JP2804325B2 - 積層型卑金属セラミックチップコンデンサ - Google Patents
積層型卑金属セラミックチップコンデンサInfo
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- JP2804325B2 JP2804325B2 JP32686789A JP32686789A JP2804325B2 JP 2804325 B2 JP2804325 B2 JP 2804325B2 JP 32686789 A JP32686789 A JP 32686789A JP 32686789 A JP32686789 A JP 32686789A JP 2804325 B2 JP2804325 B2 JP 2804325B2
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- ceramic chip
- dielectric layer
- metal ceramic
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ニッケルあるいはニッケル合金等の卑金属
を内部電極とした積層型セラミックチップコンデンサに
関する。
を内部電極とした積層型セラミックチップコンデンサに
関する。
（従来の技術） 第３図は従来の積層型卑金属セラミックチップコンデ
ンサを示す断面図であり、このコンデンサは、チタン酸
バリウム等の誘電体層１と、ニッケルやその合金等の卑
金属でなる内部電極２とを印刷法等により積層して焼成
し、側面に外部電極３を焼付け等により形成してなるも
のである。
ンサを示す断面図であり、このコンデンサは、チタン酸
バリウム等の誘電体層１と、ニッケルやその合金等の卑
金属でなる内部電極２とを印刷法等により積層して焼成
し、側面に外部電極３を焼付け等により形成してなるも
のである。
（発明が解決すべき課題） 上記従来の積層型卑金属セラミックチップコンデンサ
においては、パラジウム等を内部電極２に用いた積層型
貴金属セラミックチップコンデンサに比べて負荷時の寿
命が短い。
においては、パラジウム等を内部電極２に用いた積層型
貴金属セラミックチップコンデンサに比べて負荷時の寿
命が短い。
ところで、この寿命を縮めるチップの破壊の発生箇所
の分布に片寄りがある。この負荷時の破壊箇所の発生の
割合を第３図の右欄にパーセントで表示している。この
破壊箇所の表示から分かるように、チップの積層方向の
中央部に破壊箇所が集中している。つまりチップの積層
方向の中央部ほど寿命が短いことが明らかである。これ
は、内部電極２にニッケルを用いているために、ニッケ
ルが酸化しないように、還元雰囲気で焼成することに起
因すると考えられている。すなわち、チップの焼成後の
アニール処理時の再酸化チップ表面から起こり、チップ
内部の再酸化が内部で不十分であることに起因してい
る。この問題を解決するため、チタン酸バリウム系誘電
体材料の還元防止のために、組成の工夫がいくつかなさ
れているものの、素地の還元を完全に防止することはで
きない。
の分布に片寄りがある。この負荷時の破壊箇所の発生の
割合を第３図の右欄にパーセントで表示している。この
破壊箇所の表示から分かるように、チップの積層方向の
中央部に破壊箇所が集中している。つまりチップの積層
方向の中央部ほど寿命が短いことが明らかである。これ
は、内部電極２にニッケルを用いているために、ニッケ
ルが酸化しないように、還元雰囲気で焼成することに起
因すると考えられている。すなわち、チップの焼成後の
アニール処理時の再酸化チップ表面から起こり、チップ
内部の再酸化が内部で不十分であることに起因してい
る。この問題を解決するため、チタン酸バリウム系誘電
体材料の還元防止のために、組成の工夫がいくつかなさ
れているものの、素地の還元を完全に防止することはで
きない。
本発明は、上述のような問題点に鑑み、寿命の長い積
層型卑金属セラミックチップコンデンサを提供すること
を目的とする。
層型卑金属セラミックチップコンデンサを提供すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段） この目的を達成するため、本発明は、ニッケルあるい
はニッケル合金等の卑金属を内部電極とした積層型セラ
ミックチップコンデンサにおいて、積層方向の中央部の
誘電体層を他の部分よりも厚く形成したことを特徴とす
る。
はニッケル合金等の卑金属を内部電極とした積層型セラ
ミックチップコンデンサにおいて、積層方向の中央部の
誘電体層を他の部分よりも厚く形成したことを特徴とす
る。
また、積層方向の中央部にポーラスな誘電体層を設け
たことを特徴とする。
たことを特徴とする。
（作用） 積層方向の中央部の誘電体層を他の部分よりも厚く形
成することにより、中央部の電界強度が他の部分より弱
められる。
成することにより、中央部の電界強度が他の部分より弱
められる。
また、中央部にポーラスな誘電体を設ければ、アニー
ル処理時に誘電体層の再酸化が促進される。
ル処理時に誘電体層の再酸化が促進される。
（実施例） 第１図は本発明による積層型卑金属セラミックチップ
コンデンサの一実施例を示す断面図である。このチップ
コンデンサは、積層方向の中央部の誘電体層１の厚さW1
を、他の部分すなわち、図面上の上下部分の厚さW2〜W4
より大としている。本実施例においては、中央部ほど厚
く、W1＞W2＞W3＞W4としている。
コンデンサの一実施例を示す断面図である。このチップ
コンデンサは、積層方向の中央部の誘電体層１の厚さW1
を、他の部分すなわち、図面上の上下部分の厚さW2〜W4
より大としている。本実施例においては、中央部ほど厚
く、W1＞W2＞W3＞W4としている。
第４図は、対向する内部電極間の誘電体厚さを変化さ
せることにより、電界強度を変化させて、印加電圧200
V、200℃で加速試験を行なった場合の寿命を測定した結
果を示すもので、電界強度の増大に伴なって急激に寿命
が短くなることが分かる。
せることにより、電界強度を変化させて、印加電圧200
V、200℃で加速試験を行なった場合の寿命を測定した結
果を示すもので、電界強度の増大に伴なって急激に寿命
が短くなることが分かる。
このように、電界強度と寿命とは大いに関連があるか
ら、第１図に示したように、破壊が起こりやすい中央部
分に誘電体層を大として電界強度を小とすることによ
り、チップコンデンサの寿命を従来の２倍以上に延長す
ることができた。
ら、第１図に示したように、破壊が起こりやすい中央部
分に誘電体層を大として電界強度を小とすることによ
り、チップコンデンサの寿命を従来の２倍以上に延長す
ることができた。
第２図は本発明の他の実施例であり、積層方向の中央
部の誘電体層にポーラスな誘電体層1Aを設けたものであ
る。このようにポーラスな誘電体層1Aは、積層に際して
誘電体ペースト中に炭素粉末あるいは樹脂粉末を分散さ
せたものを積層することにより形成される。
部の誘電体層にポーラスな誘電体層1Aを設けたものであ
る。このようにポーラスな誘電体層1Aは、積層に際して
誘電体ペースト中に炭素粉末あるいは樹脂粉末を分散さ
せたものを積層することにより形成される。
このように、中央部にポーラスな誘電体層1Aを設ける
ことにより、焼成後のアニール処理時に誘電体層１が再
酸化し易くなり、中央部の再酸化が十分となるので、前
記実施例と同様に寿命を２倍以上延長することが可能と
なる。
ことにより、焼成後のアニール処理時に誘電体層１が再
酸化し易くなり、中央部の再酸化が十分となるので、前
記実施例と同様に寿命を２倍以上延長することが可能と
なる。
本発明は、誘電体層１、1Aがチタン酸バリウム系のも
ののみならず、酸化チタン系、ジルコン酸バリウム系、
鉛複合ペロブスカイト系のものである場合にも適用で
き、また、内部電極２として、ニッケルやその合金以外
に、銅やその合金を用いる場合に適用しても延命効果が
得られる。
ののみならず、酸化チタン系、ジルコン酸バリウム系、
鉛複合ペロブスカイト系のものである場合にも適用で
き、また、内部電極２として、ニッケルやその合金以外
に、銅やその合金を用いる場合に適用しても延命効果が
得られる。
（発明の効果） 請求項１によれば、中央部の誘電体層を厚くしたの
で、破壊を起こしやすい部分の電界強度が弱くなり、コ
ンデンサの寿命の延長が達成される。
で、破壊を起こしやすい部分の電界強度が弱くなり、コ
ンデンサの寿命の延長が達成される。
請求項２によれば、中央部にポーラスな誘電体層を設
けたことにより、焼成後のアニール時における誘電体の
再酸化が十分となり、コンデンサの寿命の延長が達成さ
れる。
けたことにより、焼成後のアニール時における誘電体の
再酸化が十分となり、コンデンサの寿命の延長が達成さ
れる。
第１図は本発明によるの積層型卑金属セラミックチップ
コンデンサの一実施例を示す断面図、第２図は本発明の
他の実施例を示す断面図、第３図は従来の積層型卑金属
セラミックチップコンデンサを破壊箇所分布と共に示す
断面図、第４図はコンデンサの加速試験における電界強
度と寿命との関係図である。 1:誘電体層、1A:ポーラスな誘電体層、2:内部電極、3:
外部電極
コンデンサの一実施例を示す断面図、第２図は本発明の
他の実施例を示す断面図、第３図は従来の積層型卑金属
セラミックチップコンデンサを破壊箇所分布と共に示す
断面図、第４図はコンデンサの加速試験における電界強
度と寿命との関係図である。 1:誘電体層、1A:ポーラスな誘電体層、2:内部電極、3:
外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 雅昭 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 中野 幸恵 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 阿部 道郎 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 4/12 H01G 4/30
Claims (2)
- 【請求項１】ニッケルあるいはニッケル合金等の卑金属
を内部電極とした積層型セラミックチップコンデンサに
おいて、積層方向の中央部の誘電体層を他の部分よりも
厚く形成したことを特徴とする積層型卑金属セラミック
チップコンデンサ。 - 【請求項２】ニッケルあるいはニッケル合金等の卑金属
を内部電極とした積層型セラミックチップコンデンサに
おいて、積層方向の中央部にポーラスな誘電体層を設け
たことを特徴とする積層型卑金属セラミックチップコン
デンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32686789A JP2804325B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 積層型卑金属セラミックチップコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32686789A JP2804325B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 積層型卑金属セラミックチップコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187209A JPH03187209A (ja) | 1991-08-15 |
| JP2804325B2 true JP2804325B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=18192616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32686789A Expired - Lifetime JP2804325B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 積層型卑金属セラミックチップコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804325B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224071A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型コンデンサ |
| JP4622421B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | 積層コンデンサ |
| JP4654854B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2011-03-23 | パナソニック株式会社 | 積層コンデンサ及びモールドコンデンサ |
| JP5303884B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2013-10-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR101882998B1 (ko) * | 2011-11-25 | 2018-07-30 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| WO2013190718A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR101514509B1 (ko) * | 2013-02-26 | 2015-04-22 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 소자 |
| JP5652487B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2015-01-14 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32686789A patent/JP2804325B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03187209A (ja) | 1991-08-15 |
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