JP2968652B2 - 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル - Google Patents

駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル

Info

Publication number
JP2968652B2
JP2968652B2 JP4228750A JP22875092A JP2968652B2 JP 2968652 B2 JP2968652 B2 JP 2968652B2 JP 4228750 A JP4228750 A JP 4228750A JP 22875092 A JP22875092 A JP 22875092A JP 2968652 B2 JP2968652 B2 JP 2968652B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
insulating layer
marker
wire
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4228750A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0675528A (ja
Inventor
真路 横野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KAGOSHIMA NIPPON DENKI KK
Original Assignee
KAGOSHIMA NIPPON DENKI KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KAGOSHIMA NIPPON DENKI KK filed Critical KAGOSHIMA NIPPON DENKI KK
Priority to JP4228750A priority Critical patent/JP2968652B2/ja
Publication of JPH0675528A publication Critical patent/JPH0675528A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2968652B2 publication Critical patent/JP2968652B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/301—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/601—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、駆動用半導体素子を真
空外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示
パネルでは、ボンディングワイヤを用いて駆動用半導体
素子と陽極基板上の絶縁層開口部内にあるボンディング
パッドを以下に述べる例のように接続している。
【０００３】図３（ａ），（ｂ）に示すように、ガラス
からなる陽極基板１の表面に、アルミニウム薄膜からな
り所定の電極と接続されたボンディングパッド２を形成
する。次に絶縁物からなる絶縁層３を厚膜印刷技術を用
いて形成するが、この際、ボンディングパッド２に対応
する位置には所望の形状の絶縁層開口部４が形成される
ようになっている。次に所定の位置にグラファイトから
なる表示電極，蛍光体からなる陽極，更に陽極基板１の
周辺部分に低融点ガラスからなるシールガラス層（いず
れも図示せず）を形成した後、駆動用半導体素子５を絶
縁層３上の所定の位置に固定する。一般的に駆動用半導
体素子５は熱硬化性樹脂１１で絶縁層３上に固定され
る。
【０００４】その後、アルミニウムワイヤ６を用いて駆
動用半導体素子５上のＩＣボンディングパッド７と陽極
基板１上のボンディングパッド２を接続している。
【０００５】特に陽極基板１上のボンディングパッド２
にワイヤボンディングする際は、任意の陽極基板１を用
いて、その絶縁層開口部４内のボンディングパッド２の
中心位置を狙ってワイヤボンディングマシンのボンディ
ングプログラムを作成し、ワイヤボンディングしてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、陽極
基板１上の絶縁層開口部４内のボンディングパッド２に
ワイヤボンディングする際は、任意の陽極基板上のボン
ディングパッドの中心位置を狙ってワイヤボンディング
マシンのボンディングプログラムを作成し、ワイヤボン
ディングを実施している。
【０００７】しかし、絶縁層３及び絶縁層開口部４は厚
膜印刷技術を用いて形成されるため、印刷回数を重ねる
に従いスクリーンに伸びが生じ、印刷方向に対し手前側
と奥側とでは印刷位置、ひいてはボンディングパッドに
対する絶縁層開口部の相対位置や開口幅等が異なるとい
う問題点がある。
【０００８】また最近は大型ガラス基板上に多数の陽極
基板を同時に形成する傾向にあり、同一の大型ガラス基
板上でも陽極基板の形成する場所が異なると、スクリー
ンの伸び等の要因でボンディングパッドに対する絶縁層
開口部の相対的形成位置や開口幅等が異なることとな
る。
【０００９】また、ワイヤボンディングマシンで一定範
囲内に収まるワイヤ高さ（ボンディングパッド面を基準
とした際のボンディングワイヤのループ形状のピーク部
までの内寸）のワイヤボンディングを安定して繰り返す
ためには、その高さに応じたボンディングスパン（第１
ボンド点と第２ボンド点との直線距離）の領域内にワイ
ヤボンディングする必要があることが判明した。
【００１０】ところが、前述したように現在ボンディン
グプログラムを作成する際は任意の陽極基板上の絶縁層
開口部内のボンディングパッドの中心位置を狙って作成
しているが、ボンディングパッドに対する絶縁層開口部
の相対位置、即ちプログラム作成に用いた陽極基板と比
較し絶縁層開口部の印刷・形成位置ずれが大きい陽極基
板では、ボンディングパッドの中心位置が適正なボンデ
ィングスパンの領域から外れることがある。
【００１１】このためボンディングワイヤのワイヤ高さ
にばらつきが生じる。ワイヤ高さの高過ぎるものについ
てはボンディングワイヤが駆動用半導体素子を外部光や
電子線から保護するためのＩＣシールドと接触・短絡す
る。また低過ぎるものについてはボンディングワイヤが
駆動用半導体素子と接触・短絡（いわゆるエッジタッチ
し）し、ワイヤボンディング工程及びその後工程で不良
を生み出す原因となっていた。
【００１２】また、絶縁層開口部の印刷位置ずれは印刷
回数の累積によるスクリーンの伸びによるところが大き
く、これを回避するため一般の傾向表示パネルの絶縁層
スクリーンと比較して駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示
パネルの絶縁層スクリーンの寿命をかなり短く設定せざ
るを得ないことも問題であった。
【００１３】また更なる問題として、前述したようにボ
ンディングプログラム作成時に入力した任意の陽極基板
上のボンディングパッドの中心位置が適正なボンディン
グスパンの領域に存在していても、ボンディングパッド
に対する絶縁層開口部の相対位置、即ちプログラム作成
に用いた陽極基板と比較し、絶縁層開口部の印刷・形成
位置ずれが大きい陽極基板では、ワイヤボンディングの
際にボンディングツールの先端部が絶縁層と接触してボ
ンディングパッドとアルミニウムワイヤ間で充分な接合
が得られず、ワイヤボンディング及びその後工程で不良
を生み出す原因となっていることも判明した。
【００１４】当然のことながら、大型基板上での陽極基
板の形成位置に応じ複数のボンディングプログラムを用
意すれば、安定したワイヤボンディングは可能だが、管
理・運用面で繁雑になるという問題点があった。
【００１５】本発明の目的は、ワイヤボンディングの不
具合の発生を防止した駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示
パネルを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネ
ルは、真空外囲器を構成する陽極基板上に形成された陽
極配線層と駆動用半導体素子との間で電気的導通を得る
ために前記陽極基板上に形成された絶縁層開口部内に前
記陽極配線層の一部を露出させ、これをボンディングパ
ッドとして有する構造の蛍光表示パネルであって、前記
絶縁層開口部内のボンディングパッド群の少なくともそ
の一端のボンディングパッドは、領域始点マーカと領域
終点マーカと絶縁層マーカとを有するものであり、領域
始点マーカは、ワイヤボンディングマシンでワイヤ高さ
の安定したワイヤボンディングが可能な領域開始点を示
すものであり、領域終点マーカは、その領域の終了点を
示すものであり、絶縁層マーカは、前記絶縁層開口部の
短辺側に設けられ、接合強度の安定したワイヤボンディ
ングが可能な領域を示すものである。
【００１７】
【作用】陽極基板１上にボンディングパッド２を形成す
る際に、適切なボンディングスパン領域の開始点を示す
領域始点マーカ８と、その終了点を示す領域終点マーカ
９とを設け、かつ安定した接合強度が得られる領域を示
す絶縁層マーカ１０を設ける。これら２つのマーカで示
される領域の重なり部を狙ってボンディングプログラム
を作成することで、大型ガラス基板上での形成位置によ
る影響を受けることなく、同一のプログラムでワイヤボ
ンディングが可能になる。
【００１８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【００１９】（実施例１）図１（ａ）は、本発明の実施
例１に係る駆動用半導体素子固定部の陽極基板を示す断
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の平面図である。
【００２０】図において、ガラスからなる陽極基板１の
表面上にアルミニウム薄膜を形成し、エッチング等の手
段によりボンディングパッド２を含む配線層を形成す
る。この際、これらのボンディングパッド群の少なくと
も一端に駆動用半導体素子５上のＩＣボンディングパッ
ド７からみて適正なボンディングスパンの領域の開始点
を示す領域始点マーカ８と、その領域の終了点を示す領
域終了点マーカ９とを同時に形成する。
【００２１】次に絶縁物からなる絶縁層３を厚膜印刷技
術を用いて形成するが、同時にボンディングパッド２に
対応する位置には、その短辺側に接合強度の安定したワ
イヤボンディングが可能な領域を示す絶縁層マーカ１０
を備えた所望の形状の絶縁層開口部４が形成される。次
に、陽極基板１上の所定の位置にグラファイトからなる
表示電極，蛍光体からなる陽極，更には陽極基板１の周
辺部分には低融点ガラスからなるシールガラス層（いず
れも図示せず）を形成した後、駆動用半導体素子５を絶
縁層３上の所定の位置に熱硬化性樹脂１１で固定する。
【００２２】しかる後、ボンディングパッド２とＩＣボ
ンディングパッド７間にアルミニウムワイヤ６を用いて
ワイヤボンディングするためのボンディングプログラム
を新規作成ないし補正するが、この際大型ガラス基板に
おいて絶縁層３形成時の印刷方向に対し手前側及び奥側
に位置する複数の陽極基板１上の絶縁層開口部４内を顕
微鏡等で観察し、ボンディングパッド２の中心位置が領
域始点マーカ８と領域終点マーカ９の間に存在し、かつ
絶縁層開口部４の短辺側に形成された絶縁層マーカ１０
の間に存在する場合は、ボンディングプログラムに中心
位置を入力すれば大型ガラス基板上に形成された全ての
陽極基板１でワイヤ高さ及び接合強度の安定したワイヤ
ボンディングが可能となる。
【００２３】また、ボンディングパッド２の中心位置が
領域始点マーカ８と領域終点マーカ９の間に存在しない
場合、あるいはボンディングパッド２の中心位置が絶縁
層マーカ１０の間に存在しない場合は、ボンディングパ
ッド２の中心位置ではなく、領域始点マーカ８と領域終
点マーカ９の間に存在し、かつ絶縁層マーカ１０の間に
存在する任意の点を入力すれば、安定したワイヤボンデ
ィングが可能となる。
【００２４】（実施例２）図２（ａ）は本発明の実施例
２に係る駆動用半導体素子固定部の陽極基板を示す断面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）の平面図である。本実施例
は先の実施例と比較し、領域始点マーカ８と領域終点マ
ーカ９を一体形成したこと、絶縁層マーカ１０の形状を
変えたことを特徴としている。
【００２５】尚、領域始点マーカ８と領域終点マーカ９
との間隔は、目標とするワイヤ高さやＩＣボンディング
パッド７とボンディングパッド２の高低差、ワイヤボン
ディングマシンの特性、即ちボンディング速度やボンデ
ィングヘッド部の動作等の様々な要因により決定され
る。試作時は５００μｍであった。
【００２６】また、絶縁層マーカ１０の幅は、絶縁層３
の厚み，絶縁層開口部４の開口幅，絶縁層印刷・形成時
のにじみ，ボンディングツールの先端部の形状・寸法，
ボンディング時のツールの振幅等から決定される。試作
時は５００μｍであった。但し、試作時は前述の領域始
点マーカ８と領域終点マーカ９の間隔５００μｍはボン
ディングパッド設計時の中心位置に対し２５０μｍずつ
均等に割り振っているのに対し、絶縁層マーカ１０の幅
５００μｍは、設計時の中心位置に対しては均等に割り
振っていないことが特徴である。これはボンディングツ
ールの先端部と絶縁層３が接触を起こす側、即ち領域終
点マーカ９側の追い込みを多くとっているためである。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、各絶縁層
開口部内に形成されたボンディングパッド群にワイヤボ
ンディングマシンでワイヤ高さの安定したワイヤボンデ
ィングが可能な領域を示すため、その領域の開始点を示
す領域始点マーカ及びその領域の終了点を示す領域終点
マーカを対で設け、かつ前記各絶縁層開口部の短辺側に
接合強度の安定したワイヤボンディングが可能な領域を
示す絶縁層マーカを設けたので、ボンディングプログラ
ムを新規作成ないし補正する際には、絶縁層開口部内の
ボンディングパッドの中心位置が領域始点マーカと領域
終点マーカで示された領域及び絶縁層マーカで示された
領域との重なり部を入力することで、大型ガラス基板上
に形成された全ての陽極基板で単一のボンディングプロ
グラムで安定したワイヤボンディングが可能になるとい
う効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施例１に係る駆動用半導体
素子固定部を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）に示す
実施例の平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施例２に係る駆動用半導体
素子固定部を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）に示す
実施例の平面図である。
【図３】（ａ）は従来の駆動用半導体素子固定部を示す
断面図である。（ｂ）は（ａ）に示す従来例の平面図で
ある。
【符号の説明】
１ 陽極基板 ２ ボンディングパッド ３ 絶縁層 ４ 絶縁層開口部 ５ 駆動用半導体素子 ６ アルミニウムワイヤ ７ ＩＣボンディングパッド ８ 領域始点マーカ ９ 領域終点マーカ １０ 絶縁層マーカ １１ 熱硬化性樹脂

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空外囲器を構成する陽極基板上に形成
    された陽極配線層と駆動用半導体素子との間で電気的導
    通を得るために前記陽極基板上に形成された絶縁層開口
    部内に前記陽極配線層の一部を露出させ、これをボンデ
    ィングパッドとして有する構造の蛍光表示パネルであっ
    て、 前記絶縁層開口部内のボンディングパッド群の少なくと
    もその一端のボンディングパッドは、領域始点マーカと
    領域終点マーカと絶縁層マーカとを有するものであり、 領域始点マーカは、ワイヤボンディングマシンでワイヤ
    高さの安定したワイヤボンディングが可能な領域開始点
    を示すものであり、 領域終点マーカは、その領域の終了点を示すものであ
    り、 絶縁層マーカは、前記絶縁層開口部の短辺側に設けら
    れ、接合強度の安定したワイヤボンディングが可能な領
    域を示すものであることを特徴とする駆動用半導体素子
    内蔵型蛍光表示パネル。
JP4228750A 1992-08-27 1992-08-27 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル Expired - Fee Related JP2968652B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4228750A JP2968652B2 (ja) 1992-08-27 1992-08-27 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4228750A JP2968652B2 (ja) 1992-08-27 1992-08-27 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0675528A JPH0675528A (ja) 1994-03-18
JP2968652B2 true JP2968652B2 (ja) 1999-10-25

Family

ID=16881241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4228750A Expired - Fee Related JP2968652B2 (ja) 1992-08-27 1992-08-27 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2968652B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0675528A (ja) 1994-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3619254B2 (ja) 機械的及び電気的な基板の接続方法
JP2004513473A5 (ja)
JP2968652B2 (ja) 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル
JPH0545009Y2 (ja)
US6249266B1 (en) Fluorescent display device and process for manufacturing same
JP2901446B2 (ja) 駆動用半導体素子内蔵型蛍光表示パネル
US7304424B2 (en) Anode plate for a field emission display device
KR100253445B1 (ko) 프릿트 부분에서 반사되는 빛을 효과적으로 감소시킨 형광 디스 플레이 패널
US5346748A (en) Fluorescent display panel containing chip of integrated circuit with discrepancy markers to aid in lead bonding
CN105470410B (zh) 一种显示面板及其封装方法
US5874177A (en) Strut aligning fixture
JP2000067736A (ja) 電子放出素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたディスプレイ装置
JP2006134968A (ja) 分割位置認識マークの形成方法、半導体回路基板の製造方法、半導体回路基板、半導体回路基板母材、液晶表示パネル基板、液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
JPS5832340A (ja) 陰極構体の製造方法
EP0573027B1 (en) Image display apparatus and manufacturing method therefor
JPH0831349A (ja) 蛍光表示管
KR100477721B1 (ko) 형광표시관및이형광표시관의서포트와라인캐소오드의결합방법
JPS6086853A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3339808B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用マスク
JPH11185679A (ja) 蛍光表示管及びその製造方法
JP2009087662A (ja) 蛍光表示管及びその製造方法
KR100277785B1 (ko) 스페이서 지지용 플레이트를 이용한 평판 디스플레이용 스페이서의 형성방법
KR100230068B1 (ko) 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자 및 그 제조방법
JPH0452587B2 (ja)
KR200142905Y1 (ko) 형광표시관

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees