JP2586736B2 - Tab型半導体装置用キャリアテープ - Google Patents

Tab型半導体装置用キャリアテープ

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JP2586736B2
JP2586736B2 JP5195545A JP19554593A JP2586736B2 JP 2586736 B2 JP2586736 B2 JP 2586736B2 JP 5195545 A JP5195545 A JP 5195545A JP 19554593 A JP19554593 A JP 19554593A JP 2586736 B2 JP2586736 B2 JP 2586736B2
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carrier tape
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semiconductor device
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喜美男 目黒
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB型(テープオート
メティッドボンディング)半導体装置用キャリアテープ
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のキャリアテープは、図4にその構
成を示す様に、ポリイミドテープなどによるベースフィ
ルム3にプレスにより送り穴2、デバイスホール1を開
孔し、次に銅箔接着を行ない、フォトレジスト塗布、露
光、現像、エッチング工程を経て、デバイスホール1内
にリード4を形成し、ベースフィルム3上にリードパタ
ーン7、電極パターン5が形成され、次にメッキを行な
う事によりキャリアテープを構成している。上記キャリ
アテープをICチップの電極バンプにリードの先端を位
置合わせし、熱圧着によりボンディングし(インナーリ
ードボンディングと呼称される)TAB型半導体装置を
構成する。TAB型半導体装置を回路基板に搭載する場
合は、デバイスホール1内リード4の他端を切断し、回
路基板にボンディングする。(アウターリードボンディ
ングと呼称) TAB型半導体装置の実装はICチップ6の電極バンプ
9より引き出したリード4を回路基板に直接アウターリ
ードボンディングする事により高密度実装のできること
や、リードピッチが0.1mm前後で、例えば一般的な半
導体装置用のデュアルインライン型パッケージのリード
ピッチ2.54mmと比較すると分かる様に狭いリードピ
ッチで多ピン化対応のできることを特徴としている。従
って、TAB型半導体装置においてはリードピッチをよ
り狭めリード数を増やすことがその特徴を生かすために
重要な点となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】TAB型半導体装置の
インナーリードボンディング部の接合の、信頼性を確保
するためにはリード4の先端部と電極バンプ9の相対位
置が正しく合わせられ、所定の接着面積を得ることが大
事である。そのためにはリード4先端位置の水平方向の
位置ばらつきを許容して接着面積を得るためには電極バ
ンプ9を大きくする方策もあるが、その場合電極バンプ
9およびリード4のピッチを大きくする必要があり、T
AB型半導体装置の挟リードピッチによる多ピン対応と
いう特徴を疎外することになるので、リード4の先端位
置のばらつきを極力小さくするということが重要な課題
であった。図4に従来のTAB型半導体装置の例を示す
が、図4の様な形状で1辺のリード数が34本(図面で
は簡単化のためにリードを14本にしている)のキャリ
アテープのリード4の先端部のピッチを測定した結果を
図5に示す。図5の結果から、端リードパターン8につ
ながるリード先端部の位置が大きくばらつくという問題
があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、TAB型半導
体装置用キャリアテープにおいて、デバイスホールが設
けられたベースフィルムと、前記ベースフィルム上に形
成され、前記デバイスホール内に延長された複数のリー
ドパターンを備え、隣接する前記複数のリードパターン
の前記ベースフィルム上における幅を相互に1.5倍以
内の範囲となるようにすることを特徴とするTAB型半
導体装置用キャリアテープであり、また前記リードパタ
ーンのうち、前記ベースフィルム上における幅の大きい
リードパターンは、前記ベースフィルム上から前記デバ
イスホール内に向かって同一方向に延長されるようにす
ることを特徴とするTAB型半導体装置用キャリアテー
プである。
【0005】
【作用】本発明によれば、TAB型半導体装置用キャリ
アテープはベースフィルム上に形成されるリードパター
ン7のパターン幅を同程度にすることにより、ベースフ
ィルム3とそれぞれのリードパターン7の接着面積の差
を抑え、リードパターンごとの応力差を少なくすること
で、リード先端位置がゆがみリードピッチのずれを防止
することができるものであり、また電源ライン等に用い
るため電気的特性の低インピーダンス化のために面積の
大きいリードパターンを必要とする場合はリードをゆが
める応力の影響を避けるため、リード方向と同一方向に
リードパターンを配置したり、リードパターンの分割に
より解決することができるものである。
【0006】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図1は、本発明の一実施例のキャリアテープ
の平面図である。2種の穴である送り穴2とデバイスホ
ール1の設けられたベースフィルム3にエッチングによ
り形成されたパターンを有し、これらパターンはデバイ
スホール1内のリード4とベースフィルム3上のリード
パターン7および端リードパターン8と電極パターン5
により構成され、端リードパターン8のリード幅
(W2 )と他のリードパターン7のリード幅(W1 )と
の比をW2 /W1 =1.4としている。このことによ
り、端リードパターン8と隣接のリードパターン7のベ
ースフィルムとの接着面積に著しく差異の生ずる事が防
がれ、隣接リード間の応力差によるゆがみが、低減さ
れ、リードピッチのずれ量の増加が防止できる。図2に
本発明の一実施例でのキャリアテープのリードピッチの
測定結果を示す。図2においては、端リードパターン幅
(W2 ′)と隣接リードパターン幅(W1 ′)、との比
をW2 ′/W1 ′=7.9として図5に示した従来型の
キャリアテープのリード間ピッチのばらつきに比べて、
著しくリード間ピッチのばらつきの少なくなっている事
が分かる。
【0007】なお、図1、図2においてはW2 /W1
1.4としたが、これは電源端子に用いているリードパ
ターンの低インピーダンス化ためには広いリードパター
ンの方が有利であるため若干広くしていることによる
が、さらに広いリードパターンを必要とする場合の解決
方法として、本発明による他の実施例として図3に示す
ように1部の太いリードパターン10については、デバ
イスホール切断面と垂直方向にパターンニングを行な
い、リード先端のゆがみを防ぐことができる。図6及
び、図7にキャリアテープの製造フロー及びTAB型半
導体装置の構成を示した。これは、ベースフィルムに送
り穴、デバイスホールをプレスによって形成する工程、
次に、銅箔を接着する工程、フォトレジストを塗布する
工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、そしてリ
ードメッキ工程を有するものである。またTAB型半導
体装置は、図7(A)のように送り穴を有しているベー
スフィルム3にデバイスホール1が形成され、そのデバ
イスホール1に、ICチップ6が設けられている。図7
(B)にリード4をボンデングし、リード4の先端にI
Cチップ6が電極バンプ9によりボンデングされている
ものである。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベースフィルム上の各々のリードパターンの幅が著しく
異ならない様にし、ベースフィルムとの接着面積の差を
少くなくすることやリードパターンの配置の工夫により
リードのゆがみを防止し、リード間ピッチのずれ量の低
減ができ、インナーリードボンディングの高信頼性の確
保と、よりリードピッチが狭く高密度実装の可能なTA
B型半導体装置を提供できるという効果を奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す図。
【図2】本発明によるキャリアテープのリードピッチデ
ータ。
【図3】本発明の他の実施例を示す平面図。
【図4】従来のTAB型半導体装置用キャリアテープを
示す平面図。
【図5】従来のTAB型半導体装置用キャリアテープの
リードピッチデータ。
【図6】キャリアテープの製造フローを示す図。
【図7】TAB型半導体装置の構成を示す図。
【符号の説明】
1 デバイスホール 2 送り穴 3 ベースフィルム 4 リード 5 電極パターン 6 ICチップ 7 リードパターン 8 端リードパターン 9 電極バンプ 10 太いリードパターン

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 TAB型半導体装置用キャリアテープに
    おいて、デバイスホールが設けられたベースフィルム
    と、前記ベースフィルム上に形成され、前記デバイスホ
    ール内に延長された複数のリードパターンを備え、隣接
    する前記複数のリードパターンの前記ベースフィルム上
    における幅を相互に1.5倍以内の範囲となるようにす
    ることを特徴とするTAB型半導体装置用キャリアテー
    プ。
  2. 【請求項2】 前記リードパターンのうち、前記ベース
    フィルム上における幅の大きいリードパターンは、前記
    ベースフィルム上から前記デバイスホール内に向かって
    同一方向に延長されるようにすることを特徴とする請求
    項1に記載のTAB型半導体装置用キャリアテープ。
JP5195545A 1993-07-13 1993-07-13 Tab型半導体装置用キャリアテープ Expired - Lifetime JP2586736B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2533216B2 (ja) * 1990-03-13 1996-09-11 富士通株式会社 フィルムキャリア及び半導体装置
JPH04145635A (ja) * 1990-10-08 1992-05-19 Nec Corp Tab型半導体装置
JP2819825B2 (ja) * 1990-11-21 1998-11-05 セイコーエプソン株式会社 Tab内蔵型半導体装置

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JPH0729941A (ja) 1995-01-31

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Effective date: 19960416

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Effective date: 19961015