆う形でコーティン
グするようにしたものである。
【０００８】請求項２に記載の発明は、焦電効果を有す
る基板上に光導波路を作成した後、該光導波路を含む基
板上面に該光導波路よりも屈折率の低い透明なバッファ
層を作成し、しかる後に該透明なバッファ層上に、後に
形成する複数の電極の電極間の実質的な導通を阻止する
抵抗値で前記基板に生じる分極による電荷に対応して逆
電荷を供給できる抵抗値の膜体をコーティングし、更
に、該膜体上に該複数の電極を作成するようにしたもの
である。
る基板上に光導波路を作成した後、該光導波路を含む基
板上面に該光導波路よりも屈折率の低い透明なバッファ
層を作成し、しかる後に該透明なバッファ層上に、後に
形成する複数の電極の電極間の実質的な導通を阻止する
抵抗値で前記基板に生じる分極による電荷に対応して逆
電荷を供給できる抵抗値の膜体をコーティングし、更
に、該膜体上に該複数の電極を作成するようにしたもの
である。
【０００９】
【作用】本発明の製造方法によれば、基板上に少なくと
も電極間であって電極の設けられていない部分に、これ
ら電極に共に接触するような独自の膜体（この膜体は、
基板に生じる分極による電荷に対応して逆電荷を供給で
きると共に電極間の実質的の導通を阻止する抵抗値を有
している）を備えた構成が得られる。このような構成で
あれば、たとえ焦電効果によって基板表面に分極電荷が
発生したとしても、電極のない電極間に上記膜体が存在
することから、電極のある電極部分と電極のない電極間
部分（ここには膜体がある）のどちらにも上記分極電荷
に対応した逆電荷が均一に供給され、その結果、分極電
荷の影響が電極部分と電極間部分とで均質化されて、従
来のような無用の電界は発生せず、よって、温度変化に
対して極めて安定した動作特性のデバイスが得られる。
も電極間であって電極の設けられていない部分に、これ
ら電極に共に接触するような独自の膜体（この膜体は、
基板に生じる分極による電荷に対応して逆電荷を供給で
きると共に電極間の実質的の導通を阻止する抵抗値を有
している）を備えた構成が得られる。このような構成で
あれば、たとえ焦電効果によって基板表面に分極電荷が
発生したとしても、電極のない電極間に上記膜体が存在
することから、電極のある電極部分と電極のない電極間
部分（ここには膜体がある）のどちらにも上記分極電荷
に対応した逆電荷が均一に供給され、その結果、分極電
荷の影響が電極部分と電極間部分とで均質化されて、従
来のような無用の電界は発生せず、よって、温度変化に
対して極めて安定した動作特性のデバイスが得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１（ａ）は、本発明の第１実施例
の製造方法によって得られた導波路光デバイスの断面図
である。この導波路光デバイスは、後述の本実施例の特
徴点を除き、図４に示した光スイッチング素子と同様な
基本構造を有している。
しながら説明する。図１（ａ）は、本発明の第１実施例
の製造方法によって得られた導波路光デバイスの断面図
である。この導波路光デバイスは、後述の本実施例の特
徴点を除き、図４に示した光スイッチング素子と同様な
基本構造を有している。
【００１１】本実施例では、まず、焦電効果を有する基
板の一例としてＺ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１に、Ｔ
ｉ拡散層２を所定のパターンに形成して、このＴｉ拡散
層２をその周囲よりも屈折率の高い光導波路とする。図
４の例では、２本の直線導波路が交差したパターンとな
っている。その後、その上面に、Ｔｉ拡散層（光導波
路）２よりも低屈折率の透明絶縁膜であるＳｉＯ2 から
なるバッファ層３を例えば２０００Å程度の厚さに一様
に形成してから、更にその上面に例えば厚さ３０００Å
程度のＡｌからなる複数の電極４を所定のパターンに形
成する。図４の例では、２本のＴｉ拡散層（光導波路）
２の交差部の真上に１つの電極４が配置され、この電極
４を両側から挟む形で他の電極４が所定距離隔てて配置
されており、中央の電極４とその両側の電極４との間に
所定電圧を印加可能に構成されている。
板の一例としてＺ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１に、Ｔ
ｉ拡散層２を所定のパターンに形成して、このＴｉ拡散
層２をその周囲よりも屈折率の高い光導波路とする。図
４の例では、２本の直線導波路が交差したパターンとな
っている。その後、その上面に、Ｔｉ拡散層（光導波
路）２よりも低屈折率の透明絶縁膜であるＳｉＯ2 から
なるバッファ層３を例えば２０００Å程度の厚さに一様
に形成してから、更にその上面に例えば厚さ３０００Å
程度のＡｌからなる複数の電極４を所定のパターンに形
成する。図４の例では、２本のＴｉ拡散層（光導波路）
２の交差部の真上に１つの電極４が配置され、この電極
４を両側から挟む形で他の電極４が所定距離隔てて配置
されており、中央の電極４とその両側の電極４との間に
所定電圧を印加可能に構成されている。
【００１２】更に、本実施例では、電極４上面からバッ
ファ層３上面を介し基板１上の全面を覆う形で、例えば
厚さ１０００Å程度のＩＴＯ膜からなる所定の膜体６を
スパッタリング等によりコーティングする。この膜体６
の抵抗値は、基板１に生じる分極による電荷に対応して
逆電荷を供給できる範囲内であって、かつ、電極４、４
間の実質的な導通を阻止しうる範囲内に設定されてい
る。例えば、隣接する電極４、４間のギャップを５μ
ｍ、電極４の長さ（図１の紙面に対し垂直な方向の長
さ）を１０ｍｍ、膜体６の厚さを上記の通り１０００Å
とすると、電極４、４間に存在する膜体６の抵抗は例え
ば１０〜１０10Ωに設定される。
ファ層３上面を介し基板１上の全面を覆う形で、例えば
厚さ１０００Å程度のＩＴＯ膜からなる所定の膜体６を
スパッタリング等によりコーティングする。この膜体６
の抵抗値は、基板１に生じる分極による電荷に対応して
逆電荷を供給できる範囲内であって、かつ、電極４、４
間の実質的な導通を阻止しうる範囲内に設定されてい
る。例えば、隣接する電極４、４間のギャップを５μ
ｍ、電極４の長さ（図１の紙面に対し垂直な方向の長
さ）を１０ｍｍ、膜体６の厚さを上記の通り１０００Å
とすると、電極４、４間に存在する膜体６の抵抗は例え
ば１０〜１０10Ωに設定される。
【００１３】このようにして本実施例によって作成され
た図１の導波路光デバイスは、バッファ層３上に電極
４、４間であって電極４の設けられていない部分（電極
間部分）に、これら電極４、４に共に接触する所定抵抗
値の膜体６を備えることになる。このような構成のデバ
イスによれば、隣接する電極４，４間の抵抗を、従来の
１０13Ω以上から、上述のように１０〜１０10Ωにまで
下げることが可能となる。その結果、図１（ｂ）に示す
ように、たとえデバイスの温度が上昇し、基板１表面に
焦電効果によって分極電荷（図では＋電荷）が発生した
としても、電極４、４間に上記膜体６が存在することか
ら、各電極４と電極４、４間の膜体６のどちらにも、基
板１に生じた上記分極電荷に対応した逆電荷（図では−
電荷）が均一に供給される。そのため、分極電荷の影響
が電極部分と電極間部分とで均質化されて、従来のよう
な無用の電界（図５（ｂ）に示した電界５）の発生を防
止でき、その結果、温度変化に対し極めて安定した動作
特性を持つ導波路光デバイスを実現できる。
た図１の導波路光デバイスは、バッファ層３上に電極
４、４間であって電極４の設けられていない部分（電極
間部分）に、これら電極４、４に共に接触する所定抵抗
値の膜体６を備えることになる。このような構成のデバ
イスによれば、隣接する電極４，４間の抵抗を、従来の
１０13Ω以上から、上述のように１０〜１０10Ωにまで
下げることが可能となる。その結果、図１（ｂ）に示す
ように、たとえデバイスの温度が上昇し、基板１表面に
焦電効果によって分極電荷（図では＋電荷）が発生した
としても、電極４、４間に上記膜体６が存在することか
ら、各電極４と電極４、４間の膜体６のどちらにも、基
板１に生じた上記分極電荷に対応した逆電荷（図では−
電荷）が均一に供給される。そのため、分極電荷の影響
が電極部分と電極間部分とで均質化されて、従来のよう
な無用の電界（図５（ｂ）に示した電界５）の発生を防
止でき、その結果、温度変化に対し極めて安定した動作
特性を持つ導波路光デバイスを実現できる。
【００１４】図２は、本発明の第２実施例の製造方法に
よって得られた導波路光デバイスの断面図である。この
導波路光デバイスも、後述の本実施例の特徴点を除き、
図４に示した光スイッチング素子と同様な基本構造を有
している。
よって得られた導波路光デバイスの断面図である。この
導波路光デバイスも、後述の本実施例の特徴点を除き、
図４に示した光スイッチング素子と同様な基本構造を有
している。
【００１５】本実施例では、まず前記第１実施例と同様
にして、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１に光導波路と
してのＴｉ拡散層２を形成し、その上面にＳｉＯ2 から
なるバッファ層３を一様に形成する。その後、電極を形
成する前に、バッファ層３の全面を覆う形で、厚さ１０
００Å程度のＩＴＯ膜からなる所定の膜体７をスパッタ
リング等によりコーティングする。この膜体７の抵抗値
も、前記第１実施例で用いた膜体６と同様、基板１に生
じる分極による電荷に対応して逆電荷を供給できる範囲
内であって、かつ、電極４、４間の実質的な導通を阻止
しうる範囲内に設定されている。そして最後に、膜体７
の上面に、Ａｌからなる複数の電極４を前記第１実施例
と同様に形成する。
にして、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１に光導波路と
してのＴｉ拡散層２を形成し、その上面にＳｉＯ2 から
なるバッファ層３を一様に形成する。その後、電極を形
成する前に、バッファ層３の全面を覆う形で、厚さ１０
００Å程度のＩＴＯ膜からなる所定の膜体７をスパッタ
リング等によりコーティングする。この膜体７の抵抗値
も、前記第１実施例で用いた膜体６と同様、基板１に生
じる分極による電荷に対応して逆電荷を供給できる範囲
内であって、かつ、電極４、４間の実質的な導通を阻止
しうる範囲内に設定されている。そして最後に、膜体７
の上面に、Ａｌからなる複数の電極４を前記第１実施例
と同様に形成する。
【００１６】このようにして本実施例によって作成され
た図２の導波路光デバイスは、バッファ層３上の電極
４、４間であって電極４の設けられていない部分（電極
間部分）だけでなく、各電極４の直下にも、これら電極
４、４に共に接触する所定抵抗値の膜体７を備えること
になる。このような構成のデバイスによれば、たとえデ
バイスの温度が上昇し、基板１表面に焦電効果によって
分極電荷が発生したとしても、電極４直下及び電極４、
４間に上記膜体７が一様に存在することから、この膜体
７には、基板１に生じた上記分極電荷に対応した逆電荷
が前記第１実施例の場合よりも一層均一に供給される。
そのため、分極電荷の影響が電極部分と電極間部分とで
一段と均質化されて、無用の電界の発生をより有効に防
止でき、その結果、温度変化に対し著しく安定した動作
特性を持つ導波路光デバイスを実現できる。
た図２の導波路光デバイスは、バッファ層３上の電極
４、４間であって電極４の設けられていない部分（電極
間部分）だけでなく、各電極４の直下にも、これら電極
４、４に共に接触する所定抵抗値の膜体７を備えること
になる。このような構成のデバイスによれば、たとえデ
バイスの温度が上昇し、基板１表面に焦電効果によって
分極電荷が発生したとしても、電極４直下及び電極４、
４間に上記膜体７が一様に存在することから、この膜体
７には、基板１に生じた上記分極電荷に対応した逆電荷
が前記第１実施例の場合よりも一層均一に供給される。
そのため、分極電荷の影響が電極部分と電極間部分とで
一段と均質化されて、無用の電界の発生をより有効に防
止でき、その結果、温度変化に対し著しく安定した動作
特性を持つ導波路光デバイスを実現できる。
【００１７】図３は、本発明の実施例によって得られた
デバイスにおける温度変化と動作点変動との関係（図中
にＢで示す）を、従来のデバイスにおける同様な関係
（図中にＡで示す）と比較して示したものである。ＩＴ
Ｏ膜体６、７等を有さない従来のデバイスでは、特性Ａ
として示すように、温度変化に応じて動作点が大きく変
動することがわかる。これに対し、ＩＴＯ膜体６、７等
を備えたデバイスでは、特性Ｂとして示すように、温度
が変化しても動作点にはほとんど変動が見られないこと
がわかる。このように、本発明によれば、導波路光デバ
イスの温度特性を著しく改善することが可能となる。
デバイスにおける温度変化と動作点変動との関係（図中
にＢで示す）を、従来のデバイスにおける同様な関係
（図中にＡで示す）と比較して示したものである。ＩＴ
Ｏ膜体６、７等を有さない従来のデバイスでは、特性Ａ
として示すように、温度変化に応じて動作点が大きく変
動することがわかる。これに対し、ＩＴＯ膜体６、７等
を備えたデバイスでは、特性Ｂとして示すように、温度
が変化しても動作点にはほとんど変動が見られないこと
がわかる。このように、本発明によれば、導波路光デバ
イスの温度特性を著しく改善することが可能となる。
【００１８】なお、上記実施例では膜体６、７としてＩ
ＴＯ膜を用いたが、これに限定されるものではなく、基
板に生じる分極電荷に対応して逆電荷を供給できると共
に電極間の実質的な導通を阻止する抵抗値を有するもの
であれば、その他各種の材料を使用可能である。例え
ば、上記抵抗値の範囲内で、ＳｎＯ2 膜やＳｉ膜を使用
することもでき、或いは、ＳｉＯ2 膜に金属をドーピン
グした材料であってもよく、更には静電防止材を使用す
ることも可能である。
ＴＯ膜を用いたが、これに限定されるものではなく、基
板に生じる分極電荷に対応して逆電荷を供給できると共
に電極間の実質的な導通を阻止する抵抗値を有するもの
であれば、その他各種の材料を使用可能である。例え
ば、上記抵抗値の範囲内で、ＳｎＯ2 膜やＳｉ膜を使用
することもでき、或いは、ＳｉＯ2 膜に金属をドーピン
グした材料であってもよく、更には静電防止材を使用す
ることも可能である。
【００１９】また、基板もＺ板ＬｉＮｂＯ3 基板に限定
されるものではなく、焦電効果を有する結晶体からなる
基板であれば、その他の基板も採用可能である。バッフ
ァ層の材料も、光導波路よりも屈折率の低い透明な絶縁
膜であれば、各種のものを使用できる。電極材料もＡｌ
以外の様々な導電性材料を使用可能であり、また、光導
波路を形成する際の拡散物質もＴｉに限定されることは
ない。
されるものではなく、焦電効果を有する結晶体からなる
基板であれば、その他の基板も採用可能である。バッフ
ァ層の材料も、光導波路よりも屈折率の低い透明な絶縁
膜であれば、各種のものを使用できる。電極材料もＡｌ
以外の様々な導電性材料を使用可能であり、また、光導
波路を形成する際の拡散物質もＴｉに限定されることは
ない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、基板上の少なくとも電
極間に所定抵抗値の独自の膜体を備えた構成の導波路光
デバイスが得られるので、たとえ基板表面に焦電効果に
よって分極電荷が発生したとしても、電極部分と電極間
部分のどちらにも上記分極電荷に対応した逆電荷を供給
することができ、その結果、分極電荷の影響が全体的に
均質化されることになり、よって、温度変化に対しても
極めて安定した動作特性を持つ導波路光デバイスを実現
することができる。
極間に所定抵抗値の独自の膜体を備えた構成の導波路光
デバイスが得られるので、たとえ基板表面に焦電効果に
よって分極電荷が発生したとしても、電極部分と電極間
部分のどちらにも上記分極電荷に対応した逆電荷を供給
することができ、その結果、分極電荷の影響が全体的に
均質化されることになり、よって、温度変化に対しても
極めて安定した動作特性を持つ導波路光デバイスを実現
することができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１実施例の製造方法によっ
て得られた導波路光デバイスの断面図であり、（ｂ）は
昇温に伴ってデバイス内に生じる均一な電荷分布を示す
図である。
て得られた導波路光デバイスの断面図であり、（ｂ）は
昇温に伴ってデバイス内に生じる均一な電荷分布を示す
図である。
【図２】本発明の第２実施例の製造方法によって得られ
た導波路光デバイスの断面図である。
た導波路光デバイスの断面図である。
【図３】本発明の実施例によって得られたデバイスにお
ける温度変化と動作点変動との関係を、従来のデバイス
における同様な関係と比較して示す特性図である。
ける温度変化と動作点変動との関係を、従来のデバイス
における同様な関係と比較して示す特性図である。
【図４】従来の導波路光デバイス（ここには一例として
光スイッチング素子を示す）の斜視図である。
光スイッチング素子を示す）の斜視図である。
【図５】（ａ）は図４に示した従来の導波路光デバイス
のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は昇温に伴ってデバイス
内に生じる不均一な電荷分布を示す図である。
のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は昇温に伴ってデバイス
内に生じる不均一な電荷分布を示す図である。
１ 基板 ２ 拡散層（光導波路） ３ バッファ層 ４ 電極 ５ 電界 ６、７ 膜体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−69122（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−165122（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−240227（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−35476（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】 焦電効果を有する基板（１）上に光導波
路（２）を作成した後、該光導波路を含む基板上面に該
光導波路よりも屈折率の低い透明なバッファ層（３）を
作成し、しかる後に該バッファ層上に複数の電極（４）
を作成し、更に、前記基板に生じる分極による電荷に対
応して逆電荷を供給できると共に電極間の実質的な導通
を阻止する抵抗値を有する膜体（６）を、前記電極上面
から前記基板上面を全面覆う形でコーティングすること
を特徴とする導波路光デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 焦電効果を有する基板（１）上に光導波
路（２）を作成した後、該光導波路を含む基板上面に該
光導波路よりも屈折率の低い透明なバッファ層（３）を
作成し、しかる後に該透明なバッファ層上に、後に形成
する複数の電極の電極間の実質的な導通を阻止する抵抗
値で前記基板に生じる分極による電荷に対応して逆電荷
を供給できる抵抗値の膜体を前記基板上面を全面覆う形
でコーティングし、更に、該膜体上に該複数の電極
（４）を作成することを特徴とする導波路光デバイスの
製造方法。 - 【請求項３】 前記膜体はＩＴＯからなる透明導電膜で
あることを特徴とする請求項１又は２記載の導波路光デ
バイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記膜体はＳｎＯ2 の透明導電膜からな
ることを特徴とする請求項１又は２記載の導波路光デバ
イスの製造方法。 - 【請求項５】 前記膜体はＳｉからなることを特徴とす
る請求項１又は２記載の導波路光デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 前記膜体はＳｉＯ2 に金属をドーピング
した材料からなることを特徴とする請求項１又は２記載
の導波路光デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記膜体は静電防止材からなることを特
徴とする請求項１又は２記載の導波路光デバイスの製造
方法。 - 【請求項８】 前記基板はＬｉＮｂＯ3 からなることを
特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の導波
路光デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198721A JP2545701B2 (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 導波路光デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198721A JP2545701B2 (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 導波路光デバイスの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21402485A Division JPS6273207A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 導波路光デイバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140430A JPH07140430A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2545701B2 true JP2545701B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16395901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198721A Expired - Lifetime JP2545701B2 (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 導波路光デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545701B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149110A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Fujitsu Ltd | Elastic surface wave device |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6198721A patent/JP2545701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07140430A (ja) | 1995-06-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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