JP2976991B2 - 画像データの高速抽出装置 - Google Patents

画像データの高速抽出装置

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JP2976991B2 JP3043792A JP4379291A JP2976991B2 JP 2976991 B2 JP2976991 B2 JP 2976991B2 JP 3043792 A JP3043792 A JP 3043792A JP 4379291 A JP4379291 A JP 4379291A JP 2976991 B2 JP2976991 B2 JP 2976991B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、イメージセンサテス
タ(CCD試験検査装置)などにおける画像データの高
速抽出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のイメージセンサテスタ(図5)で
は図6Aに示すように、画像データD1,11,21,3
…が格納されているメモリより括弧を付した特定番地の
データ(D1,1 )(D1,3 )(D1,5 )…を抽出して、図6
Bに示すように、メモリ2の連続した番地に、書込むこ
とが行われる。その理由は、このようにデータがメモリ
の連続した番地に書込まれていると、それらのデータを
転送する場合によく知られているインターリーブ方式を
用いて高速度で転送できるからである。その場合には、
アドレス発生器5より抽出しようとするデータD1,1
1,31,5 …のアドレスA1,11,31,5 …が順次発
生され、メモリ1のアドレス入力端子Aに供給され、そ
れに従ってメモリ1よりデータ(D1,1 )(D1,3 )…が
順次出力される。一方、アドレスポインタ6よりメモリ
セルの第1行を示すY方向のアドレスY1 とX方向の順
番のアドレスX123 、同様に第2行のアドレスY
2 とX123 、Y3 とX123 が発生され、
マルチプレクサ7を経由してメモリ2のアドレス入力端
子Aに供給される。メモリ2ではこれらの指定されたア
ドレスに従って図6Bに示すように入力データ(D
1,1 )(D1,3 )…が順次書込まれる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、メモ
リ1より特定番地のデータを抽出してメモリ2へ転送す
る場合に、メモリ1に対し所謂ランダムアクセスを行っ
ているので、インターリーブ方式を用いることができ
ず、そのためデータ転送に要する時間が、きわめて長く
なる(インターリーブ方式を用いた場合の例えば8倍程
度)欠点があった。この発明の目的は従来の欠点を解決
して、メモリ1よりメモリ2へのデータ転送時間を高速
化しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本願発明の画像データの
高速抽出装置は、アドレス発生器から指定されたアドレ
スに書き込まれているデータが読み出される第1メモリ
と、上記第1メモリの記憶容量と等しい記憶容量を持
ち、上記第1メモリの特定アドレスと同じアドレスに論
理“1”を、その他のアドレスに論理“0”を記憶し、
上記アドレス発生器から上記第1メモリのアドレスと同
じアドレスが同時に指定されて、書き込まれているデー
タが読み出される第3メモリと、書込みモードの時に、
上記第3メモリから読み出されるデータのうち論理
“1”により、書込み信号を生成する手段と、書込みモ
ードの時に、上記第3メモリから読み出されるデータの
うち論理“1”を計数し、読出しモードの時に、クロッ
クを計数するアドレスポインタと、書込みモードの時
に、上記アドレスポインタの指定したアドレスに、上記
第1メモリから読み出されたデータを上記書込み信号に
より記憶し、読出しモードの時に、記憶されたデータを
上記アドレスポインタの指定したアドレスから、上記ク
ロックにより読み出される第4メモリと、上記クロック
により読み出された上記第4メモリに記憶されたデータ
を、上記アドレス発生器から指定されたアドレスに、上
記クロックにより記憶される第2メモリと、書込みモー
ドの時に、デマルチプレクサを介して上記第1メモリに
順次シーケンシャルにアドレスを供給し、読出しモード
の時に、上記デマルチプレクサを介して順次シーケンシ
ャルに上記第2メモリにアドレスを供給するアドレス発
生器と、を具備する。
【0005】
【実施例】この発明の実施例を図1に、図5と対応する
部分に同じ符号を付して示す。この発明では、画像デー
タが書込まれているメモリ1及びメモリ1の特定番地の
データを抽出してアドレスが連続したセルに書込むべき
メモリ2に加えて、メモリ3と4が追加される。メモリ
1,2のデータは従来例で述べた図6A,Bにそれぞれ
同じである。メモリ3は図2Aに示すようにメモリ
転送すべき特定番地のデータが記憶されているメモリ1
の各セルの番地と同じ番地に論理“1”を、他の番地に
論理“0”をそれぞれ書込んだものであり、メモリ4
は、図2Bに示すようにメモリ1より転送されたデータ
(D1,1 )(D1,3 )…をシーケンシャルに書込ませるも
のである。
【0006】この発明では先ずメモリ1のデータが公知
のインターリーブ方式によって順次高速に読出され、そ
の内の抽出すべき特定番地のデータのみがメモリ4にシ
ーケンシャルに書込まれ、次にメモリ4のデータが順次
シーケンシャルにインターリーブ方式によって高速に読
出されて、メモリ2の第1行、第2行…のセルに順に書
込まれる。
【0007】メモリ1よりメモリ4へのデータの転送 アドレス発生器5よりクロックCK(図3A)に同期し
て、メモリ1,3の各セルのアドレスが A1,11,21,31,41,51,62,12,2 … のように順番に出力され、デマルチプレクサ7の端子a
〜bを介して、メモリ1,3の各アドレス入力端子Aに
供給される(図3B)。その結果メモリ1より、各セル
のアドレス信号A1,11,2 …が入力されてより所定時
間(図3の例では2×T;Tはクロックの周期)の後、
各番地のデータ(D1,1 )D1,2 (D1,3)…が公知の
インターリーブ方式によって高速に出力される(図3
C)。
【0008】同様にメモリ3より、メモリ1の抽出すべ
き特定番地のデータの出力時間にH(高レベル)となる
信号S0 (図3Dに示す信号で、抽出指令信号とも言
う)が、インターリーブ方式によって高速に読出され
て、アンドゲート8に与えられ、クロックCKとアンド
がとられる。アンドゲート8の出力は遅延回路9を通じ
てτ1 ≒T/4時間遅延された信号(後述するように図
3Gの信号S2 と同じ)がアンドゲート10の一方の入
力端子に加えられる。一方、リード信号発生器11よ
り、メモリ4が書込みモードのときL(低)レベル(読
出しモードのときHとなる)のリード信号S1 (図3
I)が発生され、インバータ12でHレベルに反転され
て、ゲート10の他方の入力端子に与えられており、ア
ンドゲート10は開かれた状態にある。アンドゲート1
0の出力S2 (図3Gに示す信号で、ライトイネーブル
信号と言う)はメモリ4のライトイネーブル端子WEに
与えられる。
【0009】メモリ3の出力(図3D)は遅延回路15
を通してτ2 ≒T/2時間遅延されて、オアゲート16
の一方の入力端子に加えられる。オアゲート16の出力
3 (図3E)はアドレスポインタ6のカウントアップ
信号入力端子CUに与えられる。アドレスポインタ6は
一種のカウンタであって、カウントアップ信号S3 がH
であると、クロックCKが立上る毎に、計数値Nを+1
したアドレス N,N+1,N+2,N+3,… をアドレス入力端子Aに入力する(図3F)。
【0010】メモリ4においては、ライトイネーブル信
号S2 がはじめてHになると、入力データ(D1,1
が、クロックの立下りに同期して、N番地のメモリセル
に書込まれる(図3H)。ライトイネーブル信号S2
再たびHになると、入力データ(D1,3 )が、クロック
の立下りに同期して、N+1番地のメモリセルに書込ま
れる(図3H)。以下同様にして、アドレスポインタ6
の番地N+2,N+3,…のセルに、メモリ1より抽出
されたデータ(D1,5 )(D2,2 )…がシーケンシャルに
書込まれる。図2Bはメモリ1より抽出されてメモリ4
に書込まれたデータを示したものである。
【0011】メモリ4よりメモリ2へのデータの転送 メモリ4を書込みモードより読出しモードに切換えるた
めに、リード信号発生器11の出力S1 はLよりHに切
換えられる(図4B)。従ってインバータ12の出力は
HよりLとなりアンドゲート10が閉じられ、メモリ4
のライトイネーブル信号S2 はLとなり、読出しモード
となる。またそれと同時にデマルチプレクサ7の入力端
子aは出力端子c側に切換え接続される。
【0012】アドレスポインタ6のカウントアップ信号
3 は、リード信号S1 がHであるので、常にHとな
り、クロックCK(図4A)を計数して、出力信号 N,N+1,N+2,N+3,… をメモリ4のアドレス入力端子Aに入力する(図4
C)。メモリ4に、アドレス信号が与えられてより所定
時間(図4の例では2T)経過した後に、対応するデー
タ D1,1 1,3 1,5 2,2 … がクロックに同期して出力される。
【0013】一方、アドレス発生器5において、メモリ
4より出力される上記データに同期したタイミングでア
ドレス信号(図4E) A1,11,21,32,12,2 … が発生され、デマルチプレクサ7を介してメモリ2のア
ドレス入力端子Aに与えられる。またクロックを遅延回
路17を通して、τ3 ≒T/4時間遅延させたライトイ
ネーブル信号S4 (図4F)が作られ、メモリ2のライ
トイネーブル端子WEに与えられる。最初にメモリ2に
入力されたデータD1,1 は、ライトイネーブル信号S4
がHになると、入力アドレスA1,1 番地のセルに、クロ
ックの立下りに同期して書込まれる(図4G)。次にメ
モリ2に入力されたデータD1,3 は、ライトイネーブル
信号S4 がHになると、入力アドレスA1,2 番地のセル
に同様に書込まれる。以下同様にデータD1,5 ,D2,2
…がアドレスA1,32,1 …に書込まれる。このように
してメモリ2には図6Bに示すように、メモリ1より抽
出した特定データが書込まれる。
【0014】なおメモリ3の記憶容量はメモリ1と同じ
でもよいが、少くともメモリ1の画像データの記憶領域
と同じであればよい。
【0015】
【発明の効果】この発明によれば、メモリ1より読出さ
れるデータは番地順に1つづつ連続して読出されるの
で、インターリーブ方式を用いて、従来のランダムアク
セスの場合よりきわめて高速に読出すことができる。こ
れら読出されたデータの内、抽出すべきデータの出力タ
イミングに同期して、高レベルとなる抽出指令信号S0
がメモリ3より出力されるので、メモリ4において抽出
指令信号S0 に基づいて抽出すべきデータを、メモリ1
のデータ出力期間TA 内に、シーケンシャルに書込むこ
とができる。
【0016】また、メモリ4のデータは、シーケンシャ
ルに、インターリーブ方式によって高速に読み出され、
その読み出し期間TB 内にメモリ2の第1行、第2行、
…の各セルに連続して書込むことが可能である。従って
この発明ではメモリ1の抽出すべきデータをメモリ2に
転送するに要する時間TO はメモリ1のデータ読出し時
間TA とメモリ4のデータ読出し時間T B との和の時間
にほぼ等しい。従って、この発明によれば、この転送時
間TO ≒TA +TB は、従来のランダムアクセスを用い
る場合と比較してきわめて高速化できることは明らかで
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を適用したメモリ回路のブロ
ック図。
【図2】図1のメモリ3及び4に書込まれたデータの一
例を示す図。
【図3】図1においてメモリ1より特定データを抽出し
てメモリ4に書込む場合の要部のタイミングチャート。
【図4】図1においてメモリ4のデータをメモリ2に転
送する場合の要部のタイミングチャート。
【図5】従来のデータ抽出方法を適用したメモリ回路の
ブロック図。
【図6】図1及び図5のメモリ1及び2に書込まれたデ
ータの一例を示す図。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アドレス発生器から指定されたアドレス
    に書き込まれているデータが読み出される第1メモリ
    と、 上記第1メモリの記憶容量と等しい記憶容量を持ち、上
    記第1メモリの特定アドレスと同じアドレスに論理
    “1”を、その他のアドレスに論理“0”を記憶し、上
    記アドレス発生器から上記第1メモリのアドレスと同じ
    アドレスが同時に指定されて、書き込まれているデータ
    が読み出される第3メモリと、 書込みモードの時、上記第3メモリから読み出されたデ
    ータのうち論理“1”により、書込み信号を生成する手
    段と、 書込みモードの時、上記第3メモリから読み出されたデ
    ータのうち論理“1”を計数し、読出しモードの時、ク
    ロックを計数するアドレスポインタと、 書込みモードの時、上記アドレスポインタの指定したア
    ドレスに、上記第1メモリから読み出されたデータを上
    記書込み信号により記憶し、読出しモードの時、記憶さ
    れたデータを上記アドレスポインタの指定したアドレス
    から、上記クロックにより読み出される第4メモリと、 上記クロックにより読み出された上記第4メモリに記憶
    されたデータを、上記アドレス発生器から指定されたア
    ドレスに、上記クロックにより記憶される第2メモリ
    と、 書込みモードの時、デマルチプレクサを介して上記第1
    メモリに順次シーケンシャルにアドレスを供給し、読出
    しモードの時、上記デマルチプレクサを介して順次シー
    ケンシャルに上記第2メモリにアドレスを供給するアド
    レス発生器と、を具備する画像データの高速抽出装置。
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