JPH0566004B2 - - Google Patents
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- JPH0566004B2 JPH0566004B2 JP3752489A JP3752489A JPH0566004B2 JP H0566004 B2 JPH0566004 B2 JP H0566004B2 JP 3752489 A JP3752489 A JP 3752489A JP 3752489 A JP3752489 A JP 3752489A JP H0566004 B2 JPH0566004 B2 JP H0566004B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は電解コンデンサ用アルミニウム箔の
製造方法に関し、さらに詳しく言えば、アルミニ
ウム箔を化成するに先立つて行われる水和処理に
関するものである。 〔従来の技術〕 電解コンデンサの陽極として使用される電極
箔、例えば平滑なアルミニウム箔やエツチングに
より表面積が拡大されたアルミニウム箔は、これ
に陽極酸化皮膜を形成する化成処理に先立つて水
和処理が施される。 水和処理は、アルミニウム箔の表面に水酸化皮
膜を形成させることを目的とするものであるが、
通常はアルミニウム箔を高温の純水中に浸漬する
ことによつて行われる。 〔発明が解決しようとする課題〕 これによれば、化成時の使用電気量が節約さ
れ、また、静電容量も増大される。しかしなが
ら、耐電圧が低い場合には良好な結果が得られ
ず、約150V以上の場合にのみ有用であるという
制約があつた。 そこで、純水中に微量の硅酸アルカリを添加し
て水和処理することが提案された（例えば、特公
昭57−6250号公報参照）。この方法によると、使
用電圧の低いものに対してまでも水和処理が有用
とされるが、tanδ（損失角の正接）、漏れ電流につ
いては特に改善されない。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題を解決するため、この発明において
は、アルミニウム箔に酸化皮膜を形成する化成処
理を行うに先立つて、同アルミニウム箔をアミン
を添加した水溶液中において熱水処理することを
特徴としている。この場合、熱水の温度としては
90℃以上が好ましい。 これによれば、使用電圧の低いものまでに対し
ても、化成時の使用電気量の節約、静電容量の増
大はもとより、tanδおよび漏れ電流が低下され
る。 なお、アミン濃度は0.005〜0.1mol／ｌである
ことが好ましい。また、使用し得るアミンとして
は、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエタノ
ールアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミ
ン、ブチルアミンなどが挙げられる。 〔実施例〕 実施例 １ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌエチ
ルアミン水溶液（液温98℃以上）に９分間浸漬
して熱水処理した。 (B) 化成処理；硼酸17％、硼安0.05％を含む化成
液（液温85℃）中において、電流密度10mA／
cm2、380Vの化成電圧を40分印加した。 (C) 減極処理；PH９のアンモニア水（液温70℃）
中に３分間浸漬した。 (D) 熱処理；500℃の加熱雰囲気中に２分間放置
した。 (E) 再化成；上記(B)と同じ。ただし、印加時間は
13分。 (F) 減極処理；上記(C)と同じ。 (G) 熱処理；上記(D)と同じ。 (H) 再化成；上記(E)と同じ。 (I) 後処理；PH6.5のリン酸、アンモニア混合水
溶液（液温30℃）中に４分間浸漬した。 実施例 ２ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌのジ
エチルアミン水溶液（液温98℃以上）に９分間
浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜(I)までの工
程は上記実施例１と同じ。 実施例 ３ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌのト
リエタノールアミン水溶液（液温98℃以上）に
９分間浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜(I)ま
での工程は上記実施例１と同じ。 実施例 ４ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌのジ
−iso−プロピルアミン水溶液（液温98℃以上）
に９分間浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜(I)
までの工程は上記実施例１と同じ。 比較例 １ (A) 前処理；アルミニウム箔を純水（液温98℃以
上）中に９分間浸漬してボイル処理した。以後
の(B)〜(I)までの工程は上記実施例１と同じ。 比較例 ２ (A) 前処理；アルミニウム箔を硅酸アルカリを硅
素濃度にして0.1％含む熱水（液温98℃以上）
中に９分間浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜
(I)までの工程は上記実施例１と同じ。 上記実施例１〜４および比較例１、２にて得ら
れたアルミニウム化成箔（15×270mm）を陽極と
して、定格250V、30μFの電解コンデンサを試作
し、その静電容量、tanδおよび漏れ電流を測定し
た結果を次表に示す。
製造方法に関し、さらに詳しく言えば、アルミニ
ウム箔を化成するに先立つて行われる水和処理に
関するものである。 〔従来の技術〕 電解コンデンサの陽極として使用される電極
箔、例えば平滑なアルミニウム箔やエツチングに
より表面積が拡大されたアルミニウム箔は、これ
に陽極酸化皮膜を形成する化成処理に先立つて水
和処理が施される。 水和処理は、アルミニウム箔の表面に水酸化皮
膜を形成させることを目的とするものであるが、
通常はアルミニウム箔を高温の純水中に浸漬する
ことによつて行われる。 〔発明が解決しようとする課題〕 これによれば、化成時の使用電気量が節約さ
れ、また、静電容量も増大される。しかしなが
ら、耐電圧が低い場合には良好な結果が得られ
ず、約150V以上の場合にのみ有用であるという
制約があつた。 そこで、純水中に微量の硅酸アルカリを添加し
て水和処理することが提案された（例えば、特公
昭57−6250号公報参照）。この方法によると、使
用電圧の低いものに対してまでも水和処理が有用
とされるが、tanδ（損失角の正接）、漏れ電流につ
いては特に改善されない。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題を解決するため、この発明において
は、アルミニウム箔に酸化皮膜を形成する化成処
理を行うに先立つて、同アルミニウム箔をアミン
を添加した水溶液中において熱水処理することを
特徴としている。この場合、熱水の温度としては
90℃以上が好ましい。 これによれば、使用電圧の低いものまでに対し
ても、化成時の使用電気量の節約、静電容量の増
大はもとより、tanδおよび漏れ電流が低下され
る。 なお、アミン濃度は0.005〜0.1mol／ｌである
ことが好ましい。また、使用し得るアミンとして
は、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエタノ
ールアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミ
ン、ブチルアミンなどが挙げられる。 〔実施例〕 実施例 １ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌエチ
ルアミン水溶液（液温98℃以上）に９分間浸漬
して熱水処理した。 (B) 化成処理；硼酸17％、硼安0.05％を含む化成
液（液温85℃）中において、電流密度10mA／
cm2、380Vの化成電圧を40分印加した。 (C) 減極処理；PH９のアンモニア水（液温70℃）
中に３分間浸漬した。 (D) 熱処理；500℃の加熱雰囲気中に２分間放置
した。 (E) 再化成；上記(B)と同じ。ただし、印加時間は
13分。 (F) 減極処理；上記(C)と同じ。 (G) 熱処理；上記(D)と同じ。 (H) 再化成；上記(E)と同じ。 (I) 後処理；PH6.5のリン酸、アンモニア混合水
溶液（液温30℃）中に４分間浸漬した。 実施例 ２ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌのジ
エチルアミン水溶液（液温98℃以上）に９分間
浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜(I)までの工
程は上記実施例１と同じ。 実施例 ３ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌのト
リエタノールアミン水溶液（液温98℃以上）に
９分間浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜(I)ま
での工程は上記実施例１と同じ。 実施例 ４ (A) 前処理；アルミニウム箔を0.01mol／ｌのジ
−iso−プロピルアミン水溶液（液温98℃以上）
に９分間浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜(I)
までの工程は上記実施例１と同じ。 比較例 １ (A) 前処理；アルミニウム箔を純水（液温98℃以
上）中に９分間浸漬してボイル処理した。以後
の(B)〜(I)までの工程は上記実施例１と同じ。 比較例 ２ (A) 前処理；アルミニウム箔を硅酸アルカリを硅
素濃度にして0.1％含む熱水（液温98℃以上）
中に９分間浸漬して熱水処理した。以後の(B)〜
(I)までの工程は上記実施例１と同じ。 上記実施例１〜４および比較例１、２にて得ら
れたアルミニウム化成箔（15×270mm）を陽極と
して、定格250V、30μFの電解コンデンサを試作
し、その静電容量、tanδおよび漏れ電流を測定し
た結果を次表に示す。
以上説明したように、この発明によれば、アル
ミニウム箔をアミンを添加した水溶液中において
熱水処理することにより、その後に行われる化成
処理時における使用電気量の節約、静電容量の増
大、tanδ（電気損失角）および漏れ電流の低下が
達成される。
ミニウム箔をアミンを添加した水溶液中において
熱水処理することにより、その後に行われる化成
処理時における使用電気量の節約、静電容量の増
大、tanδ（電気損失角）および漏れ電流の低下が
達成される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム箔に酸化皮膜を形成する化成処
理を行うに先立つて、同アルミニウム箔をアミン
を添加した水溶液中において熱水処理することを
特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法。 ２ 上記水溶液中におけるアミンの濃度は、
0.005〜0.1mol／ｌである請求項１記載の電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。 ３ 上記水溶液中に添加されるアミンは、エチル
アミン、ジエチルアミン、トリエタノールアミ
ン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、ブチル
アミンから選ばれる請求項１または２記載の電解
コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3752489A JPH02216810A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3752489A JPH02216810A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216810A JPH02216810A (ja) | 1990-08-29 |
| JPH0566004B2 true JPH0566004B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=12499931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3752489A Granted JPH02216810A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8690975B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-04-08 | Plasco Energy Group Inc. | Gasification system with processed feedstock/char conversion and gas reformulation |
| US9321640B2 (en) | 2010-10-29 | 2016-04-26 | Plasco Energy Group Inc. | Gasification system with processed feedstock/char conversion and gas reformulation |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5628464B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2014-11-19 | 藤森工業株式会社 | 電極リード部材を用いた電池、電極リード部材及びその製造方法、並びに、電池の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3752489A patent/JPH02216810A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8690975B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-04-08 | Plasco Energy Group Inc. | Gasification system with processed feedstock/char conversion and gas reformulation |
| US9321640B2 (en) | 2010-10-29 | 2016-04-26 | Plasco Energy Group Inc. | Gasification system with processed feedstock/char conversion and gas reformulation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02216810A (ja) | 1990-08-29 |
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