JP2600111B2 - 含ケイ素高分子化合物の製造方法 - Google Patents

含ケイ素高分子化合物の製造方法

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JP2600111B2
JP2600111B2 JP26985294A JP26985294A JP2600111B2 JP 2600111 B2 JP2600111 B2 JP 2600111B2 JP 26985294 A JP26985294 A JP 26985294A JP 26985294 A JP26985294 A JP 26985294A JP 2600111 B2 JP2600111 B2 JP 2600111B2
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祐子 内丸
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は含ケイ素高分子化合物の
新規な製造方法に関するものである。さらに詳しくいえ
ば、本発明は、フォトレジスト材料やプレセラミックス
材料として、あるいは導電性材料用の素材などとして有
用な、主鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と炭素
原子とから成り、かつ主鎖中にSi‐Si結合を有する
含ケイ素高分子化合物を、効率よく工業的有利に製造す
る方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、主鎖構成元素がケイ素原子又はケ
イ素原子と炭素原子とから成る含ケイ素高分子化合物
が、フォトレジスト材料やプレセラミックス材料などと
して注目されている。また、主鎖がケイ素原子のみ、あ
るいは炭素π電子系(例えばC=C結合)とケイ素原子
のみで構成されている高分子化合物に、ヨウ素、五フッ
化アンチモン、三塩化鉄などのルイス酸をドーピングさ
せたものは導電性材料として知られている。
【0003】これまで、主鎖構成元素がケイ素原子又は
ケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ主鎖中にSi−
Si結合を有する含ケイ素高分子化合物が、α,ω‐ビ
ス(ハロシリル)化合物のウルツ型カップリング反応に
よる方法により得られることは知られている。しかしな
がら、この方法においては、金属ナトリウムなどのアル
カリ金属類を用いて脱ハロゲン化を行う必要があり、そ
の結果アルカリ金属ハライドが副生し、しかも得られた
ポリマーは分子量分布が多分散であることが多く、工業
的には有利な方法とはいえない。
【0004】その他、Si−Si結合を環構造に有する
環状化合物を、アルキルリチウム、シリルカリウム、ア
ンモニウムフルオリドなどのアニオン性の開始剤の存在
下に開環重合させる方法も知られている[「ジャーナル
・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ(J.
Am.Chem.Soc.)」第111巻,第7641
ページ(1989年)、同第113巻,第1046ペー
ジ(1991年)、「マクロモレキュルズ(Macro
molecules)」第27巻,第2360ページ
(1994年)]。しかしながら、この方法において
は、高分子量のポリマーを得るためには、反応温度を−
50℃以下という低温に保持する必要があり、工業的に
有利な方法とはいえない。
【0005】さらに、Si−Si結合を環構造に有する
環状化合物を、遷移金属錯体の存在下に反応させて含ケ
イ素高分子化合物を製造する方法として、アセトニトリ
ル中において、触媒量のトリス(ジベンジリデンアセト
ン)二パラジウムとトリフェニルホスフィンの存在下
に、1,1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシ
クロペンタンを反応させる方法[「ポリマー・プレプリ
ンツ・ジャパン(Polymer Preprint
s,Japan)」第40巻,第355ページ(199
1年)]や、触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウムの存在下に、1,2‐ジフルオロ‐
1,2‐ジメチル‐1,2‐ジシラシクロペンタンを1
00℃で反応させる方法[「ジャーナル・オブ・オルガ
ノメタリック・ケミストリー(J.Organome
t.Chem.)」第114巻,C19(1976
年)]が知られているが、副生物が多かったり、得られ
るポリマーの構造、分子量が不確定なため実用的に利用
することはできない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規反応を
利用してこのような従来技術が有する欠点を克服し、主
鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と炭素原子とか
ら成り、かつ主鎖中にSi−Si結合を有する含ケイ素
高分子化合物を、効率よく工業的有利に製造する方法を
提供することを目的としてなされたものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、主鎖中に
ケイ素を含む高分子化合物を製造する方法を開発するた
めに鋭意研究を重ねた結果、環構造中にSi−Si結合
を少なくとも1個有する特定構造の環状化合物を、所定
の割合の特定の鎖状ジシラン類及び特定の金属錯体の存
在下に反応させ、開環重合させることにより、その目的
を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明
を完成するに至った。
【0008】すなわち、本発明は、(A)環構成元素が
ケイ素原子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ
環構造中にSi―Si結合を少なくとも1個有する四員
環又は五員環化合物を、(B)この環状化合物1モルに
対し0.5モル以下の量の、ケイ素原子に結合したエチ
ニル基を少なくとも1個有する鎖状ジシラン類及び
(C)パラジウム錯体又は白金錯体の存在下に反応させ
ることを特徴とする、主鎖構成元素がケイ素原子又はケ
イ素原子と炭素原子とから成り、かつ主鎖中にSi−S
i結合を有する含ケイ素高分子化合物の製造方法を提供
するものである。
【0009】本発明方法において、主原料として用いら
れる(A)成分の環状化合物は、環構成元素がケイ素原
子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ環構造中
にSi−Si結合を少なくとも1個有する四員環又は五
員環の化合物である。
【0010】このような環状化合物としては、例えば一
般式
【化1】 [式中のXは、−CR56−又は−SiR56−(ただ
し、R5及びR6は水素原子又は炭化水素基であり、それ
ぞれの炭素原子又はケイ素原子に結合している各R5
びR6は同一であっても異なっていてもよく、またこれ
らの中の2個が連結してそれらが結合している炭素原子
又はケイ素原子とともに環状構造を形成していてもよ
い)であって、2個又は3個のXはたがいに同一又は異
なっていてもよく、R1,R2,R3及びR4は炭化水素
基、nは2又は3の整数である]で表わされる化合物を
挙げることができる。このような化合物の具体例を挙げ
ると、例えば1,1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐
ジシラシクロブタン、1,1,2,2,3,3,4,4
‐オクタメチル‐1,2‐ジシラシクロブタン、1,
1,2,2‐テトラメチル‐3,4‐ジイソプロピリデ
ン‐1,2‐ジシラシクロブタン、1,2‐ジフェニル
‐1,2‐ジメチル‐1,2‐ジシラシクロブタン、
1,1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシクロ
ペンタン、1,2‐ジフェニル‐1,2‐ジメチル‐
1,2‐ジシラシクロペンタン、1‐フェニル‐1,
2,2‐トリメチル‐1,2‐ジシラシクロペンタン、
1,1,2,2‐テトラメチル‐3,4‐ベンゾ‐1,
2‐ジシラシクロブテン、1,2‐ジフェニル‐1,2
‐ジメチル‐3,4‐ベンゾ‐1,2‐ジシラシクロブ
テン、1,2‐ジエチル‐1,2‐ジメチル‐3,4‐
ベンゾ‐1,2‐ジシラシクロブテン、1,1,2,2
‐テトラエチル‐3,4‐ベンゾ‐1,2‐ジシラシク
ロブテン、1,2,3,4‐テトラメチル‐1,2,
3,4‐テトラフェニルシクロテトラシラン、1,1,
2,2,3,3,4,4‐オクタエチルシクロテトラシ
ラン、1,2,2,3,3,4,4,5,5‐ノナメチ
ル‐1‐フェニルシクロペンタシランなどがある。
【0011】一方、本発明方法において、(A)成分と
併用される(B)成分の鎖状ジシラン類は、ケイ素原子
上にエチニル基を少なくとも1個有するものであり、ま
たこのエチニル基には適当な置換基が導入されていても
よい。この置換基としては、例えばアルキル基、アリー
ル基、トリアルキルシリル基、アルコキシ基などが挙げ
られる。
【0012】このような鎖状ジシラン類としては、例え
ば一般式
【化2】 [式中のR7,R8,R9,R10,R11及びR12の中の少
なくとも1個は−C≡C−R(ただしRは水素原子、炭
化水素基、トリアルキルシリル基、アルコキシ基など)
であり、他は水素原子又は炭化水素基である]で表わさ
れる化合物を挙げることができる。このような化合物の
具体例を挙げると、例えば1‐エチニル‐1,1,2,
2,2‐ペンタメチルジシラン、1‐フェニルエチニル
‐1,1,2,2,2‐ペンタメチルジシラン、1‐
(1‐プロピニル)‐1,1,2,2,2‐ペンタメチ
ルジシラン、1‐トリメチルシリルエチニル‐1,1,
2,2,2‐ペンタメチルジシラン、1,2‐ビス(フ
ェニルエチニル)‐1,1,2,2‐テトラメチルジシ
ラン、1,1‐ビス(フェニルエチニル)‐1,2,
2,2‐テトラメチルジシラン、1,1,2‐トリス
(フェニルエチニル)‐1,2,2‐トリメチルジシラ
ン、1,1,2,2‐テトラキス(フェニルエチニル)
‐1,2‐ジメチルジシラン、1,1,1,2,2‐ペ
ンタキス(フェニルエチニル)‐2‐メチルジシラン、
ヘキサキス(フェニルエチニル)ジシラン、1‐フェニ
ルエチニル‐2‐フェニル‐1,1,2,2‐テトラメ
チルジシラン、1,2‐ビス(フェニルエチニル)‐
1,2‐ジフェニル‐1,2‐ジメチルジシラン、1,
1,1‐トリス(フェニルエチニル)‐2,2,2‐ト
リフェニルジシラン、1‐フェニルエチニル‐1,1,
2,2,2‐ペンタエチルジシラン、1,2‐ビス(フ
ェニルエチニル)‐1,2‐ジプロピル‐1,2‐ジメ
チルジシラン、1,2‐ビス(フェニルエチニル)‐
1,2‐ジベンジル‐1,2‐ジメチルジシランなどが
ある。
【0013】本発明においては、この(B)成分の鎖状
ジシラン類は、前記(A)成分の環状化合物1モルに対
し、0.5モル以下の割合で用いることが必要であり、
通常は該環状化合物1モルに対し、0.001〜0.5
モル、好ましくは0.01〜0.2モルの割合で用い
る。
【0014】本発明においては、(B)成分が存在しな
いと初期の反応が進行せず、目的とする高分子量の重合
体が得られない。
【0015】本発明においては、触媒として(C)パラ
ジウム錯体又は白金錯体が用いられる。これらの錯体と
しては、従来公知のものを使用することができるが、反
応系に少なくとも一部が可溶な化合物を用いるのが反応
速度的には好ましい。これらの錯体は有機配位子を含む
ものが特に好適であり、この有機配位子としては、例え
ばホスフィン、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスフ
ァイト、オレフィン、β‐ジケトナト配位子、共役ケト
ン、ニトリル、アミン、カルボキシラト配位子、一酸化
炭素などが挙げられる。
【0016】前記有機配位子としては、例えばトリメチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリエチルホス
フィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニル
ホスフィン、トリ(p‐トリル)ホスフィン、トリ(p
‐アニシル)ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィ
ン、フェニルジメチルホスフィンなどの鎖状ホスフィ
ン、P‐メチルホスホレン、P‐メチルホスホール、9
‐メチル‐9‐ホスファビシクロ[4.2.1]ノナン
などの環状ホスフィン、1,2‐ビス(ジメチルホスフ
ィノ)エタン、1,2‐ビス(ジエチルホスフィノ)エ
タン、1,3‐ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン、1,4‐ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、
1,1′‐ビス(ジメチルホスフィノ)フェロセン、
1,1′‐ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン、
α,α′‐ビス(ジメチルホスフィノ)‐o‐キシレ
ン、1,2‐ビス(ジメチルホスフィノ)ベンゼンなど
のビスホスフィン、メチル ジメチルホスフィナイト、
フェニル ジフェニルホスフィナイトなどのホスフィナ
イト、ジメチル メチルホスホナイト、ジメチル フェ
ニルホスホナイトなどのホスホナイト、トリエチルホス
ファイト、トリフェニルホスファイト、1‐ホスファ‐
2,6,7‐トリオキサ‐4‐エチルビシクロ[2.
2.2]オクタンなどのホスファイト、エチレン、プロ
ぺン、シクロオクテン、無水マレイン酸、1,5‐ヘキ
サジエン、1,5‐シクロオクタジエン、1,3‐シク
ロペンタジエン、2,5‐ノルボルナジエン、1,3,
5,7‐シクロオクタテトラエンなどのオレフィンやジ
エン、アセチルアセトナトなどのβ‐ジケトナト配位
子、ジベンジリデンアセトンなどの共役ケトン、アセト
ニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル、エチレンジ
アミン、2,2′‐ビピリジルなどのアミン、アセトナ
トなどのカルボキシラト配位子などが挙げられる。
【0017】本発明において、触媒として用いられるパ
ラジウム錯体及び白金錯体の具体例としては、テトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テトラキス
(ジフェニルメチルホスフィン)パラジウム、ジクロロ
ビス(トリメチルホスフィン)パラジウム、ジクロロビ
ス(トリエチルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス
(フェニルジメチルホスフィン)パラジウム、ジクロロ
[1,2‐ビス(ジメチルホスフィノ)エタン]パラジ
ウム、ジクロロ[1,3‐ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパン]パラジウム、ジクロロ[1,4‐ビス
(ジフェニルホスフィノ)ブタン]パラジウム、ジクロ
ロ[1,2‐ビス(ジエチルホスフィノ)エタン]パラ
ジウム、ジクロロ[1,1′‐ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)フェロセン]パラジウム、ビス(ジベンジリデン
アセトン)パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセト
ン)二パラジウム、ジクロロ(η‐1,5‐シクロオク
タジエン)パラジウム、ビス(η‐アリル)パラジウ
ム、(η‐エチレン)ビス(トリフェニルホスフィン)
パラジウム、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウ
ム、ジクロロエチレンジアミンパラジウム、酢酸パラジ
ウム、(η‐エチレン)ビス(トリフェニルホスフィ
ン)白金、テトラキス(トリフェニルホスフィン)白
金、テトラキス(ジフェニルメチルホスフィン)白金、
テトラキス(トリエチルホスフィン)白金、ジクロロビ
ス(トリフェニルホスフィン)白金、ジブロモビス(ト
リエチルホスファイト)白金、ビス(η‐1,5‐シク
ロオクタジエン)白金、ジクロロ(η‐1,5‐シクロ
オクタジエン)白金、ジカルボニルビス(トリブチルホ
スフィン)白金、カルボナトビス(トリシクロヘキシル
ホスフィン)白金、ビス(ジベンジリデンアセトン)ビ
ス(トリフェニルホスフィン)白金、トリス(ジベンジ
リデンアセトン)二白金、ジクロロビス(ベンゾニトリ
ル)白金、ジクロロビス(アセトニトリル)白金などが
挙げられる。
【0018】本発明においては、これらの錯体はそれぞ
れ単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用い
てもよく、また、これらの錯体と共に、該錯体に含まれ
るものと同一又は異なる配位子を1種以上反応系に添加
してもよい。これらの錯体の使用量はいわゆる触媒量で
よく、通常(A)成分の環状化合物1モルに対し、0.
00001〜0.5モルの範囲で選ばれる。また、該錯
体と共に配位子を添加する場合、その量は錯体中のパラ
ジウム又は白金原子に対するモル比が1〜20の範囲に
なるように選ぶのが望ましい。
【0019】本発明においては、特に溶媒を用いること
なく容易に反応を行うことができるが、必要ならば溶媒
中において反応を行ってもよい。この溶媒としては、反
応させるべき環状化合物及び鎖状ジシラン類の反応性を
考慮して、例えば芳香族炭化水素系、飽和脂肪族又は飽
和脂環式炭化水素系及びアルキルエーテル系などの溶媒
の中から選ぶのが有利である。
【0020】また、本発明においては、反応は0℃以下
でも進行するが、反応速度を高めるために250℃程度
の温度まで加熱することができる。反応速度及び副反応
の抑制などの点から、好ましい反応温度は、使用する原
料の種類などにもよるが、一般には0〜200℃の範囲
であり、特に50〜150℃の範囲が好適である。
【0021】反応終了後の生成物の分離は、通常用いら
れている公知の手段、例えば蒸留、再結晶、クロマトグ
ラフィーなどの方法を用いて行うことができる。
【0022】このようにして、主鎖構成元素がケイ素原
子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ主鎖中に
Si−Si結合を有する含ケイ素高分子化合物が効率よ
く得られる。本発明方法により得られる含ケイ素高分子
重合体としては、例えば一般式
【化3】 (式中のX,R1,R2,R3,R4及びnは前記と同じ意
味をもつ)で表わされる循環単位をもち、その重量平均
分子量は6×102〜1×106の範囲である。
【0023】
【発明の効果】本発明によると、主鎖構成元素がケイ素
原子又はケイ素と炭素原子とから成り、かつ主鎖中にS
i−Si結合を有する含ケイ素高分子化合物を、効率よ
く、工業的有利に製造することができる。本発明方法で
得られた含ケイ素高分子化合物は、フォトレジスト材料
やプレセラミックス材料として、あるいは導電性材料用
の素材などとして有用である。
【0024】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【0025】実施例1 1,1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシクロ
ペンタン 0.5mmol、1,2‐ビス(フェニルエ
チニル)‐1,1,2,2‐テトラメチルジシラン
0.05mmol及びジクロロ[1,4‐ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)ブタン]パラジウム 0.005mm
olの混合物を、窒素下でガラス封管中に仕込み、10
0℃に15時間加熱した。開封後反応混合物をガスクロ
マトグラフィーにより分析した結果、原料の1,1,
2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシクロペンタン
が56%消費されていることが確認された。ベンゼンを
溶出液に用いるフロリジルのカラムクロマトグラフィー
にてパラジウム錯体を除去し、さらに揮発成分を減圧下
で除去することにより、無色ゲル状のポリ(テトラメチ
ルジシリレン‐トリメチレン)が消費された原料1,
1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシクロペン
タンに対して61%の収率で単離された。得られたポリ
(テトラメチルジシリレン‐トリメチレン)は、次に示
す循環単位をもち、その分析データを以下に示す。
【0026】
【化4】
【0027】1H−NMR(CDCl3)(ppm);δ
1.42−1.27(m,2H),0.7−0.6
(m,4H),0.02(s,12H)13 C−NMR(CDCl3)(ppm);δ 20.2
(2C),19.9,−3.8(4C)29 Si−NMR(CDCl3)(ppm);δ −1
8.6 IR(液膜)(cm-1);1245 GPC分析(ポリスチレン基準);重量平均分子量
1.2×103、分散度1.4
【0028】比較例1 実施例1において、1,2‐ビス(フェニルエチニル)
‐1,1,2,2‐テトラメチルジシランを用いなかっ
た以外は、実施例1と同様に反応を行い、開封後反応混
合物をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、原
料の1,1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシ
クロペンタンが44%消費され、消費された原料1,
1,2,2‐テトラメチル‐1,2‐ジシラシクロペン
タンに対して89%の収率で環状二量体である1,1,
2,2,6,6,7,7‐オクタメチル‐1,2,6,
7‐テトラシラデカンが生成していることが確認され
た。また、この反応混合物のGPC分析(ポリスチレン
基準)からはポリ(テトラメチルジシリレン‐トリメチ
レン)が微量(5%以下)しか生成していないことが確
認された。
【0029】実施例2 実施例1において、1,1,2,2‐テトラメチル‐
1,2‐ジシラシクロペンタンの代わりに1,2,3,
4‐テトラメチル‐1,2,3,4‐テトラフェニルシ
クロテトラシランを用い、かつ溶媒としてトルエン
0.1mlを用いた以外は実施例1と同様に反応を行
い、反応混合物を29Si−NMRで分析したところ、2
6%の原料1,2,3,4‐テトラメチル‐1,2,
3,4‐テトラフェニルシクロテトラシランが消費され
ていることが確認された。この反応混合物を実施例1と
同様に処理したところ、下式で示されるポリ(メチルフ
ェニルシリレン)が消費された原料1,2,3,4‐テ
トラメチル‐1,2,3,4‐テトラフェニルシクロテ
トラシランに対して28%の収率で得られた。ポリ(メ
チルフェニルシリレン)の各種データは次のとおりであ
り文献記載の値と一致していた。
【0030】
【化5】
【0031】GPC分析(ポリスチレン基準);重量平
均分子量1.5×103、分散度2.0

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)環構成元素がケイ素原子又はケイ
    素原子と炭素原子とから成り、かつ環構造中にSi−S
    i結合を少なくとも1個有する四員環又は五員環化合物
    を、(B)この環状化合物1モルに対し0.5モル以下
    の量の、ケイ素原子に結合したエチニル基を少なくとも
    1個有する鎖状ジシラン類及び(C)パラジウム錯体又
    は白金錯体の存在下に反応させることを特徴とする、主
    鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と炭素原子とか
    ら成り、かつ主鎖中にSi−Si結合を有する高分子量
    の含ケイ素高分子化合物の製造方法。
  2. 【請求項2】 (B)成分の鎖状ジシラン類を、(A)
    成分の環状化合物1モルに対し、0.001〜0.5モ
    ルの割合で用いる請求項1記載の製造方法。
  3. 【請求項3】 (C)成分のパラジウム錯体又は白金錯
    体を、(A)成分の環状化合物1モルに対し0.000
    01〜0.5モルの割合で用いる請求項1又は2記載の
    製造方法。
  4. 【請求項4】 反応温度が0〜200℃である請求項
    1、2又は3記載の製造方法。
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JP26985294A Expired - Lifetime JP2600111B2 (ja) 1994-11-02 1994-11-02 含ケイ素高分子化合物の製造方法

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