JPH10228032A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH10228032A JPH10228032A JP9031742A JP3174297A JPH10228032A JP H10228032 A JPH10228032 A JP H10228032A JP 9031742 A JP9031742 A JP 9031742A JP 3174297 A JP3174297 A JP 3174297A JP H10228032 A JPH10228032 A JP H10228032A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共通電極の低抵抗化を図ると共に光遮光部材
からの反射光を低減し、スイッチング特性の低下及び共
通電極の電圧変動を防止し、表示品位の向上を図る。 【解決手段】 遮光膜２４及び共通電極５０間に絶縁膜
４６を介在し、遮光膜２４における反射光を低減し光リ
ーク電流によるＴＦＴ２２の特性の低下を防止する一
方、遮光膜２４と共通電極５０の結合容量を増大すると
共に表示領域［Ａ］周辺部にて遮光膜２４及び共通電極
５０を電気的に接続し共通電極５０の抵抗値を低減し信
号線Ｘｉとのカップリングによる共通電極５０の電位変
動を防止し、クロストーク等による不均一な表示を抑え
る。
からの反射光を低減し、スイッチング特性の低下及び共
通電極の電圧変動を防止し、表示品位の向上を図る。 【解決手段】 遮光膜２４及び共通電極５０間に絶縁膜
４６を介在し、遮光膜２４における反射光を低減し光リ
ーク電流によるＴＦＴ２２の特性の低下を防止する一
方、遮光膜２４と共通電極５０の結合容量を増大すると
共に表示領域［Ａ］周辺部にて遮光膜２４及び共通電極
５０を電気的に接続し共通電極５０の抵抗値を低減し信
号線Ｘｉとのカップリングによる共通電極５０の電位変
動を防止し、クロストーク等による不均一な表示を抑え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス状に配
列された薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称する。）
を駆動素子として備えたアクティブマトリクス基板及び
対向基板との間に、液晶組成物を保持して成るアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関する。
列された薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称する。）
を駆動素子として備えたアクティブマトリクス基板及び
対向基板との間に、液晶組成物を保持して成るアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度且つ大容量でありながら高
機能更には高精細を得るアクティブマトリク型の液晶表
示装置の実用化が図られている。
機能更には高精細を得るアクティブマトリク型の液晶表
示装置の実用化が図られている。
【０００３】この様なアクティブマトリク型の液晶表示
装置のうち、ＴＦＴを制御素子として備えたアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置にあっては、従来図６に示
す第１の従来例の様な構造のものがある。
装置のうち、ＴＦＴを制御素子として備えたアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置にあっては、従来図６に示
す第１の従来例の様な構造のものがある。
【０００４】即ち、アクティブマトリクス基板１は、ゲ
ート電極２ａ、ゲート絶縁膜２ｂ、アモルファスシリコ
ン（以下ａ−Ｓｉと略称する。）層２ｃ、リン（Ｐ）を
ドープしたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２ｄ、チャネル保護膜２
ｅ、ソース電極２ｆ及びドレイン電極２ｇからなるＴＦ
Ｔ２及びＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（以下ＩＴ
Ｏと略称する。）からなる画素電極３を有するアレイ基
板４と、少なくともＴＦＴ２上方を被覆する所定のパタ
ーンを有する光遮蔽膜６及び着色層７並びに保護膜８を
介しこれ等の上面に形成されるＩＴＯからなる共通電極
１０を有する対向基板１１の間隙に液晶組成物１２を保
持してなっている。
ート電極２ａ、ゲート絶縁膜２ｂ、アモルファスシリコ
ン（以下ａ−Ｓｉと略称する。）層２ｃ、リン（Ｐ）を
ドープしたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２ｄ、チャネル保護膜２
ｅ、ソース電極２ｆ及びドレイン電極２ｇからなるＴＦ
Ｔ２及びＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（以下ＩＴ
Ｏと略称する。）からなる画素電極３を有するアレイ基
板４と、少なくともＴＦＴ２上方を被覆する所定のパタ
ーンを有する光遮蔽膜６及び着色層７並びに保護膜８を
介しこれ等の上面に形成されるＩＴＯからなる共通電極
１０を有する対向基板１１の間隙に液晶組成物１２を保
持してなっている。
【０００５】しかしながらこの様なアクティブマトリク
ス基板１にあっては、画面の大型化に伴いＩＴＯからな
る共通電極１０の抵抗値が大きくなり、時定数が増大
し、クロストーク等により表示品位が低下され所望の表
示を得られないという問題を生じていた。
ス基板１にあっては、画面の大型化に伴いＩＴＯからな
る共通電極１０の抵抗値が大きくなり、時定数が増大
し、クロストーク等により表示品位が低下され所望の表
示を得られないという問題を生じていた。
【０００６】このため、共通電極の抵抗値を低減し、ク
ロストークを低減する様、例えば特開昭６３−９２９２
３号公報に開示される様な技術が開発されている。即
ち、図７の第２の従来例に示すように、対向基板１３に
おいて、遮光膜１４を、ＩＴＯより低い抵抗値の金属材
料等の導電性材料から形成する一方、遮光膜１４上部の
着色層１６及び保護層１７の一部を除去し、共通電極１
８を遮光膜１４と接触し、遮光膜１４を介し共通電極１
８にバイアスを印加している。これにより、遮光膜１４
と一体の共通電極１８の抵抗値を低下し、クロストーク
等による不均一な表示を抑えている。
ロストークを低減する様、例えば特開昭６３−９２９２
３号公報に開示される様な技術が開発されている。即
ち、図７の第２の従来例に示すように、対向基板１３に
おいて、遮光膜１４を、ＩＴＯより低い抵抗値の金属材
料等の導電性材料から形成する一方、遮光膜１４上部の
着色層１６及び保護層１７の一部を除去し、共通電極１
８を遮光膜１４と接触し、遮光膜１４を介し共通電極１
８にバイアスを印加している。これにより、遮光膜１４
と一体の共通電極１８の抵抗値を低下し、クロストーク
等による不均一な表示を抑えている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの様に
共通電極の抵抗値低減のために遮光膜と共通電極とを直
接接触させる構造にあっては、遮光膜と共通電極との界
面における光の反射率が高い事から、アレイ基板側から
入射した光がこの界面で反射されＴＦＴに照射されてし
まい、ＴＦＴにリーク電流を生じ、スイッチング特性が
劣化され表示品位が低下されるという新たな問題を生じ
ていた。
共通電極の抵抗値低減のために遮光膜と共通電極とを直
接接触させる構造にあっては、遮光膜と共通電極との界
面における光の反射率が高い事から、アレイ基板側から
入射した光がこの界面で反射されＴＦＴに照射されてし
まい、ＴＦＴにリーク電流を生じ、スイッチング特性が
劣化され表示品位が低下されるという新たな問題を生じ
ていた。
【０００８】しかも、従来の構造にあっては、ＴＦＴに
画像情報を入力する信号線と共通電極との間に生じるカ
ップリングにより共通電極の電位が変動し、クロストー
ク等による表示不良を発生するという問題も有してい
た。
画像情報を入力する信号線と共通電極との間に生じるカ
ップリングにより共通電極の電位が変動し、クロストー
ク等による表示不良を発生するという問題も有してい
た。
【０００９】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、ＴＦＴを駆動素子とするアクティブマトリクス基板
において、クロストーク等による表示不良解消のため共
通電極の抵抗値低減を図るにもかかわらず、ＴＦＴのス
イッチング機能を劣化する事なく、さらには信号線との
カップリングによる共通電極の電圧変動も抑える事によ
り表示不良を防止し、表示品位の高いアクテイブマトリ
クス型液晶表示装置を提供する事を目的とする。
で、ＴＦＴを駆動素子とするアクティブマトリクス基板
において、クロストーク等による表示不良解消のため共
通電極の抵抗値低減を図るにもかかわらず、ＴＦＴのス
イッチング機能を劣化する事なく、さらには信号線との
カップリングによる共通電極の電圧変動も抑える事によ
り表示不良を防止し、表示品位の高いアクテイブマトリ
クス型液晶表示装置を提供する事を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為の手段として、走査線及びこの走査線と交差する
よう配線される信号線との交点に配列されるスイッチン
グ素子に接続されマトリクス状に配置される画素電極か
らなる画素を有するアレイ基板と、少なくとも前記スイ
ッチング素子上方を被覆する導電性の遮光部材及び共通
電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置され
る対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封
入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、前記共通電極及び前記遮光部
材が、前記アレイ基板のアクティブ領域内においては絶
縁部材を介して積層し、前記アクティブ領域周辺部にお
いては電気的に接続するものである。
する為の手段として、走査線及びこの走査線と交差する
よう配線される信号線との交点に配列されるスイッチン
グ素子に接続されマトリクス状に配置される画素電極か
らなる画素を有するアレイ基板と、少なくとも前記スイ
ッチング素子上方を被覆する導電性の遮光部材及び共通
電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置され
る対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封
入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、前記共通電極及び前記遮光部
材が、前記アレイ基板のアクティブ領域内においては絶
縁部材を介して積層し、前記アクティブ領域周辺部にお
いては電気的に接続するものである。
【００１１】又本発明は上記課題を解決するための手段
として、走査線及びこの走査線と交差するよう配線され
る信号線との交点に配列されるスイッチング素子に接続
されマトリクス状に配置される画素電極からなる画素を
有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少なくと
も前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の遮光部
材及び、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光部材上面に
て保護膜を介し前記マトリクス状に配置される画素電極
に共通に形成される共通電極を有し前記アレイ基板に間
隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記アレイ基板
及び前記対向基板間に封入される液晶組成物とを具備す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記
アレイ基板のアクティブ領域内において前記絶縁部材を
介し前記遮光部材上方に形成される前記保護膜の一部を
除去することにより、前記遮光部材及び前記共通電極が
前記絶縁部材を介し容量を形成して結合し、前記アレイ
基板のアクティブ領域周辺においては前記遮光部材上方
に形成される前記保護膜及び前記絶縁部材の一部を除去
することにより、前記遮光部材及び前記共通電極が電気
的に接続するものである。
として、走査線及びこの走査線と交差するよう配線され
る信号線との交点に配列されるスイッチング素子に接続
されマトリクス状に配置される画素電極からなる画素を
有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少なくと
も前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の遮光部
材及び、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光部材上面に
て保護膜を介し前記マトリクス状に配置される画素電極
に共通に形成される共通電極を有し前記アレイ基板に間
隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記アレイ基板
及び前記対向基板間に封入される液晶組成物とを具備す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記
アレイ基板のアクティブ領域内において前記絶縁部材を
介し前記遮光部材上方に形成される前記保護膜の一部を
除去することにより、前記遮光部材及び前記共通電極が
前記絶縁部材を介し容量を形成して結合し、前記アレイ
基板のアクティブ領域周辺においては前記遮光部材上方
に形成される前記保護膜及び前記絶縁部材の一部を除去
することにより、前記遮光部材及び前記共通電極が電気
的に接続するものである。
【００１２】又本発明は上記課題を解決するための手段
として、走査線及びこの走査線と交差するよう配線され
る信号線との交点に配列されるスイッチング素子に接続
されマトリクス状に配置される画素電極からなる画素を
有するアレイ基板と、少なくとも前記スイッチング素子
上方を被覆する導電性の遮光部材及び、前記画素電極に
対応する位置に設けられる着色部材並びに、共通電極を
有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置される対向
基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封入され
る液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記共通電極及び前記遮光部材が、
前記アレイ基板の表示領域内においては絶縁部材を介し
て積層し、前記表示領域周辺部においては電気的に接続
するものである。
として、走査線及びこの走査線と交差するよう配線され
る信号線との交点に配列されるスイッチング素子に接続
されマトリクス状に配置される画素電極からなる画素を
有するアレイ基板と、少なくとも前記スイッチング素子
上方を被覆する導電性の遮光部材及び、前記画素電極に
対応する位置に設けられる着色部材並びに、共通電極を
有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置される対向
基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封入され
る液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記共通電極及び前記遮光部材が、
前記アレイ基板の表示領域内においては絶縁部材を介し
て積層し、前記表示領域周辺部においては電気的に接続
するものである。
【００１３】又本発明は上記課題を解決するための手段
として、走査線及びこの走査線と交差するよう配線され
る信号線との交点に配列されるスイッチング素子に接続
されマトリクス状に配置される画素電極からなる画素を
有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少なくと
も前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の遮光部
材及び、前記画素電極に対応する位置に設けられる着色
部材並びに、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光部材上
面にて保護膜を介し前記画素電極に対応して形成される
共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置
される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間
に封入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、前記アレイ基板のアクテ
ィブ領域内において前記絶縁部材を介し前記遮光部材上
方に形成される前記保護膜の一部を除去することによ
り、前記遮光部材及び前記共通電極が前記絶縁部材を介
し容量を形成して結合し、前記アレイ基板のアクティブ
領域周辺においては前記遮光部材上方に形成される前記
保護膜及び前記絶縁部材の一部を除去することにより前
記遮光部材及び前記共通電極が電気的に接続するもので
ある。
として、走査線及びこの走査線と交差するよう配線され
る信号線との交点に配列されるスイッチング素子に接続
されマトリクス状に配置される画素電極からなる画素を
有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少なくと
も前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の遮光部
材及び、前記画素電極に対応する位置に設けられる着色
部材並びに、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光部材上
面にて保護膜を介し前記画素電極に対応して形成される
共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置
される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間
に封入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、前記アレイ基板のアクテ
ィブ領域内において前記絶縁部材を介し前記遮光部材上
方に形成される前記保護膜の一部を除去することによ
り、前記遮光部材及び前記共通電極が前記絶縁部材を介
し容量を形成して結合し、前記アレイ基板のアクティブ
領域周辺においては前記遮光部材上方に形成される前記
保護膜及び前記絶縁部材の一部を除去することにより前
記遮光部材及び前記共通電極が電気的に接続するもので
ある。
【００１４】そしてこの様な構成により本発明は、遮光
部材及び共通電極間に絶縁部材を介在し、アレイ基板側
から入射された光を絶縁部材にて散乱させる事により、
遮光部材表面からの反射光によるＴＦＴの光リーク電流
を低減すると共に、アクティブ領域周辺部にて共通電極
及び遮光部材を導通し共通電極の抵抗値の低減による共
通電極の時定数を低減によりクロストークを抑えると共
に、絶縁部材を介する事により共通電極と遮光部材の結
合容量を増大し、信号線と共通電極間のカップリングに
よる共通電極の電位変動を低減し、クロストーク等によ
る表示不良の発生を防止し、表示品位の向上を図るもの
である。
部材及び共通電極間に絶縁部材を介在し、アレイ基板側
から入射された光を絶縁部材にて散乱させる事により、
遮光部材表面からの反射光によるＴＦＴの光リーク電流
を低減すると共に、アクティブ領域周辺部にて共通電極
及び遮光部材を導通し共通電極の抵抗値の低減による共
通電極の時定数を低減によりクロストークを抑えると共
に、絶縁部材を介する事により共通電極と遮光部材の結
合容量を増大し、信号線と共通電極間のカップリングに
よる共通電極の電位変動を低減し、クロストーク等によ
る表示不良の発生を防止し、表示品位の向上を図るもの
である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１乃至図４を参照して説明する。２０は、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置であり、マトリクス状に
配列されるＩＴＯからなる画素電極２１のスイッチング
素子としてＴＦＴ２２を用いるアレイ基板２３及び、遮
光部材である所定のパターンを有する遮光膜２４が形成
され、画素電極２１やＴＦＴ２２の位置に合わせてスト
ライプ状又はマトリクス状に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の着色層２６が形成された上にＩＴＯからなる共
通電極を有する対向基板２７の間に、液晶組成物２８を
挾持してなっている。
を図１乃至図４を参照して説明する。２０は、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置であり、マトリクス状に
配列されるＩＴＯからなる画素電極２１のスイッチング
素子としてＴＦＴ２２を用いるアレイ基板２３及び、遮
光部材である所定のパターンを有する遮光膜２４が形成
され、画素電極２１やＴＦＴ２２の位置に合わせてスト
ライプ状又はマトリクス状に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の着色層２６が形成された上にＩＴＯからなる共
通電極を有する対向基板２７の間に、液晶組成物２８を
挾持してなっている。
【００１６】ここでアレイ基板２３は、透明なガラスか
らなる絶縁基板３０上に、タンタル（Ｔａ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、等の金属材料をスパッタ
リング法で堆積して成り、走査信号を供給する走査線Ｙ
ｊ（ｊ＝１，２，３，…）と一体的に形成されるゲート
電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなるゲ
ート絶縁膜３２をプラズマＣＶＤ法等により被覆し、こ
のゲート絶縁膜３２を介したゲート電極３１上方には、
ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ層３３及び、チャネル保護膜３
４を介し、良好なオーミックコンタクトを得るためリン
（Ｐ）イオンをドーピングして成るｎ+ 型ａ−Ｓｉ層か
らなるソース領域３６、ドレイン領域３７をパターン形
成し、ソース領域３６上には画素電極２１に接続される
ソース電極３８を形成し、ドレイン領域３７上には表示
信号を供給する信号線Ｘｉ（ｉ＝１，２，３，…）と一
体のドレイン電極４０からなるＴＦＴ２２を形成してい
る。更に画素電極２１及びＴＦＴ２２上面を、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）等からなる保護膜４１にて被覆してい
る。
らなる絶縁基板３０上に、タンタル（Ｔａ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、等の金属材料をスパッタ
リング法で堆積して成り、走査信号を供給する走査線Ｙ
ｊ（ｊ＝１，２，３，…）と一体的に形成されるゲート
電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなるゲ
ート絶縁膜３２をプラズマＣＶＤ法等により被覆し、こ
のゲート絶縁膜３２を介したゲート電極３１上方には、
ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ層３３及び、チャネル保護膜３
４を介し、良好なオーミックコンタクトを得るためリン
（Ｐ）イオンをドーピングして成るｎ+ 型ａ−Ｓｉ層か
らなるソース領域３６、ドレイン領域３７をパターン形
成し、ソース領域３６上には画素電極２１に接続される
ソース電極３８を形成し、ドレイン領域３７上には表示
信号を供給する信号線Ｘｉ（ｉ＝１，２，３，…）と一
体のドレイン電極４０からなるＴＦＴ２２を形成してい
る。更に画素電極２１及びＴＦＴ２２上面を、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）等からなる保護膜４１にて被覆してい
る。
【００１７】一方対向基板２７は、透明なガラスからな
る絶縁基板４２上にモリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）等の金属をスパッタリング法で堆
積し、この後、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り図１に示す様にブラックマトリクス状の遮光膜２４を
パターン形成し、次に陽極酸化等の方法で遮光膜２４表
面を酸化して絶縁膜４６を形成する。更にアクティブ領
域周辺部である対向基板２７上の表示領域［Ａ］の周辺
部においては、遮光膜２４上の絶縁膜４６を除去した
後、画素電極２１に対応する位置に、電着法等により、
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層２６を形成し、
スルーホール４８位置における着色層２６を除去した上
面に酸化シリコンからなる保護膜４７を堆積する。
る絶縁基板４２上にモリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）等の金属をスパッタリング法で堆
積し、この後、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り図１に示す様にブラックマトリクス状の遮光膜２４を
パターン形成し、次に陽極酸化等の方法で遮光膜２４表
面を酸化して絶縁膜４６を形成する。更にアクティブ領
域周辺部である対向基板２７上の表示領域［Ａ］の周辺
部においては、遮光膜２４上の絶縁膜４６を除去した
後、画素電極２１に対応する位置に、電着法等により、
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層２６を形成し、
スルーホール４８位置における着色層２６を除去した上
面に酸化シリコンからなる保護膜４７を堆積する。
【００１８】この後、遮光膜２４上面の保護膜４７をエ
ッチング等により除去してスルーホール４８を形成した
後、画素電極２１に対向するＩＴＯからなる共通電極５
０を成膜し、更に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる保
護膜５１を被覆する。これにより、表示領域［Ａ］にあ
っては、スルーホール４８において共通電極５０及び遮
光膜２４の間に絶縁膜４６が介在される一方、表示領域
［Ａ］の周辺部では共通電極５０及び遮光膜２４は直接
接触され電気的に導通される。更に共通電極５０は、表
示領域［Ａ］周辺部にて、有機導電材料６０と共通電極
電圧給電用電極であるパッド６１を介して交流電源（図
示せず）に接続されている。
ッチング等により除去してスルーホール４８を形成した
後、画素電極２１に対向するＩＴＯからなる共通電極５
０を成膜し、更に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる保
護膜５１を被覆する。これにより、表示領域［Ａ］にあ
っては、スルーホール４８において共通電極５０及び遮
光膜２４の間に絶縁膜４６が介在される一方、表示領域
［Ａ］の周辺部では共通電極５０及び遮光膜２４は直接
接触され電気的に導通される。更に共通電極５０は、表
示領域［Ａ］周辺部にて、有機導電材料６０と共通電極
電圧給電用電極であるパッド６１を介して交流電源（図
示せず）に接続されている。
【００１９】このようにして成るアレイ基板２３及び対
向基板２７の画素電極２１側及び共通電極５０側全面に
ポリイミドからなる配向膜５３、５４を印刷塗布し、ラ
ビング処理をした後、両基板２３、２７を対向して組み
立て、セル化し、その間隙に液晶組成物２８を注入し封
止する。そして両基板２３、２７の絶縁基板３０、４２
側に偏光板５７、５８を取着して液晶表示装置２０とす
る。
向基板２７の画素電極２１側及び共通電極５０側全面に
ポリイミドからなる配向膜５３、５４を印刷塗布し、ラ
ビング処理をした後、両基板２３、２７を対向して組み
立て、セル化し、その間隙に液晶組成物２８を注入し封
止する。そして両基板２３、２７の絶縁基板３０、４２
側に偏光板５７、５８を取着して液晶表示装置２０とす
る。
【００２０】この液晶表示装置２０にあっては、アレイ
基板２３側から遮光膜２４に入射した光は、遮光膜２４
表面に形成される絶縁膜４６の表面で散乱されるので、
遮光膜２４からＴＦＴ２２に入射される表面反射光が低
減され、ＴＦＴ２２は光リーク電流の発生を低減でき
る。これと共に、共通電極５０は、表示領域［Ａ］の周
辺部において、抵抗値の低い金属材料からなる遮光膜２
４と導通され、従来に比し抵抗値が低減される事から、
時定数を低減できクロストークが抑えられる。
基板２３側から遮光膜２４に入射した光は、遮光膜２４
表面に形成される絶縁膜４６の表面で散乱されるので、
遮光膜２４からＴＦＴ２２に入射される表面反射光が低
減され、ＴＦＴ２２は光リーク電流の発生を低減でき
る。これと共に、共通電極５０は、表示領域［Ａ］の周
辺部において、抵抗値の低い金属材料からなる遮光膜２
４と導通され、従来に比し抵抗値が低減される事から、
時定数を低減できクロストークが抑えられる。
【００２１】一方、この液晶表示装置２０を等価回路で
示すと図４に示す様になり、画素電極２１は、ＴＦＴ２
２のソース電極３８に接続されており、ＴＦＴ２２のゲ
ート電極３１は走査線Ｙｊに接続され、ドレイン電極４
０は信号線Ｘｉに接続されている。更に液晶組成物２８
を挾持する画素電極２１及び共通電極５０間には容量Ｃ
lcが形成され、絶縁膜４６を介して共通電極５０及び遮
光膜２４との間には結合容量Ｃthが形成されている。
示すと図４に示す様になり、画素電極２１は、ＴＦＴ２
２のソース電極３８に接続されており、ＴＦＴ２２のゲ
ート電極３１は走査線Ｙｊに接続され、ドレイン電極４
０は信号線Ｘｉに接続されている。更に液晶組成物２８
を挾持する画素電極２１及び共通電極５０間には容量Ｃ
lcが形成され、絶縁膜４６を介して共通電極５０及び遮
光膜２４との間には結合容量Ｃthが形成されている。
【００２２】又表示領域［Ａ］にあっては、共通電極５
０は抵抗ＲITO(i,j)で繋がれており、遮光膜２４は抵抗
ＲBM(i,j) で繋がれる一方、表示領域［Ａ］の周辺部に
あっては、共通電極５０及び遮光膜２４は導通され、遮
光膜２４及び共通電極５０にはパッド６１及び有機導電
材料６０を介して交流電圧Ｖcom が印加される。
０は抵抗ＲITO(i,j)で繋がれており、遮光膜２４は抵抗
ＲBM(i,j) で繋がれる一方、表示領域［Ａ］の周辺部に
あっては、共通電極５０及び遮光膜２４は導通され、遮
光膜２４及び共通電極５０にはパッド６１及び有機導電
材料６０を介して交流電圧Ｖcom が印加される。
【００２３】この様な等価回路を有する液晶表示装置２
０においては、信号線Ｘｉと共通電極５０との間には寄
生容量が形成されており、信号線Ｘｉに入力される表示
信号の変化により共通電極５０の電位が変動するが、こ
の電位の変動を図４点線で示す領域［Ｂ］で見ると、各
画素電極２１の両隣の信号線Ｘｉに入力される表示信号
の変化に最も大きく影響される。即ち、信号線Ｘi+1 と
共通電極５０間の容量をＣsig1、信号線Ｘi+2 と共通電
極５０間の容量をＣsig2とすると、領域［Ｂ］の共通電
極５０の電位変動量ΔＶcom は数１のように表される。
０においては、信号線Ｘｉと共通電極５０との間には寄
生容量が形成されており、信号線Ｘｉに入力される表示
信号の変化により共通電極５０の電位が変動するが、こ
の電位の変動を図４点線で示す領域［Ｂ］で見ると、各
画素電極２１の両隣の信号線Ｘｉに入力される表示信号
の変化に最も大きく影響される。即ち、信号線Ｘi+1 と
共通電極５０間の容量をＣsig1、信号線Ｘi+2 と共通電
極５０間の容量をＣsig2とすると、領域［Ｂ］の共通電
極５０の電位変動量ΔＶcom は数１のように表される。
【００２４】
【数１】 この数１において、共通電極の電位変動量ΔＶcom は結
合容量Ｃthに依存しており、結合容量Ｃthが大きいほど
電位変動量ΔＶcom は小さくなるが、液晶表示装置２０
にあっては、遮光膜２４上の保護膜４７が除去され、絶
縁膜４６を介し低抵抗の遮光膜２４と共通電極５０とが
大きな容量で結合しており、共通電極５０に交流電圧Ｖ
com を印加した場合に、従来の共通電極のみに交流電圧
を印加した場合に比し、共通電極電位波形の歪みが小さ
くなる。尚、遮光膜２４と共通電極５０の結合容量を十
分大きくするに従い、信号線Ｘｉと共通電極５０間のカ
ップリングによる共通電極５０の電位変動はより小さく
成り、例えば、画素電極２１の大きさが１８０μｍ×６
０μｍ、スルーホール４８の面積が６５００μｍ2、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）の絶縁膜４６の膜厚が１５００
オングストローム、モリブデンタンタル（ＭｏＴａ）か
らなる遮光膜２４のシート抵抗１．２Ｑ／□、ＩＴＯか
らなる共通電極５０の抵抗率が１．５×１０-4Ωcm、膜
厚が１５００オングストロームとすると、共通電極電位
波形の歪みは従来と比べて約１／２に低減し、信号線Ｘ
ｉと共通電極５０間のカップリングによる共通電極５０
の電位変動量は約１／６に低減する。
合容量Ｃthに依存しており、結合容量Ｃthが大きいほど
電位変動量ΔＶcom は小さくなるが、液晶表示装置２０
にあっては、遮光膜２４上の保護膜４７が除去され、絶
縁膜４６を介し低抵抗の遮光膜２４と共通電極５０とが
大きな容量で結合しており、共通電極５０に交流電圧Ｖ
com を印加した場合に、従来の共通電極のみに交流電圧
を印加した場合に比し、共通電極電位波形の歪みが小さ
くなる。尚、遮光膜２４と共通電極５０の結合容量を十
分大きくするに従い、信号線Ｘｉと共通電極５０間のカ
ップリングによる共通電極５０の電位変動はより小さく
成り、例えば、画素電極２１の大きさが１８０μｍ×６
０μｍ、スルーホール４８の面積が６５００μｍ2、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）の絶縁膜４６の膜厚が１５００
オングストローム、モリブデンタンタル（ＭｏＴａ）か
らなる遮光膜２４のシート抵抗１．２Ｑ／□、ＩＴＯか
らなる共通電極５０の抵抗率が１．５×１０-4Ωcm、膜
厚が１５００オングストロームとすると、共通電極電位
波形の歪みは従来と比べて約１／２に低減し、信号線Ｘ
ｉと共通電極５０間のカップリングによる共通電極５０
の電位変動量は約１／６に低減する。
【００２５】この様に構成すれば、遮光膜２４上に絶縁
膜４６が形成される事から、アレイ基板２３側から入射
した光は遮光膜２４表面で散乱するため、ＴＦＴ２２に
入射される遮光膜２４表面からの反射光が低減され、Ｔ
ＦＴ２２における光リーク電流の発生を抑える事がで
き、ＴＦＴ２２のスイッチング特性を向上でき、表示品
位を向上できる。又、遮光膜２４がＩＴＯからなる共通
電極より抵抗の低い金属材料から形成されており、これ
と導通することにより共通電極５０の抵抗が低減される
事から、共通電極５０の時定数を低減でき、クロストー
ク等の防止により表示品位を向上できる。しかも保護膜
４７が除去されるスルーホール４８にて、共通電極５０
と遮光膜２４との間に絶縁膜４６を介在する事により共
通電極５０及び遮光膜２４間の結合容量を従来に比し増
大でき、ひいては信号線Ｘｉとのカップリングによる共
通電極５０の電位変動を低減できる事からもクロストー
ク等による表示不良の防止により表示品位を向上でき
る。
膜４６が形成される事から、アレイ基板２３側から入射
した光は遮光膜２４表面で散乱するため、ＴＦＴ２２に
入射される遮光膜２４表面からの反射光が低減され、Ｔ
ＦＴ２２における光リーク電流の発生を抑える事がで
き、ＴＦＴ２２のスイッチング特性を向上でき、表示品
位を向上できる。又、遮光膜２４がＩＴＯからなる共通
電極より抵抗の低い金属材料から形成されており、これ
と導通することにより共通電極５０の抵抗が低減される
事から、共通電極５０の時定数を低減でき、クロストー
ク等の防止により表示品位を向上できる。しかも保護膜
４７が除去されるスルーホール４８にて、共通電極５０
と遮光膜２４との間に絶縁膜４６を介在する事により共
通電極５０及び遮光膜２４間の結合容量を従来に比し増
大でき、ひいては信号線Ｘｉとのカップリングによる共
通電極５０の電位変動を低減できる事からもクロストー
ク等による表示不良の防止により表示品位を向上でき
る。
【００２６】次に本発明の第２の実施の形態を図５を参
照して説明する。尚本実施の形態は、第１の実施の形態
におけるスルーホールにおける保護膜の除去領域を拡大
し、遮光膜上にて共通電極が着色層及び保護膜とに段状
に接触する構造としたものであり、他は第１の実施の形
態と同一であることから同一部分については同一符号を
付しその説明を省略する。
照して説明する。尚本実施の形態は、第１の実施の形態
におけるスルーホールにおける保護膜の除去領域を拡大
し、遮光膜上にて共通電極が着色層及び保護膜とに段状
に接触する構造としたものであり、他は第１の実施の形
態と同一であることから同一部分については同一符号を
付しその説明を省略する。
【００２７】即ち、アレイ基板２３に対向される対向基
板６６を、絶縁基板４２上にパターン形成される遮光膜
２４表面を陽極酸化して絶縁膜４６を形成する一方、表
示領域［Ａ］の周辺部における遮光膜２４上の絶縁膜４
６を除去した後、着色層６７を形成し、その上面に保護
膜６８を堆積し、更にスルーホール７０を形成した後、
共通電極５０を成膜する際、着色層６７の除去領域に比
し保護膜６８の除去領域の広いスルーホール７０を形成
し、共通電極５０が遮光膜２４上で着色層６７及び保護
膜６８に段状に接触するようにしたものである。
板６６を、絶縁基板４２上にパターン形成される遮光膜
２４表面を陽極酸化して絶縁膜４６を形成する一方、表
示領域［Ａ］の周辺部における遮光膜２４上の絶縁膜４
６を除去した後、着色層６７を形成し、その上面に保護
膜６８を堆積し、更にスルーホール７０を形成した後、
共通電極５０を成膜する際、着色層６７の除去領域に比
し保護膜６８の除去領域の広いスルーホール７０を形成
し、共通電極５０が遮光膜２４上で着色層６７及び保護
膜６８に段状に接触するようにしたものである。
【００２８】この様に構成すれば、第１の実施の形態と
同様、光学的には遮光膜２４表面からＴＦＴ２２に入射
される反射光が低減され、光リーク電流の低減により表
示品位を向上できる。又、電気的には共通電極５０の抵
抗値の低下による時定数の低下によりクロストーク等に
よる表示不良を防止できると共に、スルーホール７０に
て、絶縁膜４６を介する事により共通電極５０と遮光膜
２４との結合容量を増大でき、信号線Ｘｉとのカップリ
ングによる共通電極５０の電位変動の低減により、クロ
ストーク等による表示不良を防止でき、表示品位を向上
できるという効果を得られる。更にスルーホール７０が
着色層６７上及び保護膜６８上にて段状に形成され、遮
光膜２４上に成膜される共通電極５０の傾斜が全体とし
て緩やかである事から、第１の実施の形態に比し、配向
膜５４をラビング処理する際、全面をより均一にラビン
グ処理でき、より良好な配光特性を得られる。
同様、光学的には遮光膜２４表面からＴＦＴ２２に入射
される反射光が低減され、光リーク電流の低減により表
示品位を向上できる。又、電気的には共通電極５０の抵
抗値の低下による時定数の低下によりクロストーク等に
よる表示不良を防止できると共に、スルーホール７０に
て、絶縁膜４６を介する事により共通電極５０と遮光膜
２４との結合容量を増大でき、信号線Ｘｉとのカップリ
ングによる共通電極５０の電位変動の低減により、クロ
ストーク等による表示不良を防止でき、表示品位を向上
できるという効果を得られる。更にスルーホール７０が
着色層６７上及び保護膜６８上にて段状に形成され、遮
光膜２４上に成膜される共通電極５０の傾斜が全体とし
て緩やかである事から、第１の実施の形態に比し、配向
膜５４をラビング処理する際、全面をより均一にラビン
グ処理でき、より良好な配光特性を得られる。
【００２９】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば共通電極及び光遮光部材間に介在される絶縁
部材の形成方法は、陽極酸化法に限られること無く、酸
化クロム（ＣｒＯ）、二酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ）、二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5）、四窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等をプラズマ
ＣＶＤ法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法等により形成
しても良い。又、スルーホールの大きさ等も任意である
し、共通電極と遮光部材間の結合容量の大きさも任意で
あるが結合容量を大きくするに従い、信号線とのカップ
リングによる共通電極の電位の変動はより小さくされ
る。
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば共通電極及び光遮光部材間に介在される絶縁
部材の形成方法は、陽極酸化法に限られること無く、酸
化クロム（ＣｒＯ）、二酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ）、二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5）、四窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等をプラズマ
ＣＶＤ法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法等により形成
しても良い。又、スルーホールの大きさ等も任意である
し、共通電極と遮光部材間の結合容量の大きさも任意で
あるが結合容量を大きくするに従い、信号線とのカップ
リングによる共通電極の電位の変動はより小さくされ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、共
通電極及び遮光部材の間に絶縁部材を介在させる事によ
り、絶縁部材表面にて入射光を散乱させ、遮光部材表面
での入射光の反射を防止でき、従来に比しスイッチング
素子に入射される遮光部材からの反射光を低減でき、光
リーク電流の低減によりスイッチング素子の特性向上を
図れより良好な表示品位を得られる。又、共通電極は、
周辺部にて抵抗値の低い光遮光部材に導通されその抵抗
値が低下され時定数が低減される事から、クロストーク
等による不均一な表示を防止できる。しかも、絶縁部材
を介する事により共通電極と遮光部材との結合容量が増
大される事から、信号線とのカップリングによる共通電
極の電位変動を低減でき、クロストーク等による不均一
な表示を防止できる事からも、良好な表示品位を得られ
る。
通電極及び遮光部材の間に絶縁部材を介在させる事によ
り、絶縁部材表面にて入射光を散乱させ、遮光部材表面
での入射光の反射を防止でき、従来に比しスイッチング
素子に入射される遮光部材からの反射光を低減でき、光
リーク電流の低減によりスイッチング素子の特性向上を
図れより良好な表示品位を得られる。又、共通電極は、
周辺部にて抵抗値の低い光遮光部材に導通されその抵抗
値が低下され時定数が低減される事から、クロストーク
等による不均一な表示を防止できる。しかも、絶縁部材
を介する事により共通電極と遮光部材との結合容量が増
大される事から、信号線とのカップリングによる共通電
極の電位変動を低減でき、クロストーク等による不均一
な表示を防止できる事からも、良好な表示品位を得られ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の対向基板を示す概
略説明図である。
略説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置を示
し、図１のＡ−Ａ´線に相当する位置における概略断面
図である。
し、図１のＡ−Ａ´線に相当する位置における概略断面
図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置を示
し、図１のＢ−Ｂ´線に相当する位置における概略断面
図である。
し、図１のＢ−Ｂ´線に相当する位置における概略断面
図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の構
成を示す一部等価回路図である。
成を示す一部等価回路図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置を示
し、図１のＡ−Ａ´線に相当する位置における概略断面
図である。
し、図１のＡ−Ａ´線に相当する位置における概略断面
図である。
【図６】第１の従来例の液晶表示装置を示す一部概略断
面図である。
面図である。
【図７】第２の従来例の液晶表示装置を示す一部概略断
面図である。
面図である。
２０…液晶表示装置 ２１…画素電極 ２２…ＴＦＴ ２３…アレイ基板 ２４…遮光膜 ２６…着色層 ２７…対向基板 ２８…液晶組成物 ４６…絶縁膜 ４７…保護膜 ４８…スルーホール ５０…共通電極 ５３、５４…配向膜 ６０…有機導電材料 ６１…パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北沢 倫子 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 飯塚 哲也 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 走査線及びこの走査線と交差するよう配
線される信号線との交点に配列されるスイッチング素子
に接続されマトリクス状に配置される画素電極からなる
画素を有するアレイ基板と、少なくとも前記スイッチン
グ素子上方を被覆する導電性の遮光部材及び共通電極を
有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置される対向
基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封入され
る液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、 前記共通電極及び前記遮光部材が、前記アレイ基板のア
クティブ領域内においては絶縁部材を介して積層し、前
記アクティブ領域周辺部においては電気的に接続する事
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 走査線及びこの走査線と交差するよう配
線される信号線との交点に配列されるスイッチング素子
に接続されマトリクス状に配置される画素電極からなる
画素を有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少
なくとも前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の
遮光部材及び、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光部材
上面にて保護膜を介し前記マトリクス状に配置される画
素電極に共通に形成される共通電極を有し前記アレイ基
板に間隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記アレ
イ基板及び前記対向基板間に封入される液晶組成物とを
具備するアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、 前記アレイ基板のアクティブ領域内において前記絶縁部
材を介し前記遮光部材上方に形成される前記保護膜の一
部を除去することにより、前記遮光部材及び前記共通電
極が前記絶縁部材を介し容量を形成して結合し、前記ア
レイ基板のアクティブ領域周辺においては前記遮光部材
上方に形成される前記保護膜及び前記絶縁部材の一部を
除去することにより、前記遮光部材及び前記共通電極が
電気的に接続する事を特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項３】 走査線及びこの走査線と交差するよう配
線される信号線との交点に配列されるスイッチング素子
に接続されマトリクス状に配置される画素電極からなる
画素を有するアレイ基板と、少なくとも前記スイッチン
グ素子上方を被覆する導電性の遮光部材及び、前記画素
電極に対応する位置に設けられる着色部材並びに、共通
電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置され
る対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封
入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、前記共通電極及び前記遮光部
材が、前記アレイ基板の表示領域内においては絶縁部材
を介して積層し、前記表示領域周辺部においては電気的
に接続する事を特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置。 - 【請求項４】 走査線及びこの走査線と交差するよう配
線される信号線との交点に配列されるスイッチング素子
に接続されマトリクス状に配置される画素電極からなる
画素を有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少
なくとも前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の
遮光部材及び、前記画素電極に対応する位置に設けられ
る着色部材並びに、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光
部材上面にて保護膜を介し前記画素電極に対応して形成
される共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対
向配置される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向
基板間に封入される液晶組成物とを具備するアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、 前記アレイ基板のアクティブ領域内において前記絶縁部
材を介し前記遮光部材上方に形成される前記保護膜の一
部を除去することにより、前記遮光部材及び前記共通電
極が前記絶縁部材を介し容量を形成して結合し、前記ア
レイ基板のアクティブ領域周辺においては前記遮光部材
上方に形成される前記保護膜及び前記絶縁部材の一部を
除去することにより前記遮光部材及び前記共通電極が電
気的に接続する事を特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置。 - 【請求項５】 走査線及びこの走査線と交差するよう配
線される信号線との交点に配列されるスイッチング素子
に接続されマトリクス状に配置される画素電極からなる
画素を有するアレイ基板と、絶縁部材により絶縁され少
なくとも前記スイッチング素子上方を被覆する導電性の
遮光部材及び、前記画素電極に対応する位置に設けられ
る着色部材並びに、前記絶縁部材に絶縁される前記遮光
部材上面にて保護膜を介し前記画素電極に対応して形成
される共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対
向配置される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向
基板間に封入される液晶組成物とを具備するアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、 前記アレイ基板のアクティブ領域内において前記絶縁部
材を介し前記遮光部材上方に形成される前記着色部材の
一部及び前記保護膜の一部を除去することにより、前記
遮光部材及び前記共通電極が前記絶縁部材を介し容量を
形成して結合し、前記アレイ基板のアクティブ領域周辺
においては前記遮光部材上方に形成される前記保護膜及
び前記絶縁部材の一部を除去することにより前記遮光部
材及び前記共通電極が電気的に接続する事を特徴とする
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】 遮光部材上方にて除去される着色部材の
領域が、前記遮光部材上方にて除去される保護膜の領域
よりも狭く、共通電極が前記遮光部材上方において前記
着色部材及び絶縁部材と接触する事を特徴とする請求項
５に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】 遮光部材が、画素電極の間隙上部を遮蔽
するブラックマトリクス状である事を特徴とする請求項
３乃至請求項６のいずれかに記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031742A JPH10228032A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031742A JPH10228032A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228032A true JPH10228032A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12339493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9031742A Abandoned JPH10228032A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10228032A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407418B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-06-18 | Nec Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same |
| KR100670056B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 광시야각 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법 |
| WO2015096202A1 (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板及其彩色滤光片基板 |
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