JPH0452587B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は螢光表示管、特にその陽極基板構造に
関するものである。

〔従来技術〕

最近、螢光表示管においても微細でかつ高精度
な表示形態が要求されるようになつている。例え
ば、大形のグラフイツク表示にはドツトマトリツ
クス状に配置した非常に多数の螢光面を精度良く
形成することが必要となつており、この要求を満
たすために、ドツトマトリツクス配置を128×
128、256×256あるいは320×240などとした螢光
表示管が開発されている。

第１図に、従来用いられているこの種の螢光表
示管の陽極基板の構成例を示す。図において、ガ
ラス基板１の上にAl薄膜２からなる配線パター
ンを配置した後、螢光面を形成すべき部分以外の
Al薄膜２を絶縁層３によつて被覆し、さらに、
露出したAl薄膜２上に電着により螢光体を被着
して螢光面４を形成している。なお、５は電子の
供給源であるカソード、６はこのカソード５から
の電子の拡散とスキヤニングを目的として設けら
れるグリツドで、これらグリツド６およびカソー
ド５を陽極基板上方に螢光面４に対向して配置し
た後、周知の管球工程を経て螢光表示管と成す。

ところで、上記構成において螢光面４が微細か
つ高密度で多数配置される場合、必然的に絶縁層
３も同様に高密度に形成する必要がある。このた
め、従来の絶縁ペーストの厚膜印刷技術による方
法に代り、フオトリソグラフイーを用いた手法に
よつてこの絶縁層３を形成しているが、フオトリ
ソグラフイー法によつて加工可能な絶縁ペースト
はかなり特殊なために、次のような欠点を有して
いる。すなわち、軟化温度が450℃程度と低い低
融点フリツトガラスを主成分としているために、
管球工程時に加熱により軟化し、同じく加熱工程
で膨張したわんだグリツド６がこの軟化した絶縁
材に付着して不良品となる。また、フオトリソグ
ラフイー法によつて行なう関係上、絶縁層の厚み
をあまり厚くできないために、電着法によつて螢
光面を形成した場合、螢光体が当該絶縁層のピン
ホールを介して配線上に付着し、螢光面相互にタ
ツチ不良を生ずる。

〔発明の目的および構成〕

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、管球工程時に加熱によりたわん
だグリツドに螢光体を被着しない配線パターンを
被覆する絶縁材が付着したり、絶縁層のピンホー
ルを介する螢光面相互のタツチ不良が発生したり
することのない陽極基板構造を備えた螢光表示管
を提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明は、
絶縁層を二層構造とし、配線パターンに直接接触
する第１層に対し、その上の第２層の軟化温度を
高く、陽極基板の製造工程を除く表示管製造工程
中に加わる加熱温度の上限よりも高く設定したも
のである。以下、実施例を用いて本発明を詳細に
説明する。

〔実施例〕

第２図は本発明の一実施例を示す断面図で、第
１図と同一記号は対応部分を表わす。異なる点
は、絶縁層３が、Al薄膜２を着接覆つて形成し
た第１層絶縁層３ａと、その上に形成した第２絶
縁層３ｂとの二層構造を有する点である。次に、
このような構造の形成方法の一例を説明する。

まず、ガラス基板１の上に厚さ1.5〜2.0μｍの
Al薄膜２からなる陽極配線パターンを形成する。
次に、螢光体を被着すべき部分以外のAl薄膜２
の部分に第１層絶縁層３ａを形成する。これは次
のように行なわれる。すなわち、まず基板上に感
光性PVAを主成分とする水溶性のネガレジスト
であるエンコゾルレジストを、スピンコートもし
くはスクリーン印刷法によつて全面に被覆し、乾
燥後フオトマスクを用いて第１層絶縁層３ａを被
覆したい部分以外の部分にエンコゾルレジストを
焼付ける。この後水により現像し、不要のエンコ
ゾルレジストを溶解除去した後、乾燥してレジス
トパターンを得る。次に、基板全面に低融点ガラ
スを主成分とする絶縁ペースト（住友金属鉱山(株)
製＃Ｉ−9404）を約15μｍの厚さにスクリーン印
刷し乾燥する。次いで、上記硬化した水溶性のレ
ジストは溶解するが絶縁層は溶解しない現像液と
して低級アルコールを主成分とする現像液を用い
て現像を行なう。レジストパターンは容易に溶解
しその上の絶縁層と共に剥離する一方、レジスト
パターンが被着していない部分の絶縁層はこの現
像液には不溶のため、基板と強固な付着状態を維
持しており、基板上に所望の形状で残存する。次
に、この基板を焼成炉に入れ、540℃、40分間の
焼成を行なうと絶縁層材料は溶解し、冷却後固化
して強固な第１層絶縁層３ａが形成できる。

このようにして第１層絶縁層３ａを完成した
後、この第１層絶縁層３ａの上に第２層絶縁層３
ｂを被覆する。この第２層に用いる材料も、低融
点ガラスを主成分とするフリツトガラスペースト
であるが、第１層のそれよりも軟化温度の高いも
のを用いる。第２層はパターン精度的にはそれ程
高性能のものを要求しなくても良いため、形成方
法としてはスクリーン印刷法を用いることができ
る。というのは、第１層はフオトリソグラフイー
法で形成しており、この層は形状的に非常に高精
度であるが、電着螢光面形状はこの第１層絶縁層
３ａによつて一義的に決定されるからである。も
ちろん、第２層が第１層からはみ出さないように
する配慮は必要であることは言うまでもない。こ
うして第２層絶縁材料の絶縁ペーストをスクリー
ン印刷法により第１層絶層３ａ上に約10〜20μｍ
の厚みに印刷し、焼成して第２層絶縁層３ｂを形
成する。この第２層絶縁層３ｂの形状は、例えば
グリツドがほぼ一方向に細線状に配されている場
合、このグリツドの張り方向と直交する成分を含
むようにすることが、グリツドの第１層絶縁層３
ａへの付着を防止する上で効果的である。

このように第２層絶縁層３ｂの形成後、螢光体
を電着して螢光面４を形成し、陽極基板を完成す
る。さらにグリツド６およびカソード５を配し、
通常の管球化工程を経て螢光表示管を完成する。
なお、陽極基板製造の表示管製造工程中にかかる
温度の上限は約480℃であるから、その加熱の際
に軟化しないように第２層絶縁層３ｂの軟化点は
それより高くする。

〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、螢光体
を被着しない配線パターンを被覆する絶縁層を二
層構造とし、上層に軟化点の高い材料を用いたこ
とにより、下層にはフオトリソグラフイー法によ
る精密度加工が可能な材料を用いて電着螢光面の
精度を確保できるとともに、管球化工程中に熱膨
張でたんわんだグリツドが絶縁層に接触しても、
直接接触する第２層絶縁層は軟化しないため絶縁
材料が当該グリツドに付着するのを防止すること
ができる。また、従来上記たわんだグリツドが螢
光体に接触し、グリツドに螢光体が付着して管球
化後にも発光不良となることがあつたが、本発明
によれば螢光面の厚みより絶縁層の厚みが十分に
厚くすることができるため、グリツドが螢光面に
つくことはなくなり、したがつてもれ発光不良を
減らすことができる。さらに、絶縁層が二層構造
であるところから単層のみの場合に比較して相補
効果が生じ、ピンホールはほとんど発生しない。
このため螢光面相互のタツチ不良の発生はほとん
ど皆無となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の螢光表示管の陽極基板の構成例
を示す断面図、第２図は本発明の一実施例を示す
断面図である。 １……ガラス基板（絶縁基盤）、２……Al薄膜
（配線パターン）、３……絶縁層、３ａ……第１層
絶縁層、３ｂ……第２層絶縁層、４……螢光面、
５……カソード、６……グリツド。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に形成した配線パターンの一部を
   絶縁層で被覆し、露出した配線パターン上に螢光
   体を被着して螢光面を形成してなる陽極基板を備
   え、上記螢光面に対向してカソードおよび当該螢
   光面とカソードとの間にグリツドを配置してなる
   螢光表示管において、上記絶縁層を、配線パター
   ンに直接接触する第１層とグリツドに対向する第
   ２層との二層構造とし、第２層の絶縁層を、その
   軟化温度が第１層の絶縁層に比較して高くかつ上
   記陽極基板の製造工程を除く製造工程中に加わる
   加熱温度の上限よりも高い絶縁材料によつて構成
   したことを特徴とする螢光表示管。 ２ 第２層の絶縁層を、少なくともグリツドに直
   交する成分を含む形状としたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の螢光表示管。