JP2562500B2 - ビデオ輪郭強調信号に対する雑音除去回路 - Google Patents
ビデオ輪郭強調信号に対する雑音除去回路Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビデオ信号処理装置に用いるための雑音除去
回路に関するもので特にビデオシステムにおいて映像入
力信号に対する輪郭信号の強調の際、共に増幅されるノ
イズ信号を自動的に除去することができるようにして、
信号対雑音比を向上させたビデオ輪郭強調信号に対する
雑音除去回路に関するものである。
回路に関するもので特にビデオシステムにおいて映像入
力信号に対する輪郭信号の強調の際、共に増幅されるノ
イズ信号を自動的に除去することができるようにして、
信号対雑音比を向上させたビデオ輪郭強調信号に対する
雑音除去回路に関するものである。
従来の技術とその問題点 一般的にビデオシステムにおいて入力された映像信号
に対する輪郭信号を強調する際に前記の輪郭信号は勿
論、それにつれた雑音信号もともに増幅されるため、前
記の輪郭信号のみを強調し、雑音信号を除去する必要が
ある。これに応じ従来はこのような雑音信号レベルを除
去するための一つの手段として第1A図に図示されたよう
な一対のダイオードD1及びD2を互いに正逆方向で並列接
続されたリミッター回路を輪郭強調回路の後段に接地し
たものが知られている。前記の回路はその特性図である
第1B図のようにカットイン電圧（またはThreshold Volt
age）VD1とVD2との間の雑音制限レベルａを利用するも
のである。しかし前記の従来方式は第1B図に図示される
ようにダイオードのカットイン電圧が固定レベルで限定
されているため輪郭信号及び雑音信号の大きさの変化に
よって雑音制限レベルを可変することができない。これ
によって雑音変化が大きい場合にも雑音制限レベルが前
記カットイン電圧VD1とVD2以下で限定され、効果的に雑
音除去可能を行うことができない。また米国特許第4571
548号には、所望の信号に同伴される干渉信号を制限す
るためバッファ増幅器，低減フィルター及び前記低減フ
ィルターの入力とハッファ増幅器の出力の間に逆方向で
並列接続された一対のダイオードで構成されるリミッタ
回路が記述されている。前記の特許では、電圧制限はリ
ミッター回路の一部を構成する一対のダイオードの順方
向電圧降下によってなる。しかし、前記の従来の技術に
おいて干渉信号の制限は一対のダイオードの順方向電圧
降下の範囲内で限定される欠点がある。本発明の主目的
はビデオシステムにおいて映像入力信号に対する輪郭信
号の強調の際に発生する雑音信号を自動的に除去し、S/
N比を向上させる上鮮明な画像信号を得ることができる
雑音除去回路を提供するにある。本発明のそのほかの目
的は入力信号に対する雑音を減らすことが望まれる別の
信号処理システムにも適用される雑音除去回路を提供す
るにある。
に対する輪郭信号を強調する際に前記の輪郭信号は勿
論、それにつれた雑音信号もともに増幅されるため、前
記の輪郭信号のみを強調し、雑音信号を除去する必要が
ある。これに応じ従来はこのような雑音信号レベルを除
去するための一つの手段として第1A図に図示されたよう
な一対のダイオードD1及びD2を互いに正逆方向で並列接
続されたリミッター回路を輪郭強調回路の後段に接地し
たものが知られている。前記の回路はその特性図である
第1B図のようにカットイン電圧（またはThreshold Volt
age）VD1とVD2との間の雑音制限レベルａを利用するも
のである。しかし前記の従来方式は第1B図に図示される
ようにダイオードのカットイン電圧が固定レベルで限定
されているため輪郭信号及び雑音信号の大きさの変化に
よって雑音制限レベルを可変することができない。これ
によって雑音変化が大きい場合にも雑音制限レベルが前
記カットイン電圧VD1とVD2以下で限定され、効果的に雑
音除去可能を行うことができない。また米国特許第4571
548号には、所望の信号に同伴される干渉信号を制限す
るためバッファ増幅器，低減フィルター及び前記低減フ
ィルターの入力とハッファ増幅器の出力の間に逆方向で
並列接続された一対のダイオードで構成されるリミッタ
回路が記述されている。前記の特許では、電圧制限はリ
ミッター回路の一部を構成する一対のダイオードの順方
向電圧降下によってなる。しかし、前記の従来の技術に
おいて干渉信号の制限は一対のダイオードの順方向電圧
降下の範囲内で限定される欠点がある。本発明の主目的
はビデオシステムにおいて映像入力信号に対する輪郭信
号の強調の際に発生する雑音信号を自動的に除去し、S/
N比を向上させる上鮮明な画像信号を得ることができる
雑音除去回路を提供するにある。本発明のそのほかの目
的は入力信号に対する雑音を減らすことが望まれる別の
信号処理システムにも適用される雑音除去回路を提供す
るにある。
上記の目的を達成するために本発明は入力映像信号を
増幅するための手段と；上記入力信号に包含された輪郭
信号の平均値を検出するための手段と；上記輪郭信号平
均値の検出手段によって検出された平均値電圧を可変さ
せて雑音除去レベルを調整するための雑音除去レベル調
整手段と；上記増幅手段によって増幅された輪郭信号の
正方向及び負方向雑音信号を前記雑音除去レベルによっ
て除去するための正負方向雑音除去手段と；上記正負方
向雑音除去手段で正・負方向の雑音信号成分の除去され
た輪郭信号を可変させて輪郭信号の大きさを調整するた
めの出力レベル調整手段とで構成されるビデオ輪郭強調
信号に対する雑音除去回路を提供し、これによって輪郭
信号以外の雑音信号のみを自動的に除去することができ
る。
増幅するための手段と；上記入力信号に包含された輪郭
信号の平均値を検出するための手段と；上記輪郭信号平
均値の検出手段によって検出された平均値電圧を可変さ
せて雑音除去レベルを調整するための雑音除去レベル調
整手段と；上記増幅手段によって増幅された輪郭信号の
正方向及び負方向雑音信号を前記雑音除去レベルによっ
て除去するための正負方向雑音除去手段と；上記正負方
向雑音除去手段で正・負方向の雑音信号成分の除去され
た輪郭信号を可変させて輪郭信号の大きさを調整するた
めの出力レベル調整手段とで構成されるビデオ輪郭強調
信号に対する雑音除去回路を提供し、これによって輪郭
信号以外の雑音信号のみを自動的に除去することができ
る。
実施例 以下、第２図〜第４図を参照しながら本発明の一実施
例について説明する。
例について説明する。
第２図は本発明による輪郭強調信号にる対する雑音除
去回路の概略的なブロック図で、前記ブロック図は輪郭
信号増幅器5,上記の輪郭信号の平均値検出部10,雑音除
去レベルの調整部15,正方向雑音除去部20,負方向雑音除
去部25及び出力レベル調整部30からなる。
去回路の概略的なブロック図で、前記ブロック図は輪郭
信号増幅器5,上記の輪郭信号の平均値検出部10,雑音除
去レベルの調整部15,正方向雑音除去部20,負方向雑音除
去部25及び出力レベル調整部30からなる。
第３図は第２図に図示されたブロック図の詳細な回路
図で、上記輪郭信号増幅器５はバイアス抵抗R1と増幅用
トランジスターQ1及びエミッター負荷抵抗R2からなる。
前記輪郭信号平均値検出部10はバイアス抵抗R8,緩衝増
幅用トランジスターQ6,エミッター負荷抵抗R9及び積分
用抵抗R10,コンデンサーC3からなる一方、雑音除去レベ
ル調整部15は２個の可変抵抗VR1とVR2とで構成される。
その一方、前記正方向と雑音除去部20は抵抗R3,R5,トラ
ンジスターQ2,電界効果トランジスター（FET）Q4及びバ
イアス抵抗R11からなる一方、前記負方向雑音除去部25
は抵抗R4,R6,トランジスターQ3,FETQ5及びバイアス抵抗
R12で構成される。
図で、上記輪郭信号増幅器５はバイアス抵抗R1と増幅用
トランジスターQ1及びエミッター負荷抵抗R2からなる。
前記輪郭信号平均値検出部10はバイアス抵抗R8,緩衝増
幅用トランジスターQ6,エミッター負荷抵抗R9及び積分
用抵抗R10,コンデンサーC3からなる一方、雑音除去レベ
ル調整部15は２個の可変抵抗VR1とVR2とで構成される。
その一方、前記正方向と雑音除去部20は抵抗R3,R5,トラ
ンジスターQ2,電界効果トランジスター（FET）Q4及びバ
イアス抵抗R11からなる一方、前記負方向雑音除去部25
は抵抗R4,R6,トランジスターQ3,FETQ5及びバイアス抵抗
R12で構成される。
以下に本発明による雑音除去回路の望ましい一つの実
施例を示す第３図及び第4A−4E図を参照しながら本発明
の構成及び作用効果を詳しく説明する。第３図において
輪郭信号はバイアス抵抗R1とエミッター負荷抵抗R2とが
接続された緩衝増幅器用トランジスターQ1からなる輪郭
信号増幅部５で増幅された後、結合コンデンサーC1とC2
とを通じて正方向輪郭信号は正方向雑音除去部20に印加
される一方、負方向輪郭信号は負方向雑音除去部25に印
加される。これと同時に輪郭信号はバイアス抵抗R8とエ
ミッター負荷抵抗R9とが連結された緩衝増幅用トランジ
スターQ6で増幅された後、積分用抵抗R10とコンデンサ
ーC3によって積分されて輪郭信号の平均値が検出され
る。
施例を示す第３図及び第4A−4E図を参照しながら本発明
の構成及び作用効果を詳しく説明する。第３図において
輪郭信号はバイアス抵抗R1とエミッター負荷抵抗R2とが
接続された緩衝増幅器用トランジスターQ1からなる輪郭
信号増幅部５で増幅された後、結合コンデンサーC1とC2
とを通じて正方向輪郭信号は正方向雑音除去部20に印加
される一方、負方向輪郭信号は負方向雑音除去部25に印
加される。これと同時に輪郭信号はバイアス抵抗R8とエ
ミッター負荷抵抗R9とが連結された緩衝増幅用トランジ
スターQ6で増幅された後、積分用抵抗R10とコンデンサ
ーC3によって積分されて輪郭信号の平均値が検出され
る。
前記輪郭信号平均値検出部10で検出された輪郭信号の
平均値は雑音除去レベル調整部15の可変抵抗VR1とVR2に
よって雑音除去レベルが調整された後、正負方向雑音除
去部20,25のFETQ4とQ5のゲート端子に印加される。この
際に前記正・負方向雑音除去部20,25は電圧分割用バイ
アス抵抗R11とR12とが各々接続された電界効果トランジ
スターQ4とQ5とのゲート電圧が増加することによってド
レーン−ソースの間の抵抗値が減少するため、これによ
ってトランジスターQ2とQ3との導通電圧が増加すること
になり雑音信号除去レベルが増加することになる。した
がって前記輪郭信号中、正方向雑音信号はトランジスタ
ーQ2のターンオン電圧以下で除去される一方負方向雑音
信号はトランジスターQ3のターンオン電圧以下で除去さ
れる。
平均値は雑音除去レベル調整部15の可変抵抗VR1とVR2に
よって雑音除去レベルが調整された後、正負方向雑音除
去部20,25のFETQ4とQ5のゲート端子に印加される。この
際に前記正・負方向雑音除去部20,25は電圧分割用バイ
アス抵抗R11とR12とが各々接続された電界効果トランジ
スターQ4とQ5とのゲート電圧が増加することによってド
レーン−ソースの間の抵抗値が減少するため、これによ
ってトランジスターQ2とQ3との導通電圧が増加すること
になり雑音信号除去レベルが増加することになる。した
がって前記輪郭信号中、正方向雑音信号はトランジスタ
ーQ2のターンオン電圧以下で除去される一方負方向雑音
信号はトランジスターQ3のターンオン電圧以下で除去さ
れる。
前記正・負方向雑音除去部20,25で雑音信号が除去さ
れた輪郭信号は出力レベル調整部30の可変抵抗VR3によ
ってレベルが調整された後、コンデンサーC4を通じて出
力される。
れた輪郭信号は出力レベル調整部30の可変抵抗VR3によ
ってレベルが調整された後、コンデンサーC4を通じて出
力される。
次に本発明による雑音除去回路の各種特性図である第
4A図乃至第4E図を参照し第３図に示す本発明の回路をさ
らに詳しく説明する。
4A図乃至第4E図を参照し第３図に示す本発明の回路をさ
らに詳しく説明する。
映像入力信号は第4A図に示すように輪郭信号と雑音信
号が混合された状態で印加される。したがって上記のよ
うに雑音信号を伴った輪郭信号は増幅部５のバイアス抵
抗R1を通じてトランジスターQ1で増幅された後、正方向
の輪郭信号は結合用コンデンサーC1を通じて正方向雑音
除去部20のトランジスターQ2のコレクターに印加され、
負方向の輪郭信号は結合用コンデンサーC2を通じて負方
向雑音除去部25のトランジスターQ3のエミッターに印加
される。
号が混合された状態で印加される。したがって上記のよ
うに雑音信号を伴った輪郭信号は増幅部５のバイアス抵
抗R1を通じてトランジスターQ1で増幅された後、正方向
の輪郭信号は結合用コンデンサーC1を通じて正方向雑音
除去部20のトランジスターQ2のコレクターに印加され、
負方向の輪郭信号は結合用コンデンサーC2を通じて負方
向雑音除去部25のトランジスターQ3のエミッターに印加
される。
また、雑音信号を伴った輪郭信号はバイアス抵抗R8を
通じて緩衝増幅用トランジスターQ6で増幅された後、積
分用コンデンサーC3と抵抗R10によって積分される。し
たがって輪郭信号の平均値は可変抵抗VR1及びVR2で構成
される雑音除去レベル調整部15を通じて正方向雑音除去
部20のFETQ4及び負方向雑音除去部25のFETQ5に各々印加
される。この際に前記FETQ5は電圧分割用バイアス抵抗R
11とR12とが連結されたゲートに印加される電圧の大き
さによってドレーンとソースとの間の抵抗値Rdsが変わ
る。
通じて緩衝増幅用トランジスターQ6で増幅された後、積
分用コンデンサーC3と抵抗R10によって積分される。し
たがって輪郭信号の平均値は可変抵抗VR1及びVR2で構成
される雑音除去レベル調整部15を通じて正方向雑音除去
部20のFETQ4及び負方向雑音除去部25のFETQ5に各々印加
される。この際に前記FETQ5は電圧分割用バイアス抵抗R
11とR12とが連結されたゲートに印加される電圧の大き
さによってドレーンとソースとの間の抵抗値Rdsが変わ
る。
即ち、FETのゲートに印加された電圧が大きくなると
ドレーンとソースとの間の抵抗値Rdsが小さくなる。前
記正方向雑音除去部20の動作原理を第4B図の特性図を参
照しながら以下に詳しく説明する。増幅用トランジスタ
ーQ2のベースとエミッターの側にはFETQ4のドレーンと
ソースが各々連結されているため、トランジスターQ2の
ベースとエミッターとの間の抵抗値はFETQ4のドレーン
とソースとの間の抵抗値Rdsと同じくなる。したがって
前記抵抗値Rdsを可変させることによってトランジスタ
ーQ2のエミッターとコレクタの間のターンオン電圧は、
ベース電流を無視した場合、Vbe（１＋Rbc/Rds）となっ
て変化する。上記の式でVbeはトランジスターQ2の動作
の際にベースとエミッターとの間の電圧、RdsはFETQ4の
ドレーンとソースとの間の抵抗値、Rbcはトランジスタ
ーQ2のベースとコレクターとの間の抵抗値である。した
がって前記抵抗値Rdsは輪郭信号平均値検出部10から印
加される輪郭信号の平均値電圧によって可変されるため
結局雑音信号のレベルによって変化することになる。こ
れによって輪郭信号が増加すると雑音信号レベルも共に
増加することになって輪郭信号の平均値電圧が増加す
る。また、輪郭信号の平均値電圧が増加するとFETQ4の
ドレーンとソースとの間の抵抗値が減少することになっ
てトランジスターQ2のコレクターとエミッターとの間の
導通電圧が増加することになり、これによって雑音信号
除去レベルが増加することになって正方向の雑音信号を
除去することができる。この際にFETQ4のゲートに印加
される輪郭信号平均値電圧を雑音除去レベル調整部15の
可変抵抗VR1で可変させると抵抗値Rdsを任意に設定する
ことができる。
ドレーンとソースとの間の抵抗値Rdsが小さくなる。前
記正方向雑音除去部20の動作原理を第4B図の特性図を参
照しながら以下に詳しく説明する。増幅用トランジスタ
ーQ2のベースとエミッターの側にはFETQ4のドレーンと
ソースが各々連結されているため、トランジスターQ2の
ベースとエミッターとの間の抵抗値はFETQ4のドレーン
とソースとの間の抵抗値Rdsと同じくなる。したがって
前記抵抗値Rdsを可変させることによってトランジスタ
ーQ2のエミッターとコレクタの間のターンオン電圧は、
ベース電流を無視した場合、Vbe（１＋Rbc/Rds）となっ
て変化する。上記の式でVbeはトランジスターQ2の動作
の際にベースとエミッターとの間の電圧、RdsはFETQ4の
ドレーンとソースとの間の抵抗値、Rbcはトランジスタ
ーQ2のベースとコレクターとの間の抵抗値である。した
がって前記抵抗値Rdsは輪郭信号平均値検出部10から印
加される輪郭信号の平均値電圧によって可変されるため
結局雑音信号のレベルによって変化することになる。こ
れによって輪郭信号が増加すると雑音信号レベルも共に
増加することになって輪郭信号の平均値電圧が増加す
る。また、輪郭信号の平均値電圧が増加するとFETQ4の
ドレーンとソースとの間の抵抗値が減少することになっ
てトランジスターQ2のコレクターとエミッターとの間の
導通電圧が増加することになり、これによって雑音信号
除去レベルが増加することになって正方向の雑音信号を
除去することができる。この際にFETQ4のゲートに印加
される輪郭信号平均値電圧を雑音除去レベル調整部15の
可変抵抗VR1で可変させると抵抗値Rdsを任意に設定する
ことができる。
負方向の輪郭信号も前記正方向の雑音除去部20と同じ
く動作する負方向雑音除去部25に印加され、負方向雑音
信号を除去することになるのでこれについての説明は正
方向の動作とほぼ同じだから略する。可変抵抗VR1とFET
Q4との抵抗値RdsによるトランジスターQ2のターンオン
電圧の変化は第4C図に示している。可変抵抗VR2とFETQ5
の抵抗値RdsによるトランジスターQ3のターンオン電圧
の変化は第4D図に図示されている。
く動作する負方向雑音除去部25に印加され、負方向雑音
信号を除去することになるのでこれについての説明は正
方向の動作とほぼ同じだから略する。可変抵抗VR1とFET
Q4との抵抗値RdsによるトランジスターQ2のターンオン
電圧の変化は第4C図に示している。可変抵抗VR2とFETQ5
の抵抗値RdsによるトランジスターQ3のターンオン電圧
の変化は第4D図に図示されている。
作用・効果 したがって上記のような本発明によると、輪郭信号の
成分の中で正方向の雑音信号成分はトランジスターQ3の
ターンオン電圧以下で除去される一方正・負方向の雑音
除去部20及び25で正・負方向の雑音信号成分が除去され
た輪郭信号は出力レベル調整部30の出力抵抗R7を通じて
可変抵抗VR3に流れることになって前記可変抵抗VR3を可
変させることによって結合コンデンサーC4を通じて出力
される輪郭信号の出力を調整することができる。
成分の中で正方向の雑音信号成分はトランジスターQ3の
ターンオン電圧以下で除去される一方正・負方向の雑音
除去部20及び25で正・負方向の雑音信号成分が除去され
た輪郭信号は出力レベル調整部30の出力抵抗R7を通じて
可変抵抗VR3に流れることになって前記可変抵抗VR3を可
変させることによって結合コンデンサーC4を通じて出力
される輪郭信号の出力を調整することができる。
即ち、本発明による雑音除去回路の入／出力特性グラ
フである第4E図のようにトランジスターQ2のターンオン
電圧とトランジスターQ3の導通電圧以上の所望の輪郭信
号成分のみが出力レベル調整用可変抵抗VR3の可変量に
よる出力値で調整されて出力される。したがって本発明
は輪郭信号の平均値を検出し、前記輪郭信号に伴なう雑
音信号のレベルに対応する信号を検出した後、トランジ
スターの導通に必要な電圧をFETを利用して可変させる
ため自動的に輪郭信号に伴なう雑音信号のレベルによっ
て雑音信号を除去することが可能な一方、輪郭信号の上
下均衡を合わすことができるため均衡が取れた輪郭信号
を出力できる効果を有する。
フである第4E図のようにトランジスターQ2のターンオン
電圧とトランジスターQ3の導通電圧以上の所望の輪郭信
号成分のみが出力レベル調整用可変抵抗VR3の可変量に
よる出力値で調整されて出力される。したがって本発明
は輪郭信号の平均値を検出し、前記輪郭信号に伴なう雑
音信号のレベルに対応する信号を検出した後、トランジ
スターの導通に必要な電圧をFETを利用して可変させる
ため自動的に輪郭信号に伴なう雑音信号のレベルによっ
て雑音信号を除去することが可能な一方、輪郭信号の上
下均衡を合わすことができるため均衡が取れた輪郭信号
を出力できる効果を有する。
第1A図は従来の雑音信号除去のためのリミッター回路の
回路図、第1B図及び1Cは第1A図に図示されたリミッター
回路の特性図、第２図は本発明による雑音除去回路の概
略的なブロック図、第３図は第２図で示すブロック図の
詳細な回路図、第4A図は第３図の回路に印加される力映
像信号を示す波形図、第4B図は本発明の雑音除去回路に
用いる正方向雑音除去回路の作用を説明する説明図、第
4C図及び4D図は可変抵抗とFETとの抵抗値によってトラ
ンジスターのターンオン電圧が変化されることを示す説
明図、第4E図は本発明による雑音除去回路の入・出力特
性グラフである。 ５……輪郭信号増幅部、10……平均値検出部、15……雑
音除去レベル調整部、20……正方向雑音除去部、25……
負方向雑音除去部、30……出力レベル調整部。
回路図、第1B図及び1Cは第1A図に図示されたリミッター
回路の特性図、第２図は本発明による雑音除去回路の概
略的なブロック図、第３図は第２図で示すブロック図の
詳細な回路図、第4A図は第３図の回路に印加される力映
像信号を示す波形図、第4B図は本発明の雑音除去回路に
用いる正方向雑音除去回路の作用を説明する説明図、第
4C図及び4D図は可変抵抗とFETとの抵抗値によってトラ
ンジスターのターンオン電圧が変化されることを示す説
明図、第4E図は本発明による雑音除去回路の入・出力特
性グラフである。 ５……輪郭信号増幅部、10……平均値検出部、15……雑
音除去レベル調整部、20……正方向雑音除去部、25……
負方向雑音除去部、30……出力レベル調整部。
Claims (6)
- 【請求項１】輪郭信号を増幅するための増幅手段と、 輪郭信号の平均値を検出するための手段と、 前記輪郭信号の平均値検出手段により検出された平均値
電圧の増減に応じて増減するように雑音除去レベルを調
整するための雑音除去レベル調整手段と、 前記増幅手段によって増幅された輪郭信号の正方向及び
負方向雑音信号を前記雑音除去レベル調整手段で調整さ
れたレベルによって除去するための正・負方向雑音除去
手段と、 輪郭信号の出力を調整するための出力レベル調整手段と
を具備することによって、輪郭信号の平均的レベルの絶
対値が比較的大きい場合にはそれに応じて比較的絶対値
の大きいレベル迄の信号成分を雑音信号として除去して
それより絶対値の大きいレベルの信号成分のみを出力
し、平均的レベルの絶対値が比較的小さい場合にはそれ
に応じて比較的絶対値の小さいレベル迄の信号成分を雑
音信号として除去しそれより絶対値の大きいレベルの信
号成分のみを出力し、もって輪郭信号のレベルにかかわ
らず効果的に雑音信号を除去できるようになっているこ
とを特徴とするビデオ輪郭強調信号に対する雑音除去回
路。 - 【請求項２】前記正・負方向雑音除去手段（20及び25）
は正負方向雑音信号が印加されるトランジスター（Q2及
びQ3）のベース，エミッターの間の抵抗値が輪郭信号の
平均値電圧によって可変される電界効果トランジスター
（Q4及びQ5）のドレーン，ソースの間の抵抗値によって
制御されるように構成されたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の雑音除去回路。 - 【請求項３】前記正方向雑音除去部（20）は正方向雑音
信号が印加されるトランジスター（Q2）と、前記トラン
ジスター（Q2）のベース及びエミッターにそのドレーン
とソースが夫々接続された電界効果トランジスター
（Q4）とを包含することを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の雑音除去回路。 - 【請求項４】前記負方向雑音除去部（25）は負方向雑音
信号が印加されるトランジスター（Q3）と、前記トラン
ジスター（Q3）のベース及びエミッターにそのドレーン
とソースが夫々接続された電界効果トランジスター
（Q5）を包含することを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項目記載の雑音除去回路。 - 【請求項５】前記輪郭信号平均値検出部（10）は緩衝増
幅用とトランジスター（Q6）と積分用抵抗（R10）及び
コンデンサー（C3）からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の雑音除去回路。 - 【請求項６】前記雑音除去レベル調整部（15）は互いに
並列で接続された２個の可変抵抗（VR1及びVR2）で構成
され、前記の可変抵抗（VR1及びVR2）の共通接続点は輪
郭信号平均値検出部（10）の出力端に、前記可変抵抗
（VR1）の他端は正方向雑音除去手段（20）の電界効果
トランジスター（Q4）の一端に、前記可変抵抗（VR2）
の他端は負方向雑音除去手段（25）の電界効果トランジ
スター（Q5）の一端に各々接続されることを特徴とする
特許性の範囲第２項記載の雑音除去回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1988-7064 | 1988-06-11 | ||
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Publications (2)
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|---|---|
| JPH0284885A JPH0284885A (ja) | 1990-03-26 |
| JP2562500B2 true JP2562500B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JP2562500B2 (ja) |
| KR (1) | KR910006373B1 (ja) |
| GB (1) | GB2220542B (ja) |
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