JP2984199B2 - 磁気ディスク基板用保持部材および磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク基板用保持部材および磁気ディスク装置Info
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- JP2984199B2 JP2984199B2 JP7173485A JP17348595A JP2984199B2 JP 2984199 B2 JP2984199 B2 JP 2984199B2 JP 7173485 A JP7173485 A JP 7173485A JP 17348595 A JP17348595 A JP 17348595A JP 2984199 B2 JP2984199 B2 JP 2984199B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク基板を所
定位置に保持するためのスペーサ、シム、クランプなど
の保持部材およびこれらの保持部材によりガラス製の磁
気ディスク基板を保持してなる磁気ディスク装置に関す
るものである。
定位置に保持するためのスペーサ、シム、クランプなど
の保持部材およびこれらの保持部材によりガラス製の磁
気ディスク基板を保持してなる磁気ディスク装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスク装置は、図４に示す
ように、回転軸１３に固定されたハブ１４に、複数枚の
磁気ディスク基板１５とスペーサ１１とを交互に挿入
し、最後にシム１０およびクランプ１２で押さえ付け、
ネジ１６で締め付けることにより固定するようになって
いた。そして、上記回転軸１３の回転により磁気ディス
ク基板１５を回転させながら、磁気ヘッド１７が磁気デ
ィスク基板１５の表面上を非接触状態で移動することに
より、磁気ディスク基板１５の所定位置で情報の書き込
みや読み取りを行うようになっていた。
ように、回転軸１３に固定されたハブ１４に、複数枚の
磁気ディスク基板１５とスペーサ１１とを交互に挿入
し、最後にシム１０およびクランプ１２で押さえ付け、
ネジ１６で締め付けることにより固定するようになって
いた。そして、上記回転軸１３の回転により磁気ディス
ク基板１５を回転させながら、磁気ヘッド１７が磁気デ
ィスク基板１５の表面上を非接触状態で移動することに
より、磁気ディスク基板１５の所定位置で情報の書き込
みや読み取りを行うようになっていた。
【０００３】また、近年、このような磁気ディスク装置
５０は情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッ
ド１７と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気
ディスク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等
が要求されており、その為、磁気ディスク基板１５を表
面強度および平滑面化が極めて効果的に得られるガラス
を用いた磁気ディスク基板１５が提案されており、該磁
気ディスク基板１５を固定・保持するスペーサ１１、シ
ム１０、およびクランプ１２などの保持部材は熱膨張差
に伴う磁気ディスク基板１５の歪みを防止するために、
セラミックスやガラスで形成したものがあった（特公平
５−８０７４５号公報、特開昭６１−１４８６６７号公
報）。
５０は情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッ
ド１７と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気
ディスク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等
が要求されており、その為、磁気ディスク基板１５を表
面強度および平滑面化が極めて効果的に得られるガラス
を用いた磁気ディスク基板１５が提案されており、該磁
気ディスク基板１５を固定・保持するスペーサ１１、シ
ム１０、およびクランプ１２などの保持部材は熱膨張差
に伴う磁気ディスク基板１５の歪みを防止するために、
セラミックスやガラスで形成したものがあった（特公平
５−８０７４５号公報、特開昭６１−１４８６６７号公
報）。
【０００４】しかしながら、上記保持部材を構成するセ
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料であるため、
これらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持する
と、磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや
書き込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊して
しまう恐れがあることが近年知られており、その為、磁
気ディスク基板１５との当接面にアルミニウムや亜鉛等
の金属膜を被覆した保持部材やそれ自体がアルミナなど
に導電材を添加した導電性セラミックスからなる保持部
材を用いて、磁気ディスク基板１５の帯電を防止するよ
うにしたものがあった（特開平２−２２６５６６号公
報）。
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料であるため、
これらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持する
と、磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや
書き込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊して
しまう恐れがあることが近年知られており、その為、磁
気ディスク基板１５との当接面にアルミニウムや亜鉛等
の金属膜を被覆した保持部材やそれ自体がアルミナなど
に導電材を添加した導電性セラミックスからなる保持部
材を用いて、磁気ディスク基板１５の帯電を防止するよ
うにしたものがあった（特開平２−２２６５６６号公
報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、当接面に金
属膜を被覆した保持部材では、基体をなすセラミックス
やガラスと金属膜との間の熱膨張差が大きいことから、
当接面の平坦度が損なわれるといった課題あった。その
為、この保持部材を用いて磁気ディスク装置５０を構成
すると、磁気ディスク基板１５に歪みを生じ、また、磁
気ディスク基板１５間の平行度が損なわれるために、磁
気ヘッド１７の浮上量を小さくすることができず、場合
によっては磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板１５と接
触して傷損させてしまうといった恐れがあった。
属膜を被覆した保持部材では、基体をなすセラミックス
やガラスと金属膜との間の熱膨張差が大きいことから、
当接面の平坦度が損なわれるといった課題あった。その
為、この保持部材を用いて磁気ディスク装置５０を構成
すると、磁気ディスク基板１５に歪みを生じ、また、磁
気ディスク基板１５間の平行度が損なわれるために、磁
気ヘッド１７の浮上量を小さくすることができず、場合
によっては磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板１５と接
触して傷損させてしまうといった恐れがあった。
【０００６】しかも、セラミックスやガラスとの熱膨張
差により被覆した金属膜が剥がれる恐れもあり、磁気デ
ィスク基板１５に帯電する静電気を逃がすことができな
くなるといった課題もあった。
差により被覆した金属膜が剥がれる恐れもあり、磁気デ
ィスク基板１５に帯電する静電気を逃がすことができな
くなるといった課題もあった。
【０００７】また、上記金属膜は当接面の平坦度を損な
わないようにするために薄膜状に被覆してあるが、高速
回転に伴い磁気ディスク基板１５と保持部材との間に若
干の摺動が発生して硬度の小さい金属膜が摩耗したり剥
がれるために、磁気ディスク基板１５に帯電する静電気
を逃がすことができないといった恐れもあった。
わないようにするために薄膜状に被覆してあるが、高速
回転に伴い磁気ディスク基板１５と保持部材との間に若
干の摺動が発生して硬度の小さい金属膜が摩耗したり剥
がれるために、磁気ディスク基板１５に帯電する静電気
を逃がすことができないといった恐れもあった。
【０００８】一方、導電性セラミックスからなる保持部
材にあっては、ガラス製の磁気ディスク基板１５との間
に２〜５×１０-6／℃程度の熱膨張差があるため、磁気
ディスク基板１５に歪みが生じたり、磁気ディスク基板
１５間の平行度が損なわれるといった課題があった。
材にあっては、ガラス製の磁気ディスク基板１５との間
に２〜５×１０-6／℃程度の熱膨張差があるため、磁気
ディスク基板１５に歪みが生じたり、磁気ディスク基板
１５間の平行度が損なわれるといった課題があった。
【０００９】そして、より高密度で大容量化が要求され
ている磁気ディスク装置５０において、上記保持部材を
用いたものにあっては、未だ充分満足のいく装置５０が
得られていなかった。
ている磁気ディスク装置５０において、上記保持部材を
用いたものにあっては、未だ充分満足のいく装置５０が
得られていなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、シム、スペーサ、およびクランプなどの磁気
ディスク基板用保持部材を、内部にＭｇＦｅ2 Ｏ3 およ
び／またはＦｅ3 Ｏ4の結晶を有する体積固有抵抗値が
１０7 Ω・ｃｍ未満のフォルステライト質セラミックス
により形成したことを特徴とする。
題に鑑み、シム、スペーサ、およびクランプなどの磁気
ディスク基板用保持部材を、内部にＭｇＦｅ2 Ｏ3 およ
び／またはＦｅ3 Ｏ4の結晶を有する体積固有抵抗値が
１０7 Ω・ｃｍ未満のフォルステライト質セラミックス
により形成したことを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、上記保持部材とガラス製
の磁気ディスク基板とを導電性材料からなるハブに順次
挿入固定して磁気ディスク装置を構成したものである。
の磁気ディスク基板とを導電性材料からなるハブに順次
挿入固定して磁気ディスク装置を構成したものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明実施例を説明する。
【００１３】図１〜図３は本発明に係る保持部材を示す
図であり、図１（ａ）はスペーサ１１の斜視図、（ｂ）
はその断面図、図２（ａ）はシム１０の斜視図、（ｂ）
はその断面図、図３（ａ）はクランプ１２’の斜視図、
（ｂ）はその断面図である。まず、図１に示すスペーサ
１１は、体積固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未満の導電性
を有するフォルステライト質セラミックスからなるリン
グ体１１２であって、その内外のエッジ部１１３ａ，１
１３ｂには欠けを防止するためにＣ面あるいはＲ面を形
成してある。
図であり、図１（ａ）はスペーサ１１の斜視図、（ｂ）
はその断面図、図２（ａ）はシム１０の斜視図、（ｂ）
はその断面図、図３（ａ）はクランプ１２’の斜視図、
（ｂ）はその断面図である。まず、図１に示すスペーサ
１１は、体積固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未満の導電性
を有するフォルステライト質セラミックスからなるリン
グ体１１２であって、その内外のエッジ部１１３ａ，１
１３ｂには欠けを防止するためにＣ面あるいはＲ面を形
成してある。
【００１４】また、当接面１１３は固定した磁気ディス
ク基板が高速回転に伴って回動しないようにするために
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．２〜２．０μｍの面粗さ
とするとともに、固定した際に磁気ディスク基板に歪み
を生じさせないようにするために当接面１１３の平坦度
を３μｍ以下としてあり、さらに磁気ディスク基板を所
定の間隔に保持するために上下の当接面１１３の平行度
を５μｍ以下としてある。なお、シム１０は図２に示す
ように、上記スペーサ１１と同じ形状で、やや薄型のも
のである。
ク基板が高速回転に伴って回動しないようにするために
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．２〜２．０μｍの面粗さ
とするとともに、固定した際に磁気ディスク基板に歪み
を生じさせないようにするために当接面１１３の平坦度
を３μｍ以下としてあり、さらに磁気ディスク基板を所
定の間隔に保持するために上下の当接面１１３の平行度
を５μｍ以下としてある。なお、シム１０は図２に示す
ように、上記スペーサ１１と同じ形状で、やや薄型のも
のである。
【００１５】また、図３に示すクランプ１２’は、体積
固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未満の導電性を有するフォ
ルステライト質セラミックスからなる円板状をした板状
体１２２’であって、その当接面１２３’はスペーサ１
１と同様に磁気ディスク基板の歪みを防止するととも
に、回動しないようにするために中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．２〜２．０μｍの面粗さとするとともに、平
坦度を３μｍ以下としてある。また、当接面１２３’の
中央にはハブの先端部分と係合する凹部１２４’とハブ
に固定するためのネジ穴１２５’を設けてあり、板状体
１２２’の内外のエッジ部１２３’ａ，１２３’ｂには
Ｃ面あるいはＲ面を形成してある。
固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未満の導電性を有するフォ
ルステライト質セラミックスからなる円板状をした板状
体１２２’であって、その当接面１２３’はスペーサ１
１と同様に磁気ディスク基板の歪みを防止するととも
に、回動しないようにするために中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．２〜２．０μｍの面粗さとするとともに、平
坦度を３μｍ以下としてある。また、当接面１２３’の
中央にはハブの先端部分と係合する凹部１２４’とハブ
に固定するためのネジ穴１２５’を設けてあり、板状体
１２２’の内外のエッジ部１２３’ａ，１２３’ｂには
Ｃ面あるいはＲ面を形成してある。
【００１６】このように、本発明は、シム１０、スペー
サ１１、およびクランプ１２’などの保持部材を１０7
Ω・ｃｍ未満の体積固有抵抗値を有するフォルステライ
ト質セラミックスで形成したことにより、磁気ディスク
基板に帯電する静電気を効率良く逃がすことができる。
しかも、保持部材を構成するフォルステライト質セラミ
ックスはガラス製の磁気ディスク基板の熱膨張係数
（８．０〜１０．０×１０-6／℃）と同じあるいは近似
しているため、熱膨張差に伴う磁気ディスク基板の歪み
を防止し、非常に高い精度でもって磁気ディスク基板を
保持することができる。
サ１１、およびクランプ１２’などの保持部材を１０7
Ω・ｃｍ未満の体積固有抵抗値を有するフォルステライ
ト質セラミックスで形成したことにより、磁気ディスク
基板に帯電する静電気を効率良く逃がすことができる。
しかも、保持部材を構成するフォルステライト質セラミ
ックスはガラス製の磁気ディスク基板の熱膨張係数
（８．０〜１０．０×１０-6／℃）と同じあるいは近似
しているため、熱膨張差に伴う磁気ディスク基板の歪み
を防止し、非常に高い精度でもって磁気ディスク基板を
保持することができる。
【００１７】次に、上記保持部材により表面に磁性膜を
備えたガラス製の磁気ディスク基板１５を保持した磁気
ディスク装置５０を図４に示す。
備えたガラス製の磁気ディスク基板１５を保持した磁気
ディスク装置５０を図４に示す。
【００１８】回転軸１３にフランジ部１４ａを備えた金
属製の略円筒体をしたハブ１４を固定し、該ハブ１４の
フランジ部１４ａに、磁気ディスク基板１５と図１に示
したスペーサ１１とを交互に複数個挿入し、最後に図２
に示したシム１０を挿入したあと金属またはアルミナな
どのセラミックスからなるクランプ１２で押さえ付け、
ネジ１６でもってクランプ１２をハブ１４に締め付ける
ことで磁気ディスク基板１５を固定するようにしてあ
る。
属製の略円筒体をしたハブ１４を固定し、該ハブ１４の
フランジ部１４ａに、磁気ディスク基板１５と図１に示
したスペーサ１１とを交互に複数個挿入し、最後に図２
に示したシム１０を挿入したあと金属またはアルミナな
どのセラミックスからなるクランプ１２で押さえ付け、
ネジ１６でもってクランプ１２をハブ１４に締め付ける
ことで磁気ディスク基板１５を固定するようにしてあ
る。
【００１９】本発明に係る磁気ディスク装置５０は、磁
気ディスク基板１５と保持部材（スペーサ１１，シム１
０）の熱膨張係数が同じあるいは近似しているため、高
速回転時に高温になっても熱膨張差に伴う不都合を生じ
ることがない。従って、磁気ヘッド１７の磁気ディスク
基板１５に対する浮上量を極めて小さくすることがで
き、情報記録密度を高くすることが可能となる。しか
も、上記保持部材（スペーサ１１，シム１０）は導電性
を有しているため、磁気ディスク基板１５に帯電した静
電気を金属製のハブ１４および回転軸１３を介して逃が
すことができ、記録内容が破壊されることを防止するこ
とができる。
気ディスク基板１５と保持部材（スペーサ１１，シム１
０）の熱膨張係数が同じあるいは近似しているため、高
速回転時に高温になっても熱膨張差に伴う不都合を生じ
ることがない。従って、磁気ヘッド１７の磁気ディスク
基板１５に対する浮上量を極めて小さくすることがで
き、情報記録密度を高くすることが可能となる。しか
も、上記保持部材（スペーサ１１，シム１０）は導電性
を有しているため、磁気ディスク基板１５に帯電した静
電気を金属製のハブ１４および回転軸１３を介して逃が
すことができ、記録内容が破壊されることを防止するこ
とができる。
【００２０】なお、上記磁気ディスク基板１５としては
ガラス基板以外に、セラミック基板の表面にガラスグレ
ーズ層を形成し、その上に磁性膜を被覆したものであっ
ても構わない。
ガラス基板以外に、セラミック基板の表面にガラスグレ
ーズ層を形成し、その上に磁性膜を被覆したものであっ
ても構わない。
【００２１】また、図４に示す磁気ディスク装置５０で
は、最上部の磁気ディスク基板１５とクランプ１２との
間にシム１０を介して保持させてあるが、他の実施例と
してクランプ１２を最上部の磁気ディスク基板１５と直
接当接させて保持する構造としても良く、この場合には
図３に示すクランプ１２’を用いれば、精度良く磁気デ
ィスク基板１５を保持することができるとともに、最上
部の磁気ディスク基板１５に帯電する静電気を効果的に
逃がすことができる。
は、最上部の磁気ディスク基板１５とクランプ１２との
間にシム１０を介して保持させてあるが、他の実施例と
してクランプ１２を最上部の磁気ディスク基板１５と直
接当接させて保持する構造としても良く、この場合には
図３に示すクランプ１２’を用いれば、精度良く磁気デ
ィスク基板１５を保持することができるとともに、最上
部の磁気ディスク基板１５に帯電する静電気を効果的に
逃がすことができる。
【００２２】さらに、磁気ディスク装置５０の他の例と
して、ハブ１４のフランジ部１４ａと磁気ディスク基板
１５との間に配置するスペーサ１１を取り除き直接当接
させて保持したものでも良く、この場合、磁気ディスク
基板１５との熱膨張差をなくすためにハブ１４も導電性
セラミックス、特に導電性を有するフォルステライト質
セラミックスで形成することが好ましい。
して、ハブ１４のフランジ部１４ａと磁気ディスク基板
１５との間に配置するスペーサ１１を取り除き直接当接
させて保持したものでも良く、この場合、磁気ディスク
基板１５との熱膨張差をなくすためにハブ１４も導電性
セラミックス、特に導電性を有するフォルステライト質
セラミックスで形成することが好ましい。
【００２３】ところで、上記スペーサ１１、シム１０、
およびクランプ１２’などの保持部材を構成する導電性
をもったフォルステライト質セラミックスは、フォルス
テライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）を主成分とし、導電材
として金属化合物を添加したものであり、特に金属化合
物として酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）、酸化水酸化鉄（ＦｅＯ（ＯＨ））など
の鉄系化合物を添加したものが好適である。
およびクランプ１２’などの保持部材を構成する導電性
をもったフォルステライト質セラミックスは、フォルス
テライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）を主成分とし、導電材
として金属化合物を添加したものであり、特に金属化合
物として酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）、酸化水酸化鉄（ＦｅＯ（ＯＨ））など
の鉄系化合物を添加したものが好適である。
【００２４】即ち、本件発明者らは、体積固有抵抗値が
１０7 Ω・ｃｍ未満の導電性を有するとともに、ガラス
製の磁気ディク基板１５の熱膨張係数と同じあるいは近
似した材料について鋭意研究を重ねた結果、フォルステ
ライトに、ある範囲で酸化鉄、四酸化三鉄、酸化水酸化
鉄などの鉄系化合物を添加すれば、機械的特性を殆ど損
なわずに、導電性を持たせることができることを見出し
た。しかも、鉄系化合物を含有したフォルステライト質
セラミックスにあっては、絶縁性のフォルステライト質
セラミックスに比べチッピングを生じ難く、エッジ部
（１０３ａ，１０３ｂ，１１３ａ，１１３ｂ，１２３’
ａ，１２３’ｂ）のＣ面あるいはＲ面量を少なくするこ
とができる。その為、磁気ディスク基板１５との当接面
（１０３，１１３，１２３’）の接触面積率を大きくす
ることができるため、磁気ディスク基板１５の歪みを抑
制することができる。
１０7 Ω・ｃｍ未満の導電性を有するとともに、ガラス
製の磁気ディク基板１５の熱膨張係数と同じあるいは近
似した材料について鋭意研究を重ねた結果、フォルステ
ライトに、ある範囲で酸化鉄、四酸化三鉄、酸化水酸化
鉄などの鉄系化合物を添加すれば、機械的特性を殆ど損
なわずに、導電性を持たせることができることを見出し
た。しかも、鉄系化合物を含有したフォルステライト質
セラミックスにあっては、絶縁性のフォルステライト質
セラミックスに比べチッピングを生じ難く、エッジ部
（１０３ａ，１０３ｂ，１１３ａ，１１３ｂ，１２３’
ａ，１２３’ｂ）のＣ面あるいはＲ面量を少なくするこ
とができる。その為、磁気ディスク基板１５との当接面
（１０３，１１３，１２３’）の接触面積率を大きくす
ることができるため、磁気ディスク基板１５の歪みを抑
制することができる。
【００２５】上記鉄系化合物の好ましい添加量としては
全体に対し２０〜６０重量％の範囲で添加することが良
い。これは、添加量が２０重量％より少なくなると、体
積固有抵抗値が１０7 以上となり絶縁性が強くなるため
に、磁気ディスク基板１５の帯電を防止できなくなるか
らであり、逆に、添加量が６０重量％より多くなると機
械的特性（ヤング率、曲げ強度）が大きく低下するため
に、各保持部材の当接面１０３，１１３，１２３’の平
坦度が維持できなくなるとともに、熱膨張係数も低下す
るため、ガラス製の磁気ディスク基板１５との熱膨張差
が大きくなり、磁気ディスク基板１５に歪みを生じてし
まうからである。
全体に対し２０〜６０重量％の範囲で添加することが良
い。これは、添加量が２０重量％より少なくなると、体
積固有抵抗値が１０7 以上となり絶縁性が強くなるため
に、磁気ディスク基板１５の帯電を防止できなくなるか
らであり、逆に、添加量が６０重量％より多くなると機
械的特性（ヤング率、曲げ強度）が大きく低下するため
に、各保持部材の当接面１０３，１１３，１２３’の平
坦度が維持できなくなるとともに、熱膨張係数も低下す
るため、ガラス製の磁気ディスク基板１５との熱膨張差
が大きくなり、磁気ディスク基板１５に歪みを生じてし
まうからである。
【００２６】一方、本発明に係る保持部材を製造するに
は、まず、ＭｇＯとＳｉＯ2 を５０：５０の比率で混合
したセラミック原料を湿式状態で混合粉砕し、乾燥させ
て微細かつＭｇＯとＳｉＯ2 が均一分散した造粒体を作
製したあと、焼成することにより２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 お
よび／またはＭｇＳｉＯ3 からなる結晶構造を有するセ
ラミック粒子を形成する。
は、まず、ＭｇＯとＳｉＯ2 を５０：５０の比率で混合
したセラミック原料を湿式状態で混合粉砕し、乾燥させ
て微細かつＭｇＯとＳｉＯ2 が均一分散した造粒体を作
製したあと、焼成することにより２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 お
よび／またはＭｇＳｉＯ3 からなる結晶構造を有するセ
ラミック粒子を形成する。
【００２７】次に、このセラミック粒子４０〜８０重量
％に対し、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3 ）、四酸化三鉄
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）、酸化水酸化鉄（ＦｅＯ（ＯＨ））のう
ち少なくとも１種以上を全体に対して２０〜６０重量％
の範囲でバインダーとともに添加し、混練乾燥させたあ
とメカプレスによりリング状、あるいは円板状をした所
望形状の成形体とし、大気雰囲気中にて１２００〜１３
００℃の焼成温度で１〜２時間焼成することにより、本
発明に係る保持部材を得ることができる。
％に対し、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3 ）、四酸化三鉄
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）、酸化水酸化鉄（ＦｅＯ（ＯＨ））のう
ち少なくとも１種以上を全体に対して２０〜６０重量％
の範囲でバインダーとともに添加し、混練乾燥させたあ
とメカプレスによりリング状、あるいは円板状をした所
望形状の成形体とし、大気雰囲気中にて１２００〜１３
００℃の焼成温度で１〜２時間焼成することにより、本
発明に係る保持部材を得ることができる。
【００２８】このようにして得られたセラミックスは、
フォルステライト成分として２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 および
／またはＭｇＳｉＯ3 の結晶が存在し、かつ鉄系化合物
成分としてＭｇＦｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 のうち一種以上
の結晶が存在していることが好ましい。なお、これらの
結晶が存在するとは、Ｘ線回折による分析により、各結
晶のピークが存在することを言う。
フォルステライト成分として２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 および
／またはＭｇＳｉＯ3 の結晶が存在し、かつ鉄系化合物
成分としてＭｇＦｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 のうち一種以上
の結晶が存在していることが好ましい。なお、これらの
結晶が存在するとは、Ｘ線回折による分析により、各結
晶のピークが存在することを言う。
【００２９】また、上記フォルステライト質セラミック
ス中には、全体に対し１５重量％以下の範囲でＴｉ
Ｏ2 、ＣａＯなどの不純物を含有していても良い。
ス中には、全体に対し１５重量％以下の範囲でＴｉ
Ｏ2 、ＣａＯなどの不純物を含有していても良い。
【００３０】このようにして得た導電性を有するフォル
ステライト質セラミックスからなる保持部材は、体積固
有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未満で、熱膨張係数が９〜１
１×１０-6／℃の範囲にあり、かつヤング率１００〜１
４０ＧＰａ、曲げ強度１０〜１４kg/mm2を有している。
ステライト質セラミックスからなる保持部材は、体積固
有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未満で、熱膨張係数が９〜１
１×１０-6／℃の範囲にあり、かつヤング率１００〜１
４０ＧＰａ、曲げ強度１０〜１４kg/mm2を有している。
【００３１】以上のように本発明に係る保持部材は、磁
気ディスク基板の熱膨張係数と同じあるいは近似させる
ことができるとともに、導電性を有しているため、高速
回転時に高温になっても熱膨張差に伴う不都合を生じる
ことがなく、また、磁気ディスク基板１５に帯電した静
電気を逃がすことができる。しかも、上記保持部材を用
いてガラス製の磁気ディスク基板を保持させた本発明に
係る磁気ディスク装置を用いれば、磁気ヘッド１７の磁
気ディスク基板に対する浮上量を極めて小さくすること
ができ、高密度記録を実現できるとともに、磁気ディス
ク基板１５が帯電することに伴う記録内容の破壊を防止
することができる。
気ディスク基板の熱膨張係数と同じあるいは近似させる
ことができるとともに、導電性を有しているため、高速
回転時に高温になっても熱膨張差に伴う不都合を生じる
ことがなく、また、磁気ディスク基板１５に帯電した静
電気を逃がすことができる。しかも、上記保持部材を用
いてガラス製の磁気ディスク基板を保持させた本発明に
係る磁気ディスク装置を用いれば、磁気ヘッド１７の磁
気ディスク基板に対する浮上量を極めて小さくすること
ができ、高密度記録を実現できるとともに、磁気ディス
ク基板１５が帯電することに伴う記録内容の破壊を防止
することができる。
【００３２】（実験例）ここで、本発明に係る保持部材
を構成するフォルステライトのうち、鉄系化合物（酸化
鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄（Ｆｅ
3 Ｏ4 ））の添加量を変化させた時の体積固有抵抗値、
ヤング率、曲げ強度、熱膨張係数についてそれぞれ測定
した。
を構成するフォルステライトのうち、鉄系化合物（酸化
鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄（Ｆｅ
3 Ｏ4 ））の添加量を変化させた時の体積固有抵抗値、
ヤング率、曲げ強度、熱膨張係数についてそれぞれ測定
した。
【００３３】また、本実験における評価基準は、保持部
材として要求されている体積固有抵抗値１０7 Ω・ｃｍ
未満、ヤング率１００ＧＰａ以上、曲げ強度１０kg/mm2
以上で、かつ熱膨張係数が９〜１１×１０-6／℃の範囲
にあるものを優れているとした。
材として要求されている体積固有抵抗値１０7 Ω・ｃｍ
未満、ヤング率１００ＧＰａ以上、曲げ強度１０kg/mm2
以上で、かつ熱膨張係数が９〜１１×１０-6／℃の範囲
にあるものを優れているとした。
【００３４】それぞれの結果は、表１〜表３に示す通り
である。
である。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】この結果、試料１，２，１１，２１では鉄
系化合物（酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3 ）、四酸化三鉄
（Ｆｅ3 Ｏ4 ））の添加量が２０重量％未満であるた
め、体積固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ以上と、保持部材
に必要な導電性を持たせることができなかった。
系化合物（酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3 ）、四酸化三鉄
（Ｆｅ3 Ｏ4 ））の添加量が２０重量％未満であるた
め、体積固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ以上と、保持部材
に必要な導電性を持たせることができなかった。
【００３９】また、試料９，１８では鉄系化合物（酸化
鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄（Ｆｅ
3 Ｏ4 ））の添加量が６０重量％より多いため、体積固
有抵抗値は１０7 Ω・ｃｍ未満であったものの、ヤング
率、曲げ強度、熱膨張係数が基準値を満足しなかった。
鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄（Ｆｅ
3 Ｏ4 ））の添加量が６０重量％より多いため、体積固
有抵抗値は１０7 Ω・ｃｍ未満であったものの、ヤング
率、曲げ強度、熱膨張係数が基準値を満足しなかった。
【００４０】これに対し、本発明に係る試料３〜８，１
２〜１７，２２〜２７は、鉄系化合物（酸化鉄（Ｆｅ
Ｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ））の添加
量が２０〜６０重量％の範囲にあるため、体積固有抵抗
値１０7 Ω・ｃｍ未満、ヤング率１００ＧＰａ以上、曲
げ強度１０kg/mm2以上で、かつ熱膨張係数が９〜１１×
１０-6／℃の範囲にあり、基準値を満足することができ
た。
２〜１７，２２〜２７は、鉄系化合物（酸化鉄（Ｆｅ
Ｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 ）、四酸化三鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ））の添加
量が２０〜６０重量％の範囲にあるため、体積固有抵抗
値１０7 Ω・ｃｍ未満、ヤング率１００ＧＰａ以上、曲
げ強度１０kg/mm2以上で、かつ熱膨張係数が９〜１１×
１０-6／℃の範囲にあり、基準値を満足することができ
た。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、シム、
スペーサ、およびクランプなどの磁気ディスク基板用保
持部材を、内部にＭｇＦｅ2 Ｏ3 および／またはＦｅ3
Ｏ4 の結晶を有する体積固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未
満のフォルステライト質セラミックスにより形成したこ
とにより、磁気ディスク基板の熱膨張係数と同じあるい
は近似させることができ、高速回転時に高温になっても
熱膨張差に伴う不都合を生じることがなく、また、磁気
ディスク基板に帯電した静電気を効率良く逃がすことが
できる。
スペーサ、およびクランプなどの磁気ディスク基板用保
持部材を、内部にＭｇＦｅ2 Ｏ3 および／またはＦｅ3
Ｏ4 の結晶を有する体積固有抵抗値が１０7 Ω・ｃｍ未
満のフォルステライト質セラミックスにより形成したこ
とにより、磁気ディスク基板の熱膨張係数と同じあるい
は近似させることができ、高速回転時に高温になっても
熱膨張差に伴う不都合を生じることがなく、また、磁気
ディスク基板に帯電した静電気を効率良く逃がすことが
できる。
【００４２】また、本発明は、上記保持部材を用いてガ
ラス製の磁気ディスキ基板を導電性材料からなるハブに
順次挿入固定して磁気ディスク装置を構成したことによ
り、磁気ヘッドの磁気ディスク基板に対する浮上量を極
めて小さくすることができ、高密度記録（大容量化）を
実現できるとともに、磁気ディスク基板に帯電する静電
気を保持部材、ハブを介して効率良く逃がすことができ
るため、記録内容の破壊を防止することができる。
ラス製の磁気ディスキ基板を導電性材料からなるハブに
順次挿入固定して磁気ディスク装置を構成したことによ
り、磁気ヘッドの磁気ディスク基板に対する浮上量を極
めて小さくすることができ、高密度記録（大容量化）を
実現できるとともに、磁気ディスク基板に帯電する静電
気を保持部材、ハブを介して効率良く逃がすことができ
るため、記録内容の破壊を防止することができる。
【図１】本発明に係る保持部材の一例であるスペーサを
示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図であ
る。
示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図であ
る。
【図２】本発明に係る保持部材の一例であるシムを示す
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明に係る保持部材の一例であるクランプを
示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図であ
る。
示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図であ
る。
【図４】本発明に係る磁気ディスク装置を示す縦断面図
である。
である。
１０：シム １０２：リング体 １０３：当接面 １１：スペーサ １１２：リング体 １１３：当接面 １２’：クランプ １２２’：板状体 １２３’：当接面 １３：回転軸 １４：ハブ １５：磁気ディスク基板 １７：磁気ヘッド
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス製の磁気ディスク基板を所定位置に
保持する保持部材を、内部にＭｇＦｅ 2 Ｏ 3 および／ま
たはＦｅ 3 Ｏ 4 の結晶を有する体積固有抵抗値が１０7
Ω・ｃｍ未満のフォルステライト質セラミックスにより
形成したことを特徴とする磁気ディスク基板用保持部
材。 - 【請求項２】導電性材料からなるハブに、ガラス製の磁
気ディスク基板と、ＭｇＦｅ 2 Ｏ 3 および／またはＦｅ
3 Ｏ 4 の結晶を有する体積固有抵抗値が１０7Ω・ｃｍ
未満のフォルステライト質セラミックスからなる磁気デ
ィスク基板用保持部材とを順次挿入して固定したことを
特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173485A JP2984199B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 磁気ディスク基板用保持部材および磁気ディスク装置 |
| US08/609,136 US5969902A (en) | 1995-03-15 | 1996-02-29 | Support magnetic disk substrate and magnetic disk unit using the support member composed of Forsterite and an iron based component |
| US09/262,892 US6215617B1 (en) | 1995-03-15 | 1999-03-08 | Support member for magnetic disk substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173485A JP2984199B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 磁気ディスク基板用保持部材および磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927177A JPH0927177A (ja) | 1997-01-28 |
| JP2984199B2 true JP2984199B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=15961384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173485A Expired - Lifetime JP2984199B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-07-10 | 磁気ディスク基板用保持部材および磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984199B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045139A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Kyocera Corp | 磁気ディスク基板保持用スペーサ |
| JP2003288766A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Kyocera Corp | 磁気ディスク基板用保持部材及びその製造方法 |
| JP2010067324A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ディスク・ドライブ及びスペーサ |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP7173485A patent/JP2984199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0927177A (ja) | 1997-01-28 |
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