JP2706471B2 - 静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置 - Google Patents
静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置に
関するものである。
関するものである。
［従来の技術］ イオン注入技術においてウエハの微細化が進み、パタ
ーン幅が狭くなるにつれてシャドーイングが問題となっ
てきた。このため、4Mビット以上のCMOS DRAMではウエ
ハの全面にわたって0.5゜の許容範囲で一定の方向から
イオン注入を行う必要がある。すなち、ウエハが６イン
チ、８インチと大口径化し、4Mビット、16Mビットと線
幅が小さくなるにつれて平行イオンビームでイオン注入
を行うことが望まれるようになってきた。しかし偏向器
を用いてイオンビームをラスタースキャンする方式のイ
オン注入機では、偏向器とウエハとの間の距離を160cm
に取っても例えば６インチウエハの場合には最大偏向角
は、αmax＝2.7゜となる。
ーン幅が狭くなるにつれてシャドーイングが問題となっ
てきた。このため、4Mビット以上のCMOS DRAMではウエ
ハの全面にわたって0.5゜の許容範囲で一定の方向から
イオン注入を行う必要がある。すなち、ウエハが６イン
チ、８インチと大口径化し、4Mビット、16Mビットと線
幅が小さくなるにつれて平行イオンビームでイオン注入
を行うことが望まれるようになってきた。しかし偏向器
を用いてイオンビームをラスタースキャンする方式のイ
オン注入機では、偏向器とウエハとの間の距離を160cm
に取っても例えば６インチウエハの場合には最大偏向角
は、αmax＝2.7゜となる。
例えば従来の静電型Ｘ−Ｙ掃引方式ではイオンビーム
をｘ−ｙ方向にラスタースキャンする（偏向を繰り返
す）ためスキャン後のイオンビームは中心部を除き偏向
角（掃引角）をもっている。そのためこのイオンビーム
を平らなウエハに注入する場合中心部は垂直注入になる
が、その他の部位では角度をもった注入となる。この現
象は半導体ウエハへのイオン注入においてはシャドーイ
ングを生じ、歩留まりの低下となる。またイオンビーム
の角度をもった注入においては注入されたウエハ面内で
注入角の大きくなるウエハの端部分における均一性が劣
り、チャンネリングが起こり易い。
をｘ−ｙ方向にラスタースキャンする（偏向を繰り返
す）ためスキャン後のイオンビームは中心部を除き偏向
角（掃引角）をもっている。そのためこのイオンビーム
を平らなウエハに注入する場合中心部は垂直注入になる
が、その他の部位では角度をもった注入となる。この現
象は半導体ウエハへのイオン注入においてはシャドーイ
ングを生じ、歩留まりの低下となる。またイオンビーム
の角度をもった注入においては注入されたウエハ面内で
注入角の大きくなるウエハの端部分における均一性が劣
り、チャンネリングが起こり易い。
そこで、二つの静電偏向器を用い、第１の静電偏向器
でイオンビームをα゜偏向させ、距離Ｌだけ、走らせた
後、第２の静電偏向器で−α゜偏向させて一定の方向か
らウエハにイオンを打ち込む平行掃引方式が考えられ、
この平行掃引を行うため従来提案されてきた方式の例と
しては添付図面の第９図に示す平行平板偏向器を利用し
たものや第10図に示すような平行平板四重極偏向器を利
用したものがある。
でイオンビームをα゜偏向させ、距離Ｌだけ、走らせた
後、第２の静電偏向器で−α゜偏向させて一定の方向か
らウエハにイオンを打ち込む平行掃引方式が考えられ、
この平行掃引を行うため従来提案されてきた方式の例と
しては添付図面の第９図に示す平行平板偏向器を利用し
たものや第10図に示すような平行平板四重極偏向器を利
用したものがある。
第９図においてＡは第１の平行平板偏向器で、Ｂは第
２の平行平板偏向器である。各平行平板偏向器はＹ掃引
電極組A1、B1とＸ掃引電距組A2、B2とから成っており、
第１の平行平板偏向器ＡにおけるＹ掃引電極組A1間に三
角波、鋸歯状波等の周期的に変動する電場を与えること
によりイオンビームをｙ方向に掃引し、そして第１の平
行平板偏向器ＡにおけるＸ掃引電極組A2間に三角波、鋸
歯状波等の周期的に変動する電場を与えることによりイ
オンビームをｘ方向に掃引する。また第２の平行平板偏
向器Ｂにおいても同様にｙ方向およびｘ方向に掃引を行
って試料に対して一定の方向からイオンを打ち込めるよ
うにしている。
２の平行平板偏向器である。各平行平板偏向器はＹ掃引
電極組A1、B1とＸ掃引電距組A2、B2とから成っており、
第１の平行平板偏向器ＡにおけるＹ掃引電極組A1間に三
角波、鋸歯状波等の周期的に変動する電場を与えること
によりイオンビームをｙ方向に掃引し、そして第１の平
行平板偏向器ＡにおけるＸ掃引電極組A2間に三角波、鋸
歯状波等の周期的に変動する電場を与えることによりイ
オンビームをｘ方向に掃引する。また第２の平行平板偏
向器Ｂにおいても同様にｙ方向およびｘ方向に掃引を行
って試料に対して一定の方向からイオンを打ち込めるよ
うにしている。
第10図の方式では第１の平行平板四重極偏向器Ｃと第
２の平行平板四重極偏向器Ｄとから成っている。
２の平行平板四重極偏向器Ｄとから成っている。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような平行平板偏向器では端縁における電場の
乱れのため有効領域が狭く、幅を大きくとらなければな
らず、電極が大きくなり、偏向歪みがかなり大きくな
る。また後段の偏向器は、電気容量が大きくなり、その
ため高速スキャンの場合三角波電圧が鈍ってしまいスキ
ャン電極の設計が困難になるという問題がある。このよ
うな問題のため現在のところ静電偏向方式による平行掃
引は２インチウエハまでが実現されているにすぎない。
乱れのため有効領域が狭く、幅を大きくとらなければな
らず、電極が大きくなり、偏向歪みがかなり大きくな
る。また後段の偏向器は、電気容量が大きくなり、その
ため高速スキャンの場合三角波電圧が鈍ってしまいスキ
ャン電極の設計が困難になるという問題がある。このよ
うな問題のため現在のところ静電偏向方式による平行掃
引は２インチウエハまでが実現されているにすぎない。
そこで、本発明の目的は、上記の問題を解決してター
ゲットである６インチ以上のウエハに対してもイオンビ
ームを常に一定方向から注入することができる静電掃引
型イオン注入機用平行掃引装置を提供することにある。
ゲットである６インチ以上のウエハに対してもイオンビ
ームを常に一定方向から注入することができる静電掃引
型イオン注入機用平行掃引装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明による静電掃引
型イオン注入機用平行掃引装置は、イオン源からの荷電
イオンビームを偏向させる第１多重極静電偏向器と、上
記第１多重極静電偏向器と相似形の構造をもち、上記第
１多重極静電偏向器の後方に同軸上に配置され、上記第
１多重極静電偏向器で偏向された荷電イオンビームの方
向を一定方向にする第２多重極静電偏向器とを有し、上
記第１多重極静電偏向器における各電極と中心軸線に対
して対称位置にある上記第２多重極静電偏向器における
電極とに同一の電圧を印加し、試料面を常に一定の方向
から平行な荷電イオンビームでラスターできるようにし
たことを特徴としている。
型イオン注入機用平行掃引装置は、イオン源からの荷電
イオンビームを偏向させる第１多重極静電偏向器と、上
記第１多重極静電偏向器と相似形の構造をもち、上記第
１多重極静電偏向器の後方に同軸上に配置され、上記第
１多重極静電偏向器で偏向された荷電イオンビームの方
向を一定方向にする第２多重極静電偏向器とを有し、上
記第１多重極静電偏向器における各電極と中心軸線に対
して対称位置にある上記第２多重極静電偏向器における
電極とに同一の電圧を印加し、試料面を常に一定の方向
から平行な荷電イオンビームでラスターできるようにし
たことを特徴としている。
第１、第２多重極静電偏向器は好ましい実施例によれ
ばそれぞれ八重極静電偏向器から成り得る。
ばそれぞれ八重極静電偏向器から成り得る。
また本発明の別の特徴によれば、上記装置においてさ
らに第２多重極静電偏向器の入口側に隣接して、イオン
注入すべき試料に直接入らない軌道をもつ荷電イオンビ
ームをカットするアパーチャ部材が設けられる。
らに第２多重極静電偏向器の入口側に隣接して、イオン
注入すべき試料に直接入らない軌道をもつ荷電イオンビ
ームをカットするアパーチャ部材が設けられる。
［作用］ 本発明による静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置
ては、イオンビームはまず第１多重極静電偏向器におい
て一定の角度だけ偏向され、ドリフト空間を飛行して第
２多重極静電偏向器に入る。第２多重極静電偏向器に入
ったイオンビームは第１多重極静電偏向器における偏向
方向と逆の方向に上記一定の角度だけ偏向され、これに
より軸と平行な方向に進行方向が変えられ、この第２多
重極静電偏向器を出て試料に入射し、こうして平行掃引
が行われる。
ては、イオンビームはまず第１多重極静電偏向器におい
て一定の角度だけ偏向され、ドリフト空間を飛行して第
２多重極静電偏向器に入る。第２多重極静電偏向器に入
ったイオンビームは第１多重極静電偏向器における偏向
方向と逆の方向に上記一定の角度だけ偏向され、これに
より軸と平行な方向に進行方向が変えられ、この第２多
重極静電偏向器を出て試料に入射し、こうして平行掃引
が行われる。
［実 施 例］ 以下添付図面の第１図から第８図を参照して本発明の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図には本発明の一実施例を示し、１はイオン源
（図示してない）からの荷電イオンビーム中の中性子を
トラップするための平行平板電極から成る定角偏向器、
２は定角偏向器１で一定角度偏向されたイオンビームの
方向を中心軸線とする第１八重極静電偏向器、３は第１
八重極静電偏向器２と相似形で後で例を挙げて説明する
ように第１八重極静電偏向器２より寸法の大きい第２八
重極静電偏向器、また４はイオン注入すべきウエハであ
る。
（図示してない）からの荷電イオンビーム中の中性子を
トラップするための平行平板電極から成る定角偏向器、
２は定角偏向器１で一定角度偏向されたイオンビームの
方向を中心軸線とする第１八重極静電偏向器、３は第１
八重極静電偏向器２と相似形で後で例を挙げて説明する
ように第１八重極静電偏向器２より寸法の大きい第２八
重極静電偏向器、また４はイオン注入すべきウエハであ
る。
第１八重極静電偏向器２および第２八重極静電偏向器
３は第２図に示すように電気的に接続され、すなわち第
１八重極静電偏向器２における各電極は中心軸線に対し
て対称位置にある第２八重極静電偏向器３における電極
に接続され、図示してない八つの鋸歯状波電源によりそ
れぞれ図示したような電圧が印加される。
３は第２図に示すように電気的に接続され、すなわち第
１八重極静電偏向器２における各電極は中心軸線に対し
て対称位置にある第２八重極静電偏向器３における電極
に接続され、図示してない八つの鋸歯状波電源によりそ
れぞれ図示したような電圧が印加される。
次に第３図を参照して図示装置の動作原理について説
明する。
明する。
第３図に示すように、第１八重極静電偏向器２の直径
をd1、その長さをl1、第２八重極静電偏向器３の直径を
d2、その長さをl2、両偏向器２、３間の距離をＬ、第１
八重極静電偏向器２内の電場をE1、第２八重極静電偏向
器３の電場をE2、第１八重極静電偏向器２の出口側にお
けるイオンビームの中心軸線に対する出射角（偏向角）
をθ１、第２八重極静電偏向器３の出口側におけるイオ
ンビームの中心軸線に対する出射角（偏向角）をθ２、
また第１八重極静電偏向器２に入る前のイオンのエネル
ギをU0とすると、 tanθ１＝E1l1/2U0 tanθ２＝E1l1/2U0 −E2l2/2U0 （１） となる。ここで E1 1/2U0＝E2l2/2U0 （２） が成立すれば、tanθ２＝０となり、平行掃引の条件が
得られることになる。
をd1、その長さをl1、第２八重極静電偏向器３の直径を
d2、その長さをl2、両偏向器２、３間の距離をＬ、第１
八重極静電偏向器２内の電場をE1、第２八重極静電偏向
器３の電場をE2、第１八重極静電偏向器２の出口側にお
けるイオンビームの中心軸線に対する出射角（偏向角）
をθ１、第２八重極静電偏向器３の出口側におけるイオ
ンビームの中心軸線に対する出射角（偏向角）をθ２、
また第１八重極静電偏向器２に入る前のイオンのエネル
ギをU0とすると、 tanθ１＝E1l1/2U0 tanθ２＝E1l1/2U0 −E2l2/2U0 （１） となる。ここで E1 1/2U0＝E2l2/2U0 （２） が成立すれば、tanθ２＝０となり、平行掃引の条件が
得られることになる。
ところで、第１、第２八重極静電偏向器２、３は相似
形であり、第２図に示すように第１八重極静電偏向器２
の電極2aと第２八重極静電偏向器３の電極3aとにＶ、電
極2bと電極3bとに1/√２（Ｕ＋Ｖ）、電極2c、3cにＵと
いうように同一の電圧を印加すると、電場E1、E2は互い
に平行で方向が逆となり、それぞれ次式で与えられる。
形であり、第２図に示すように第１八重極静電偏向器２
の電極2aと第２八重極静電偏向器３の電極3aとにＶ、電
極2bと電極3bとに1/√２（Ｕ＋Ｖ）、電極2c、3cにＵと
いうように同一の電圧を印加すると、電場E1、E2は互い
に平行で方向が逆となり、それぞれ次式で与えられる。
E1＝λV/d1、E2＝λV/d2 （３） これを式（２）に代入すると、 λV/U0・l1/d1 ＝λV/U0・l2/d2 と表わされ、ここで第１、第２八重極静電偏向器２、３
が相似形であるので、 l1/d1＝l2/d2 （４） である。この式の両辺にλＶを掛けると λＶ・l1/d1＝λＶ・l2/d2 が得られ、従って E1 l1＝E2 l2 となり、式（２）の平行掃引の条件が満たされ得る。
が相似形であるので、 l1/d1＝l2/d2 （４） である。この式の両辺にλＶを掛けると λＶ・l1/d1＝λＶ・l2/d2 が得られ、従って E1 l1＝E2 l2 となり、式（２）の平行掃引の条件が満たされ得る。
また第１、第２八重極静電偏向器の各電極に印加する
電圧について考察すると、今便宜上第４図に示すような
円筒状の偏向器を考え、ｙ方向に一様な電場V/r0を生じ
させるためにはその断面の円周上にどのような電位を与
えればよいかを考えてみる。
電圧について考察すると、今便宜上第４図に示すような
円筒状の偏向器を考え、ｙ方向に一様な電場V/r0を生じ
させるためにはその断面の円周上にどのような電位を与
えればよいかを考えてみる。
ｘ方向に対して角度θと成す半径OPを考え、Ｐ点の電
位をφとすると、 φ＝V/r0・r0 sinθ＝Vsinθ となる。すなち、円周上にVsinθのような電位分布を与
えると、円筒内に−ｙ方向にV/r0の一様な電場が生じる
ことになる。同様にしてUcosθのような電位分布を与え
ると円筒内の−ｘ方向にU/r0の一様な電場が生じること
になる。そこで円周上にVsinθ＋UcoSθのような電位分
布を与えると、U/r0の大きさをもつ−ｘ方向の電場とV/
r0の大きさをもつ−ｙ方向に電場とを重ね合わせた一様
な電化Ｅが得られる。
位をφとすると、 φ＝V/r0・r0 sinθ＝Vsinθ となる。すなち、円周上にVsinθのような電位分布を与
えると、円筒内に−ｙ方向にV/r0の一様な電場が生じる
ことになる。同様にしてUcosθのような電位分布を与え
ると円筒内の−ｘ方向にU/r0の一様な電場が生じること
になる。そこで円周上にVsinθ＋UcoSθのような電位分
布を与えると、U/r0の大きさをもつ−ｘ方向の電場とV/
r0の大きさをもつ−ｙ方向に電場とを重ね合わせた一様
な電化Ｅが得られる。
図示実施例の八極の場合には、Vsinθ＋UcoSθは第２
図に示すようになる。
図に示すようになる。
第５図には電圧波形の一例を示し、1/√２（Ｕ＋Ｖ）
等は加算器を用いてＵ、Ｖ波形から合成して形成され得
る。
等は加算器を用いてＵ、Ｖ波形から合成して形成され得
る。
次に各部の実際の数値例を例示する。
第２八重極静電偏向器の半径をr0とし、その0.8 r0ま
での部分が有効に（偏向歪みなしに）使えるとすると、
オーバスキャンを1cmとして６インチのウエハでは、d2
は、（６インチ＋1cm×２）/0.8＝21.25cmとなる。
での部分が有効に（偏向歪みなしに）使えるとすると、
オーバスキャンを1cmとして６インチのウエハでは、d2
は、（６インチ＋1cm×２）/0.8＝21.25cmとなる。
l1＝20cm、 d1＝4cm l2＝106.25cm、d2＝21.25cm Ｌ＝56.88cm E1＝5/4KV/cm、 l1＝15cm、 d1＝4cm l2＝79.69cm、d2＝21.25cm Ｌ＝59.3cm E1＝7.5/4KV/cm、 第６図には本発明の別の実施例を示し、第１図の実施
例と対応した部分は同じ符号で示す。この場合には第２
八重極静電偏向器３の入口側に隣接してアパーチャ部材
５が設けられ、このアパーチャ部材５は鋭いエッヂ5aを
備え、例えば炭素で作られ得る。また６はウエハ４のオ
ーバスキャンのマージンを示す。この実施例では、平行
掃引の条件の下でイオン注入を行うべきウエハ４にオー
バスキャンのマージンを含む分だけを考慮しそれ以上の
部分は掃引の際にイオンビームがアパーチャ部材５によ
つてカットされるようにしている。すなわちこのイオン
ビームが第２八重極静電偏向器３の各電極に衝突してス
バッタンリングにより汚染するのを防止するようにして
いる。
例と対応した部分は同じ符号で示す。この場合には第２
八重極静電偏向器３の入口側に隣接してアパーチャ部材
５が設けられ、このアパーチャ部材５は鋭いエッヂ5aを
備え、例えば炭素で作られ得る。また６はウエハ４のオ
ーバスキャンのマージンを示す。この実施例では、平行
掃引の条件の下でイオン注入を行うべきウエハ４にオー
バスキャンのマージンを含む分だけを考慮しそれ以上の
部分は掃引の際にイオンビームがアパーチャ部材５によ
つてカットされるようにしている。すなわちこのイオン
ビームが第２八重極静電偏向器３の各電極に衝突してス
バッタンリングにより汚染するのを防止するようにして
いる。
第７図及び第８図には各八重極静電偏向器の好ましい
実施例を示し、八重極静電偏向器を構成している各電極
7a〜7hは各角部を丸くした断面長方形を成したアルミニ
ウムから成っている。また各電極7a〜7hの両端はガラス
エポキシ樹脂製の絶縁リング８に等間隔に取り付けられ
ている。
実施例を示し、八重極静電偏向器を構成している各電極
7a〜7hは各角部を丸くした断面長方形を成したアルミニ
ウムから成っている。また各電極7a〜7hの両端はガラス
エポキシ樹脂製の絶縁リング８に等間隔に取り付けられ
ている。
各電極7a〜7hへの電流導入は、各電極7a〜7hの例えば
その外側の一端近くにおいて半径方向外方に向かって突
設されたソケット９と、これに対向して真空槽の壁10を
貫通して設けた電流導入端子11のプラグ12とを圧接させ
ることによる行われ得る。
その外側の一端近くにおいて半径方向外方に向かって突
設されたソケット９と、これに対向して真空槽の壁10を
貫通して設けた電流導入端子11のプラグ12とを圧接させ
ることによる行われ得る。
ところで図示実施例では八極型の偏向器を用いている
が、当然八極以下または以上の多重極静電偏向器を用い
ることも可能である。
が、当然八極以下または以上の多重極静電偏向器を用い
ることも可能である。
［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明による静電掃引型イ
オン注入機用平行掃引装置では一様な電場が70％以上に
及び、有効範囲が平行平板電極を用いた場合に比較して
広く取れ、後段の偏向器を小形化できる。また電極間の
容量を小さくでき、三角波または鋸歯状波電圧の鈍りを
小さくすることができる。さらに第１段と第２段の偏向
器を相似形としているために第１段の偏向器における各
電極と第２段の偏向器における各電極を同一電源から同
一電圧を供給でき、偏向系をコンパクトに構成すること
ができる。
オン注入機用平行掃引装置では一様な電場が70％以上に
及び、有効範囲が平行平板電極を用いた場合に比較して
広く取れ、後段の偏向器を小形化できる。また電極間の
容量を小さくでき、三角波または鋸歯状波電圧の鈍りを
小さくすることができる。さらに第１段と第２段の偏向
器を相似形としているために第１段の偏向器における各
電極と第２段の偏向器における各電極を同一電源から同
一電圧を供給でき、偏向系をコンパクトに構成すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略斜視図、第２図は
各電極間の電気的接続および電圧の印加状態を示す概略
線図、第３図は平行掃引の原理の説明図、第４図は各電
極への電圧印加方法の説明図、第５図は各電極に印加さ
れる電圧波形を例示する波形線図、第６図は本発明の別
の実施例を示す概略図、第７図は八重極静電偏向器の好
ましい実施例を示す概略斜視図、第８図は第７図の八重
極静電偏向器を真空槽内に挿置した状態を概略的に示す
部分断面図、第９図は従来の平行平板型の偏向系の概略
線図、第10図は平行平板四重極偏向系の概略線図であ
る。 図中 2:第１多重極静電偏向器 3:第２多重極静電偏向器 4:イオン注入すべきウエハ 5:アパーチャ部材
各電極間の電気的接続および電圧の印加状態を示す概略
線図、第３図は平行掃引の原理の説明図、第４図は各電
極への電圧印加方法の説明図、第５図は各電極に印加さ
れる電圧波形を例示する波形線図、第６図は本発明の別
の実施例を示す概略図、第７図は八重極静電偏向器の好
ましい実施例を示す概略斜視図、第８図は第７図の八重
極静電偏向器を真空槽内に挿置した状態を概略的に示す
部分断面図、第９図は従来の平行平板型の偏向系の概略
線図、第10図は平行平板四重極偏向系の概略線図であ
る。 図中 2:第１多重極静電偏向器 3:第２多重極静電偏向器 4:イオン注入すべきウエハ 5:アパーチャ部材
Claims (3)
- 【請求項１】イオン源からの荷電イオンビームを偏向さ
せる第１多重極静電偏向器と、上記第１多重極静電偏向
器と相似形の構造をもち、上記第１多重極静電偏向器の
後方に同軸上に配置され、上記第１多重極静電偏向器で
偏向された荷電イオンビームの方向を一定方向にする第
２多重極静電偏向器とを有し、上記第１多重極静電偏向
器における各電極と中心軸線に対して対称位置にある上
記第２多重極静電偏向器における電極とに同一の電圧を
印加し、試料面を常に一定の方向から平行な荷電イオン
ビームでラスターできるようにしたことを特徴とする静
電掃引型イオン注入機用平行掃引装置。 - 【請求項２】第１、第２多重極静電偏向器がそれぞれ八
重極静電偏向器である特許請求の範囲第１項に記載の静
電掃引型イオン注入機用平行掃引装置。 - 【請求項３】イオン源からの荷電イオンビームを偏向さ
せる第１多重極静電偏向器と、上記第１多重極静電偏向
器と相似形の構造をもち、上記第１多重極静電偏向器の
後方に同軸上に配置され、上記第１多重極静電偏向器で
偏向された荷電イオンビームの方向を一定方向にする第
２多重極静電偏向器と、上記第２多重極静電偏向器の入
口側に隣接して位置決めされ、イオン注入すべき試料に
直接入らない軌道をもつ荷電イオンビームをカットする
アパーチャ部材とを有し、上記第１多重極静電偏向器に
おける各電極と中心軸線に対して対称位置にある上記第
２多重極静電偏向器における電極とに同一の電圧を印加
し、試料面を常に一定の方向から平行な荷電イオンビー
ムでラスターできるようにしたことを特徴とする静電掃
引型イオン注入機用平行掃引装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63150075A JP2706471B2 (ja) | 1987-09-30 | 1988-06-20 | 静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置 |
| US07/243,614 US4942342A (en) | 1987-09-30 | 1988-09-12 | Parallel sweeping system for electrostatic sweeping ion implanter |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-243690 | 1987-09-30 | ||
| JP24369087 | 1987-09-30 | ||
| JP63150075A JP2706471B2 (ja) | 1987-09-30 | 1988-06-20 | 静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157047A JPH01157047A (ja) | 1989-06-20 |
| JP2706471B2 true JP2706471B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=26479786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63150075A Expired - Lifetime JP2706471B2 (ja) | 1987-09-30 | 1988-06-20 | 静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4942342A (ja) |
| JP (1) | JP2706471B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5091655A (en) * | 1991-02-25 | 1992-02-25 | Eaton Corporation | Reduced path ion beam implanter |
| JPH04368122A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sharp Corp | 半導体素子のイオン注入方法 |
| EP0581440B1 (en) * | 1992-07-16 | 2001-09-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning system |
| JPH09260243A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
| DE19907858C1 (de) * | 1999-02-24 | 2000-10-05 | Leica Microsys Lithography Ltd | Vorrichtung zur elektrostatischen Ablenkung eines Korpuskularstrahles |
| US6521895B1 (en) | 1999-10-22 | 2003-02-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wide dynamic range ion beam scanners |
| JPWO2002103765A1 (ja) * | 2001-06-18 | 2004-10-07 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、半導体素子製造方法、及び電子ビーム形状測定方法 |
| US6767809B2 (en) * | 2002-11-19 | 2004-07-27 | Silterra Malayisa Sdn. Bhd. | Method of forming ultra shallow junctions |
| US6881966B2 (en) * | 2003-05-15 | 2005-04-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Hybrid magnetic/electrostatic deflector for ion implantation systems |
| KR100538813B1 (ko) * | 2004-07-31 | 2005-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트랜지스터 파라미터의 균일도 확보를 위한 이온주입 장치및 그를 이용한 이온주입 방법 |
| KR20130135320A (ko) * | 2004-08-24 | 2013-12-10 | 셀라 세미컨덕터 엔지니어링 라보라토리스 리미티드 | 워크피스를 밀링하기 위해 이온빔을 지향시키고 다수회 편향시키고, 그 정도를 결정 및 제어하기 위한 방법 |
| US7547900B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-06-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a ribbon-shaped gas cluster ion beam |
| US7750320B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for two-dimensional beam scan across a workpiece of an ion implanter |
| KR102120473B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2020-06-08 | 박진수 | 미세먼지 차단용 호흡장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1325540A (en) * | 1969-10-10 | 1973-08-01 | Texas Instruments Ltd | Electron beam apparatus |
| US4315153A (en) * | 1980-05-19 | 1982-02-09 | Hughes Aircraft Company | Focusing ExB mass separator for space-charge dominated ion beams |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63150075A patent/JP2706471B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-12 US US07/243,614 patent/US4942342A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01157047A (ja) | 1989-06-20 |
| US4942342A (en) | 1990-07-17 |
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