JP2576183Y2 - 自励式変換器 - Google Patents
自励式変換器Info
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- JP2576183Y2 JP2576183Y2 JP1992048384U JP4838492U JP2576183Y2 JP 2576183 Y2 JP2576183 Y2 JP 2576183Y2 JP 1992048384 U JP1992048384 U JP 1992048384U JP 4838492 U JP4838492 U JP 4838492U JP 2576183 Y2 JP2576183 Y2 JP 2576183Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、自励式変換器に係り、
特に、モジュールと直流コンデンサの配置を変えて接続
導体のインダクタンスを減らした自励式変換器に関す
る。
特に、モジュールと直流コンデンサの配置を変えて接続
導体のインダクタンスを減らした自励式変換器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、ゲートターンオフサイリ
スタ（以下、ＧＴＯと記す）等の半導体素子の大容量化
に伴い、電力系統との連係用として大容量の自励式変換
器が使用されるようになった。
スタ（以下、ＧＴＯと記す）等の半導体素子の大容量化
に伴い、電力系統との連係用として大容量の自励式変換
器が使用されるようになった。
【０００３】以下、図面を参照して、従来の自励式変換
器の一例を説明する。図３は、電圧形多重インバータ形
の自励式変換器の主回路を示す接続図である。図３にお
いて、１はＧＴＯ３とダイオード２が逆並列に接続され
たモジュールであり、ダイオード２と逆並列に接続され
たＧＴＯ３が４個直列に接続されている。
器の一例を説明する。図３は、電圧形多重インバータ形
の自励式変換器の主回路を示す接続図である。図３にお
いて、１はＧＴＯ３とダイオード２が逆並列に接続され
たモジュールであり、ダイオード２と逆並列に接続され
たＧＴＯ３が４個直列に接続されている。
【０００４】このＧＴＯモジュール１が更に４組直列に
接続されて１相２アームを構成し、これが更に３組並列
に接続されて、３相ブリッジ回路を構成し、インバータ
部を構成している。４は、直流コンデンサであり、イン
バータ部に対して並列に接続されている。なお、多重イ
ンバータは、前述のインバータ部と直流コンデンサ４の
組み合わせを複数台並列に接続して構成される。
接続されて１相２アームを構成し、これが更に３組並列
に接続されて、３相ブリッジ回路を構成し、インバータ
部を構成している。４は、直流コンデンサであり、イン
バータ部に対して並列に接続されている。なお、多重イ
ンバータは、前述のインバータ部と直流コンデンサ４の
組み合わせを複数台並列に接続して構成される。
【０００５】図４は、図３で示した主回路接続図に接続
された各モジュール１と直流コンデンサ４を、自励式変
換器に組み込んだ状態を示す斜視図で、１相２アーム分
を示す。図４において、１はＧＴＯモジュールであり、
ダイオード２と逆並列接続されたＧＴＯ３が４個直列接
続された回路と、図示しないスナバ回路等の付随する部
品を一つのブロックとして構成し、収納されている。
された各モジュール１と直流コンデンサ４を、自励式変
換器に組み込んだ状態を示す斜視図で、１相２アーム分
を示す。図４において、１はＧＴＯモジュールであり、
ダイオード２と逆並列接続されたＧＴＯ３が４個直列接
続された回路と、図示しないスナバ回路等の付随する部
品を一つのブロックとして構成し、収納されている。
【０００６】このＧＴＯモジュール１は、図４に示すよ
うに、縦に４段にアノード側を右側にしてそれぞれ所定
の空隙を介して配置されている。４は直流コンデンサで
あり、４段に積層されたＧＴＯモジュール１群の下側
に、端子側を前方にして３個横に並べて配置されてい
る。この３個の直流コンデンサ４は、導体６Ｐ，６Ｎに
より並列に接続されて、一つの直流コンデンサ群を形成
している。
うに、縦に４段にアノード側を右側にしてそれぞれ所定
の空隙を介して配置されている。４は直流コンデンサで
あり、４段に積層されたＧＴＯモジュール１群の下側
に、端子側を前方にして３個横に並べて配置されてい
る。この３個の直流コンデンサ４は、導体６Ｐ，６Ｎに
より並列に接続されて、一つの直流コンデンサ群を形成
している。
【０００７】４段に配置された各ＧＴＯモジュール１を
４個直列に接続している導体15のうち、中段のＧＴＯモ
ジュール１を接続した導体15に下端が接続された交流導
体８が、上部２段のＧＴＯモジュールユニット１の左側
から上方へ交流端子として引き出されている。また、最
上段及び最下段のＧＴＯモジュール１のアノード側端子
９Ｐ及びカソード側端子９Ｎと、直流コンデンサ４に接
続された導体６Ｐ，６Ｎの間は、導体10Ｐ，10Ｎによっ
て接続されている。
４個直列に接続している導体15のうち、中段のＧＴＯモ
ジュール１を接続した導体15に下端が接続された交流導
体８が、上部２段のＧＴＯモジュールユニット１の左側
から上方へ交流端子として引き出されている。また、最
上段及び最下段のＧＴＯモジュール１のアノード側端子
９Ｐ及びカソード側端子９Ｎと、直流コンデンサ４に接
続された導体６Ｐ，６Ｎの間は、導体10Ｐ，10Ｎによっ
て接続されている。
【０００８】
【考案が解決しようとする課題】ところが、このように
ＧＴＯモジュール１が上下に配置された自励式変換器に
おいては、ＧＴＯモジュール１の２アーム分を上下方向
に重ねて構成されているので、自励式変換器の高さが高
くなる。そのため、最上段のＧＴＯモジュール１と直流
コンデンサ４の間の距離が長くなって、ＧＴＯモジュー
ル１の内部に収納されたＧＴＯ３と直流コンデンサ４の
間を結ぶ導体10Ｐのインダクタンスが増える。
ＧＴＯモジュール１が上下に配置された自励式変換器に
おいては、ＧＴＯモジュール１の２アーム分を上下方向
に重ねて構成されているので、自励式変換器の高さが高
くなる。そのため、最上段のＧＴＯモジュール１と直流
コンデンサ４の間の距離が長くなって、ＧＴＯモジュー
ル１の内部に収納されたＧＴＯ３と直流コンデンサ４の
間を結ぶ導体10Ｐのインダクタンスが増える。
【０００９】したがって、ＧＴＯ３には、このＧＴＯ３
のターンオフ時に、上記インダクタンスで発生した大き
な過電圧が印加され、この過電圧で破壊するおそれがあ
る。そのため、従来の自励式変換器においては、このよ
うなターンオフ時の過電圧破壊を防止するために、回路
電圧を下げてＧＴＯ３のターンオフ時に印加される電圧
を低く抑えたり、最大耐電圧値の高いＧＴＯ３を使用し
て、ターンオフ時に印加される電圧を最大耐電圧値以下
に抑える方法も採られていた。
のターンオフ時に、上記インダクタンスで発生した大き
な過電圧が印加され、この過電圧で破壊するおそれがあ
る。そのため、従来の自励式変換器においては、このよ
うなターンオフ時の過電圧破壊を防止するために、回路
電圧を下げてＧＴＯ３のターンオフ時に印加される電圧
を低く抑えたり、最大耐電圧値の高いＧＴＯ３を使用し
て、ターンオフ時に印加される電圧を最大耐電圧値以下
に抑える方法も採られていた。
【００１０】すると、このように構成された従来の自励
式変換器においては、ＧＴＯ３の容量を有効に利用する
ことができなくなって、自励式変換器の大容量化の障害
となる。そこで、本考案の目的は、各モジュール内の半
導体素子と直流コンデンサ間のインダクタンスを減ら
し、電力設備の大容量化を図ることのできる自励式変換
器を提供することにある。
式変換器においては、ＧＴＯ３の容量を有効に利用する
ことができなくなって、自励式変換器の大容量化の障害
となる。そこで、本考案の目的は、各モジュール内の半
導体素子と直流コンデンサ間のインダクタンスを減ら
し、電力設備の大容量化を図ることのできる自励式変換
器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本考案は、一相２アーム
を複数に分割して収納したモジュールが上下多段に配置
され、このモジュール群に正極側導体と負極側導体で接
続されたコンデンサがモジュール群に隣接された自励式
変換器において、上下に隣接されたモジュールの極性を
互いに逆向きとし、コンデンサをモジュール群の片側に
配置し、正極側導体と負荷側導体をモジュール群とコン
デンサの間に立設したことを特徴とする。
を複数に分割して収納したモジュールが上下多段に配置
され、このモジュール群に正極側導体と負極側導体で接
続されたコンデンサがモジュール群に隣接された自励式
変換器において、上下に隣接されたモジュールの極性を
互いに逆向きとし、コンデンサをモジュール群の片側に
配置し、正極側導体と負荷側導体をモジュール群とコン
デンサの間に立設したことを特徴とする。
【００１２】
【作用】上下に隣接されたモジュールに流れる電流の向
きが互いに逆向きになるように、上下に隣接されたモジ
ュールの極性を互いに逆向きとしているので、各モジュ
ールを流れる電流で発生する磁束が、互いに打ち消され
ることでインダクタンスが低減され、また、直流コンデ
ンサをモジュールの側面近傍へ配置し、直流コンデンサ
へ接続される正・負の導体を近接配置することにより、
半導体素子と直流コンデンサとを接続する導体の長さが
短くなり、インダクタンスが小さくなる。
きが互いに逆向きになるように、上下に隣接されたモジ
ュールの極性を互いに逆向きとしているので、各モジュ
ールを流れる電流で発生する磁束が、互いに打ち消され
ることでインダクタンスが低減され、また、直流コンデ
ンサをモジュールの側面近傍へ配置し、直流コンデンサ
へ接続される正・負の導体を近接配置することにより、
半導体素子と直流コンデンサとを接続する導体の長さが
短くなり、インダクタンスが小さくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本考案の自励式変換器の一実施例を図
面を参照して説明する。図１は、本考案の自励式変換器
を示す斜視図で、１相２アーム分を示し、従来の図４に
対応する図である。なお、図４と同一部分には同符号を
付している。
面を参照して説明する。図１は、本考案の自励式変換器
を示す斜視図で、１相２アーム分を示し、従来の図４に
対応する図である。なお、図４と同一部分には同符号を
付している。
【００１４】図１において、１はＧＴＯモジュールであ
り、その内部には、図３の主回路接続図で示すダイオー
ド２と逆並列に接続されたＧＴＯ３が４個直列に接続さ
れた回路と、図示しないスナバ回路等の付随部部品が収
納され、一つのユニットに構成されている。
り、その内部には、図３の主回路接続図で示すダイオー
ド２と逆並列に接続されたＧＴＯ３が４個直列に接続さ
れた回路と、図示しないスナバ回路等の付随部部品が収
納され、一つのユニットに構成されている。
【００１５】このＧＴＯモジュール１は、従来と同様に
上下に４段に配置されているが、図４と異なり、上下に
隣接するＧＴＯモジュール１のアームの極性は逆方向と
なっている。このＧＴＯモジュール１が４段積み重ねら
れて、図３の主回路接続図で示した一相２アームを構成
している。
上下に４段に配置されているが、図４と異なり、上下に
隣接するＧＴＯモジュール１のアームの極性は逆方向と
なっている。このＧＴＯモジュール１が４段積み重ねら
れて、図３の主回路接続図で示した一相２アームを構成
している。
【００１６】これらのＧＴＯモジュール１の右側には、
上下に３段に直流コンデンサ４ａ，４ｂ，４ｃが配置さ
れ、この直流コンデンサ４ａ，４ｂ，４ｃと左側のモジ
ュール１の間の前面には、２本の導体６Ｐ，６Ｎが所定
の絶縁空隙を介して縦に平行に配設されている。このう
ち、図１において左側の導体６Ｐは、上下の直流コンデ
ンサ４ａ，４ｂ，４ｃの各負極側の端子に接続され、右
側の導体６Ｎは、上下の直流コンデンサ４ａ，４ｂ，４
ｃの各正極側の端子に接続されている。
上下に３段に直流コンデンサ４ａ，４ｂ，４ｃが配置さ
れ、この直流コンデンサ４ａ，４ｂ，４ｃと左側のモジ
ュール１の間の前面には、２本の導体６Ｐ，６Ｎが所定
の絶縁空隙を介して縦に平行に配設されている。このう
ち、図１において左側の導体６Ｐは、上下の直流コンデ
ンサ４ａ，４ｂ，４ｃの各負極側の端子に接続され、右
側の導体６Ｎは、上下の直流コンデンサ４ａ，４ｂ，４
ｃの各正極側の端子に接続されている。
【００１７】左最上段のＧＴＯモジュール１のアノード
側端子９Ｐと導体６Ｐは、導体11Ｐにより接続され、最
下段のＧＴＯモジュール１のカソード側端子９Ｎと導体
６Ｎは、導体11Ｎにより接続されている。各ＧＴＯモジ
ュール１の間は、導体５Ａ，５Ｂ，５Ｃにより、互いに
直列に接続されている。また、４段のＧＴＯモジュール
１のうち、中央のＧＴＯモジュール１を接続した導体５
Ｂには、交流側導体８の下端が接続され、この交流側導
体８の上端は、上向へ交流端子として引き出されいる。
側端子９Ｐと導体６Ｐは、導体11Ｐにより接続され、最
下段のＧＴＯモジュール１のカソード側端子９Ｎと導体
６Ｎは、導体11Ｎにより接続されている。各ＧＴＯモジ
ュール１の間は、導体５Ａ，５Ｂ，５Ｃにより、互いに
直列に接続されている。また、４段のＧＴＯモジュール
１のうち、中央のＧＴＯモジュール１を接続した導体５
Ｂには、交流側導体８の下端が接続され、この交流側導
体８の上端は、上向へ交流端子として引き出されいる。
【００１８】本実施例では、１アームが２個のＧＴＯモ
ジュールで構成されており、各アームに流れる電流は、
最上段のＧＴＯモジュール１と上から２段目のＧＴＯモ
ジュール１では、同一のアーム内で電流は反対方向へ流
れ、３，４段目のＧＴＯモジュール１においても相互に
反対方向へ電流が流れることで、各段において電流が逆
向きに流れる。
ジュールで構成されており、各アームに流れる電流は、
最上段のＧＴＯモジュール１と上から２段目のＧＴＯモ
ジュール１では、同一のアーム内で電流は反対方向へ流
れ、３，４段目のＧＴＯモジュール１においても相互に
反対方向へ電流が流れることで、各段において電流が逆
向きに流れる。
【００１９】更に、ＧＴＯモジュール１の右側面に設置
した直流コンデンサの正負の導体６Ｐ，６Ｎも平行に近
接配置されており、導体６Ｐ，６Ｎと最上段のＧＴＯモ
ジュール１のアノード側端子９Ｐ，最下段のＧＴＯモジ
ュール１のカソード側端子９Ｎとを接続する導体11Ｐ，
11Ｎが従来の接続導体10Ｐ，10Ｎに比べ短くなる。その
ため、従来の変換器に比べて、ＧＴＯ３と直流コンデン
サ４の間のインダクタンスを低減できるため、ターンオ
フ時にＧＴＯ３へ加わる過電圧の波高値を低下させるこ
とができる。
した直流コンデンサの正負の導体６Ｐ，６Ｎも平行に近
接配置されており、導体６Ｐ，６Ｎと最上段のＧＴＯモ
ジュール１のアノード側端子９Ｐ，最下段のＧＴＯモジ
ュール１のカソード側端子９Ｎとを接続する導体11Ｐ，
11Ｎが従来の接続導体10Ｐ，10Ｎに比べ短くなる。その
ため、従来の変換器に比べて、ＧＴＯ３と直流コンデン
サ４の間のインダクタンスを低減できるため、ターンオ
フ時にＧＴＯ３へ加わる過電圧の波高値を低下させるこ
とができる。
【００２０】次に、図２は、図１で示した１相２アーム
のモジュール群とコンデンサ群を３相ブリッジ回路に適
用した場合を示す配置図である。図２において、各モジ
ュール群と各コンデンサ群の上部には、導体７Ｐ，７Ｎ
が横設され、このうち導体７Ｐは、各モジュール群と各
コンデンサ群の間に縦に平行に設けられた導体６Ｐの上
端に接続され、導体７Ｎは、同じく各モジュール群と各
コンデンサ群の間に縦に設けられた導体６Ｎの上端に接
続されている。なお、上記実施例では、インバータ形の
自励式変換器のときで説明したが、例えば、順・逆両方
向運転のＰＷＭ変換回路にも同様に適用できる。
のモジュール群とコンデンサ群を３相ブリッジ回路に適
用した場合を示す配置図である。図２において、各モジ
ュール群と各コンデンサ群の上部には、導体７Ｐ，７Ｎ
が横設され、このうち導体７Ｐは、各モジュール群と各
コンデンサ群の間に縦に平行に設けられた導体６Ｐの上
端に接続され、導体７Ｎは、同じく各モジュール群と各
コンデンサ群の間に縦に設けられた導体６Ｎの上端に接
続されている。なお、上記実施例では、インバータ形の
自励式変換器のときで説明したが、例えば、順・逆両方
向運転のＰＷＭ変換回路にも同様に適用できる。
【００２１】
【考案の効果】以上、本考案によれば、一相２アームを
複数に分割して収納したモジュールが上下多段に配置さ
れ、このモジュール群に正極側導体と負極側導体で接続
されたコンデンサがモジュール群に隣接された自励式変
換器において、上下に隣接されたモジュールの極性を互
いに逆向きとし、コンデンサをモジュール群の片側に配
置し、正極側導体と負極側導体をモジュール群とコンデ
ンサの間に立設することで、各モジュールを流れる電流
で発生する磁束を互いに打ち消すのでインダクタンスが
低減され、また、直流コンデンサをモジュールの側面近
傍へ配置し、直流コンデンサへ接続される正・負の導体
を近接配置することにより、半導体素子と直流コンデン
サとを接続する導体の長さが短くすることで、半導体素
子と、コンデンサ間のインダクタンスを減らし、電力設
備の大容量化を図ることのできる自励式変換器を得るこ
とができる。
複数に分割して収納したモジュールが上下多段に配置さ
れ、このモジュール群に正極側導体と負極側導体で接続
されたコンデンサがモジュール群に隣接された自励式変
換器において、上下に隣接されたモジュールの極性を互
いに逆向きとし、コンデンサをモジュール群の片側に配
置し、正極側導体と負極側導体をモジュール群とコンデ
ンサの間に立設することで、各モジュールを流れる電流
で発生する磁束を互いに打ち消すのでインダクタンスが
低減され、また、直流コンデンサをモジュールの側面近
傍へ配置し、直流コンデンサへ接続される正・負の導体
を近接配置することにより、半導体素子と直流コンデン
サとを接続する導体の長さが短くすることで、半導体素
子と、コンデンサ間のインダクタンスを減らし、電力設
備の大容量化を図ることのできる自励式変換器を得るこ
とができる。
【図１】本考案の自励式変換器の一実施例を示す部分斜
視図。
視図。
【図２】本考案の自励式変換器の一実施例を示す三相ブ
リッジ構成図。
リッジ構成図。
【図３】従来の及び本考案の自励式変換器の主回路結線
図。
図。
【図４】従来の自励式変換器の一例を示す斜視図。
１…ＧＴＯモジュール、３…ゲートターンオフサイリス
タ（ＧＴＯ）、４ａ，４ｂ，４ｃ…直流コンデンサ、５
Ａ，５Ｂ，５Ｃ，６Ｎ，６Ｐ，11Ｎ，11Ｐ…導体、８…
交流側導体、９Ｎ…カソード側端子、９Ｐ…アノード側
端子。
タ（ＧＴＯ）、４ａ，４ｂ，４ｃ…直流コンデンサ、５
Ａ，５Ｂ，５Ｃ，６Ｎ，６Ｐ，11Ｎ，11Ｐ…導体、８…
交流側導体、９Ｎ…カソード側端子、９Ｐ…アノード側
端子。
Claims (1)
- 【請求項１】 一相２アームを複数に分割して収納した
モジュールが上下多段に配置され、このモジュール群に
正極側導体と負極側導体で接続されたコンデンサが前記
モジュール群に隣接された自励式変換器において、前記
上下に隣接されたモジュールの極性を互いに逆向きと
し、前記コンデンサを前記モジュール群の片側に配置
し、前記正極側導体と負荷側導体を前記モジュール群と
前記コンデンサの間に立設したことを特徴とする自励式
変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992048384U JP2576183Y2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 自励式変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992048384U JP2576183Y2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 自励式変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613393U JPH0613393U (ja) | 1994-02-18 |
| JP2576183Y2 true JP2576183Y2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12801818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992048384U Expired - Lifetime JP2576183Y2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 自励式変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576183Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE512795C2 (sv) * | 1998-09-18 | 2000-05-15 | Abb Ab | VSC-strömriktare |
| JP3862980B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2006-12-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 整流回路及びこれを備えるスイッチング電源装置 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP1992048384U patent/JP2576183Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613393U (ja) | 1994-02-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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