JP2670802B2 - (2,2)−パラシクロファンとその誘導体の製造方法 - Google Patents

(2,2)−パラシクロファンとその誘導体の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、式: [式中Bはハロゲン、アルキル基、アラールキル基又は
ハロ−アラールキル基(炭素原子数20まで)であり、p
は0又は1〜4範囲の整数である] の(2,2)−パラシクロファンおよびその誘導体を製造
する方法に関する。
更に特定するに、本発明は、式: (式中Bおよびpは上記定義と同じであり、Yはヒドロ
キシ基又はハロゲンである) のp−メチルベンジルトリメチルアンモニウム誘導体の
ホフマン脱離によって式(II)の(2,2)−パラシクロ
ファンおよびその誘導体を製造する方法に関する。
ジクロル−(2,2)−パラシクロファン、テトラクロ
ル−(2,2)−パラシクロファン、テトラメチル−(2,
2)−パラシクロファン、ジメチルジクロル−(2,2)−
パラシクロファン、ジエチル−(2,2)−パラシクロフ
ァン、ジフロム−(2,2)−パラシクロファン等の如き
(2,2)−パラシクロファンおよびその誘導体は文献に
周知の化合物であり、また対応ポリパラキシリレンの製
造において一般に中間体として用いられている。該重合
体特にポリパラキシリレンおよびその塩素化誘導体は、
電子工学分野での蒸着方法による適用により取得される
相似被覆において塗膜形状で有利に用いられる。
(2,2)−パラシクロファンおよびその誘導体(II)
を製造するのに種々の方法が提案されている。しかしな
がら、斯かる既知方法は、主にその生産性の低さ、反応
混合物からの製品回収の難しさによって完全には満足さ
れ得ず、工業規模で採用するには適さない。
斯くして、例えば、「Organic Syntheses」、Collect
ive Vol.5、(John Wiley & Sons社、ニューヨーク−
ロンドン−シドニー−トロント、1973、p883〜886)に
は、p−メチルベンジルトリメチルアンモニウム臭化物
と酸化銀との反応によって得られる対応水酸化物を出発
物質としたホフマン脱離により(2,2)−パラシクロフ
ァンを製造する方法が記載されている。
脱離はアルカリ媒体および不活性有機溶剤(例 トル
エン)の存在で実施され、約10%の収率が達成される。
ヨーロッパ特許出願第108,297号に従えば、ホフマン
脱離を、大量のジメチルスルホキシドの存在下アルカリ
媒体中で実施することにより、反応収率を高めることが
できる。大容量および、概ね50時間を越える長い反応時
間は、高い収率(約70%)にもかかわらず低い生産性を
もたらす。また、ジメチルスルホキシドの回収および不
十分な生成物の取得量のため、この方法は工業規模での
使用には殆ど魅力のないものとなっている。
一般に、(2,2)−パラシクロファンを製造する既知
方法の全てにおいて、かなり大量のポリパラキシリレン
が形成し、而してそれは、反応媒体中に大量の有機溶剤
が存在するときゼラチン様外観を呈し、濾去するのが難
しい。
然るに、本出願人は、式(III)の、随意核置換され
るp−メチルベンジルトリメチルアンモニウム水酸化物
のホフマン脱離を、アルカリ水溶液中、式(I): (R)m−A−(X)n (I) (式中Aは芳香族基であり、Xは電子供与基であり、R
は水素又は、炭素原子数1〜4のアルキル基であり、n
は1〜6の整数であり、mは0又は1〜m+nの和が芳
香族基Aの置換可能位置数になる如き数値範囲の整数で
ある) の化合物少くとも触媒量の存在で実施することにより、
式(II)の(2,2)−パラシクロファンおよびその誘導
体が純粋形で高い工業的収率(場合によっては80モル%
を越える収率)を以て製造されうることを発見した。
用語電子供与体は、対の電子がいずれも同じ原子によ
って供与される共有結合を含む基全てを意味する。
電子供与基の例は、 −メチル基; −−OR1基(ここでR1は水素、炭素原子数1〜6のアル
キル基、又は炭素原子数6〜18のアリール、アルキルア
リール又はアリールアルキル基である); −−N(R1)2基(ここでR1は上記意味と同じであ
る);および −−SR1基(ここでR1は上記意味と同じである) である。
本発明に従えば、式(I)中Aがフェニル若しくはナ
フチル基を表わし、nが2若しくは3であり、mが0又
は1〜3範囲の整数であり、Xが、互いに同じか又は別
異の基にして上記意味を有する化合物が特に好ましい。
式(I)を有する化合物の非制限的例は1,4−ヒドロ
キノン、O−、m−およびp−アミノフェノール、O
−、m−およびp−フェニレンジアミン、2,6−ジ−te
r.ブチル−p−クレゾール、p p′−ジアミノジフェニ
ルメタン、フェノール、N,N′−ジフェニル−1,4−フェ
ニレンジアイン、3−ter.ブチル−4−ヒドロキシアニ
ソール、2,4−ジ−ter.ブチルフェノール、ヒドロキノ
ンモノエチルエーテル等である。
これらの化合物は文献に周知であり、市場で見出すこ
とができ、或は慣用合成方法に従って製造することがで
きる。
式(I)を有する触媒化合物の使用量は、温度、反応
時間等の如き他のパラメーターの値によって広範囲に変
動しうる。しかしながら、優れた結果は、式(III)
の、随意核置換されるp−メチルベンジルトリメチルア
ンモニウム誘導体に対し5〜約30%好ましくは10〜20%
のモル量で用いることにより達成される。
本発明に従えば、ホフマン脱離は水溶液中好ましくは
溶剤の不在下で実施される。
水性層は、10重量%より高い濃度のアルカリ金属水酸
化物溶液で構成される。アルカリ金属水酸化物として、
水酸化ナトリウム若しくはカリウムを用いることができ
る。好ましくは、水性溶液の濃度はホフマン脱離反応の
間約20〜50重量%に保持される。
本発明方法において、ホフマン脱離は、p−メチルベ
ンジルトリメチルアンモニウム水酸化物に関して実施さ
れ、而して該水酸化物は別個に製造されるか或は対応ハ
ロゲン化物とアルカリ金属水酸化物との反応によって現
場製造されうる。
ホフマン脱離は、50〜150℃好ましくは90〜130℃範囲
の温度で1〜50時間好ましくは2〜10時間実施される。
例え必要でないとしても、水と非混和性の不活性有機
溶剤(例 トルエン、キシレン、ベンゼン又はテトラリ
ン)を反応媒体に加えることができる。
脱離反応の終りに、得られた生成物は、それ自体既知
のまた事実上慣用の方法に従って分離される。
本発明方法は、(2,2)−パラシクロファンとその核
置換された誘導体を工業上受容されうる収率でしかも高
純度(>99.5%)、高生産性を以て得ることを可能にす
る。
本発明は下記例によって一層明瞭化されるが、しかし
ながら斯かる例は本発明の単なる例示例と解されるべき
で、本発明を限定するものではない。例中、特記せむ限
り、全ての部、%および比は重量による。
例 1(比較テスト) 撹拌機、温度計および冷却器を備えた1,000mlフラス
コに、 −NaOHを40重量%(1モル)含有する水溶液100gおよ
び、 −p−メチルベンジルトリメチルアンモニウム塩化物6
3.9重量%(0.2モル)を含有する水溶液62.5gを装入し
た。
連続撹拌下、溶液を120℃の温度に漸次加熱した。NaO
H濃度を35重量%に保持した。溶液を6時間にわたって
沸点温度に保持した。
得られた(2,2)−パラシクロファンは、キシレン300
mlに溶かすことにより反応混合物から分離した。この分
離のため、キシレンを反応混合物に加え、スラリーを撹
拌下0.5時間完全還流に保った。反応混合物を95℃で濾
過し、水性層を有機溶液から分離し、この溶液を水で繰
返し洗浄し、小容量に濃縮した。キシレン溶液を20℃に
まで冷却し、沈殿した固体を濾過によって回収した。固
体をアセトンで洗浄し、乾燥した後、融点283〜285℃の
結晶質白色固体1.08g(収率5.2モル%)を得た。該固体
は、ガスクロマトグラフィー分析で、純度約99.5%の
(2,2)−パラシクロファンと分かった。
例 2〜13 次表1に記載の種類および量の化合物をNaOH水溶液に
加えて例1を反復した。
同じ表1に、得られた(2,2)−パラシクロファンの
量、融点および反応収率を掲載する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】式: [式中Bはハロゲン原子、アルキル基、アラールキル基
    又はハロ−アラールキル基(炭素原子数20まで)であ
    り、pは0又は1〜4の整数である]の(2,2)−パラ
    シクロファンおよびその誘導体を、アルカリ水溶液中、
    式: (式中Bおよびpは上記定義と同じであり、Yはヒドロ
    キシ基又はハロゲン原子である) のp−メチルベンジルトリメチルアンモニウム誘導体の
    ホフマン脱離により製造する際、該脱離が、式: (R)m−A−(X)n (I) (式中Aは芳香族基であり、Xは電子供与基であり、R
    は水素原子又は、炭素原子1〜4個のアルキル基であ
    り、nは1〜6の整数であり、mは0又は1〜m+nの
    和が芳香族基Aの置換可能位置数になる如き数値範囲の
    整数である) の化合物少くとも触媒量の存在で実施されることを特徴
    とする方法。
  2. 【請求項2】電子供与基Xが、メチル基、−OR1、−N
    (R1)2および−SR1(ここでR1は水素、炭素原子数1
    〜6のアルキル基、炭素原子数6〜18のアリール基、ア
    ルキルアリール基又はアリールアルキル基である)より
    なる群から選ばれる、特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
  3. 【請求項3】式(I)の化合物において、Aがフェニル
    若しくはナフチル基を表わし、nが2ないし3であり、
    mは0若しくは1〜3範囲の整数であり、Xが互いに同
    じか又は別異の基にして特許請求の範囲第2項に示す意
    味を有する、特許請求の範囲第1項又は2項記載の方
    法。
  4. 【請求項4】式(I)の化合物が、1,4−ヒドロキノ
    ン、o−、m−およびp−アミノフェノール、O−、m
    −およびp−フェニレンジアミン、2,6−ジ−ter.ブチ
    ル−p−クレゾール、p p′−ジアミノジフェニルメタ
    ン、フェノール、N,N′−ジフェニル−1,4−フェニレン
    ジアミン、3−ter.ブチル−4−ヒドロキシアニソー
    ル、2,4−ジ−ter.ブチルフェノール、ヒドロキノンモ
    ノメチルエーテルよりなる群から選ばれる、特許請求の
    範囲第1項〜3項のいずれか一項記載の方法。
  5. 【請求項5】式(I)の触媒が式(III)のp−メチル
    ベンジルトリメチルアンモニウム誘導体に対し5〜30%
    範囲のモル量で用いられる、特許請求の範囲第1項〜4
    項のいずれか一項記載の方法。
  6. 【請求項6】式(I)の触媒が式(III)のp−メチル
    ベンジルトリメチルアンモニウム誘導体に対し10〜20%
    範囲のモル量で用いられる、特許請求の範囲第5項記載
    の方法。
  7. 【請求項7】アルカリ金属水酸化物の水性溶液の濃度が
    10重量%より高く、またホフマン脱離反応の間約20〜50
    重量%に保持される、特許請求の範囲第1項〜6項のい
    ずれか一項記載の方法。
  8. 【請求項8】式(III)のp−メチルベンジルトリメチ
    ルアンモニウム水酸化物が、対応するハロゲン化物と反
    応媒体中に存在するアルカリ金属水酸化物との反応によ
    って現場製造される、特許請求の範囲第1項〜7項のい
    ずれか一項記載の方法。
  9. 【請求項9】ホフマン脱離が、溶剤の不在下、50〜150
    ℃の温度で1〜50時間実施される、特許請求の範囲第1
    項〜8項のいずれか一項記載の方法。
  10. 【請求項10】ホフマン脱離が、溶剤の不在下、90〜13
    0℃の温度で2〜10時間実施される、特許請求の範囲第
    9項記載の方法。
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