JP2804848B2 - シールドルームおよび電波暗室の製造方法 - Google Patents
シールドルームおよび電波暗室の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁界を遮蔽するため
のシールドルーム、および、電波の漏洩を防止するため
の電波暗室の製造方法に関する。
のシールドルーム、および、電波の漏洩を防止するため
の電波暗室の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電磁シールドルームは、その内
部で使用される機器の仕様条件、例えば、性能，精度，
電磁環境等、および、シールドルーム周辺の環境条件、
例えば、周辺機器との取り合い，電磁環境，使い勝手等
を考慮して、材料，構成部材，開口部の構造等が設計さ
れている。
部で使用される機器の仕様条件、例えば、性能，精度，
電磁環境等、および、シールドルーム周辺の環境条件、
例えば、周辺機器との取り合い，電磁環境，使い勝手等
を考慮して、材料，構成部材，開口部の構造等が設計さ
れている。
【０００３】そして、シールドルーム内で使用される機
器が、磁界成分のシールドを必要とするのか、電界成分
のシールドを必要とするのか、あるいは、これ等の両者
のシールドを必要とするのかによって、そのシール構造
が異なってくる。例えば、微弱な磁気を測定するセンサ
ーを使用するシールドルームでは、電界成分も磁界成分
もシールドする必要があり、磁界成分をシールドするた
めの透磁性の高い材料と、磁界成分をシールドするため
の導電性の高い材料とを組み合わせた構造のシールドル
ームが要望される。
器が、磁界成分のシールドを必要とするのか、電界成分
のシールドを必要とするのか、あるいは、これ等の両者
のシールドを必要とするのかによって、そのシール構造
が異なってくる。例えば、微弱な磁気を測定するセンサ
ーを使用するシールドルームでは、電界成分も磁界成分
もシールドする必要があり、磁界成分をシールドするた
めの透磁性の高い材料と、磁界成分をシールドするため
の導電性の高い材料とを組み合わせた構造のシールドル
ームが要望される。
【０００４】上述した微弱な磁気を測定するセンサーと
しては、例えば、現在開発の進められている、脳から発
生する微弱な脳磁波を検出し、脳卒中，てんかん等の病
気の解明を図るための超電動量子干渉素子（ＳＱＵＩ
Ｄ）センサーがある。このセンサーは、１０のマイナス
１２乗テスラの微弱な磁気を測定するため、このセンサ
ーを使用するためには、周辺環境から発生する電磁ノイ
ズを確実に遮断する必要がある。
しては、例えば、現在開発の進められている、脳から発
生する微弱な脳磁波を検出し、脳卒中，てんかん等の病
気の解明を図るための超電動量子干渉素子（ＳＱＵＩ
Ｄ）センサーがある。このセンサーは、１０のマイナス
１２乗テスラの微弱な磁気を測定するため、このセンサ
ーを使用するためには、周辺環境から発生する電磁ノイ
ズを確実に遮断する必要がある。
【０００５】現在、このセンサーを使用するシールドル
ームは、磁界成分を、パーマロイ等の高透磁性材料によ
りシールドし、電界成分を、銅，亜鉛，鉄等の高導電性
材料でシールドするように設計されており、高透磁性材
料からなる板材と、高導電性材料からなる板材を何層に
も、パネル状に組み合わせて構成されている。
ームは、磁界成分を、パーマロイ等の高透磁性材料によ
りシールドし、電界成分を、銅，亜鉛，鉄等の高導電性
材料でシールドするように設計されており、高透磁性材
料からなる板材と、高導電性材料からなる板材を何層に
も、パネル状に組み合わせて構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、高透磁性材料からなる板材と、高導電性材料から
なる板材を何層にも、パネル状に組み合わせてシールド
ルームを構成する場合には、構造的および性能的に、複
雑な設計をする必要が生じ、製造コストが増大するとい
う問題があった。
うに、高透磁性材料からなる板材と、高導電性材料から
なる板材を何層にも、パネル状に組み合わせてシールド
ルームを構成する場合には、構造的および性能的に、複
雑な設計をする必要が生じ、製造コストが増大するとい
う問題があった。
【０００７】すなわち、重量，積層，耐震性等の構造的
な面、および、開口部，ジョイント部，貫通部等の性能
的な面において、非常に複雑な設計をする必要があると
いう問題があった。一方、電波の漏洩を防止するための
電波暗室は、従来、シールドルームの内壁に、必要に応
じた電波吸収体を固定することにより形成されており、
シールドルームを構築するためには、前述した問題が生
ずる。
な面、および、開口部，ジョイント部，貫通部等の性能
的な面において、非常に複雑な設計をする必要があると
いう問題があった。一方、電波の漏洩を防止するための
電波暗室は、従来、シールドルームの内壁に、必要に応
じた電波吸収体を固定することにより形成されており、
シールドルームを構築するためには、前述した問題が生
ずる。
【０００８】本発明は、かかる従来の問題を解決するた
めになされたもので、簡易な構造で、かつ、従来より大
幅に製造コストを低減することのできるシールドルーム
および電波暗室の製造方法を提供することを目的とす
る。
めになされたもので、簡易な構造で、かつ、従来より大
幅に製造コストを低減することのできるシールドルーム
および電波暗室の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のシールドルー
ムの製造方法は、建屋躯体に、磁界成分をシールドする
ための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低
温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表面に、
電界成分をシールドするための高導電性材料からなる金
属を低温溶射し、第２低温溶射層を形成することを特徴
とする。請求項２のシールドルームの製造方法は、建屋
躯体に、電界成分をシールドするための高導電性材料か
らなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した
後、この第１低温溶射層の表面に、磁界成分をシールド
するための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第
２低温溶射層を形成することを特徴とする。
ムの製造方法は、建屋躯体に、磁界成分をシールドする
ための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低
温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表面に、
電界成分をシールドするための高導電性材料からなる金
属を低温溶射し、第２低温溶射層を形成することを特徴
とする。請求項２のシールドルームの製造方法は、建屋
躯体に、電界成分をシールドするための高導電性材料か
らなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した
後、この第１低温溶射層の表面に、磁界成分をシールド
するための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第
２低温溶射層を形成することを特徴とする。
【００１０】請求項３の電波暗室の製造方法は、建屋躯
体に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料から
なる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した後、
この第１低温溶射層の表面に、電界成分をシールドする
ための高導電性材料からなる金属を低温溶射し第２低温
溶射層を形成し、この後、この第２低温溶射層の表面
に、電波吸収体を固定することを特徴とする。請求項４
の電波暗室の製造方法は、建屋躯体に、電界成分をシー
ルドするための高導電性材料からなる金属を低温溶射
し、第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層
の表面に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料
からなる金属を低温溶射し第２低温溶射層を形成し、こ
の後、この第２低温溶射層の表面に、電波吸収体を固定
することを特徴とする。
体に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料から
なる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した後、
この第１低温溶射層の表面に、電界成分をシールドする
ための高導電性材料からなる金属を低温溶射し第２低温
溶射層を形成し、この後、この第２低温溶射層の表面
に、電波吸収体を固定することを特徴とする。請求項４
の電波暗室の製造方法は、建屋躯体に、電界成分をシー
ルドするための高導電性材料からなる金属を低温溶射
し、第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層
の表面に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料
からなる金属を低温溶射し第２低温溶射層を形成し、こ
の後、この第２低温溶射層の表面に、電波吸収体を固定
することを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１のシールドルームの製造方法では、建
屋躯体に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料
からなる金属が低温溶射され、第１低温溶射層が形成さ
れ、この後、この第１低温溶射層の表面に、電界成分を
シールドするための高導電性材料からなる金属が低温溶
射され、第２低温溶射層が形成される。請求項２のシー
ルドルームの製造方法では、建屋躯体に、電界成分をシ
ールドするための高導電性材料からなる金属が低温溶射
され、第１低温溶射層が形成され、この後、この第１低
温溶射層の表面に、磁界成分をシールドするための高透
磁性材料からなる金属が低温溶射され、第２低温溶射層
が形成される。
屋躯体に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料
からなる金属が低温溶射され、第１低温溶射層が形成さ
れ、この後、この第１低温溶射層の表面に、電界成分を
シールドするための高導電性材料からなる金属が低温溶
射され、第２低温溶射層が形成される。請求項２のシー
ルドルームの製造方法では、建屋躯体に、電界成分をシ
ールドするための高導電性材料からなる金属が低温溶射
され、第１低温溶射層が形成され、この後、この第１低
温溶射層の表面に、磁界成分をシールドするための高透
磁性材料からなる金属が低温溶射され、第２低温溶射層
が形成される。
【００１２】請求項３および請求項４の電波暗室の製造
方法では、上述したようにして製造されたシールドルー
ムの第２低温溶射層の表面に、電波吸収体が固定され
る。
方法では、上述したようにして製造されたシールドルー
ムの第２低温溶射層の表面に、電波吸収体が固定され
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の詳細を図面に示す実施例につ
いて説明する。図１は、本発明のシールドルームの製造
方法の一実施例により製造されているシールドルームを
示しており、図において符号１１は、例えば、鉄筋コン
クリートにより形成される建屋躯体を示している。
いて説明する。図１は、本発明のシールドルームの製造
方法の一実施例により製造されているシールドルームを
示しており、図において符号１１は、例えば、鉄筋コン
クリートにより形成される建屋躯体を示している。
【００１４】この建屋躯体１１の内面には、全面にわた
って、図２に示すように、例えば、パーマロイ，アモル
ファス等の磁界成分をシールドするための高透磁性材料
からなる金属が、直接、低温溶射され、第１低温溶射層
１３が形成されている。そして、この第１の低温溶射層
１３の表面には、真鍮，銅，アルミニウム，亜鉛等の電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
が低温溶射され、第２低温溶射層１５が形成されてい
る。
って、図２に示すように、例えば、パーマロイ，アモル
ファス等の磁界成分をシールドするための高透磁性材料
からなる金属が、直接、低温溶射され、第１低温溶射層
１３が形成されている。そして、この第１の低温溶射層
１３の表面には、真鍮，銅，アルミニウム，亜鉛等の電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
が低温溶射され、第２低温溶射層１５が形成されてい
る。
【００１５】図３は、高導電性材料（または高透磁性材
料）からなる金属の低温溶射に使用される低温溶射装置
の一例（日本テイオン溶射株式会社製の溶射装置）を示
すもので、この低温溶射装置は、溶射機２１と、電源ボ
ックス２３と、スクリューコンプレッサー２５とから構
成されている。電源ボックス２３内には、高導電性材料
（または高透磁性材料）からなる線材２７を巻回した図
示しないボビンが収容されており、この線材２７の一端
が、溶射機２１に接続されている。
料）からなる金属の低温溶射に使用される低温溶射装置
の一例（日本テイオン溶射株式会社製の溶射装置）を示
すもので、この低温溶射装置は、溶射機２１と、電源ボ
ックス２３と、スクリューコンプレッサー２５とから構
成されている。電源ボックス２３内には、高導電性材料
（または高透磁性材料）からなる線材２７を巻回した図
示しないボビンが収容されており、この線材２７の一端
が、溶射機２１に接続されている。
【００１６】スクリューコンプレッサー２５には、エア
ーホース２９の一端が接続されており、このエアーホー
ス２９は、電源ボックス２３を介して、溶射機２１に接
続されている。なお、図において符号３１は電源を、符
号３３はアースを、符号３５はケーブルを示している。
ーホース２９の一端が接続されており、このエアーホー
ス２９は、電源ボックス２３を介して、溶射機２１に接
続されている。なお、図において符号３１は電源を、符
号３３はアースを、符号３５はケーブルを示している。
【００１７】このような低温溶射装置を使用しての第１
低温溶射層１３または第２低温溶射層１５の形成は、第
１図に示したように、スクリューコンプレッサー２５お
よび電源ボックス２３を作動し、溶射機２１を手に掴ん
だ状態で、溶射機２１内で、例えば、電気放電された線
材２７の粒子を、エアーホース２９からの空気により、
溶射機２１から噴出させ、建屋躯体１１、または、第１
低温溶射層１３に吹き付けることにより行なわれる。
低温溶射層１３または第２低温溶射層１５の形成は、第
１図に示したように、スクリューコンプレッサー２５お
よび電源ボックス２３を作動し、溶射機２１を手に掴ん
だ状態で、溶射機２１内で、例えば、電気放電された線
材２７の粒子を、エアーホース２９からの空気により、
溶射機２１から噴出させ、建屋躯体１１、または、第１
低温溶射層１３に吹き付けることにより行なわれる。
【００１８】なお、上述した低温溶射装置では、低温溶
射層１３，１５の厚みを、必要に応じて、例えば、５０
ミクロンメートルから５０ｍｍ程度まで任意に設定する
ことができる。しかして、以上のようなシールドルーム
の製造方法では、建屋躯体１１に、磁界成分をシールド
するための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第
１低温溶射層１３を形成した後、この第１低温溶射層１
３の表面に、電界成分をシールドするための高導電性材
料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射層１５を形
成するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来より
大幅に製造コストを低減することが可能となる。
射層１３，１５の厚みを、必要に応じて、例えば、５０
ミクロンメートルから５０ｍｍ程度まで任意に設定する
ことができる。しかして、以上のようなシールドルーム
の製造方法では、建屋躯体１１に、磁界成分をシールド
するための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第
１低温溶射層１３を形成した後、この第１低温溶射層１
３の表面に、電界成分をシールドするための高導電性材
料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射層１５を形
成するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来より
大幅に製造コストを低減することが可能となる。
【００１９】すなわち、本発明のシールドルームの製造
方法では、従来のように、高透磁性材料からなる板材
と、高導電性材料からなる板材を何層にも、パネル状に
組み合わせてシールドルームを構成する必要がなくなる
ため、構造的および性能的に、複雑な設計をする必要が
なくなり、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製造コ
ストを低減することができる。
方法では、従来のように、高透磁性材料からなる板材
と、高導電性材料からなる板材を何層にも、パネル状に
組み合わせてシールドルームを構成する必要がなくなる
ため、構造的および性能的に、複雑な設計をする必要が
なくなり、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製造コ
ストを低減することができる。
【００２０】また、本発明のシールドルームの製造方法
では、第１低温溶射層１３に、第２低温溶射層１５を例
えば、溶射面温度が３０℃程度の状態で、低温溶射する
ようにしたので、第２低温溶射層１５の形成により第１
低温溶射層１３の性質が変化することがなく、高透磁性
あるいは高導電性を充分に維持することが可能となる。
では、第１低温溶射層１３に、第２低温溶射層１５を例
えば、溶射面温度が３０℃程度の状態で、低温溶射する
ようにしたので、第２低温溶射層１５の形成により第１
低温溶射層１３の性質が変化することがなく、高透磁性
あるいは高導電性を充分に維持することが可能となる。
【００２１】さらに、本発明のシールドルームの製造方
法では、異種の材料を何層にも溶射することができるた
め、従来より、空間スペースを低減することができる。
また、本発明方法では、低温溶射層１３，１５の厚みを
自由に変化することができるため、シールドルームに必
要なシールド性能に応じて、最も経済的なシールドルー
ムを容易に形成することが可能となる。
法では、異種の材料を何層にも溶射することができるた
め、従来より、空間スペースを低減することができる。
また、本発明方法では、低温溶射層１３，１５の厚みを
自由に変化することができるため、シールドルームに必
要なシールド性能に応じて、最も経済的なシールドルー
ムを容易に形成することが可能となる。
【００２２】さらに、上述した低温溶射装置は、非常に
扱い易く、また、溶射は、施工の手直しが容易に可能な
ため、素人でも、低温溶射層１３，１５を容易に形成す
ることが可能となる。図４は、本発明の電波暗室の製造
方法の一実施例を示すもので、この実施例では、上述し
たようにして製造されたシールドルームの第２低温溶射
層１５の表面に、例えば、フェライト板，ウレタン質吸
収体等からなる電波吸収体４１が、例えば、接着剤によ
り固定され、電波暗室が製造される。
扱い易く、また、溶射は、施工の手直しが容易に可能な
ため、素人でも、低温溶射層１３，１５を容易に形成す
ることが可能となる。図４は、本発明の電波暗室の製造
方法の一実施例を示すもので、この実施例では、上述し
たようにして製造されたシールドルームの第２低温溶射
層１５の表面に、例えば、フェライト板，ウレタン質吸
収体等からなる電波吸収体４１が、例えば、接着剤によ
り固定され、電波暗室が製造される。
【００２３】しかして、以上のような電波暗室の製造方
法では、建屋躯体１１に、磁界成分をシールドするため
の高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶
射層１３を形成した後、この第１低温溶射層１３の表面
に、電界成分をシールドするための高導電性材料からな
る金属を低温溶射し第２低温溶射層１５を形成し、この
後、この第２低温溶射層１５の表面に、電波吸収体４１
を固定するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来
より大幅に製造コストを低減することが可能となる。
法では、建屋躯体１１に、磁界成分をシールドするため
の高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶
射層１３を形成した後、この第１低温溶射層１３の表面
に、電界成分をシールドするための高導電性材料からな
る金属を低温溶射し第２低温溶射層１５を形成し、この
後、この第２低温溶射層１５の表面に、電波吸収体４１
を固定するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来
より大幅に製造コストを低減することが可能となる。
【００２４】なお、以上述べた実施例では、建屋躯体１
１に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料から
なる第１低温溶射層１３を形成した後、この第１低温溶
射層１３に、電界成分をシールドするための高導電性材
料からなる金属を低温溶射し第２低温溶射層１５を形成
した例について述べたが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、建屋躯体に、電界成分をシール
ドするための高導電性材料からなる第１低温溶射層を形
成した後、この第１低温溶射層に、磁界成分をシールド
するための高透磁性材料からなる金属からなる第２低温
溶射層を形成しても良いことは勿論である。
１に、磁界成分をシールドするための高透磁性材料から
なる第１低温溶射層１３を形成した後、この第１低温溶
射層１３に、電界成分をシールドするための高導電性材
料からなる金属を低温溶射し第２低温溶射層１５を形成
した例について述べたが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、建屋躯体に、電界成分をシール
ドするための高導電性材料からなる第１低温溶射層を形
成した後、この第１低温溶射層に、磁界成分をシールド
するための高透磁性材料からなる金属からなる第２低温
溶射層を形成しても良いことは勿論である。
【００２５】また、以上述べた実施例では、建屋躯体１
１に第１低温溶射層１３および第２低温溶射層１５を形
成した例について述べたが、本発明は、かかる実施例に
限定されるものではなく、高透磁性材料と高導電性材料
からなる低温溶射層を交互に複数層形成しても良いこと
は勿論である。さらに、以上述べた実施例では、建屋躯
体１１に第１低温溶射層１３を直接形成した例について
述べたが、本発明は、かかる実施例に限定されるもので
はなく、建屋躯体と第１低温溶射層との電気的絶縁が求
められる場合には、建屋躯体にエポキシ系樹脂等の絶縁
樹脂を塗布した後、第１低温溶射層を形成しても良いこ
とは勿論である。
１に第１低温溶射層１３および第２低温溶射層１５を形
成した例について述べたが、本発明は、かかる実施例に
限定されるものではなく、高透磁性材料と高導電性材料
からなる低温溶射層を交互に複数層形成しても良いこと
は勿論である。さらに、以上述べた実施例では、建屋躯
体１１に第１低温溶射層１３を直接形成した例について
述べたが、本発明は、かかる実施例に限定されるもので
はなく、建屋躯体と第１低温溶射層との電気的絶縁が求
められる場合には、建屋躯体にエポキシ系樹脂等の絶縁
樹脂を塗布した後、第１低温溶射層を形成しても良いこ
とは勿論である。
【００２６】また、以上述べた実施例では、建屋躯体１
１に第１低温溶射層１３を直接形成した例について述べ
たが、本発明は、かかる実施例に限定されるものではな
く、例えば、建屋躯体を構成する床，壁，天井等がモル
タル，コンクリート，ボード類等の接続部分で、亀裂，
割れ等の発生が起こり得る時には、例えば、シールド性
能を有する繊維質のシート材を貼着した後、第１低温溶
射層を形成しても良いことは勿論である。
１に第１低温溶射層１３を直接形成した例について述べ
たが、本発明は、かかる実施例に限定されるものではな
く、例えば、建屋躯体を構成する床，壁，天井等がモル
タル，コンクリート，ボード類等の接続部分で、亀裂，
割れ等の発生が起こり得る時には、例えば、シールド性
能を有する繊維質のシート材を貼着した後、第１低温溶
射層を形成しても良いことは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１のシールド
ルームの製造方法では、建屋躯体に、磁界成分をシール
ドするための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、
第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表
面に、電界成分をシールドするための高導電性材料から
なる金属を低温溶射し、第２低温溶射層を形成するよう
にしたので、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製造
コストを低減することができるという利点がある。請求
項２のシールドルームの製造方法では、建屋躯体に、電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した後、この第１
低温溶射層の表面に、磁界成分をシールドするための高
透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射を
形成するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来よ
り大幅に製造コストを低減することができるという利点
がある。
ルームの製造方法では、建屋躯体に、磁界成分をシール
ドするための高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、
第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表
面に、電界成分をシールドするための高導電性材料から
なる金属を低温溶射し、第２低温溶射層を形成するよう
にしたので、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製造
コストを低減することができるという利点がある。請求
項２のシールドルームの製造方法では、建屋躯体に、電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した後、この第１
低温溶射層の表面に、磁界成分をシールドするための高
透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射を
形成するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来よ
り大幅に製造コストを低減することができるという利点
がある。
【００２８】また、請求項３および請求項４の電波暗室
の製造方法では、請求項１または請求項２のようにして
製造されたシールドルームの第２低温溶射層の表面に、
電波吸収体を固定するようにしたので、簡易な構造で、
かつ、従来より大幅に製造コストを低減することができ
るという利点がある。
の製造方法では、請求項１または請求項２のようにして
製造されたシールドルームの第２低温溶射層の表面に、
電波吸収体を固定するようにしたので、簡易な構造で、
かつ、従来より大幅に製造コストを低減することができ
るという利点がある。
【図１】本発明のシールドルームの製造方法の一実施例
によりシールドルームを製造している状態を示す説明図
である。
によりシールドルームを製造している状態を示す説明図
である。
【図２】図１のＩＩ部の詳細を示す断面図である。
【図３】低温溶射装置の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の電波暗室の製造方法の一実施例により
製造された電波暗室の壁部を示す断面図である。
製造された電波暗室の壁部を示す断面図である。
１１ 建屋躯体 １３ 第１低温溶射層 １５ 第２低温溶射層 ４１ 電波吸収体
フロントページの続き (72)発明者 村上 信直 東京都江東区南砂二丁目５番14号 株式 会社竹中工務店技術研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) E04H 9/14 E04F 13/00 H05K 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 建屋躯体に、磁界成分をシールドするた
めの高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温
溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表面に、電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
を低温溶射し、第２低温溶射層を形成することを特徴と
するシールドルームの製造方法。 - 【請求項２】 建屋躯体に、電界成分をシールドするた
めの高導電性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温
溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表面に、磁
界成分をシールドするための高透磁性材料からなる金属
を低温溶射し、第２低温溶射層を形成することを特徴と
するシールドルームの製造方法。 - 【請求項３】 建屋躯体に、磁界成分をシールドするた
めの高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温
溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表面に、電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
を低温溶射し第２低温溶射層を形成し、この後、この第
２低温溶射層の表面に、電波吸収体を固定することを特
徴とする電波暗室の製造方法。 - 【請求項４】 建屋躯体に、電界成分をシールドするた
めの高導電性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温
溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表面に、磁
界成分をシールドするための高透磁性材料からなる金属
を低温溶射し第２低温溶射層を形成し、この後、この第
２低温溶射層の表面に、電波吸収体を固定することを特
徴とする電波暗室の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20633690 | 1990-08-03 | ||
| JP2-206336 | 1990-08-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493479A JPH0493479A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2804848B2 true JP2804848B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=16521616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400678A Expired - Lifetime JP2804848B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-12-06 | シールドルームおよび電波暗室の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804848B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163580A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Tekunet:Kk | 無反射型電磁波シールド構造体 |
| DE10353384A1 (de) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Leoni Ag | Ein von Wänden umgebener Raum und Verfahren zur Ausbildung einer Antenne oder einer Abschirmung |
-
1990
- 1990-12-06 JP JP2400678A patent/JP2804848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0493479A (ja) | 1992-03-26 |
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